阅读说明：本技术 功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质 (Sensitive area detection method of power device, computer equipment and storage medium ) 是由 彭超 雷志锋 张战刚 何玉娟 黄云 于 2020-06-30 设计创作，主要内容包括：本申请涉及一种功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质。功率器件的敏感区域检测方法,用于检测功率器件的单粒子烧毁敏感区域,包括：获取功率器件的器件信息；根据器件信息构建仿真模型；将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁；如果仿真区域发生单粒子烧毁,则确定该仿真区域为敏感区域。本申请可以有效降低敏感区域的检测成本。(The application relates to a method for detecting a sensitive area of a power device, a computer device and a storage medium. The method for detecting the sensitive area of the power device is used for detecting the single event burnout sensitive area of the power device and comprises the following steps: acquiring device information of a power device; constructing a simulation model according to the device information; dividing a simulation structure of a power device in a simulation model into a plurality of simulation areas; judging whether each simulation area is burnt by single particles or not according to a simulation result in the process of simulating the incidence of the charged particles to the simulation area of the power device in an off state and under a preset bias voltage based on the simulation model; and if the simulation area is burnt by the single particles, determining the simulation area as a sensitive area. The method and the device can effectively reduce the detection cost of the sensitive area.)

功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质

技术领域

本申请涉及电子技术领域，特别是涉及一种功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质。

背景技术

早在上世纪八十年代，航天应用领域就开始关注辐射粒子导致的功率器件单粒子烧毁(SEB)失效。当带电粒子(如重离子)入射到功率器件的敏感区域时，电离产生电子-空穴对。电子-空穴对在电场作用下分离并向相反方向运动，导致电子向高电位处聚集，而空穴向低电位处聚集，进而诱发功率器件发生单粒子烧毁。

传统技术通常通过辐照试验确定功率器件的单粒子烧毁敏感区域，导致敏感区域难以精确的确定。但是，辐射粒子引起失效的单粒子效应为破坏性效应。因此，传统方法需要耗用大量的样品才能获得具有统计性的结果，测试成本较高。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够降低试验成本的功率器件的敏感区域检测方法、计算机设备及存储介质。

一种功率器件的敏感区域检测方法，用于检测功率器件的单粒子烧毁敏感区域，包括：

获取所述功率器件的器件信息；

根据所述器件信息构建仿真模型；

将所述仿真模型中的所述功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；

基于所述仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的所述仿真区域的过程；

根据仿真模拟结果判断各所述仿真区域是否发生单粒子烧毁；

如果所述仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。

在其中一个实施例中，所述将所述仿真模型中的所述功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域包括：

将所述功率器件的长度方向作为第一方向；

将所述功率器件的仿真结构沿第一方向分进行划分而生成所述多个仿真区域。

在其中一个实施例中，所述将所述仿真模型中的所述功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域包括：

将所述功率器件的长度方向作为第一方向，所述功率器件的厚度方向作为第二方向；

将所述功率器件的仿真结构沿第一方向以及第二方向进行划分而生成所述多个仿真区域。

在其中一个实施例中，所述多个仿真区域为2n个相同的仿真区域，n为大于1的正整数，且2n个所述仿真区域关于中心平面对称分布，所述中心平面与所述第一方向垂直；

所述基于所述仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的所述仿真区域的过程包括：

设置所述功率器件处于关态，且其偏置电压为在预设偏置电压；

基于所述仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至位于所述功率器件的中心平面一侧的n个仿真区域的过程。

在其中一个实施例中，所述基于所述仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的各仿真区域的过程之前还包括：

获取单粒子烧毁阈值电压与带电粒子的线性能量转移值之间的关系曲线；

根据所述关系曲线，选取所述预设偏置电压以及与其相对应的线性能量转移值；

根据与所述预设偏置电压相对应的线性能量转移值，选取所述试验带电粒子。

在其中一个实施例中，所述功率器件为金属-氧化层-半导体场效应晶体管，所述根据仿真模拟结果判断各所述仿真区域是否发生单粒子烧毁包括：

根据所述功率器件的漏端电流判断各所述仿真区域是否发生单粒子烧毁。

在其中一个实施例中，所述仿真模型为三维工艺计算机辅助设计仿真模型。

在其中一个实施例中，所述带电粒子为重离子。

一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下方法步骤：

获取所述功率器件的器件信息；

根据所述器件信息构建仿真模型；

将所述仿真模型中的所述功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；

基于所述仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的所述仿真区域的过程；

根据仿真模拟结果判断各所述仿真区域是否发生单粒子烧毁；

如果所述仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现一下方法步骤：

获取所述功率器件的器件信息；

根据所述器件信息构建仿真模型；

将所述仿真模型中的所述功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；

基于所述仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的所述仿真区域的过程；

根据仿真模拟结果判断各所述仿真区域是否发生单粒子烧毁；

如果所述仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。

上述功率器件的敏感区域检测方法，用于检测功率器件的单粒子烧毁敏感区域，包括：获取功率器件的器件信息；根据器件信息构建仿真模型；将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域；基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁；如果仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。

因此，本申请通过构建仿真模型，且将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域，并且通过仿真模拟结果在各仿真区域中确定敏感区域，进而可以有效降低敏感区域的检测成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中功率器件的敏感区域检测方法的流程示意图；

图2为一个实施例中功率器件的仿真结构示意图；

图3为一个实施例中功率器件的漏端电流随时间变化示意图；

图4为一个实施例中功率器件的结构仿真划分示意图；

图5为另一个实施例中功率器件的结构仿真划分示意图；

图6为一个实施例中功率器件的SEB阈值电压与带电粒子的LET值之间的关系曲线示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述方向，但这些方向不受这些术语限制。这些术语仅用于将两个方向区分。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种功率器件的敏感区域检测方法，用于检测功率器件的单粒子烧毁敏感区域，包括：

步骤S1，获取功率器件的器件信息。

功率器件的器件信息可以包括器件结构、物理尺寸、掺杂浓度等信息。可以通过对功率器件开展反向分析获取功率器件的器件结构、物理尺寸、掺杂浓度等器件信息。

本申请的功率器件可以为金属-氧化层-半导体场效应晶体管(MOSFET)、功率二极管(Diode)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。

步骤S2，根据器件信息构建仿真模型。

仿真模型可以为三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真模型等。当其为TCAD仿真模型，且功率器件为MOSFET时，功率器件的仿真结构可以参考图2。

步骤S3，将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域。

步骤S4，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程。

偏置电压为功率器件的电极电压。这里以功率器件为金属-氧化层-半导体场效应晶体管为例进行说明。此时，功率器件处于关态时，其可以将栅极以及漏极接地，而漏极接入漏端电压。偏置电压即为漏端电压。

功率器件通常是在关态下发生失效。并且，功率器件处于关态时，其在不同的偏置电压下，发生的单粒子效应情况不同。因此，需要将试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件进行仿真模拟。

所以本步骤可以首先设置功率器件处于关态，且其偏置电压为在预设偏置电压。然后，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至多个仿真区域的过程。

“试验带电粒子”为在预设偏置电压下可以发生单粒子烧毁的带电粒子。具体地，带电粒子可以为重离子等。

步骤S5，根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁。

通过仿真模拟，可以得出功率器件的电性参数值，通过相关电性参数值是否正常可以判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁。例如，当功率器件为N型的MOSFET时，可以通过漏端电流正常与否来判断是否发生单粒子烧毁。

当带电粒子入射到功率器件的敏感区域，电离产生的电子-空穴对在电场作用下分离并向相反方向运动。其中，电子向高电位处运动，空穴向低电位处聚集。因此，对于N型的MOSFET，电离空穴聚集会在P型体区而导致源/体/漏寄生npn双极晶体管开启。在漏端高偏压的作用下进一步会诱发雪崩碰撞电离，急剧增加的漏端电流会导致发生单粒子烧毁，造成功率MOSFET的永久损伤。

因此，可以通过漏端电流正常与否来判断是否发生单粒子烧毁。当产生的漏端电流如图3所示曲线2的情况，电流激增之后逐渐恢复到关态电流，则认为器件没有发生SEB。反之，产生的漏端电流如图3所示曲线1的情况，电流激增之后能持续维持大电流状态，则认为器件发生了SEB。

步骤S6，如果仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。由于带电粒子只有在功率器件的敏感区域发生SEB，因此可以根据各仿真区域是否发生单粒子烧毁判断其是否为敏感区域。

本实施例通过构建仿真模型，且将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域，并且通过仿真模拟结果在各仿真区域中确定敏感区域。所有单个敏感区域的集合构成了整个功率器件的SEB敏感区域。因此，本实施例可以通过仿真模拟的方式有效降低敏感区域的检测成本。

在一个实施例中，步骤S3(将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域)包括：

步骤S311，将功率器件的长度方向作为第一方向。

参考图4，功率器件的长度方向为x轴方向，可以将此作为第一方向。

步骤S312，将功率器件的仿真结构沿第一方向分进行划分而生成多个仿真区域。

具体地，可以沿x轴方向将功率器件的仿真结构等分成多个仿真区域。当然，也可以根据实际情况不等分，本申请对此没有限制。

此时，仿真模拟过程中，可以将试验带电粒子从功率器件的表面依次入射至功率器件的各不同仿真区域。

很多功率器件结构对称。因此进一步，继续参考图4，本实施例多个仿真区域可以为2n个相同的仿真区域，n为大于1的正整数。并且，2n个仿真区域关于中心平面对称分布，中心平面与第一方向(即x轴方向)垂直。具体的，图4中以沿x轴的正轴方向以X1～X5进行划分，进而得到5个仿真区域，沿x轴的负轴方向以-X1～-X5进行划分，进而得到5个仿真区域(未图示)作为示例。此时一共可以得到10个仿真区域。

此时，步骤S4(基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程)可以包括：

步骤S41，设置功率器件处于关态，且其偏置电压为在预设偏置电压。

步骤S42，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至位于功率器件的中心平面一侧的n个仿真区域的过程。

此时，可以根据位于功率器件的中心平面一侧的n个仿真区域的模拟结果判断该侧仿真区域是否发生单粒子烧毁，进而确定该侧的哪些仿真区域为敏感区域。而中心平面另一侧的另外n个仿真区域与该侧仿真区域对称分布，因此可以在另一侧的另外n个仿真区域中，相对应地确定哪些仿真区域为敏感区域。此时，只对一半仿真区域进行仿真模拟，进而可以简化模拟过程。

当然，在本实施例中，也可以让试验带电粒子依次入射至功率器件的各个仿真区域中而进行仿真模拟。

上述实施例，可以将试验带电粒子从功率器件的表面依次入射至功率器件的各不同仿真区域，因此可以适用于外部空间中的带电粒子入射至功率器件而导致器件发生SEB的情况。

但是，导致器件发生SEB情况的带电粒子还可能是来自其他辐射粒子产生的次级粒子(例如通过中子发生核反应而产生的核反应次级粒子)。这种带电粒子是在如中子等辐射粒子自外部入射进功率器件后，其在器件内部产生的，所以作用起始位置位于器件内部。并且，这种带电粒子能量一般相对于外部空间中的带电粒子小，因此其在器件内部的射程有限。

基于此，为了使得该类带电粒子导致器件发生SEB的敏感区域也可精准地确定，在另一实施例中，步骤S3(将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域)包括：

步骤S321，将功率器件的长度方向作为第一方向，功率器件的厚度方向作为第二方向。

参考图5，功率器件的长度方向为x轴方向，可以将此作为第一方向。功率器件的长度方向为y轴方向，可以将此作为第二方向。

步骤S322，将功率器件的仿真结构沿第一方向以及第二方向进行划分而生成多个仿真区域。

具体地，可以沿x轴方向以及y轴方向将功率器件的仿真结构等分成多个仿真区域。当然，也可以根据实际情况不等分，本申请对此没有限制。

此时，仿真模拟过程中，可以将试验带电粒子从功率器件的表面依次入射至功率器件的各不同仿真区域。

同样地，由于很多功率器件结构对称。因此进一步，继续参考图5，本实施例可以沿x轴方向以及y轴方向将功率器件的仿真结构等分成2n₁*m＝2n个相同的仿真区域，n₁与m为大于1的正整数。并且，2n个仿真区域关于中心平面对称分布，中心平面与第一方向(即x轴方向)垂直。具体的，图5中以沿x轴的正轴方向以X1～X5进行划分，沿y轴方向以Y1～Y9进行划分为作为示例，此时在x轴的正轴方向，可以得到9行5列的多个仿真区域，譬如，图5中第一行包括S₁₁、S₂₁、S₃₁、S₄₁及S₅₁这5个仿真区域，该区域中第一列包括S₁₁、S₁₂、S₁₃、S₁₄、S₁₅、S₁₆、S₁₇、S₁₈及S₁₉这9个仿真区域。同理，在x轴的负轴方向，也可以得到9行5列的多个仿真区域(未图示)。

此时，步骤S4(基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程)也可以包括：

步骤S41，设置功率器件处于关态，且其偏置电压为在预设偏置电压。

步骤S42，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至位于功率器件的中心平面一侧的n个仿真区域的过程。

此时，可以根据位于功率器件的中心平面一侧的n₁*m个仿真区域的模拟结果判断该侧仿真区域是否发生单粒子烧毁，进而确定该侧的哪些仿真区域为敏感区域。而中心平面另一侧的另外n₁*m个仿真区域与该侧仿真区域对称分布，因此可以在另一侧的另外n₁*m仿真区域中，相对应地确定哪些仿真区域为敏感区域。此时，只对一半仿真区域进行仿真模拟，进而可以简化模拟过程。

当然，在本实施例中，也可以让试验带电粒子依次入射至功率器件的各个仿真区域中而进行仿真模拟。

上述实施例将功率器件的仿真结构沿器件长度方向(第一方向)以及器件厚度方向(第二方向)进行划分而生成多个仿真区域。对于器件宽度方向，由于沿宽度方向的截面结构相同，因此，可以不用对器件宽度方向进行划分，进而简化模拟过程。当然，为了使得敏感区域更加精确，也可以对器件宽度方向进行划分，本申请对此没有限制。

在一个实施例中，在步骤S4(基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程)之前还包括：

步骤S01，获取单粒子烧毁阈值电压与带电粒子的线性能量转移值之间的关系曲线。

线性能量转移(LET)，用于描述带电粒子(例如重离子)入射到材料中单位距离内通过电离作用损失的能量，通常单位为MeV·cm²/mg。

试验前，可以采用一定LET值的带电粒子照射处于关态的功率器件MOFET，从而获取相应地使得功率器件发生SEB的最小漏端偏压，即可得到功率器件发生SEB的最小偏置电压。以不同的的LET值的带电粒子照射功率器件，即可以得到以带电粒子的LET值为横坐标、SEB最小偏置电压为纵坐标的该功率器件的SEB最小偏置电压随带电粒子的LET值变化的曲线，即可以获得SEB阈值电压与带电粒子的LET值之间的关系曲线(参考图6)，SEB阈值电压即最小偏置电压。

试验时，可以通过查找器件的带电粒子辐照历史数据得到上述关系曲线。或者，当没有历史数据时，则需要开展带电粒子辐照试验来获得该曲线。

步骤S02，根据关系曲线，选取预设偏置电压以及与其相对应的线性能量转移值。

可以选取关系曲线的一点，得到其对应的LET值和SEB阈值电压分别为LET1和VSEB1，如图2所示。以VSEB1作为TCAD仿真时漏端的偏压，即Vd＝VSEB1。

步骤S03，根据与预设偏置电压相对应的线性能量转移值，选取试验带电粒子。

此时，可以方便地选取LET值大于或者等于LET1的带电粒子为试验带电粒子。

应该理解的是，虽然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

步骤S1，获取功率器件的器件信息。

步骤S2，根据器件信息构建仿真模型。

步骤S3，将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域。

步骤S4，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程。

步骤S5，根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁。

步骤S6，如果仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：步骤S311，将功率器件的长度方向作为第一方向。步骤S312，将功率器件的仿真结构沿第一方向分进行划分而生成多个仿真区域。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：步骤S321，将功率器件的长度方向作为第一方向，功率器件的厚度方向作为第二方向。步骤S322，将功率器件的仿真结构沿第一方向以及第二方向进行划分而生成多个仿真区域。

在一个实施例中，多个仿真区域为2n个相同的仿真区域，n为大于1的正整数，且2n个仿真区域关于中心平面对称分布，中心平面与第一方向垂直，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：步骤S41，设置功率器件处于关态，且其偏置电压为在预设偏置电压。步骤S42，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至位于功率器件的中心平面一侧的n个仿真区域的过程。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：步骤S01，获取单粒子烧毁阈值电压与带电粒子的线性能量转移值之间的关系曲线。步骤S02，根据关系曲线，选取预设偏置电压以及与其相对应的线性能量转移值。步骤S03，根据与预设偏置电压相对应的线性能量转移值，选取试验带电粒子。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

步骤S1，获取功率器件的器件信息。

步骤S2，根据器件信息构建仿真模型。

步骤S3，将仿真模型中的功率器件的仿真结构划分为多个仿真区域。

步骤S4，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至处于关态且在预设偏置电压下的功率器件的仿真区域的过程。

步骤S5，根据仿真模拟结果判断各仿真区域是否发生单粒子烧毁。

步骤S6，如果仿真区域发生单粒子烧毁，则确定该仿真区域为敏感区域。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：步骤S311，将功率器件的长度方向作为第一方向。步骤S312，将功率器件的仿真结构沿第一方向分进行划分而生成多个仿真区域。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：步骤S321，将功率器件的长度方向作为第一方向，功率器件的厚度方向作为第二方向。步骤S322，将功率器件的仿真结构沿第一方向以及第二方向进行划分而生成多个仿真区域。

在一个实施例中，多个仿真区域为2n个相同的仿真区域，n为大于1的正整数，且2n个仿真区域关于中心平面对称分布，中心平面与第一方向垂直，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：步骤S41，设置功率器件处于关态，且其偏置电压为在预设偏置电压。步骤S42，基于仿真模型仿真模拟试验带电粒子入射至位于功率器件的中心平面一侧的n个仿真区域的过程。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：步骤S01，获取单粒子烧毁阈值电压与带电粒子的线性能量转移值之间的关系曲线。步骤S02，根据关系曲线，选取预设偏置电压以及与其相对应的线性能量转移值。步骤S03，根据与预设偏置电压相对应的线性能量转移值，选取试验带电粒子。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。