阅读说明：本技术 高计数率电阻板室探测器的制备方法 (Method for preparing high counting rate resistance plate chamber detector ) 是由 周意 王旭 孙勇杰 尚伦霖 张广安 鲁志斌 刘建北 张志永 邵明 于 2020-06-24 设计创作，主要内容包括：本公开提供一种高计数率电阻板室探测器的制备方法,包括：步骤S1：对玻璃样品进行预处理；步骤S2：在预处理后的玻璃样品表面及孔内制备DLC阻性薄膜,完成DLC阻性玻璃的制备；步骤S3：基于DLC阻性玻璃制备电阻板室结构；以及步骤S4：对电阻板室结构进行封装,完成高计数率电阻板室探测器的制备。(The invention provides a preparation method of a high counting rate resistance plate chamber detector, which comprises the following steps: step S1: pretreating a glass sample; step S2: preparing DLC resistive films on the surface and in the holes of the pretreated glass sample to finish the preparation of the DLC resistive glass; step S3: preparing a resistance plate chamber structure based on DLC (diamond-like carbon) resistive glass; and step S4: and packaging the resistance plate chamber structure to finish the preparation of the high counting rate resistance plate chamber detector.)

高计数率电阻板室探测器的制备方法

技术领域

本公开涉及粒子探测器技术领域，尤其涉及一种高计数率电阻板室探测器的制备方法。

背景技术

在当前的大型高能物理对撞机实验中，复杂的探测器谱仪系统测量对撞产生的次级粒子，其中，对于μ子的测量是很重要的一部分。首先地球表面的宇宙线粒子(μ子)能够穿过探测器谱仪系统并且留下干扰正常对撞实验的信号，需要使用μ子探测器排除宇宙线μ子信号；另外，对撞实验中，很多物理过程都有μ子的参与，对撞产生的μ子需要精确的被测量，所以需要一种探测器能够对μ子高效率的测量。除此以外，μ子探测器分布在直径高达数十米的探测器谱仪的最外层，一个对撞机实验中，需要很大面积的μ子探测器，这就要求μ子探测器的单位造价要低。电阻板室(Resistive Plate Chambers，RPC)由于其具有单位通道的成本低、对μ子的探测效率高(接近100％)等优点，已经广泛的应用在国内国际上多个大型高能物理对撞机实验中的μ子探测器中，如北京中科院高能物理研究所的BEPC/BSEIII谱仪、欧洲核子中心的LHC/ATLAS谱仪等。RPC探测器在做为μ子探测器的实际工作中，工作稳定，在μ子的探测中表现出色，为很多新的物理成果的发现做出贡献，比如2012年的有“上帝粒子”之称的希格斯玻色子的发现等。

RPC是一种工作在雪崩或流光模式下的气体探测器，在1981年由R.Santonico等人最早提出。RPC探测器的结构和基本工作原理如图1所示：两块电阻板(电木板或玻璃)之间形成一个1mm～2mm的均匀气隙，在适当的工作气体和外加电场作用下，穿过RPC的带电粒子在气体中产生原初电离，继而发生雪崩倍增，在外部的读出电极上产生感应信号。由于RPC气隙窄、电场强度很高，雪崩的发展被限制在很短的范围，从而减小了由原初电离位置的不确定性造成的时间晃动，有效的提高了时间分辨能力。电阻板的半绝缘性保证了雪崩产生的感应信号的传输过程是“透明”的，同时电阻板的半绝缘性能够抑制气隙中由于极高电场环境下容易产生的流光放电现象，保证RPC探测器能够稳定高效的运行。

RPC探测器虽然具有很好的时间分辨能力、高探测效率、价格便宜等优点，但通常只能工作在低计数率(数百Hz/cm²量级)环境下。当计数率超过1kHz/cm²时，阻性板上开始出现较为明显的漏电流，因此会产生明显的分压，导致探测器雪崩区内部的等效电场变小，从而使得探测器的气体有效增益变低，导致RPC探测器的输出信号降低而无法正常工作，且探测器的时间分辨能力也随着计数率的增加而减小。因此，降低电阻板上的分压成为提高RPC计数能力的关键。

以现有的高计数率电阻板室探测器为例，使用具有更低体电阻率(10¹⁰Ω·cm～10¹¹Ω·cm)的特种玻璃替代普通电阻板室探测器中使用的普通商用玻璃/电木板(10¹²Ω·cm～10¹³Ω·cm)，可将电阻板室探测器的计数率能力提高至20kHz/cm²左右。这种低阻玻璃主要有以下几个缺点，第一是低阻玻璃的体电阻率受到原材料配方和制作工艺的影响，特定的体电阻率需要特定的配方与制作工艺，当有新的应用需要玻璃有新的体电阻率时，需要重新研发以确定合适的配方和制作工艺，这会增加探测器的研制难度和成本。第二是低阻玻璃的工艺复杂，制作成本高，此玻璃出厂时的厚度很厚(大于0.7mm)，表面光洁度也很差，无法满足RPC探测器的制作需求，需要对玻璃进行后续的打磨和抛光处理，因此会导致整体制作工艺复杂度和成本大大增加。第三是即使经过了后续的打磨和抛光处理，最终用于制作RPC探测器的低阻玻璃表面平整度仍然与普通的浮法玻璃有较大的差距，因此探测器工作时会有更高的暗电流和噪声水平。

随着高能物理实验不断的发展，对撞机的能量和亮度不断提高，这就对探测器的计数率能力提出了更高的要求。例如目前正在进行的欧洲核子中心的LHC对撞机中的ATLAS探测器谱仪升级项目就要求更高计数率能力的RPC探测器，要求RPC探测器计数率能力大于3kHz/cm²。因此必须提高RPC探测器的计数率能力，这已经成为当前气体探测器研究领域的一个研究热点。

公开内容

(一)要解决的技术问题

基于上述问题，本公开提供了一种高计数率(计数率高于10kHz/cm²)电阻板室探测器的制备方法，以缓解现有技术中由于探测器阻性板(玻璃)在计数率较高时会出现较为明显的漏电流，因此会产生明显的分压，导致探测器雪崩区内部的等效电场变小，从而使得探测器的气体有效增益变低，导致RPC探测器的输出信号降低而无法正常工作，且探测器的时间分辨能力也随着计数率的增加而减小等技术问题。

(二)技术方案

本公开提供一种高计数率电阻板室探测器的制备方法，包括：

步骤S1：对玻璃样品进行预处理；

步骤S2：在预处理后的玻璃样品表面及孔内制备DLC阻性薄膜，完成DLC阻性玻璃的制备；

步骤S3：基于DLC阻性玻璃制备电阻板室结构；以及

步骤S4：对电阻板室结构进行封装，完成高计数率电阻板室探测器的制备。

在本公开实施例中，步骤S1包括：

子步骤S11：玻璃样品打多个通孔；以及

子步骤S12：对打孔后的玻璃样品进行清洁处理。

在本公开实施例中，所述步骤S2包括：

子步骤S21：高纯石墨靶材表面溅射清洗；

子步骤S22：在玻璃样品一表面溅射沉积DLC薄膜；

子步骤S23：取样后重新装样，在玻璃样品的另一面沉积DLC阻性薄膜；以及

子步骤S24：进行取样与测试。

在本公开实施例中，所述步骤S3，包括：

子步骤S31：对探测器制作所需材料进行预处理；

子步骤S32：制备下玻璃电极结构；以及

子步骤S33：在下玻璃电极结构上制备电阻板室结构。

在本公开实施例中，所述子步骤S32，包括：

子步骤S321：在底部印刷线路板的外表面粘贴蜂窝板；以及

子步骤S322：在底部印刷线路板的内表面设置绝缘膜并露出高压电极，并在高压电极表面设置碳膜后安装DLC阻性玻璃形成下玻璃电极结构。

在本公开实施例中，所述子步骤S33，包括：

子步骤S331：在下玻璃电极上的通孔上设置环形绝缘垫片；

子步骤S332：将另一块DLC阻性玻璃安装在垫片上，使得该DLC阻性玻璃的通孔正对着环形垫片，垫片中的环氧树脂胶将两块DLC阻性玻璃粘在一起，形成稳定的气隙；以及

子步骤S333：在子步骤S332安装的DLC阻性玻璃上安装顶部印刷线路板结构，完成电阻板室结构的制备。

在本公开实施例中，通孔直径为0.2mm～1mm，相邻通孔之间的距离为30mm～120mm。

在本公开实施例中，所述环状绝缘垫片的厚度为1mm～2mm，中心孔直径为2mm～4mm，外部直径为6mm～10mm。

在本公开实施例中，保证环形绝缘垫片和胶滴遮盖住DLC阻性玻璃上的通孔。

在本公开实施例中，所述绝缘薄膜厚度为0.1mm～0.2mm。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本公开高计数率电阻板室探测器的制备方法至少具有以下有益效果其中之一或其中一部分：

(1)玻璃沉积的DLC阻性薄膜的面电阻相对较低，电荷中和速度加快；

(2)玻璃上打孔并在孔内沉积DLC阻性薄膜减少了电荷中和所需要走的路径，进一步加快了电荷中和速度；

(3)通过灵活调节DLC薄膜的面电阻率可以适应不同的需求；

(4)降低了高计数率RPC探测器的制作难度和成本；

(5)有效拓展了RPC探测器的应用范围。

具体实施方式

本公开提供了一种高计数率电阻板室探测器的制备方法，通过机械打孔或者激光打孔技术在普通浮法玻璃上打出小通孔，然后通过磁控溅射法在普通浮法玻璃的表面和孔内沉积具有面电阻率比玻璃低几个数量级的类金刚石碳基薄膜(Diamond-like Carbon，DLC)，改变玻璃表面的电学特性。使用本公开提供的玻璃做为RPC探测器的玻璃电极，使电荷中和过程变成沿等效电阻相对较低的DLC薄膜表面进行，相比于之前的电荷纵向穿过玻璃进行中和，这一过程完成的速度变快，使得探测器的计数率能力得到有效提高。

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。

在本公开实施例中，提供一种高计数率电阻板室探测器的制备方法，结合图2至图5所示，所述制备方法，包括：

步骤S1：对玻璃样品进行预处理；

步骤S1包括：

子步骤S11：玻璃样品打多个通孔；

使用普通的浮法玻璃，玻璃厚度为0.4mm～0.6mm，在玻璃样品上通过机械钻孔或激光打孔的方式打出直径为0.2mm～1mm的通孔，相邻孔之间的距离为30mm～120mm。

玻璃的尺寸为12cm×20cm，厚度为0.4mm，使用激光打孔技术，在玻璃表面打出3个直径为0.2mm的通孔，孔间距为60mm。

子步骤S12：对打孔后的玻璃样品进行清洁处理。

无水丙酮中超声清洗玻璃样品，然后使用无水酒精清洁后保持玻璃样品表面干燥清洁。

在本公开实施例中，在无水丙酮中超声清洗10分钟，取出后在无水乙醇中超声清洗5分钟，最后使用蘸了无水乙醇的无尘布擦干玻璃表面，保持玻璃表面干燥洁净。

步骤S2：在预处理后的玻璃样品表面及孔内制备DLC阻性薄膜，完成DLC阻性玻璃的制备；

在预处理后的玻璃基材上下表面沉积面电阻率合适的DLC阻性薄膜并在孔内镀上DLC阻性薄膜，连接上下表面的DLC阻性薄膜。且能够通过改变磁控溅射沉积过程中的工艺参数来调整类金刚石碳基薄膜的面电阻率。

所述步骤S2包括：

子步骤S21：高纯石墨靶材表面溅射清洗；

启动镀膜设备的真空泵，对镀膜腔体进行抽真空，待真空度低于5×10^-5mbar时，运行洗靶程序对高纯石墨靶材进行溅射清洗。其中设置偏压1V～200V，溅射功率设为4kW～7kW，在腔室中通入流量为100sccm～200sccm的高纯氩气，对高纯石墨靶材表面溅射清洗20分钟～40分钟。

在本公开实施例中，对Hauzer850设备的高纯石墨靶材表面溅射清洗：镀膜腔体抽真空，待真空度低于5×10^-5mbar，运行编辑好的洗靶程序开始对靶材表面进行溅射清洗，其中设置偏压为50V，溅射功率设为4kW，在腔室中通入流量为200sccm的高纯氩气，对高纯石墨靶材表面溅射清洗20分钟。

子步骤S22：在玻璃样品一表面溅射沉积DLC薄膜；

将干燥清洁的玻璃样品装夹在镀膜设备腔体中的样品转架上，使用一块相同尺寸的玻璃(充当挡板)挡住玻璃样品的一面，保证只在没有遮挡的一面沉积上DLC阻性薄膜。关闭腔体，启动设备的真空泵系统，抽真空的同时，加热玻璃样品到150℃～300℃，等腔体真空抽至5×10^-5mbar以下时，开始溅射镀膜。镀膜过程中，保持通入流量为100sccm～200sccm的高纯氩气和2sccm～20sccm的高纯乙炔气体，样品转架转速为1转/分钟～3转/分钟，样品偏压为1V～200V，溅射功率为4kW～7kW，溅射沉积时间为10min～20min。最终在玻璃样品的一面以及侧边沉积DLC阻性薄膜。

在本公开实施例中，打开腔体，安装玻璃样品，包括：将干净干燥的玻璃样品与一块具有相同尺寸(12cm×20cm)的玻璃叠放在一起，使用鳄鱼夹将其固定在样品转架上，玻璃样品的一面朝外，将样品转架放入真空腔室中，调整位置，使得玻璃样品置于石墨靶材的中间位置。Hauzer850设备以及样品安放位置如图3所示。关闭腔体，启动真空系统，设置目标真空度为5×10^-5mbar，启动腔体内部加热系统，设置目标温度为300℃，开始溅射镀膜。镀膜过程，保持通入流量为200sccm的高纯氩气和20sccm的高纯乙炔气体，样品转架转速为3转/分钟，样品偏压为50V，溅射功率为4kW，溅射沉积时间为10分钟。

子步骤S23：取样后重新装样，在玻璃样品的另一面沉积DLC阻性薄膜；

保持真空泵持续运行，腔体自然降温，待温度从150℃～300℃降低到70℃以下，打开腔体，取出玻璃样品，然后翻转样品，将没有镀膜的一面朝外，已经沉积DLC薄膜的一面被充当挡板的玻璃挡住，重新将样品装夹在样品转架上。与子步骤S22设置一样，溅射沉积DLC阻性薄膜。最终玻璃样品的上下表面和四周侧边都沉积上DLC阻性薄膜，完成了DLC阻性玻璃的制备。

在本公开实施例中，镀膜结束后关闭电源系统，保持真空泵继续运行，腔体自然降温，待温度从300℃降低到70℃以下，打开腔体，取出沉积了DLC薄膜的玻璃样品，然后翻转玻璃，将没有镀膜的另一面朝外，已经沉积DLC薄膜的一面被充当挡板的玻璃挡住。重新将样品装夹在样品转架上，保持位于石墨靶材的正中央位置。

子步骤S24：进行取样与测试；

保持真空泵持续运行，腔体自然降温，待温度从150℃～300℃降低到70℃以下，打开腔体，取出完成镀膜的玻璃样品，使用电阻仪测量玻璃表面的面电阻率。在本公开实施例中，镀膜后玻璃样品的示意图如图4所示。使用面电阻仪器测量玻璃上DLC阻性薄膜的面电阻率，结果为约100GΩ/□。

步骤S3：基于DLC阻性玻璃制备电阻板室结构；

所述步骤S3，包括：

子步骤S31：对探测器制作所需材料进行预处理；

将所有材料进行清洁干燥处理：蜂窝板、印刷线路板、垫片(厚度为1mm～2mm)、绝缘膜(厚度范围为0.1mm～0.2mm)、沉积了DLC薄膜的DLC阻性玻璃、密封条、气路配件等。在本公开实施例中，所需材料包括：2块蜂窝板、2块印刷线路板、2块镀了DLC阻性薄膜的打孔玻璃、3个厚度为1mm的绝缘垫片、1张厚度为0.15mm的绝缘膜、4条使用环氧树脂制作的密封条等。

子步骤S32：制备下玻璃电极结构；

所述子步骤S32，包括：

子步骤S321：在底部印刷线路板的外表面粘贴蜂窝板；

子步骤S322：在底部印刷线路板的内表面设置绝缘膜并露出高压电极，并在高压电极表面设置碳膜后安装DLC阻性玻璃形成下玻璃电极结构；

将一块蜂窝板使用双面胶粘在下印刷线路板的外表面，使用重物压实。线路板的内表面是读出电极和高压电极，将厚度为0.1mm～0.2mm的绝缘膜安装在下印刷线路板的内表面，露出高压电极。然后剪一块碳膜，平整的贴在高压电极上，然后将沉积了DLC阻性薄膜的DLC阻性玻璃(下玻璃电极)安装在绝缘膜上，保证玻璃紧紧的粘在碳膜上。

在本公开实施例中，所述绝缘薄膜厚度为0.15mm。

子步骤S33：在下玻璃电极结构上制备电阻板室结构；

所述子步骤S33，包括：

子步骤S331：在下玻璃电极上的通孔上设置环形垫片；

在下玻璃电极上的通孔上方摆放厚度为1mm～2mm的环状绝缘垫片，垫片的中心孔直径为2mm～4mm，垫片的外部直径为6mm～10mm。在垫片中心孔滴上适量的环氧树脂胶，胶滴凸出垫片，使得环形绝缘垫片和胶滴在形成稳定气隙的同时遮盖住DLC阻性玻璃上的通孔。

在本公开开实施例中，所述环状绝缘垫片的厚度为1mm，垫片的中心孔直径为3mm，外部直径为8mm。

子步骤S332：将另一块DLC阻性玻璃安装在垫片上，使得该DLC阻性玻璃的通孔正对着环形垫片，垫片中的环氧树脂胶将两块DLC阻性玻璃粘在一起，形成稳定的气隙；

将另一块沉积了DLC阻性薄膜的DLC阻性玻璃(上玻璃电极)安装在垫片上，上玻璃电极上的通孔正对着垫片，垫片中的环氧树脂胶将两块玻璃粘在一起，形成稳定的1mm～2mm的气隙。

在本公开实施例中，该气隙厚度为1mm。

子步骤S333：在子步骤S332安装的DLC阻性玻璃上安装顶部印刷线路板结构，完成电阻板室结构的制备；

同样的将另一块蜂窝板与上印刷线路板粘在一起，然后安装绝缘膜，露出高压电极。然后剪一块碳膜，平整的贴在高压电极上完成顶部印刷线路板结构，再将顶部印刷线路板结构安装在子步骤S332安装的DLC阻性玻璃上。

步骤S4：对电阻板室结构进行封装，完成高计数率电阻板室探测器的制备。

在两块玻璃电极之间的四周塞上绝缘材料制作的1mm～2mm厚的密封条，一端密封条上有进气口和出气口，安装气体快插接头，最后在探测器的密封条和探测器接触处涂抹环氧树脂胶，密封整个探测器的气隙。使用平整重物压在探测器上12h～24h，环氧树脂胶凝固后焊接探测器的电路接头，完成探测器的制作。

在本公开实施例中，如图5所示，采用1mm厚的密封条。使用平整重物压在探测器上24h，完成电阻板室探测器的制作。

至此，已经结合附图对本公开实施例进行了详细描述。需要说明的是，在附图或说明书正文中，未绘示或描述的实现方式，均为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，并未进行详细说明。此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换。

依据以上描述，本领域技术人员应当对本公开高计数率电阻板室探测器的制备方法有了清楚的认识。

综上所述，本公开提供了一种高计数率电阻板室探测器的制备方法，通过磁控溅射方法，在打了小孔的玻璃的表面和孔内沉积上一层具有面电阻率合适的DLC阻性薄膜，然后用于制作电阻板室探测器，能够使得电阻板室探测器能够保持足够高增益且稳定工作的同时，有效提高探测器工作时产生的电荷的中和速度，从而有效提高探测器的计数率能力，且更具有如下的优点：

本公开提供的在普通浮法玻璃上沉积DLC阻性薄膜的方法，相比于原来的电荷纵向穿过电阻高的玻璃进行中和，电荷在DLC阻性薄膜内能够快速的被中和，探测器的计数率能力得以提升。

本公开提供的在普通浮法玻璃上打出小孔并在孔内沉积DLC阻性薄膜，减少电荷中和所需要走的路径，加快电荷中和速度，进一步提高探测器的计数率能力。

本公开提供的在普通浮法玻璃上沉积DLC阻性薄膜的方法，改变电阻板室玻璃电极的电学特性，使得电荷中和过程发生在电阻值相对较低的DLC阻性薄膜表面。相比于低阻玻璃，能够通过改变磁控溅射沉积过程中的工艺参数来调整DLC薄膜的面电阻率，使得本公开提出的高计数率RPC探测器能更加灵活的适应多种需求。

本公开提供的在普通浮法玻璃上沉积DLC阻性薄膜的方法，相比于低阻玻璃，本公开使用的普通浮法玻璃工艺简单，成本低廉，避免玻璃的后续打磨，降低现有的高计数率RPC探测器的制作难度与成本。

本公开能极大提高RPC探测器在高能物理实验中的应用范围，能够满足日益发展的高能物理实验对探测器提出的更高的性能要求，为RPC探测器在不同实验环境下的应用提供技术支持。

还需要说明的是，实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。

并且图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本公开实施例的内容。另外，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。

除非有所知名为相反之意，本说明书及所附权利要求中的数值参数是近似值，能够根据通过本公开的内容所得的所需特性改变。具体而言，所有使用于说明书及权利要求中表示组成的含量、反应条件等等的数字，应理解为在所有情况中是受到「约」的用语所修饰。一般情况下，其表达的含义是指包含由特定数量在一些实施例中±10％的变化、在一些实施例中±5％的变化、在一些实施例中±1％的变化、在一些实施例中±0.5％的变化。

再者，单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰相应的元件，其本身并不意味着该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚区分。

此外，除非特别描述或必须依序发生的步骤，上述步骤的顺序并无限制于以上所列，且可根据所需设计而变化或重新安排。并且上述实施例可基于设计及可靠度的考虑，彼此混合搭配使用或与其他实施例混合搭配使用，即不同实施例中的技术特征可以自由组合形成更多的实施例。

本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。并且，在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个公开方面中的一个或多个，在上面对本公开的示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本公开要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，公开方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本公开的单独实施例。

以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。