阅读说明：本技术 存储芯片品质检测方法、装置、设备及可读存储介质 (Storage chip quality detection method, device, equipment and readable storage medium ) 是由 刘思何 邓标华 张芾 于 2020-08-25 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种存储芯片品质检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：导出存储芯片中的数据；计算得到存储芯片的N个CRC值,N为大于1的正整数；若N个循环冗余校验值相等,则将存储芯片的内存划分为M个单元,M为大于1的正整数；确定存储芯片的类型,并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；基于配置好的参数,依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；将数据烧录至存储芯片中；再次计算存储芯片的CRC值,并检测本次计算得到的CRC值与N个CRC值是否相等；若相等,则确定存储芯片的品质合格。通过本发明,可自动、高效地对存储芯片的品质进行检测,减少了品质不过关的存储芯片流入市场的情况发生。(The invention provides a method, a device and equipment for detecting the quality of a storage chip and a readable storage medium. The method comprises the following steps: exporting data in the memory chip; calculating to obtain N CRC values of the memory chip, wherein N is a positive integer greater than 1; if the N cyclic redundancy check values are equal, dividing the memory of the memory chip into M units, wherein M is a positive integer greater than 1; determining the type of a storage chip, and configuring parameters according to the type of the storage chip; based on the configured parameters, sequentially carrying out erasing, writing and reading operations on each unit; burning data into a memory chip; calculating the CRC value of the memory chip again, and detecting whether the CRC value obtained by the calculation is equal to the N CRC values; and if the two are equal, determining that the quality of the memory chip is qualified. The invention can automatically and efficiently detect the quality of the memory chip, and reduces the occurrence of the situation that the memory chip with the quality which is not over-qualified flows into the market.)

存储芯片品质检测方法、装置、设备及可读存储介质

技术领域

本发明涉及数据处理领域，尤其涉及一种存储芯片品质检测方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

目前，存储芯片的集成度越来越高，导致其出现故障的概率也越来越高。且随着消费者的消费意识提高，对于产品的品质要求也愈益严苛，为了保证流入消费市场的存储芯片的品质，在出厂前需要将品质不过关的存储芯片找出来。因此，亟需一种方法以便能自动、高效地发现品质不过关的存储芯片。

发明内容

为实现上述目的，本发明提供一种存储芯片品质检测方法、装置、设备及可读存储介质。

第一方面，本发明提供一种存储芯片品质检测方法，所述存储芯片品质检测方法包括：

导出存储芯片中的数据；

计算得到存储芯片的N个循环冗余校验值，并检测所述N个循环冗余校验值是否相等，N为大于1的正整数；

若所述N个循环冗余校验值相等，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数；

确定存储芯片的类型，并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；

基于配置好的参数，依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；

将所述数据烧录至存储芯片中；

再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与所述N个循环冗余校验值是否相等；

若相等，则确定存储芯片的品质合格。

第二方面，本发明还提供一种存储芯片品质检测装置，所述存储芯片品质检测装置包括：

导出模块，用于导出存储芯片中的数据；

第一检测模块，用于计算得到存储芯片的N个循环冗余校验值，并检测所述N个循环冗余校验值是否相等，N为大于1的正整数；

划分模块，用于若所述N个循环冗余校验值相等，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数；

配置模块，用于确定存储芯片的类型，并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；

操作模块，用于基于配置好的参数，依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；

烧录模块，用于将所述数据烧录至存储芯片中；

第二检测模块，用于再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与所述N个循环冗余校验值是否相等；

确定模块，用于若相等，则确定存储芯片的品质合格。

第三方面，本发明还提供一种存储芯片品质检测设备，所述存储芯片品质检测设备包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的存储芯片品质检测程序，其中所述存储芯片品质检测程序被所述处理器执行时，实现如上所述的存储芯片品质检测方法的步骤。

第四方面，本发明还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有存储芯片品质检测程序，其中所述存储芯片品质检测程序被处理器执行时，实现如上所述的存储芯片品质检测方法的步骤。

本发明中，导出存储芯片中的数据；计算得到存储芯片的N个循环冗余校验值，并检测所述N个循环冗余校验值是否相等，N为大于1的正整数；若所述N个循环冗余校验值相等，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数；确定存储芯片的类型，并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；基于配置好的参数，依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；将所述数据烧录至存储芯片中；再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与所述N个循环冗余校验值是否相等；若相等，则确定存储芯片的品质合格。通过本发明，可自动、高效地对存储芯片的品质进行检测，减少了品质不过关的存储芯片流入市场的情况发生。

附图说明

图1为本发明实施例方案中涉及的存储芯片品质检测设备的硬件结构示意图；

图2为本发明存储芯片品质检测方法一实施例的流程示意图；

图3为本发明存储芯片品质检测装置一实施例的功能模块示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

第一方面，本发明实施例提供一种存储芯片品质检测设备，该存储芯片品质检测设备可以是个人计算机（personal computer，PC）、笔记本电脑、服务器等具有数据处理功能的设备。

参照图1，图1为本发明实施例方案中涉及的存储芯片品质检测设备的硬件结构示意图。本发明实施例中，存储芯片品质检测设备可以包括处理器1001（例如中央处理器Central Processing Unit，CPU），通信总线1002，用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信；用户接口1003可以包括显示屏（Display）、输入单元比如键盘（Keyboard）；网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口（如无线保真WIreless-FIdelity，WI-FI接口）；存储器1005可以是高速随机存取存储器（random access memory，RAM），也可以是稳定的存储器（non-volatile memory），例如磁盘存储器，存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。本领域技术人员可以理解，图1中示出的硬件结构并不构成对本发明的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

继续参照图1，图1中作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及存储芯片品质检测程序。其中，处理器1001可以调用存储器1005中存储的存储芯片品质检测程序，并执行本发明实施例提供的存储芯片品质检测方法。

第二方面，本发明实施例提供了一种存储芯片品质检测方法。

参照图2，图2为本发明存储芯片品质检测方法一实施例的流程示意图。如图2所示，存储芯片品质检测方法包括：

步骤S10，导出存储芯片中的数据；

本实施例中，可将存储芯片中的原始数据导出至特定存储位置，即将原始数据拷贝至特定存储位置。在测试过程中，可能导致原始数据受损或丢失，因此，在测试之前，将原始数据导出至特定存储位置，当因为测试导致原始数据受损或丢失时，可以从特定存储位置找回原始数据，起到保护原始数据不丢失的效果。

步骤S20，计算得到存储芯片的N个循环冗余校验值，并检测所述N个循环冗余校验值是否相等，N为大于1的正整数；

本实施例中，可基于CRC（Cyclic Redundancy Check，循环冗余校验）算法计算存储芯片的循环冗余校验值。具体的，连续执行N次CRC算法，即可得到存储芯片的N个循环冗余校验值。在得到存储芯片的N个循环冗余校验值后，比较N个循环冗余校验值是否相等。其中，N为大于1的正整数，N的具体取值根据实际需要进行设置，例如N=5。

步骤S30，若所述N个循环冗余校验值相等，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数；

本实施例中，若N个循环冗余校验值相等，则说明存储芯片处于正常状态，可继续后续流程。若不相等，则存储芯片处于非正常状态，至此，品质检测流程结束。

当N个循环冗余校验值相等时，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数。其中，可以是对存储芯片的内存进行均等划分，也可以是不均等划分。M具体取值根据实际需要进行设置，例如M=7。

步骤S40，确定存储芯片的类型，并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；

本实施例中，对于不同类型的存储芯片而言，需要以不同大小的扇区为单元进行擦除操作、以不同大小的页为单元进行写操作，且对不同类型的存储芯片进行写操作时写入的数据也不一样。因此，首先确定存储芯片的类型，然后根据存储芯片的类型配置扇区的大小、页的大小以及待写入数据。

进一步地，一实施例中，步骤S40包括：

读取存储芯片的身份标识信息；根据所述身份标识信息，确定存储芯片的类型；根据存储芯片的类型，配置扇区的大小、页的大小以及待写入数据。

本实施例中，对不同类型的存储芯片而言，配置扇区、页的大小以及待写入数据是不同的。因此，需要先读取存储芯片的身份标识信息，然后根据身份标识信息确定存储芯片的类型。具体的，可以预先构建存储芯片的身份标识信息与类型的对应关系表，构建类型与扇区的大小、页的大小以及待写入数据的对应关系表。后续在需要确定存储芯片的类型时，便可在读取存储芯片的身份标识信息后，基于身份标识信息与类型的对应关系表，确定存储芯片的类型，确定类型后，进一步根据类型与扇区的大小、页的大小以及待写入数据的对应关系表，配置扇区的大小、页的大小以及待写入数据。

步骤S50，基于配置好的参数，依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；

本实施例中，若划分得到第一单元、第二单元、......、第八单元，则基于配置好的参数，依次对第一至第八单元进行擦除、写入以及读取操作。依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作，可以加速存储芯片中缺陷单元的暴露。

进一步地，一实施例中，步骤S50包括：

以扇区为单位，对第一单元执行擦除操作；以页为单位，将所述待写入数据写入第一单元；对第一单元执行读取操作；以此类推，对第二单元至第M单元进行相同处理。

本实施例中，已经根据存储芯片的类型配置好了扇区的大小、页的大小以及待写入数据。基于配置好的参数，即可以扇区为单位，对第一单元执行擦除操作；以页为单位，将所述待写入数据写入第一单元；对第一单元执行读取操作。以此类推，对第二单元至第M单元进行相同处理。

步骤S60，将所述数据烧录至存储芯片中；

本实施例中，基于步骤S50后，存储芯片中的数据已经不是原始数据了，为了保持CRC校验的一致性，需要将步骤S10中导出的原始数据烧录至存储芯片中。

步骤S70，再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与所述N个循环冗余校验值是否相等；

本实施例中，基于与步骤S10相同的方式，再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与前述计算得到的N个循环冗余校验值是否相等。

步骤S80，若相等，则确定所述存储芯片的品质合格。

本实施例中，若相等，则说明即使经过步骤S50中加速存储芯片中缺陷单元暴露的处理后，仍未发现存储芯片中存在缺陷单元，因此，即可认为该存储芯片的品质是可靠的，即该存储芯片的品质合格，该存储芯片已达到出厂标准。

本实施例中，导出存储芯片中的数据；计算得到存储芯片的N个循环冗余校验值，并检测所述N个循环冗余校验值是否相等，N为大于1的正整数；若所述N个循环冗余校验值相等，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数；确定存储芯片的类型，并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；基于配置好的参数，依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；将所述数据烧录至存储芯片中；再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与所述N个循环冗余校验值是否相等；若相等，则确定存储芯片的品质合格。通过本实施例，可自动、高效地对存储芯片的品质进行检测，减少了品质不过关的存储芯片流入市场的情况发生。

进一步地，一实施例中，在步骤S10之前，还包括：

对所述存储芯片进行DC参数测试；

当DC参数测试通过时，执行所述导出所述存储芯片中的数据的步骤。

本实施例中，DC参数测试可以非常快速的发现芯片的各个引脚间是否有开路或短路问题，还能暴露出测试时接触是否良好以及探针卡或测试座的问题，基于DC参数测试可以提前发现有问题的芯片。

进一步地，一实施例中，在步骤S10之前，还包括：

关联存储各个存储芯片的身份标识信息以及类型；关联存储各个类型及其对应的扇区的大小、页的大小以及待写入数据。

本实施例中，预先关联存储各个存储芯片的身份标识信息以及类型，预先关联存储各个类型及其对应的扇区的大小、页的大小以及待写入数据，使得后续可根据预先存储的信息，迅速确定当前检测的存储芯片的类型，以及根据确定出的类型，进行参数配置。

第三方面，本发明实施例还提供一种存储芯片品质检测装置。

参照图3，图3为本发明存储芯片品质检测装置一实施例的功能模块示意图。

本实施例中，存储芯片品质检测装置包括：

导出模块10，用于导出存储芯片中的数据；

第一检测模块20，用于计算得到存储芯片的N个循环冗余校验值，并检测所述N个循环冗余校验值是否相等，N为大于1的正整数；

划分模块30，用于若所述N个循环冗余校验值相等，则将存储芯片的内存划分为M个单元，M为大于1的正整数；

配置模块40，用于确定存储芯片的类型，并根据所述存储芯片的类型进行参数配置；

操作模块50，用于基于配置好的参数，依次对每个单元进行擦除、写入以及读取操作；

烧录模块60，用于将所述数据烧录至存储芯片中；

第二检测模块70，用于再次计算存储芯片的循环冗余校验值，并检测本次计算得到的循环冗余校验值与所述N个循环冗余校验值是否相等；

确定模块80，用于若相等，则确定存储芯片的品质合格。

进一步地，一实施例中，所述存储芯片品质检测装置还包括：

DC参数测试模块，用于对所述存储芯片进行DC参数测试；当DC参数测试通过时，执行所述导出所述存储芯片中的数据的步骤。

进一步地，一实施例中，所述配置模块40，具体用于：

读取存储芯片的身份标识信息；

根据所述身份标识信息，确定存储芯片的类型；

根据存储芯片的类型，配置扇区的大小、页的大小以及待写入数据。

进一步地，一实施例中，所述操作模块50，具体用于：

以扇区为单位，对第一单元执行擦除操作；

以页为单位，将所述待写入数据写入第一单元；

对第一单元执行读取操作；

以此类推，对第二单元至第M单元进行相同处理。

进一步地，一实施例中，所述存储芯片品质检测装置还包括：

存储模块，用于关联存储各个存储芯片的身份标识信息以及类型；关联存储各个类型及其对应的扇区的大小、页的大小以及待写入数据。

其中，上述存储芯片品质检测装置中各个模块的功能实现与上述存储芯片品质检测方法实施例中各步骤相对应，其功能和实现过程在此处不再一一赘述。

第四方面，本发明实施例还提供一种可读存储介质。

本发明可读存储介质上存储有存储芯片品质检测程序，其中所述存储芯片品质检测程序被处理器执行时，实现如上述的存储芯片品质检测方法的步骤。

其中，存储芯片品质检测程序被执行时所实现的方法可参照本发明存储芯片品质检测方法的各个实施例，此处不再赘述。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。