显示面板及包括该显示面板的显示装置
阅读说明：本技术 显示面板及包括该显示面板的显示装置 (Display panel and display device comprising same ) 是由 李正浩 金旼柱 金元浩 李根洙 蔡敬赞 于 2020-03-19 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种显示面板及包括该显示面板的显示装置。显示面板包括：包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域的基板；包括位于第二区域中的显示元件的显示层；位于第三区域中的第一金属层；位于第一金属层上并包括至少一个接触部分的有机绝缘层；以及位于有机绝缘层上并通过至少一个接触部分接触第一金属层的第二金属层,其中第二金属层具有第一孔,并且有机绝缘层具有对应于第一孔的第二孔或第一凹部,并且位于第二孔或第一凹部中并包括至少一个有机层的一部分的残留层与第一金属层重叠。(The invention discloses a display panel and a display device comprising the same. The display panel includes: a substrate including a first region, a second region, and a third region between the first region and the second region; a display layer including display elements located in the second region; a first metal layer located in the third region; an organic insulating layer on the first metal layer and including at least one contact portion; and a second metal layer on the organic insulating layer and contacting the first metal layer through at least one contact portion, wherein the second metal layer has a first hole, and the organic insulating layer has a second hole or a first recess corresponding to the first hole, and a residual layer in the second hole or the first recess and including a portion of the at least one organic layer overlaps the first metal layer.)
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年3月19日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2019-0031469号的权益，其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开涉及一种显示面板，并且更具体地，涉及一种包括部件在显示区域内部位于其中的区域的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
近来，显示装置已经以各种方式使用。而且，随着显示装置的厚度和重量减小，显示装置的使用扩展到广泛的电子产品。同时，显示装置的分辨率已经提高，并且显示装置中显示区域的尺寸也已经增大。
随着显示装置中显示区域的尺寸增大，链接到显示装置或与显示装置关联的各种功能可以被添加。随着显示区域的尺寸增大，已经对将各个元件布置在显示区域中以添加各种功能的显示装置进行了研究。
发明内容
本公开的示例性实施例包括具有各个元件在显示区域中位于其中的第一区域的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
另外的方面将在随后的描述中部分地阐明，并且部分地根据这些描述显而易见，或者可以通过所呈现的示例性实施例的实践而获知。
根据本公开的示例性实施例，显示面板包括：包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域的基板；包括位于第二区域中的像素电路和电连接至像素电路的显示元件的显示层，显示元件包括像素电极、对电极以及位于像素电极和对电极之间并且包括发射层和至少一个有机层的中间层；位于第三区域中的第一金属层；位于第一金属层上并包括至少一个接触部分的有机绝缘层；以及位于有机绝缘层上并通过至少一个接触部分接触第一金属层的第二金属层，其中第二金属层具有第一孔，并且有机绝缘层具有对应于第一孔的第二孔或第一凹部，并且位于第二孔或第一凹部中并包括至少一个有机层的一部分的残留层与第一金属层重叠。
显示面板可以进一步包括位于第一金属层和有机绝缘层之间的无机绝缘层。
第二孔可以暴露无机绝缘层的顶表面的至少一部分。
第二孔可以延伸至无机绝缘层中并且可以暴露第一金属层的顶表面的至少一部分。
至少一个接触部分可以具有限定在有机绝缘层中的第一开口和限定在无机绝缘层中的第二开口，并且第一金属层和第二金属层可以通过至少一个接触部分彼此连接。
像素电路可以包括电连接至显示元件的薄膜晶体管(TFT)和存储电容器，并且第二金属层可以包括与将显示元件连接至TFT的接触金属层的材料相同的材料。
TFT可以包括半导体层、与半导体层重叠的栅电极以及电连接至半导体层的连接电极，并且第一金属层可以包括与连接电极的材料相同的材料。
显示面板可以进一步包括在第一方向上延伸并且被配置为将数据信号传输至显示元件的数据线，其中数据线包括与第一金属层和第二金属层中的至少一个的材料相同的材料。
至少一个有机层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的一个或多个。
显示面板可以进一步包括：位于第三区域中并围绕第一区域的间隔壁；以及各自包括第一孔和第二孔或第一凹部的至少一个凹槽，其中至少一个凹槽包括位于间隔壁的靠近第二区域的一侧的第一凹槽和位于间隔壁的靠近第一区域的一侧的第二凹槽。
第一金属层可以位于第一凹槽下方。
第一金属层可以与第一凹槽和第二凹槽中的每一个重叠，并且可以不连续地位于第一凹槽和第二凹槽中的每一个的下方。
第一金属层可以位于第一凹槽、间隔壁和第二凹槽的下方。
至少一个凹槽可以进一步包括比第二凹槽更靠近第一区域定位的第三凹槽，其中第一凹槽和第二凹槽中每一个的基于有机绝缘层的顶表面限定的深度小于第三凹槽的深度。
显示面板可以进一步包括位于有机绝缘层下方的至少一个下绝缘层，其中至少一个下绝缘层包括无机绝缘层。
第三凹槽的底表面可以位于基板的顶表面和至少一个下绝缘层的顶表面之间的假想表面上。
第一金属层可以包括与电信号断开的浮置金属。
第一金属层可以具有围绕第一区域的环形形状。
在平面图中，第一金属层的宽度可以大于第二孔的宽度。
有机绝缘层的至少一个接触部分可以包括第一接触部分和第二接触部分，其中至少一个凹槽位于第一接触部分和第二接触部分之间。
无机绝缘层可以包括对应于第二孔并且穿过无机绝缘层的第三孔或第二凹部。
根据本公开的示例性实施例，显示装置包括：包括基板的显示面板，基板包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域；以及包括对应于第一区域定位的电子元件的部件，其中显示面板包括：显示层，包括位于第二区域中的像素电路和电连接至像素电路的显示元件，并且显示元件包括像素电极、对电极以及位于像素电极和对电极之间的中间层；以及多层膜，位于第三区域中并且包括第一金属层、位于第一金属层上的第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的有机绝缘层，第一金属层和第二金属层通过限定在有机绝缘层中的至少一个接触部分彼此接触，其中多层膜包括邻近于接触部分并限定在多层膜中的至少一个凹槽，并且包括在中间层中的至少一个有机层被至少一个凹槽断开。
根据本公开的示例性实施例，显示面板包括：基板，包括被配置为添加各种功能的部件位于其中的部件区域、被配置为显示图像的多个像素位于其中的显示区域以及位于部件区域和显示区域之间的中间区域；位于中间区域中并且围绕部件区域的第一金属层；位于第一金属层上并且包括围绕部件区域的至少一个接触部分的有机绝缘层；位于有机绝缘层上并通过至少一个接触部分接触第一金属层的第二金属层；以及邻近于至少一个接触部分定位并围绕部件区域的至少一个凹槽，每个凹槽具有第二金属层中的第一孔以及有机绝缘层中的与第一孔对应的第二孔，并且至少一个凹槽被配置为断开形成在第二金属层上方的任何有机层。
显示面板可以进一步包括位于第一金属层和有机绝缘层之间的无机绝缘层。
附图说明
根据以下结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更易于理解，附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的透视图；
图2A和图2B是根据本公开的示例性实施例的显示装置的截面图；
图3是根据本公开的示例性实施例的显示装置的截面图；
图4A至图4D是根据本公开的示例性实施例的显示面板的截面图；
图5是根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图；
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图；
图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分的平面图；
图8是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分的平面图；
图9是根据本公开的示例性实施例的显示面板的截面图；
图10A至图10C是根据本公开的示例性实施例的显示面板的制造工艺的截面图和平面图；
图11是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分的平面图；
图12是根据本公开的示例性实施例的显示面板的截面图；
图13A和图13B是根据本公开的示例性实施例的显示面板的制造工艺的截面图；
图14A、图14B和图15是根据本公开的示例性实施例的显示面板的制造工艺的截面图；
图16是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分的平面图；并且
图17是根据本公开的示例性实施例的显示面板的截面图。
由于图1至图17中的附图仅用于说明性目的，所以附图中的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚起见，元件中的一些可能被放大或夸大。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施例，其示例在本文中描述并在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。就这一点而言，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于本文所阐明的描述。因此，以下通过参考附图仅仅描述示例性实施例，以解释本公开的各方面。本文所使用的术语“和/或”包括所列出的相关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。诸如“…中的至少一个”的表达当在一列元件之后时修饰整列元件，而不是修饰该列中的个别元件。
将理解的是，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制，并且以上术语仅用于区分一个元件与另一元件。
本文所使用的单数形式“一”和“该”同样意在包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。而且，在考虑所关注的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时，本文所用的“约”包括所述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或在所述的值的±30％、20％、10％、5％之内。
将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指明存在所述的特征或部件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征或部件。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，其可以直接形成在另一层、区域或元件上，或在它们之间可以存在中间层、区域或元件。
当本公开的某个示例性实施例可以被不同地实施时，具体处理顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如本文所使用，诸如“A和/或B”的表达可以包括A、B或者A和B。诸如“A和B中的至少一个”的表达可以包括A、B或者A和B。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接”时，层、区域或元件可以直接连接，或者可以间接连接，其中中间层、区域或元件位于它们之间。例如，当层、区域或元件电连接时，层、区域或元件可以直接电连接，和/或可以间接电连接，其中中间层、区域或元件位于它们之间。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置1的透视图。
参考图1，显示装置1包括第一区域OA和显示区域DA，显示区域DA是至少部分地围绕第一区域OA的第二区域。显示装置1可以通过从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光提供预定图像。在本公开的示例性实施例中，多个像素P(参见图5)可以以矩阵形状布置，但是本公开不限于此。例如，多个像素P可以以蜂窝状矩阵形状或菱形形状布置。第一区域OA可以被显示区域DA完全围绕。如以下参考图2A所描述，第一区域OA可以是部件位于其中的区域。
是第三区域的中间区域MA可以位于第一区域OA和显示区域DA之间，并且显示区域DA可以被是第四区域的***区域PA围绕。中间区域MA和***区域PA可以是没有像素位于其中的非显示区域。中间区域MA可以被显示区域DA完全围绕，并且显示区域DA可以被***区域PA完全围绕。第一区域OA可以被中间区域MA完全围绕。
虽然将有机发光显示装置描述为根据本公开的示例性实施例的显示装置1，但是本公开不限于此。在本公开的示例性实施例中，显示装置1可以是诸如量子点发光显示装置的显示装置。有机发光显示装置的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示装置的发光层可以包括量子点和/或量子棒。
虽然在图1中提供了一个基本上具有圆形形状的第一区域OA，但是本公开不限于此。第一区域OA的数量可以等于或大于2，并且第一区域OA的形状可以以各种方式修改，诸如例如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状、星形形状或菱形形状。当两个或更多个第一区域OA被提供时，第一区域OA可以具有相同的形状或不同的形状。
图2A、图2B和图3是沿图1的线II-II’截取的根据本公开的示例性实施例的显示装置1的截面图。
参考图2A，显示装置1可以包括显示面板10、位于显示面板10上的输入感测层40以及位于输入感测层40上的光学功能层50，并且显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以被窗口60覆盖。显示装置1可以是各种电子设备中的任何一种，诸如例如移动电话、笔记本电脑或智能手表。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件和连接至显示元件的像素电路。显示元件可以包括例如有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QD-LED)。可替代地，显示元件可以包括例如电泳元件或电润湿元件。
输入感测层40根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接至感测电极的迹线。输入感测层40可以位于显示面板10上。输入感测层40可以通过使用互电容方法和/或自电容方法来检测外部输入。例如，输入感测层40可以通过两个感测电极之间的电容的改变来获得关于外部输入的信息。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以分离形成，然后可以经由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层联接至显示面板10。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成，并且在这种情况下，输入感测层40可以是显示面板10的一部分，并且粘合层可以不位于输入感测层40和显示面板10之间。例如，输入感测层40和显示面板10可以被集成在显示装置1内的单个基板中。因此，显示装置1的厚度可以减小。虽然如图2A中所示输入感测层40位于显示面板10和光学功能层50之间，但是本公开不限于此。例如，在本公开的示例性实施例中，输入感测层40可以位于光学功能层50上方。
光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以减小通过窗口60入射在显示面板10上的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型的偏振器可以包括拉长的合成树脂膜，并且液晶涂覆型的偏振器可以包括以预定定向排列的液晶。例如，当偏振器和相位延迟器都是膜型时，λ/4相位延迟器膜(或λ/2相位延迟器膜)可以通过OCA层接合并层压到偏振器的一个表面上。相位延迟器和偏振器可以进一步包括透明保护膜。相位延迟器和偏振器或者透明保护膜可以被限定为抗反射层的基层。
在本公开的示例性实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以考虑由显示面板10的像素中的每一个发射的光的颜色来布置。因此，可以通过用滤色器过滤由像素中的每一个发射的光来实现期望的颜色。在本公开的示例性实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括位于不同层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消地干涉，从而降低了外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以增强由显示面板10发射的光的光提取效率或者可以减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，和/或可以包括具有不同折射率的多个层。在本公开的示例性实施例中，透镜层的透镜阵列可以覆盖像素阵列，其中透镜中的至少一个可以覆盖像素中的至少一个。光学功能层50可以包括抗反射层和透镜层两者，或者可以包括抗反射层和透镜层中的任意一个。
在本公开的示例性实施例中，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后连续形成。在这种情况下，诸如OCA层的粘合层可以不位于光学功能层50与显示面板10和/或输入感测层40之间。
显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以具有开口。就这一点而言，在图2A中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别具有第一至第三开口10H、40H和50H，并且第一至第三开口10H、40H和50H彼此重叠。第一至第三开口10H、40H和50H被形成为对应于第一区域OA。
在本公开的示例性实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一个可以不具有开口。例如，从显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中选择的一个或两个可以不具有开口。可替代地，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以不具有开口，如图3中所示。
第一区域OA可以是如上所述用于添加各种功能的部件20位于其中的部件区域(例如，传感器区域、摄像头区域或扬声器区域)。部件20可以对应于第一至第三开口10H、40H和50H定位，并且可以如图2A中所示位于显示面板10下方。可替代地，如图2B中所示，部件20可以被定位为使部件20的至少一部分被***第一至第三开口10H、40H和50H中。部件20可以被设置为与第一至第三开口10H、40H和50H重叠。因此，由于部件20被组装为在平面图中与第一至第三开口10H、40H和50H重叠，所以它可以容易地通过第一至第三开口10H、40H和50H与外部通信。可替代地，如图3中所示，部件20可以位于不具有通孔的显示面板10下方。
部件20可以包括对应于第一区域OA定位的电子元件。例如，部件20可以包括使用光或声音的电子元件。电子元件的示例可以包括：用于输出和/或接收光的传感器，诸如红外传感器；用于接收光并捕获图像的摄像头；用于输出并检测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器；用于输出光的小灯；以及用于输出声音的扬声器。当部件20是使用光的电子元件时，部件20可以使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光或紫外光。在本公开的示例性实施例中，第一区域OA可以是传输区域，通过该传输区域，从部件20输出至外部或从外部向电子元件行进的光和/或声音可以被传输。例如，部件20可以包括摄像头、扬声器、灯、光检测传感器和热检测传感器中的至少一种。部件20可以检测通过第一区域OA接收的外部对象，或者通过第一区域OA将诸如语音的声音信号提供至外部。另外，部件20可以包括多种配置，并且不限于任何一个示例性实施例。
在本公开的示例性实施例中，当显示装置1被用作智能手表或车辆仪表面板时，部件20可以是指示预定信息(例如，车速)的诸如钟针或指针的构件。当显示装置1包括钟针或车辆仪表面板时，部件20可以穿过窗口60并且可以暴露于外部，并且窗口60可以具有对应于第一区域OA的开口。
部件20可以包括与如上所述的显示面板10的功能有关的元件(或多个元件)，或者可以包括诸如用于增强显示面板10的美感的附件的元件。由于窗口60可以与光学功能层50分开形成，因此包括OCA的层可以位于窗口60和光学功能层50之间。
图4A至图4D是根据本公开的示例性实施例的显示面板10的截面图。
参考图4A，显示面板10包括位于基板100上的显示层200。基板100可以包括例如玻璃材料和/或聚合物树脂，并且可以具有多层结构。例如，如图4A的放大图中所示，基板100可以包括第一基层101、第一阻挡层102、第二基层103和第二阻挡层104。
第一基层101和第二基层103中的每一个可以包括聚合物树脂。例如，第一基层101和第二基层103中的每一个可以包括诸如例如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。聚合物树脂可以是透明的，并且可以被提供为使显示面板10的至少一部分可以容易地弯曲。可替代地，基板100可以以刚性状态提供。
是用于防止外部异物渗透的阻挡层的第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每一个可以具有包括诸如例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层结构。例如，第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括无机材料，以防止流过基板100的氧气或水渗透到显示层200中。
显示层200包括多个像素。显示层200可以包括：显示元件层200A，其包括针对各像素分别位于显示区域DA中的显示元件；以及像素电路层200B，其包括针对各像素位于显示区域DA中的绝缘层和像素电路。显示元件可以电连接至像素电路。显示元件层200A可以包括像素电极、对电极以及位于像素电极和对电极之间的堆叠结构，并且显示元件中的每一个可以包括OLED。像素电路中的每一个可以包括薄膜晶体管(TFT)和存储电容器。
显示层200的显示元件可以被诸如薄膜封装层300的封装构件覆盖，并且薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。当显示面板10包括包括聚合物树脂的基板100以及包括无机封装层和有机封装层的薄膜封装层300时，显示面板10的柔性可以被增强。另外，在形成柔性显示装置的情况下，除了包括聚合物树脂的基板100之外，具有良好延展性的塑料膜可以被用于形成窗口60。
显示面板10可以具有穿过显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以位于第一区域OA中，并且在这种情况下，第一区域OA可以是开口区域。在图4A中，基板100和薄膜封装层300分别具有与显示面板10的第一开口10H对应的通孔100H和300H。显示层200也可以具有对应于第一区域OA的通孔200H。
在本公开的示例性实施例中，如图4B中所示，基板100可以不具有对应于第一区域OA的通孔。显示层200可以具有对应于第一区域OA的通孔200H。薄膜封装层300可以不具有对应于第一区域OA的通孔。在本公开的示例性实施例中，如图4C中所示，显示层200可以不具有对应于第一区域OA的通孔。另外，基板100可以不具有对应于第一区域OA的通孔，并且薄膜封装层300可以不具有对应于第一区域OA的通孔。
虽然在图4A至图4C中，显示元件层200A不位于第一区域OA中，但是本公开不限于此。例如，在本公开的示例性实施例中，辅助显示元件层200C可以位于第一区域OA中，如图4D中所示。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A的显示元件的结构和/或操作方法不同的结构和/或操作方法的显示元件。
在本公开的示例性实施例中，显示元件层200A的每个像素可以包括有源矩阵OLED，并且辅助显示元件层200C的每个像素可以包括无源矩阵OLED。当辅助显示元件层200C包括无源矩阵OLED的显示元件时，构成像素电路的元件可以不位于无源矩阵OLED下方。例如，像素电路层200B的在辅助显示元件层200C下方的部分不包括晶体管和存储电容器。因此，包括无源矩阵OLED的辅助显示元件层200C使用简单的控制方案并且由外部电路控制。
在本公开的示例性实施例中，辅助显示元件层200C可以包括与显示元件层200A的显示元件相同类型的显示元件(例如，有源矩阵OLED)，并且位于辅助显示元件层200C下方的像素电路的结构可以与在显示元件层200A下方的像素电路的结构不同。例如，位于辅助显示元件层200C下方的像素电路(例如，包括位于基板100和晶体管之间的屏蔽膜的像素电路)可以具有与位于显示元件层200A下方的像素电路的结构不同的结构。可替代地，辅助显示元件层200C的显示元件和显示元件层200A的显示元件可以根据不同的控制信号操作。例如，辅助显示元件层200C的显示元件可以提供与显示元件层200A的显示元件的功能不同的功能。不需要相对高的透射率的部件(例如，红外传感器)可以位于辅助显示元件层200C位于其中的第一区域OA中。在这种情况下，第一区域OA可以是部件区域或辅助显示区域。
图5是根据本公开的示例性实施例的显示面板10的平面图，并且图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板10的像素P的等效电路图。
参考图5，显示面板10可以包括第一区域OA、是第二区域的显示区域DA、是第三区域的中间区域MA和是第四区域的***区域PA。图5可以示出显示面板10的基板100。例如，基板100可以被理解为包括第一区域OA、显示区域DA、中间区域MA和***区域PA。
显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图6中所示，像素P中的每一个包括像素电路PC和是连接至像素电路PC的显示元件的OLED。像素电路PC可以包括第一TFT T1、第二TFT T2和存储电容器Cst。每个像素P可以通过OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。显示面板10可以根据电信号通过从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来显示预定图像。
第二TFT T2，即用于控制像素P的导通和截止的开关TFT，可以连接至扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输至第一TFT T1。存储电容器Cst可以连接至第二TFT T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二TFT T2接收的电压和供给至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
是驱动TFT的第一TFT T1可以连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流至OLED的驱动电流。OLED可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。第一TFT T1的导通时间可以根据存储在存储电容器Cst中的电压的量来确定。然后，第一TFT T1可以在导通时间期间将通过驱动电压线PL传输的第一电源电压ELVDD提供至OLED。OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
虽然在图6中像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器，但是本公开不限于此。TFT的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计以各种方式改变。例如，像素电路PC可以包括三个、四个、五个或更多个TFT，而不是上面的两个TFT。
再次参考图5，在平面图中，中间区域MA可以围绕第一区域OA。中间区域MA是诸如OLED的用于发光的显示元件不位于其中的区域，并且用于向布置在第一区域OA周围的像素P施加信号的信号线可以穿过中间区域MA。用于将扫描信号施加至每个像素P的扫描驱动器1100、用于将数据信号施加至每个像素P的数据驱动器1200以及用于供给第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电源布线可以位于***区域PA中。虽然在图5中数据驱动器1200邻近于基板100的一侧定位，但是本公开不限于此。例如，在本公开的示例性实施例中，数据驱动器1200可以位于电连接至位于显示面板10一侧的焊盘的柔性印刷电路板(FPCB)上。FPCB可以弯曲并电连接至显示面板10。因此，FPCB可以将信号输出至显示面板10或从显示面板10接收信号。
图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板10的一部分的平面图。
参考图7，像素P位于第一区域OA周围的显示区域DA中。一些像素P可以在第一区域OA周围彼此间隔开，并且第一区域OA可以被限定在像素P之间。例如，在平面图中，像素P可以位于第一区域OA的上面和下面，并且可以位于第一区域OA的左边和右边。由于中间区域MA是像素P不位于其中的区域，所以在平面图中，像素P可以位于中间区域MA的上面和下面，并且可以位于中间区域MA的左边和右边。
在将信号施加至像素P的信号线当中，与第一区域OA邻近的信号线可以绕过第一区域OA。在图7的平面图中，穿过显示区域DA的数据线DL中的至少一条数据线DL可以在y方向上延伸，以将数据信号施加至位于第一区域OA上面和下面的像素P，并且可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘绕行。在平面图中，穿过显示区域DA的扫描线SL中的至少一条扫描线SL可以在x方向上延伸，以将扫描信号施加至位于第一区域OA左边和右边的像素P，并且可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘绕行。例如，右侧的扫描线SL和左侧的扫描线SL可以通过旁路部分SL-D和延伸部分SL-L彼此连接，其中扫描线SL的旁路部分SL-D被设置在中间区域MA内并避开第一区域OA。
扫描线SL的旁路部分SL-D以及扫描线SL的横穿显示区域DA的延伸部分SL-L可以位于同一层上并且可以被一体地形成。数据线DL中的至少一条数据线DL的旁路部分DL-D1以及该数据线DL的横穿显示区域DA的延伸部分DL-L1可以被形成在不同的层上，并且数据线DL的旁路部分DL-D1和延伸部分DL-L1可以通过接触孔CNT彼此连接。数据线DL中的至少一条数据线DL的旁路部分DL-D2以及该数据线DL的延伸部分DL-L2可以位于同一层上并且可以被一体地形成。
一个或多个凹槽G可以位于第一区域OA与中间区域MA的其中扫描线SL和数据线DL绕过的一部分之间。在平面图中，凹槽G中的每一个可以具有围绕第一区域OA的环形形状，并且凹槽G可以彼此隔开。扫描线SL的旁路部分SL-D以及数据线DL的旁路部分DL-D1和DL-D2可以被设置在凹槽G和显示区域DA之间。
图8是根据本公开的示例性实施例的显示面板10-1的平面图，并且图9是沿图8的线IX-IX’截取的根据本公开的示例性实施例的显示面板10-1的截面图。另外，图10A至图10C是根据本公开的示例性实施例的显示面板10-1的制造工艺的截面图和平面图，其示出了中间区域MA。
参考图8，围绕第一区域OA的间隔壁PW和至少一个凹槽G可以被提供在中间区域MA中。间隔壁PW可以具有围绕第一区域OA的环形形状。
在本公开的示例性实施例中，多个凹槽G可以被提供，并且可以位于间隔壁PW的两侧。在图8中，凹槽G中的至少一个可以被提供在间隔壁PW的外侧且与显示区域DA邻近，并且凹槽G中的其他凹槽G可以被提供在间隔壁PW的内侧且与第一区域OA邻近。在本公开的示例性实施例中，两个或更多个凹槽G可以被提供在间隔壁PW内侧并且与第一区域OA邻近。
第一金属层MTL1可以被定位为与中间区域MA中的凹槽G重叠。虽然在图8中第一金属层MTL1与所有凹槽G重叠，但是本公开不限于此。例如，在本公开的示例性实施例中，第一金属层MTL1可以与凹槽G中的一些重叠。因此，第一金属层MTL1可以不位于凹槽G中的一些下方。第一金属层MTL1中的每一个可以具有围绕第一区域OA的环形形状。
参考图9的显示区域DA，基板100可以包括例如玻璃材料或聚合物树脂。在本公开的示例性实施例中，基板100可以包括如在图4A的放大图中所示的多个子层。
用于防止杂质渗透到TFT的半导体层Act中的缓冲层201可以被形成在基板100上。缓冲层201可以包括诸如例如SiNx、氮氧化硅(SiON)或SiOx的无机绝缘材料，并且可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
像素电路PC可以位于缓冲层201上。像素电路PC包括TFT和存储电容器Cst。TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE以及是连接电极的源电极SE和漏电极DE。栅电极GE可以与半导体层Act重叠。半导体层Act的与栅电极GE重叠的部分可以是TFT的沟道区。图9的TFT可以对应于参考图6描述的驱动TFT。数据线DL可以电连接至包括在像素电路PC中的开关TFT。虽然如本示例性实施例中所示，TFT是其中栅电极GE位于半导体层Act上方同时栅绝缘层203位于其间的顶栅TFT，但是本公开不限于此。例如，在本公开的示例性实施例中，TFT可以是底栅TFT。
半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层Act可以包括例如非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括：包括例如银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)或其合金的导电材料，并且可以具有包括导电材料的单层或多层结构。
半导体层Act和栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括诸如例如SiOx、SiNx、SiON、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化镧(La2O3)、氧化锆(ZrO2)或氧化铪(HfO2)的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
是电连接至半导体层Act的连接电极的源电极SE和漏电极DE可以与数据线DL的层位于相同的层上，并且可以包括与数据线DL的材料相同的材料。半导体层Act的连接至源电极SE或漏电极DE的部分可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。源电极SE、漏电极DE和数据线DL中的每一个可以包括具有高导电率的材料。源电极SE和漏电极DE中的每一个可以包括：包括例如银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)或其合金的导电材料，并且可以具有包括导电材料的单层或多层结构。在本公开的示例性实施例中，源电极SE、漏电极DE和数据线DL中的每一个可以具有由Ti/Al/Ti形成的多层结构。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，其中第一层间绝缘层205被设置于其间。存储电容器Cst可以与TFT重叠。就这一点而言，在图9中，TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在本公开的示例性实施例中，存储电容器Cst可以不与TFT重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括：包括例如Ag、Mo、Al、Cu、Cr、Ni、Ti或其合金的导电材料，并且可以具有包括导电材料的单层或多层结构。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每一个可以包括诸如例如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5或HfO2的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每一个可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
包括TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被无机绝缘层208覆盖。无机绝缘层208可以防止包括诸如例如铝(Al)的金属的、可能在显示装置的制造工艺期间被蚀刻剂损伤的布线暴露于蚀刻环境。无机绝缘层208可以延伸至中间区域MA，并且可以覆盖数据线DL中的一些和第一金属层MTL1。
无机绝缘层208可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机材料，并且可以具有单层或多层结构。在本公开的示例性实施例中，无机绝缘层208可以包括SiNx。无机绝缘层208可以具有等于或大于约
第一有机绝缘层209可以位于无机绝缘层208上。第一有机绝缘层209可以具有基本上平坦的顶表面。
像素电路PC可以电连接至像素电极221。例如，如图9中所示，接触金属层CM可以进一步位于TFT和像素电极221之间。接触金属层CM可以通过形成在第一有机绝缘层209中的接触孔接触TFT(例如，接触TFT的漏电极DE)，并且像素电极221可以通过形成在形成于接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中的接触孔与接触金属层CM接触。接触金属层CM可以包括：包括例如Ag、Mo、Al、Cu、Cr、Ni、Ti或其合金的导电材料，并且可以具有包括导电材料的单层或多层结构。在本公开的示例性实施例中，接触金属层CM可以具有由Ti/Al/Ti形成的多层结构。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中的每一个可以包括诸如例如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物的有机绝缘材料。在本公开的示例性实施例中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中的每一个可以包括聚酰亚胺(PI)。在本公开的示例性实施例中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中的每一个可以通过旋转涂布形成。
像素电极221可以被形成在第二有机绝缘层211上。像素电极221可以包括诸如例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在本公开的示例性实施例中，像素电极221可以包括：包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。在本公开的示例性实施例中，像素电极221可以进一步包括在反射膜上方/下方的由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
像素限定膜215可以被形成在像素电极221上。像素限定膜215可以具有像素电极221的顶表面通过其暴露的开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定膜215可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定膜215可以包括诸如例如SiNx、SiON或SiOx的无机绝缘材料。可替代地，像素限定膜215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
位于像素电极221与对电极223之间的中间层222包括发射层222b和至少一个有机层。中间层222可以包括位于发射层222b下方的第一功能层222a和/或位于发射层222b上方的第二功能层222c。包括在中间层222中的至少一个有机层可以包括第一功能层222a和第二功能层222c中的至少一个。发射层222b可以包括发射预定颜色的光的高分子量或低分子量有机材料。在本公开的示例性实施例中，发射层222b可以包括发射红光、绿光和蓝光的材料中的至少一种，并且可以包括荧光材料或磷光材料。
第一功能层222a可以具有单层或多层结构。例如，当第一功能层222a由高分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，该单层结构包括例如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
第二功能层222c可以被省略。例如，优选的是，当第一功能层222a和发射层222b中的每一个由高分子量材料形成时，第二功能层222c被形成。第二功能层222c可以具有单层或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。因此，包括在中间层222中的至少一个有机层可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的一个或多个。
中间层222的发射层222b可以针对每个像素位于显示区域DA中。发射层222b可以被图案化以对应于像素电极221。与发射层222b不同，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以位于中间区域MA和显示区域DA中。在中间区域MA中，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被凹槽G断开。
对电极223可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极223可以包括：包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。可替代地，对电极223可以进一步包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的位于包括上述材料的(半)透明层上的层。对电极223也可以被形成在中间区域MA和显示区域DA中。第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以通过热蒸发形成。
盖层230可以位于对电极223上。例如，盖层230可以包括氟化锂(LiF)并且可以通过热蒸发形成。在本公开的示例性实施例中，盖层230可以被省略。
间隔件217可以被形成在像素限定膜215上，并且可以包括诸如PI的有机绝缘材料。可替代地，间隔件217可以包括无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔件217和像素限定膜215可以包括相同的材料或不同的材料。例如，像素限定膜215和间隔件217可以通过使用半色调掩模的光刻工艺一起形成。在本公开的示例性实施例中，像素限定膜215和间隔件217可以包括PI。
OLED被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且在图9中，薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。在本公开的示例性实施例中，有机封装层的数量和无机封装层的数量以及有机封装层和无机封装层的堆叠顺序可以被改变。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括例如Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、SiOx、SiNx和SiON中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以具有包括一种或多种无机材料的单层或多层结构。第一无机封装层310可以被形成为覆盖位于对电极223上的盖层230，并且可以防止外部湿气或氧气渗透到OLED中。第一无机封装层310可以通过沉积工艺来形成。
有机封装层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料的示例可以包括例如丙烯酸树脂、环氧类树脂、PI和聚乙烯。在本公开的示例性实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。在本公开的示例性实施例中，有机封装层320可以通过诸如例如旋转涂布工艺、狭缝涂布工艺或喷墨工艺的溶液工艺来形成。有机封装层320可以在第一无机封装层310上提供平坦的表面，并且可以减轻接触的层之间的应力。
第一无机封装层310和第二无机封装层330的厚度可以彼此不同。第一无机封装层310的厚度可以大于第二无机封装层330的厚度。可替代地，第二无机封装层330的厚度可以大于第一无机封装层310的厚度，或者第一无机封装层310的厚度可以与第二无机封装层330的厚度相同。
参考图9的中间区域MA，中间区域MA可以包括相对远离第一区域OA的第一子中间区域SMA1和相对靠近第一区域OA的第二子中间区域SMA2。诸如数据线DL和扫描线SL的线以及绕过第一区域OA的凹槽G可以位于中间区域MA中。
例如数据线DL的线可以位于第一子中间区域SMA1中，如图9中所示。图9的第一子中间区域SMA1的数据线DL对应于图7的数据线DL的旁路部分(例如，DL-D1和DL-D2)。第一子中间区域SMA1可以是其中诸如数据线DL的线绕行的线区域或旁路区域。
数据线DL可以交替布置，同时绝缘层设置在其间。例如，邻近数据线DL被交替地定位以使邻近数据线DL中的一条位于绝缘层(例如，第一有机绝缘层209)下方，而另一条位于绝缘层(例如，第一有机绝缘层209)上方。如图7中所示，数据线DL中的至少一条数据线DL的旁路部分DL-D1和延伸部分DL-L1可以被形成在不同的层上，并且数据线DL中的至少一条数据线DL的旁路部分DL-D2和延伸部分DL-L2可以位于同一层上。当数据线DL被交替定位同时绝缘层设置在其间时，数据线DL之间的距离(例如，在x方向上或在平面图中的间隙Δd)可以减小。虽然数据线DL位于图9中的第一子中间区域SMA1中，但是图7的扫描线SL(例如，扫描线SL的旁路部分SL-D)也可以位于第一子中间区域SMA1中。
一个或多个凹槽G可以位于第二子中间区域SMA2中。包括在中间层222中的有机层或多个有机层，例如第一功能层222a和/或第二功能层222c，可以被凹槽G断开(或分离)。第二子中间区域SMA2可以是有机层的凹槽区域或断开区域(分离区域)。例如，凹槽G可以被形成为断开第二子中间区域SMA2中的任何有机层。类似于第一功能层222a和/或第二功能层222c，通过热蒸发形成的对电极223可以被凹槽G断开。包括LiF等的盖层230也可以被凹槽G断开。
被凹槽G断开的层中的一些可以作为残留层GP保留在凹槽G中。在图9中，残留层GP可以位于凹槽G的底表面上，并且可以位于无机绝缘层208上。在本公开的示例性实施例中，凹槽G中的残留层GP可以包括第一功能层222a的部分222aP、第二功能层222c的部分222cP、对电极223的部分223P和盖层230的部分230P。在制造工艺中，它们可以按照第一功能层222a的部分222aP、第二功能层222c的部分222cP、对电极223的部分223P和盖层230的部分230P的顺序顺序地堆叠在凹槽G中。
凹槽G可以被形成在位于基板100和像素电极221之间的多层膜ML中。多层膜ML可以包括：包括有机层的第一子层和包括无机层的第二子层。就这一点而言，在图9中，多层膜ML包括第一金属层MTL1、无机绝缘层208、第一有机绝缘层209和第二金属层MTL2。多层膜ML可以包括与接触部分CT邻近并限定在多层膜ML中的至少一个凹槽G，并且包括在中间层222中的至少一个有机层被至少一个凹槽G断开。
第一金属层MTL1可以与是TFT的连接电极的源电极SE和漏电极DE的层形成在相同的层(第二层间绝缘层207)上，并且可以通过使用与源电极SE和漏电极DE的掩模工艺相同的掩模工艺形成。第一金属层MTL1可以包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料。例如，第一金属层MTL1可以包括金属，并且可以包括由例如Ti/Al/Ti形成的三个子层。由于源电极SE和漏电极DE可以与数据线DL的层位于相同的层上，并且可以包括与数据线DL的材料相同的材料，因此数据线DL可以包括与第一金属层MTL1的材料相同的材料。在本公开的示例性实施例中，第一金属层MTL1可以包括与电信号断开的浮置金属。与数据线DL和扫描线SL不同，第一金属层MTL1不被连接为提供任何电信号。
第二金属层MTL2可以与接触金属层CM的层位于相同的层(第一有机绝缘层209)上，并且可以通过使用与接触金属层CM的掩模工艺相同的掩模工艺形成。第二金属层MTL2可以包括与接触金属层CM的材料相同的材料。例如，第二金属层MTL2可以包括金属，并且可以包括由例如Ti/Al/Ti形成的三个子层。在本公开的示例性实施例中，数据线DL可以包括与第一金属层MTL1和第二金属层MTL2中的至少一个的材料相同的材料。
将参考图9和图10A详细描述凹槽G。
参考图9和图10A，多层膜ML的凹槽G可以在形成中间层222的工艺之前形成。凹槽G可以具有底切结构。凹槽G可以具有形成在第二金属层MTL2中的第一孔210h和形成在第一有机绝缘层209中的第二孔209h(或与第一孔210h对应的凹部)。因此，残留层GP可以位于第二孔209h(或与第一孔210h对应的凹部)中，可以包括中间层222中的至少一个有机层的一部分，并且可以与第一金属层MTL1重叠。在图10A中，彼此重叠的第一孔210h和第二孔209h形成凹槽G。
凹槽G的底表面可以位于位于基板100的顶表面和第一有机绝缘层209的顶表面之间的假想表面上，就这一点而言，在图10A中，凹槽G的底表面位于与无机绝缘层208的顶表面208a相同的假想表面上。在此，凹槽G的底表面具有假想表面，并且无机绝缘层208的顶表面208a具有真实表面。即，凹槽G可以暴露无机绝缘层208的顶表面208a的至少一部分。
在本公开的示例性实施例中，凹槽G的底表面可以位于第一金属层MTL1的顶表面MTL1a(参见图10C)和无机绝缘层208的顶表面208a之间的假想表面上。在这种情况下，凹槽G可以包括形成在第二金属层MTL2中的第一孔210h、形成在第一有机绝缘层209中的第二孔209h以及形成在无机绝缘层208中的凹部。凹部可以是通过去除无机绝缘层208的一部分同时不穿过无机绝缘层208而朝向基板100凹进的部分。
第二金属层MTL2的限定第一孔210h的端部可以比位于第二金属层MTL2下方的第一有机绝缘层209的内表面更多地朝向凹槽G的中心突出。例如，第一孔210h的第一宽度W1可以小于第二孔209h的第二宽度W2，并且第二孔209h的第二宽度W2可以是第二孔209h的在第二金属层MTL2的限定第一孔210h的端部下方的部分的宽度。在本公开的示例性实施例中，凹槽G可以通过各向同性蚀刻工艺形成，并且因此可以具有底切结构。第二金属层MTL2的朝向凹槽G和/或第一孔210h的中心突出的端部可以形成一对檐部(或一对突出的尖端PT或一对尖端PT)。如下所述，尖端PT中的每一个的突出长度d1可以小于第二孔209h在z方向上的深度h1。例如，尖端PT的突出长度d1可以在例如约1μm至约1.5μm的范围内。
虽然第二金属层MTL2的形成尖端PT的第一端部可以被暴露，如图9中所示，但是对向的端部例如第二端部210e(参见图10A)可以被第二有机绝缘层211覆盖。
第二孔209h的深度h1可以与第一有机绝缘层209的厚度t1相同。这里，第二孔209h的深度h1可以基于第一有机绝缘层209的顶表面来限定，例如，可以从第一有机绝缘层209的顶表面测量。第二孔209h的深度h1可以对应于凹槽G的深度。在本公开的示例性实施例中，凹槽G的深度可以等于或大于约1.5μm。例如，凹槽G的深度可以等于或大于约2μm，并且优选地，可以等于或大于约3μm。
第一有机绝缘层209可以具有第一开口209OD。第一开口209OD可以邻近于凹槽G定位，并且可以与凹槽G间隔开预定间距。在本公开的示例性实施例中，第一开口209OD可以位于凹槽G的两侧，如图10A所示。例如，一个第一开口209OD可以位于凹槽G的靠近显示区域DA的一侧，而另一第一开口209OD可以位于凹槽G的靠近第一区域OA的一侧。
无机绝缘层208可以具有第二开口208OD。第二开口208OD可以对应于第一开口209OD。即，第二开口208OD可以从第一开口209OD延伸。第二开口208OD和第一开口209OD可以在形成显示区域DA中的接触金属层CM和漏电极DE彼此连接所通过的接触孔的工艺中一起形成。
第二金属层MTL2和第一金属层MTL1可以通过邻近于凹槽G而定位的至少一个接触部分CT彼此直接接触。虽然在图10A中至少一个接触部分CT包括凹槽G位于其间的第一接触部分CT1和第二接触部分CT2，但是本公开不限于此。例如，两个或更多个凹槽G可以被形成为位于第一接触部分CT1和第二接触部分CT2之间。如图10B中所示，第一接触部分CT1和第二接触部分CT2可以沿着凹槽G延伸以彼此间隔开预定间距。例如，第一有机绝缘层209的至少一个接触部分CT可以包括至少一个凹槽G位于其间的第一接触部分CT1和第二接触部分CT2。
接触部分CT可以包括限定在第一有机绝缘层209中的第一开口209OD和限定在无机绝缘层208中的第二开口208OD。即，第二金属层MTL2可以通过第一开口209OD和第二开口208OD直接接触第一有机绝缘层209下方的比无机绝缘层208更下的层，例如第一金属层MTL1。通过第一开口209OD和第二开口208OD彼此接触的第二金属层MTL2和第一金属层MTL1可以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR可以由金属-金属接触形成，从而在防止湿气渗透到OLED方面提供了比具有更下的无机膜(SiON)作为无机接触区域ICR的一部分的结构更好的结构。
基板100上各层中包括有机材料的层可以变成湿气渗透所通过的路径。在本公开的示例性实施例中，当显示面板10-1包括如图9中所示的对应于第一区域OA的贯通部分10H(即，如图2A、图2B、图4A和图4B中所示的第一开口10H)时，湿气可以在平行于基板100的顶表面的方向(例如，x方向，在下文中被称为横向)上渗透通过贯通部分10H。但是根据本公开的示例性实施例，中间区域MA包括无机接触区域ICR，并且因此可以防止湿气通过第一有机绝缘层209渗透到显示区域DA中。凹槽G还可以断开任何有机层以防止湿气通过这些有机层渗透到显示区域DA中。
间隔壁PW可以位于凹槽G之间。间隔壁PW可以包括顺序堆叠的多个子有机绝缘层。在本公开的示例性实施例中，如图10A中所示，间隔壁PW可以具有其中第一有机绝缘层209的部分209P、第二有机绝缘层211的部分211P、像素限定膜的部分215P以及间隔件217的部分217P被堆叠的结构。在本公开的示例性实施例中，第一有机绝缘层209的部分209P、第二有机绝缘层211的部分211P、像素限定膜215的部分215P以及间隔件217的部分217P中的一个或多个可以被省略，并且在这种情况下，从基板100到间隔壁PW的顶表面的高度可以小于从基板100到间隔件217的顶表面的高度。在本公开的示例性实施例中，两个或更多个间隔壁PW可以被形成在中间区域MA中，并且两个或更多个间隔壁PW可以具有相同的结构或不同的结构。
图10B是示出图8的区域X的放大图。
参考图10A和图10B，第一金属层MTL1的宽度W3可以大于第二孔209h的第二宽度W2。第二孔209h的第二宽度W2可以是凹槽G的宽度。这里，第二宽度W2可以是凹槽G的第二孔209h的在第二金属层MTL2的限定第一孔210h的端部正下方的部分的宽度。如图10A中所示，凹槽G的宽度可以被解释为与凹槽G的入口对应的第一孔210h的第一宽度W1。
至少一个下绝缘层可以位于第一有机绝缘层209下方，其中至少一个下绝缘层可以包括无机绝缘层208。参考图9和图10C，图10C中所示的显示面板10-1’与图10A中所示的显示面板10-1的不同之处在于凹槽G的形状。图10C的凹槽G可以包括形成在第二金属层MTL2中的第一孔210h、形成在第一有机绝缘层209中的第二孔209h以及形成在无机绝缘层208中的第三孔208h。例如，无机绝缘层208可以包括对应于第二孔209h并穿过无机绝缘层208的第三孔208h或第二凹部。
在图10C中，彼此重叠的第一孔210h、第二孔209h和第三孔208h形成凹槽G。凹槽G的底表面可以位于位于基板100的顶表面和第一有机绝缘层209的顶表面之间的假想表面上，并且就这一点而言，在图10C中，凹槽G的底表面位于与第一金属层MTL1的顶表面MTL1a相同的假想表面上。即，凹槽G可以暴露第一金属层MTL1的顶表面MTL1a的至少一部分。例如，第二孔209h可以通过形成第三孔208h而延伸至无机绝缘层208中，并且然后可以暴露第一金属层MTL1的顶表面MTL1a的至少一部分。
在本示例性实施例中，凹槽G的深度h1’可以与第二孔209h和第三孔208h的深度之和相同。因此，凹槽G的深度h1’可以大于第一有机绝缘层209的厚度t1。在本公开的示例性实施例中，凹槽G的深度可以等于或大于约1.5μm。例如，凹槽G的深度可以等于或大于约2μm，并且优选地，可以等于或大于约3μm。
图11是根据本公开的示例性实施例的显示面板10-2的一部分的平面图，并且图12是沿图11的线XII-XII’截取的根据本公开的示例性实施例的显示面板10-2的截面图。另外，图13A和图13B是根据本公开的示例性实施例的显示面板10-2的制造工艺的截面图，其示出了中间区域MA。
参考图11，间隔壁PW和至少一个凹槽G可以被提供在中间区域MA中以围绕第一区域OA。图11中的间隔壁PW和凹槽G在布置上与图8的间隔壁PW和凹槽G相同，但是在第一金属层MTL1的形状上与图8的间隔壁PW和凹槽G不同。
第一金属层MTL1可以与中间区域MA中的凹槽G重叠。在图11中，第一金属层MTL1可以与凹槽G和位于凹槽G之间的间隔壁PW重叠。
除了中间区域MA，具体为第二子中间区域SMA2之外，图12与图9相同，并且因此下面的描述将集中于第二子中间区域SMA2。
参考图12的中间区域MA，一个或多个凹槽G可位于第二子中间区域SMA2中。包括在中间层222中的有机层或多个有机层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以被凹槽G断开(或分离)。因此，可以防止湿气通过第一功能层222a和/或第二功能层222c渗透到OLED中。对电极223和盖层230也可以被凹槽G断开。
凹槽G可以被形成并被限定在位于基板100和像素电极221之间的多层膜ML中。多层膜ML可以包括：包括有机层的第一子层和包括无机层的第二子层。就这一点而言，在图12中，多层膜ML包括第一金属层MTL1、无机绝缘层208、第一有机绝缘层209和第二金属层MTL2。
在本示例性实施例中，第一金属层MTL1可以对应于凹槽G和位于凹槽G之间的间隔壁PW而定位。参考图12和图13A，凹槽G可以包括位于间隔壁PW的靠近显示区域DA的一侧的第一凹槽G1和位于间隔壁PW的靠近第一区域OA的一侧的第二凹槽G2。在这种情况下，第一凹槽G1和第二凹槽G2可以是最靠近间隔壁PW的凹槽。
第一金属层MTL1可以位于第一凹槽G1和第二凹槽G2下方，并且可以延伸以被定位在位于第一凹槽G1和第二凹槽G2之间的间隔壁PW下方。因为第一金属层MTL1不仅位于第一凹槽G1和第二凹槽G2下方，而且位于间隔壁PW下方，所以图12中所示的从基板100到间隔壁PW的顶表面的高度可以大于图9的从基板100到间隔壁PW的顶表面的高度。
虽然第一金属层MTL1连续地位于第一凹槽G1、间隔壁PW和第二凹槽G2下方，但是第一金属层MTL1可以不被提供在贯通部分10H对应于第一区域OA的边缘10HE上。这是因为当金属层位于切割线部分上时，在用于形成贯通部分10H的划片或切割工艺中，切割不容易。例如，当使用激光切割方法并且金属层位于切割线部分上时，激光反射可能在金属层上发生并且可能不容易对金属层下方的膜执行切割工艺。另一方面，第一金属层MTL1可以减轻对显示面板10-2的其他部分的激光损伤。在本公开的示例性实施例中，第一金属层MTL1可以沿着贯通部分10H的与第一区域OA相对应的边缘10HE设置(例如，在边缘10HE附近，但不在边缘10HE上)，并且可以与间隔壁PW和薄膜封装层300的一部分重叠。因此，当形成贯通部分10H时，第一金属层MTL1可以防止间隔壁PW和薄膜封装层300被激光等损伤。
将参考图12和图13A详细描述凹槽G。图13A与图10A类似，但是在第一金属层MTL1的形状上与图10A不同。将不再给出与图10A的那些元件相同的元件的重复解释，并且下面的描述将主要集中于它们之间的差异。
参考图12和图13A，多层膜ML的第一凹槽G1和第二凹槽G2可以在形成中间层222的工艺之前形成。第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个可以具有底切结构。第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个可以具有形成在第二金属层MTL2中的第一孔210h以及形成在第一有机绝缘层209中的凹槽或第二孔209h。
在图13A中，彼此重叠的第一孔210h和第二孔209h形成第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个。第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的底表面可以位于位于基板100的顶表面和第一有机绝缘层209的顶表面之间的假想表面上，并且就这一点而言，在图13A中，第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的底表面位于与无机绝缘层208的顶表面208a相同的假想表面上。这里，第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的底表面具有假想表面，并且无机绝缘层208的顶表面208a具有真实表面。即，第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个可以暴露无机绝缘层208的顶表面208a的至少一部分。
第一开口209OD和第二开口208OD可以被形成在第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的两侧，并且通过第一开口209OD和第二开口208OD彼此直接接触的第一金属层MTL1和第二金属层MTL2可以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR可以由金属-金属接触形成，从而在防止湿气渗透到显示区域DA方面提供了比具有更下的无机膜(SiON)作为无机接触区域ICR的一部分的结构更好的结构。
间隔壁PW可以位于第一凹槽G1和第二凹槽G2之间。间隔壁PW可以包括顺序堆叠的多个子有机绝缘层。在本公开的示例性实施例中，如图13A中所示，间隔壁PW可以具有其中第一金属层MTL1的部分MP、无机绝缘层208的部分208P、第一有机绝缘层209的部分209P、第二有机绝缘层211的部分211P、像素限定膜215的部分215P和间隔件217的部分217P堆叠的结构。
参考图13B，图13B中所示的显示面板10-2’与图13A中所示的显示面板10-2的不同之处在于第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个都被限定为第一孔210h、第二孔209h和第三孔208h。
第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个可以包括形成在第二金属层MTL2中的第一孔210h、形成在第一有机绝缘层209中的第二孔209h以及形成在无机绝缘层208中的第三孔208h。第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的底表面可以位于位于基板100的顶表面和第一有机绝缘层209的顶表面之间的假想表面上，并且就这一点而言，在图13B中，第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的底表面位于与第一金属层MTL1的顶表面MTL1a相同的假想表面上。即，第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个可以暴露第一金属层MTL1的顶表面MTL1a的至少一部分。
在本示例性实施例中，第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的深度h1’可以与第二孔209h和第三孔208h的深度之和相同。第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的深度h1’可以大于第一有机绝缘层209的厚度t1。
图14A、图14B和图15是根据本公开的示例性实施例的显示面板的制造工艺的截面图，其示出了中间区域MA。图14A和14B示出了图10A之后的工艺。
返回参考图9、图10A和图14A，中间层222可以在形成凹槽G之后形成。中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以通过使用开口掩模等一体地形成以被定位在显示区域DA和中间区域MA中。在这种情况下，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被凹槽G断开或分离。在本公开的示例性实施例中，中间层222可以通过非共形沉积工艺形成，并且因此，中间层222可以不形成在第一孔210h、第二孔209h和/或第三孔208h的侧壁上。
基板100上各层中包括有机材料的层可以变成湿气渗透所通过的路径。虽然第一功能层222a和/或第二功能层222c包括有机层并且可以变成渗透路径，但是第一功能层222a和/或第二功能层222c被凹槽G断开或分离，因此，可以防止湿气通过第一功能层222a和/或第二功能层222c渗透到OLED中。例如，凹槽G可以被配置为断开形成在第二金属层MTL2上方的任何有机层，以防止湿气渗透到OLED中。因此，可以通过切断外部湿气或氧气的渗透路径来防止对设置在显示区域DA中的OLED的损伤。
类似于第一功能层222a和/或第二功能层222c，通过热蒸发形成的对电极223也可以被凹槽G断开。包括LiF的盖层230也可以被凹槽G断开。
被凹槽G断开(或分离)的层中的一些可以作为残留层GP保留在凹槽G中。在本公开的示例性实施例中，凹槽G中的残留层GP可以包括第一功能层222a的部分222aP、第二功能层222c的部分222cP、对电极223的部分223P和盖层230的部分230P。
在本公开的示例性实施例中，如图14B中所示，当盖层230包括诸如例如SiNx、SiOx或SiON的无机材料时，盖层230可以被连续形成而不被凹槽G断开。在本公开的示例性实施例中，代替热蒸发工艺，盖层230可以通过诸如例如原子层沉积(ALD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺而共形地形成在显示区域DA和中间区域MA中。在本公开的示例性实施例中，盖层230可以被省略。如图14B中所示，当盖层230被连续形成而不被凹槽G断开时，残留层GP可以包括第一功能层222a的部分222aP、第二功能层222c的部分222cP和对电极223的部分223P。
图14A或图14B的中间层222、对电极223和盖层230的结构可以应用于图11至图13B的示例性实施例。
参考图9和图15，薄膜封装层300可以被形成。薄膜封装层300可以覆盖显示区域DA中的OLED，并且可以防止OLED被外部杂质损伤或劣化。
薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。通过化学气相沉积(CVD)工艺等形成的第一无机封装层310可以具有比第一功能层222a、第二功能层222c和/或对电极223的台阶覆盖更好的台阶覆盖，并且如图9中所示第一无机封装层310可以被连续形成。例如，第一无机封装层310可以完全覆盖凹槽G的内表面。
有机封装层320可以通过将单体或聚合物涂覆到基板100然后固化该单体或聚合物来形成。有机封装层320可以从显示区域DA延伸至中间区域MA，并且可以具有相对平坦的表面。有机封装层320的面对第一区域OA的端部可以邻近于间隔壁PW的一侧而定位。间隔壁PW可以用作防止有机封装层320的端部溢出至基板100的边缘(在本示例性实施例中，是中间区域MA和第一区域OA之间的边界)的堤坝。
第二无机封装层330可以位于有机封装层320上，并且可以在中间区域MA的一部分中直接接触第一无机封装层310。例如，如图9和图15中所示，在中间区域MA的邻近于第一区域OA的部分中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以彼此接触。在本示例性实施例中，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330中的每一个被示出为单层，但是本公开不限于此。例如，在本公开的示例性实施例中，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330中的至少一个可以被提供为多个或者可以被省略。
参考图9的显示面板10-1的截面图，第一区域OA可以被围绕。例如，当在垂直于基板100的顶表面的方向上看时，图9的凹槽G可以具有围绕第一区域OA的环形形状，如图8中所示。同样，当在垂直于基板100的顶表面的方向上看时，间隔壁PW可以具有围绕第一区域OA的环形形状。同样，当在垂直于基板100的顶表面的方向上看时，无机接触区域ICR可以具有围绕第一区域OA的环形形状。同样，当在垂直于基板100的顶表面的方向上看时，图9的元件(例如，提供在中间区域MA中的元件)可以具有围绕第一区域OA的环形形状。
图16是根据本公开的示例性实施例的显示面板10-3的一部分的平面图，并且图17是沿图16的线XVII-XVII’截取的根据本公开的示例性实施例的显示面板10-3的截面图。
参考图16，间隔壁PW和至少一个凹槽G可以被提供在中间区域MA中以围绕第一区域OA。至少一个凹槽G可以包括位于间隔壁PW的靠近显示区域DA的一侧的第一凹槽G1以及位于间隔壁PW的靠近第一区域OA的一侧的第二凹槽G2和第三凹槽G3。在这种情况下，第二凹槽G2可以是位于间隔壁PW的靠近第一区域OA的一侧的凹槽中最靠近间隔壁PW的凹槽。
第一金属层MTL1可以与中间区域MA中的凹槽G1、G2、G3和G’中的一些重叠(参见图17)。虽然在图16中第一金属层MTL1与第一凹槽G1和第二凹槽G2重叠，但是第一金属层MTL1可以不与第三凹槽G3重叠。虽然在图16中第一金属层MTL1与第一凹槽G1和第二凹槽G2不连续地重叠，但是如图11、图12、图13A和图13B中所示，第一金属层MTL1可以被一体地形成为也与间隔壁PW重叠。例如，在图16中，第一金属层MTL1可以不连续地位于第一凹槽G1和第二凹槽G2下方，并且如图11、图12、图13A和图13B中所示，第一金属层MTL1可以连续地位于第一凹槽G1、间隔壁PW和第二凹槽G2下方。
第一金属层MTL1可以包括对应于第一凹槽G1的第一子金属层MTL11和对应于第二凹槽G2的第二子金属层MTL12。第一子金属层MTL11可以相对邻近于显示区域DA定位，并且第二子金属层MTL12可以相对邻近于第一区域OA定位。第一子金属层MTL11和第二子金属层MTL12中的每一个可以具有围绕第一区域OA的环形形状，并且在这种情况下，第一子金属层MTL11的直径R11可以大于第二子金属层MTL12的直径R12。
参考图17，除了位于中间区域MA中的凹槽G1、G2、G3和G’的特征之外，显示面板10-3与图9的显示面板10-1基本相同。
显示面板10-3可以包括位于中间区域MA中的三个或更多个凹槽G1、G2、G3和G’。无机接触区域ICR可以位于邻近的凹槽G1、G2、G3和G’之间，并且第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和/或盖层230可以被凹槽G1、G2、G3和G’中的每一个断开。
显示面板10-3可以包括形成在第一区域OA中的贯通部分10H，并且贯通部分10H可以通过使用划片或切割工艺去除位于第一区域OA中的元件而形成。划片或切割工艺可以沿着切割线SCL执行，并且图17示出了通过沿着切割线SCL执行划片或切割工艺等而制造的显示面板10-3。
切割线SCL可以穿过凹槽G1、G2、G3和G’中的一个(例如，G’)。在这种情况下，包括被凹槽G’断开的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和/或盖层230的堆叠结构可以面对贯通部分10H。在本公开的示例性实施例中，切割线SCL可以位于凹槽G中的两个邻近的凹槽G之间，并且在这种情况下，显示面板10-3的限定贯通部分10H的侧表面可以被形成，如图9中所示。
虽然第一子金属层MTL11对应于第一凹槽G1，并且第二子金属层MTL12对应于第二凹槽G2，但是第一金属层MTL1可以不位于第三凹槽G3下方。即，第一金属层MTL1可以位于最靠近间隔壁PW并靠近显示区域DA的第一凹槽G1下方，并且可以位于最靠近间隔壁PW并靠近第一区域OA的第二凹槽G2下方，并且可以不位于其他凹槽(例如，G3和G’)下方。
第一金属层MTL1可以不位于是与切割线SCL(划片或切割工艺沿其执行)重叠的最外侧凹槽的凹槽G’下方。这是因为当金属层位于切割线部分上时，在用于形成贯通部分10H的划片或切割工艺中切割可能不容易。例如，当使用激光切割方法并且金属层位于切割线部分上时，激光反射可能在金属层上发生并且可能不容易对金属层下方的膜执行切割工艺。
根据是否存在第一金属层MTL1，第一金属层MTL1不位于其下方的第三凹槽G3的深度h2可以大于第一金属层MTL1位于其下方的第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一个的深度h1。
虽然第一金属层MTL1不位于其下方的第三凹槽G3的底表面位于与图17中的第二层间绝缘层207的顶表面相同的假想表面上，但在本公开的示例性实施例中，第三凹槽G3的底表面可以位于基板100的顶表面与第一有机绝缘层209的顶表面之间的假想表面上。例如，第三凹槽G3的底表面可以位于基板100的顶表面与第一有机绝缘层209下方的至少一个下绝缘层的顶表面之间的假想表面上。至少一个下绝缘层可以包括无机绝缘层208。
虽然图8至图17的显示面板10-1、10-2和10-3中的每一个包括对应于第一区域OA的贯通部分10H，但是在本公开的示例性实施例中，如上面参考图4B至图4D所述的，显示面板10-1、10-2和10-3中的每一个可以不具有对应于第一区域OA的第一开口10H。
根据本公开的示例性实施例的显示面板10可以防止诸如湿气的外部杂质损伤显示区域DA中的显示元件。然而，该效果仅是示例，并且根据示例性实施例的效果通过描述部分详细描述。
应当理解，本文描述的本公开的示例性实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个示例性实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了示例性实施例，但是本领域的普通技术人员将理解，可以在不脱离所附权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下对其进行形式和细节上的各种改变。
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