阅读说明：本技术 激光处理装置、激光处理方法和半导体器件制造方法 (Laser processing apparatus, laser processing method, and semiconductor device manufacturing method ) 是由 山口芳広 泽井美喜 谷川贞夫 佐塚祐贵 小林直之 于 2018-10-30 设计创作，主要内容包括：根据本发明实施例的激光处理装置(1)包括：处理室(18),用于对待处理物(40)执行激光处理；台架(10),用于转移该待处理物(40),且设置在处理室(18)内；以及控制单元(50),将待处理物(40)在台架(10)上的放置位置指示给装载/卸载装置(30),装载/卸载装置(30)被配置为将待处理物(40)装载入/卸载出处理室(18)。此外,处理室(18)包括用于装载待处理物(40)的装载门(17a)和用于卸载待处理物(40)的卸载门(17b),并且待处理物(40)只在从装载门(17a)向卸载门(17b)的第一方向上被运送于台架(10)上。(A laser processing apparatus (1) according to an embodiment of the present invention includes: a processing chamber (18) for performing laser processing on an object to be processed (40); a stage (10) for transferring the object to be processed (40) and disposed in the processing chamber (18); and a control unit (50) that indicates a placement position of the object to be processed (40) on the rack (10) to the loading/unloading device (30), the loading/unloading device (30) being configured to load/unload the object to be processed (40) into/out of the processing chamber (18). Further, the processing chamber (18) includes a loading door (17a) for loading the object to be processed (40) and an unloading door (17b) for unloading the object to be processed (40), and the object to be processed (40) is carried on the rack (10) only in a first direction from the loading door (17a) to the unloading door (17 b).)

激光处理装置、激光处理方法和半导体器件制造方法

技术领域

本发明涉及激光处理装置，激光处理方法以及用于制造半导体器件的方法。例如，本发明涉及激光处理装置，激光处理方法以及用于制造半导体器件的方法，其中，通过向半导体器件照射激光来制造半导体器件。

背景技术

专利文献1公开了一种激光处理装置，该激光处理装置通过对硅基底，玻璃基底等上形成的非晶膜进行激光照射来使其结晶化。

现有技术文献列表

专利文献

专利文献1：公开号为WO2015/174347的国际专利申请

发明内容

技术问题

随着电视机等的显示器尺寸的增加，用于制造面板的玻璃基底等的尺寸已经增加。此外，存在增加玻璃基底等的尺寸以增加能够一个玻璃基底等获得的面板数量的趋势。随着诸如玻璃基底之类的待处理物的尺寸的增加，在面板制造过程中执行的用于这种待处理物的激光处理过程中出现了各种问题。

根据本发明的描述以及附图，其他待解决问题及新颖特征将变得容易理解。

解决问题的技术手段

根据一个实施例的激光处理装置包括控制单元，该控制单元被配置为向装载/卸载装置指示待处理的物的放置位置，该装载/卸载装置被配置为卸载待处理的物。

根据一个实施例的激光处理方法包括以下步骤：向装载/卸载装置指示待处理物的放置位置，该装载/卸载装置被配置为对待处理物进行卸载；以及对待处理物进行激光处理。

根据实施例的制造半导体器件的方法包括以下步骤：向装载/卸载装置指示基底的放置位置，该装载/卸载装置被配置为卸载基底；对基底进行激光处理。

附图说明

图1为根据一实施方式的示例的激光处理装置平面图。

图2为根据一实施方式的示例的激光处理装置立体图。

图3为根据一实施方式的示例的激光处理装置的推针的平面图。

图4为根据一实施方式的示例的激光处理装置的推针的截面图。

图5为根据一实施方式的示例的激光处理装置的激光光学路径的截面图。

图6为根据一实施方式的示例的激光处理装置的通信系统的框图。

图7为根据一实施方式的示例的激光处理装置中的待处理物的平面图，其示出了在G10基底上形成60英寸的面板的情况。

图8为根据一实施方式的示例的激光处理装置中的待处理物的平面图，其示出了在G10基底上形成70英寸的面板的情况。

图9为根据一实施方式的示例的激光处理装置中的待处理物的平面图，其示出了在G10基底上形成80英寸的面板的情况。

图10为根据一实施方式的示例的激光处理装置中的待处理物的平面图，其示出了在G10.5基底上形成65英寸的面板的情况。

图11为根据一实施方式的示例的激光处理装置中的待处理物的平面图，其示出了在G10.5基底上形成75英寸的面板的情况。

图12为根据一实施方式的示例的激光处理装置中的待处理物的平面图，其示出了在G10.5基底上形成85英寸的面板的情况。

图13为根据一实施方式的示例的采用激光处理装置的激光照射方法的流程图。

图14示出了根据一实施方式的示例的由激光处理装置的控制单元以及装载/卸载装置进行的操作。

图15示出了根据一实施方式的示例的由激光处理装置的控制单元以及装载/卸载装置进行的操作。

图16为根据一比较例的示例的激光处理装置的平面图。

图17为根据一实施方式的第一变形例的示例的保持装置的平面图。

图18为根据一实施方式的第二变形例的示例的台架的平面图。

图19为根据一实施方式的第二变形例的示例台架的截面图。

图20为例示半导体器件制造方法截面图。

图21为所述有机电致发光(EL)显示器的概略截面图，其中，该有机EL显示器的像素电路以简化方式示出。

具体实施方式

(实施例)

以下，将对一实施方式激光处理装置进行描述。首先，对所述激光处理装置的构造进行描述。接下来，将描述将待处理物装载到激光处理装置上/从激光处理装置上卸载待处理物的装载/卸载装置，以及在激光处理装置中待处理物。之后，将描述使用激光处理装置的激光处理方法。

<激光处理装置的构造>

图1为根据一实施方式的示例的激光处理装置的平面图。图2为根据本实施方式的示例的激光处理装置的立体图。如图1和图2所示，激光处理装置1包括处理室18，台架10和激光照射单元20。

处理室18例如是在内部形成有内部空间的长方体的壳体。对处理室18内的待处理物40进行激光处理。如上所述，提供处理室18以对其中的待处理物40进行激光处理。处理室18包括：装载门17a，通过该装载门搬入待处理物40；以及卸载门17b，通过该卸载门17b搬出待处理物40。

台架10具有例如长方体形状，并且具有在一个方向上延伸的顶表面11。台架10布置于处理室18内。提供台架10用于运送待处理物40。

注意，为了说明激光处理装置1，引入了XYZ正交坐标系。平行于顶表面11的平面中的一个方向被定义为X轴方向。在与顶表面11平行的该平面中，将与X方向正交的另一方向定义为Y轴方向。与顶表面11垂直的方向定义为Z轴方向。关于Z轴方向，例如，将向上方向定义为Z轴正方向，将向下方向定义为Z轴负方向。

台架10用于激光处理，在该激光处理中，待处理物40被照射激光。在台架10中，待处理物40在顶表面11上沿着X轴方向从顶表面11的一端的附近12移动到另一端的附近13。例如，将顶表面11的在X轴方向上的X轴方向负侧上的端部附近称为一端的附近12。顶表面11在X轴方向上的X轴方向正侧上的端部附近被称为另一端的附近13。

将待处理物40从顶表面11的一端的附近12移动到另一端的附近13称为运送。处理室18的装载门17a布置在一端的附近12，卸载门17b布置在另一端的附近13。从台架10上方的装载门17a朝向卸载门17b的方向被称为第一方向。例如，第一方向是X轴正方向。仅在台架10上沿从装载门17a到卸载门17b的第一方向运送待处理物40。在台架10上，待处理物40可以在悬浮在顶表面11上的同时被运送。例如，在顶表面11中形成多个微小孔。此外，空气从顶表面11的微小孔向上喷射。布置在顶表面11上的待处理物40在被从孔中喷出的空气悬浮在台架10上方的同时被运送。

待处理物40在台架10的顶表面11上沿X轴方向在X轴正方向上移动。台架10可以不包括用于在X轴方向上的X轴负方向上以及在Y轴方向上的Y轴正方向和负方向上移动待处理物40的机构。注意，台架10可以包括用于精细地调节布置在顶表面11上方的待处理物40的位置的对准装置。

第一位置11a和第二位置11b被设置在顶表面11上方沿X轴方向上的一端的附近12中，作为待处理物40的放置位置。第二位置11b是沿Y轴方向从第一位置11a移位预定长度得到。例如，当将X轴正方向定义为第一方向时，Y轴方向称为与第一方向相交的第二方向。例如，第一位置11a是在第二方向(朝向Y轴方向正侧)上从第二位置11b经过移位得到。第一位置11a的一部分在台架10的顶表面11上与第二位置11b的一部分重叠。注意，除了第一位置11a和第二位置11b之外，可以在一端的附近12中设置用于待处理物40的放置位置。

在顶表面11的X轴方向的另一端的附近13处，设定有第三位置11c和第四位置11d。第四位置11d是沿Y轴方向从第三位置11c移位预定长度得到。例如，第三位置11c从第四位置11d朝向Y轴方向正侧进行移位得到。第三位置11c的一部分在台架10的顶表面11上与第四位置11d的一部分重叠。注意，除了第三位置11c和第四位置11d之外，可以在另一端的附近13中设置用于待处理物40的放置位置。

第三位置11c是待处理物40从第一位置11a沿着X轴方向移动到的位置。第四位置11d是待处理物40从第二位置11b沿着X轴方向移动到的位置。

图3为根据一实施方式的示例的激光处理装置的推针的平面图。图4为根据一实施方式的示例的激光处理装置的推针的截面图。图3除了示出除平面图之外，还示出框图。如图3和图4所示，台架10可以包括推针14。每个推针14是在Z轴方向上延伸的销状构件。推针14的尖端相对于台架10的顶表面11上升和下降。

多个推针14从台架10的顶表面11突出。待处理物40被多个推针14保持。推针14用作待处理物40的保持装置。具体地，多个推针14用作在装载/卸载装置30装载待处理物40时使用的装载保持部，以及在装载/卸载装置30卸载待处理物40时使用的卸载保持部。推针14设置在台架10的顶表面11上方的第一位置11a和第二位置11b中的至少一个中。例如，推针14在第一位置11a和第二位置11b从顶表面11突出。通过这种方式，推针14将待处理物40抬起。注意，设置在台架10上的装载保持部和卸载保持部不限于推针14。即，它们可以是杆或多个凹槽，如下文所述。

当待处理物40沿X轴方向移动时，推针14被容纳在顶表面11的下方。推针14在第一位置11a中的运动由第一推针驱动器14a控制。推针14在第二位置11b中的运动由第二推针驱动器14b控制。第一和第二推针驱动器14a和14b由运动控制器15控制。位于第一位置11a的多个推针14和位于第二位置11b的多个推针14可以同时升高和降低。可替代地，仅位于第一位置11a中的那些或位于第二位置11b中的那些推针可以被升高和降低。

如图2所示，台架10可包括用于抓握待处理物40的抓握部16。抓握部16设置在台架10的顶表面11中。抓握部16例如是真空吸盘。抓握部16沿着在X轴方向上延伸的槽移动。抓握部16吸取待处理物40的底面。然后，抓握部16在X轴方向上运送待处理物40。注意，用于在X轴方向上运送待处理物40的装置不限于抓握部16。

在将位于第一位置11a和第二位置11b中的推针14容纳在台架10中之后，抓握部16抓握待处理物40。在第一位置11a和第二位置11b上，推针14可以以这样的方式被容纳在台架10中，即，它们离抓握部16越近，它们被越早地容纳在台架10中。

如果将推针14容纳在台架10中，使得它们离抓握部16越近，则它们越晚被容纳在台架10中，则可能存在待处理物40的底部表面的***部分比底部表面的中央部分更早地接触台架10的顶表面11。因此，一些空气被捕获收集在待处理物40的底部表面的中央部分与台架10的顶表面11之间，从而在它们之间形成间隙。在这种情况下，抓握部16有可能不能抓握待处理物40。

在该实施例中，推针14以这样的方式被容纳在台架10中，即，它们位于越靠近抓握部16的位置，则越早地被容纳在台架10中。因此，防止了在待处理物40和顶表面11之间形成间隙。因此，抓握部16可以抓握待处理物40。

台架10可以设置在处理室18的内部，处理室18包括装载门17a和卸载门17b。卸载门17b不同于装载门17a。

图5为根据一实施方式的示例的激光处理装置的激光光学路径的截面图。如图5所示，激光照射单元20将激光L1施加到待处理物40。例如，激光照射单元20将激光L1施加到在台架10的顶表面11上移动的待处理物40。激光照射单元20包括激光振荡器(未示出)和用于将从激光振荡器发射的激光L1引导到台架10上的光学构件。激光照射单元20设于可接收激光振荡器发出的激光L1的位置。

激光L1例如沿X轴负方向行进并进入激光照射单元20。注意，如果必要，可以在激光L1的光路上在光源和激光照射单元20之间布置诸如衰减器之类的光学元件，以用于调节激光L1的能量密度。

激光照射单元20包括构成其外部的光学系统壳体28a，反射镜28b，诸如透镜的光学元件和封闭部28c。激光照射单元20调节从光源发射的激光L1的施加方向，激光的量等。封闭部28c设置在光学系统壳体28a的下方。在被激光照射单元20调节之后，使激光L1通过封闭部28c和密封窗口28h进入处理部18。

激光L1在激光照射单元20中成形为线束形状。即，激光L1被成形为在一个方向上延伸的细长的直线形状。举例而言，被反射镜28b反射后，激光L1的与其光轴垂直的截面为沿Y轴方向延伸的直线形状。激光L1具有例如线束21的形状，该线束21在Y轴方向上在待处理物40的顶表面上方延伸。线束21在Y轴方向上的长度最大例如为约1,500mm。线束21的长度例如通过使用狭缝来调节。处理室18包括气体箱28d和台架10。

预定气体28f经进气口28e供于气体箱28d内，该预定气体例如为氮气等惰性气体。供于气体箱28d内的气体28f填充至气体箱28d内部空间后，经照射窗口28g排出。在处理室18中，进行激光退火处理，在该激光退火处理中，对台架10上放置的待处理物40照射激光L1，并使该非晶质膜结晶化。

激光处理装置1可以包括控制单元50。如后文将描述的，装载/卸载装置30还可以包括装载/卸载控制单元31，该装载/卸载控制单元31控制待处理物40的装载/卸载。控制单元50指示装载/卸载装置30将待处理物40放置在处理室18内的台架10的顶表面11的一端的附近的第一位置11a或第二位置11b。此外，控制单元50可以选择第一位置11a或第二位置11b作为待处理物40的放置位置。控制单元50向装载/卸载装置30指示所选择的放置位置。如上所述，控制单元50向将待处理物40装载到处理室18中/从处理室18中卸载出的装载/卸载装置30指示待处理物40在台架10上的放置位置。控制单元50通过其指示放置位置的信号被称为位置控制信号。

当将待处理物40放置在台架10上时，控制单元50使装载/卸载装置30通过装载门17a将待处理物40搬入并放置在顶表面11上。当从台架10上卸下待处理物40时，控制单元50使装载/卸载装置30通过卸载门17b搬出待处理物40。

图6为根据一实施方式的示例的激光处理装置的通信系统的框图。如图6所示，主控制单元51、副控制单元52、激光照射单元控制器22、装载/卸载装置30、门阀23、悬浮单元控制器24、运动控制器15、XYθ台架25和推针14都连接到激光处理装置1的通信系统。

主控制单元51例如是PC(个人计算机)。副控制单元52例如是梯形控制器。主控制单元51和副控制单元52可以一体地形成。主控制单元51和副控制单元52被统称为控制单元50。此外，主控制单元51和副控制单元52中的每一个也被称为控制单元50。

激光照射单元控制器22控制激光的振荡，停止，输出，波长等。控制单元50通过控制激光照射单元控制器22来控制激光的振荡，停止，输出，波长等。

控制单元50控制将待处理物40装载到台架10上/从台架10上卸载。控制单元50通过控制将台架10封闭的处理室18的门阀23来控制装载门17a和卸载门17b的打开/关闭。

悬浮单元控制器24控制从形成在台架10的顶表面11上的孔中的空气的喷射。控制单元50通过控制悬浮单元控制器24控制顶表面11上的待处理物40的悬浮。

运动控制器15控制待处理物40在台架10的顶表面11上方的位置和移动。运动控制器15将待处理物40在台架10的顶表面11上沿X轴正方向移动。例如，运动控制器15通过控制对待处理物40进行抓握的抓握部16进行控制来使待处理物40在X轴正方向上移动。此外，运动控制器15例如通过控制XYθ台架25来微调待处理物40的位置。运动控制器15通过推针驱动器14a和14b控制推针14的上升和下降。

<装载/卸载装置>

接下来，将描述将待处理物40装载到激光处理装置1上/从激光处理装置1上卸载的装载/卸载装置30。

装载/卸载装置30装载和卸载待处理物40。装载/卸载装置30例如是装载/卸载机器人。装载/卸载机器人可以由装载机器人和卸载机器人组成。装载/卸载装置30将待处理物40放置在台架10的顶表面11的一端的附近12内。此外，装载/卸载装置30将待处理物40从顶表面11的另一端的附近13卸载。具体地，响应于来自激光处理装置1的控制单元50的指令，装载/卸载装置30将待处理物40通过装载门17a放置在顶表面11的一端的附近12的第一位置11a或第二位置11b。装载/卸载装置30将待处理物40放置在控制单元50选择的第一位置11a和第二位置11b中的一个作为待处理物40的放置位置。如上所述，装载/卸载装置30可以将已经通过装载门17a运送的待处理物40放置在与第一方向相交的第二方向上的预定位置处。根据从控制单元50发送的位置控制信号来确定预定位置。

装载/卸载装置30包括装载/卸载控制单元31，该装载/卸载控制单元31控制待处理物40的装载/卸载。此外，当激光处理装置1的控制单元50指示装载/卸载控制单元31将待处理物40放置在第一位置11a或第二位置11b时，装载/卸载控制单元31可以选择第一位置11a或第二位置11b作为待处理物40的放置位置。装载/卸载控制单元31将待处理物40放置在所选择的放置位置。激光处理装置1的控制部50控制各控制器，以使被处理物40能够被放置在由装载/卸载控制单元31选择的放置位置中。

当装载/卸载装置30从台架10的顶表面11卸载待处理物40时，装载/卸载装置30从顶表面11的另一端附近13的第三位置11c或从该第三位置11c附近的第四位置11d卸载待处理物40。具体地，装载/卸载装置30将之前已被放置在第一位置11a，在第一方向上被运送后并被布置在第三位置11c的待处理物40卸载。此外，装载/卸载装置30将之前已被放置在第二位置11b中，在第一方向上被运送后并被布置在第四位置11d中的待处理物40卸载。如上所述，从中取出待处理物40的位置根据在装载待处理物40时由装载/卸载装置30放置待处理物40的位置而变化。即，放置在第一位置11a上的待处理物40从第三位置11c卸载，放置在第二位置11b上的待处理物40从第四位置11c卸载。

装载/卸载装置30通过装载门17a将待处理物40放入并且将待处理物40放置在顶表面11上。装载/卸载装置30通过卸载门17b取出待处理物40。装载/卸载装置30可以从盒34中取出还未被处理的待处理物40。装载/卸载装置30可以将已经被处理的待处理物40存储到盒34中。

<待处理物>

接下来，将描述经历由激光处理装置1执行的激光处理的待处理物40。待处理物40包括例如基底和在该基底上形成的半导体膜。基底例如是矩形的板状部件。待处理物40具有矩形(或正方形)的平面形状。具体地，基底是玻璃基底，并且半导体膜是非晶硅膜。将激光施加到非晶硅膜上，从而使非晶膜结晶。这样，形成多晶硅膜。注意，待处理物40不限于在其上形成有非晶硅膜的基底，只要对其执行激光照射处理即可。

图7至图12是示出由根据实施例的激光处理装置1处理的待处理物40的示例的平面图，图7示出在G10基底中形成60英寸面板的情况。图8示出了在G10基底中形成70英寸面板的情况。图9示出了在G10基底中形成80英寸面板的情况。图10示出了在G10.5基底中形成65英寸面板的情况。图11示出了在G10.5基底上形成75英寸面板的情况。图12示出了在G10.5基底上形成85英寸面板的情况。

如图所示。如图7至9所示，当待处理物40包括基底时，基底的侧边的长度为3,130mm和2,880mm。具有这样的边长的玻璃基底被称为第十代(G10)基底。如图10至图12所示，基底的侧面的长度可以是3,370mm和2,940mm。具有这样的边长的玻璃基底被称为第10.5代(G10.5)基底。

此外，尽管在附图中未示出，但是基底的侧面的长度可以是2500mm和2200mm。具有这样的边长的玻璃基底称为第八代(G8)基底。另外，待处理物40优选为面积为2,160mm×2,460mm以上的玻璃基底。基底的厚度为0.5至0.63mm。

如上所述，台架10的顶表面11上方的被处理物40的Y轴方向的长度为2,200mm以上。因此，待处理物40在Y轴方向上的长度比激光的线束21的长度长。即，台架10的顶表面11上的待处理物40的照射区域的在Y轴方向上的长度比线束21的长度长。照射区域是需要用激光照射的区域。

当照射区域的沿Y轴方向的长度比线束21的长度长时，不能通过一次运送来处理待处理物40。因此，待处理物40从台架10的顶表面11的一端的附近12向其另一端的附近13移动多次。

如图7所示，在台架10的顶表面11上放置的尺寸为3,130mm×2,880mm的基底包括八个(4×2)面板45，每个面板45是所谓的60英寸面板，尺寸为764mm×1,341mm。注意，“×”前面的长度或数字表示在X轴方向上的长度或数字，而“×”后面的长度或数字表示在Y轴方向上的长度或数字。激光的线束21的长度被设置为1,440mm。在这种情况下，待处理物40上的照射区域包括第一照射部41和第二照射部42。第一照射部41和第二照射部42分别是通过在X轴方向上一次转移待处理物40而能够被激光照射的部分。每个照射部在X轴方向上延伸。

第一照射部41例如是在将待处理物40在Y轴方向上划分成两个相等的部分时位于Y轴方向负侧的部分。第二照射部42是将待处理物40在Y轴方向上划分成两个相等的部分时位于Y轴方向正侧的部分。

当第一照射部41被激光照射时，待处理物40例如被放置在第一位置11a。然后，待处理物40沿着X轴方向被运送。当待处理物40在台架10的顶表面11上移动时，第一照射部41被激光照射。以这种方式，第一照射部41可以被激光处理。

接着，当第二照射部42被激光照射时，待处理物40被放置在第二位置11b。然后，待处理物40沿着X轴方向被运送。当待处理物40在台架10的顶表面11上移动时，第二照射部42被激光照射。以这种方式，第二照射部42可以被激光处理。

如上所述，当放置在第一位置11a上的待处理物40在X轴方向上移动时，第一照射部41被激光照射。当放置在第二位置11b上的待处理物40在X轴方向上移动时，第二照射部42被激光照射。

如图8所示，在顶表面11上放置的尺寸为3,130mm×2,880mm的基底包括六个(2×3)面板45，每个面板是所谓的70英寸面板，其具有尺寸为1,546mm×888mm。激光的线束21的长度被设置为960mm。在这种情况下，待处理物40上的照射区域包括第一照射部41、第二照射部42和第三照射部43。第一，第二和第三照射部41、42和43中的每一个都是可以通过沿X轴方向一次转移待处理物40而用激光照射的部分。每个照射部在X轴方向上延伸。注意，图8示出了待处理物40被置于第一位置11a的状态。

第一照射部41是在将待处理物40在Y轴方向上划分为三个相等的部分时，位于Y轴方向负侧的部分。第二照射部42是将待处理物40在Y轴方向上划分为三个相等的部分时的中央部分。第三照射部43是在将待处理物40在Y轴方向上划分为三个相等的部分时，位于Y轴方向正侧的部分。因此，在待处理物40中，第二照射部42位于第一照射部41与第三照射部43之间。

当第一照射部41被激光照射时，待处理物40被置于第一位置11a。然后，待处理物40沿着X轴方向被运送。当待处理物40在台架10的顶表面11上移动时，第一照射部41被激光照射。以这种方式，第一照射部41可以被激光处理。

接着，当第二照射部42被激光照射时，待处理物40被放置在第二位置11b。然后，待处理物40沿着X轴方向被运送。当待处理物40在台架10的顶表面11上移动时，第二照射部42被激光照射。以这种方式，第二照射部42可以被激光处理。

接下来，当向第三照射部43照射激光时，首先，待处理物40在水平面内旋转180°。例如，通过设置在台架10外侧的旋转装置32使待处理物40旋转。然后，将待处理物40放置在第一位置11a。此后，沿着X轴方向运送待处理物40。当待处理物40在顶表面11上移动时，第三照射部43被激光照射。这样，可以对第三照射部43照射激光。

如上所述，当放置在第一位置11a上的待处理物40在X轴方向上移动时，第一照射部41或第三照射部43被激光照射。当放置在第二位置11b上的待处理物40在X轴方向上移动时，第二照射部42被激光照射。

如图9所示，在顶表面11上放置的尺寸为2,880mm×3,130mm的基底包括三个(1×3)面板45，每个面板是所谓的80英寸面板，其具有尺寸为1,806mm×1,029mm。激光的线束21的长度被设置为1,043mm。在这种情况下，待处理物40上的照射区域包括第一照射部41、第二照射部42和第三照射部43。第一、第二和第三照射部41、42和43中的每一个都是可以通过沿X轴方向一次转移待处理物40而被照射的部分。每个照射部在X轴方向上延伸。注意，图9示出了其中待处理物40被放置在台架10的顶表面11上方的第一位置11a中的状态。

第一照射部41是在将待处理物40在Y轴方向上划分为三个相等的部分时，位于Y轴方向负侧的部分。第二照射部42是将待处理物40在Y轴方向上划分为三个相等的部分时的中央部分。第三照射部43是在将待处理物40在Y轴方向上划分为三个相等的部分时，位于Y轴方向正侧的部分。因此，在待处理物40中，第二照射部42位于第一照射部41与第三照射部43之间。

即使在图9的情况下，当放置在第一位置11a上的待处理物40在X轴方向上移动时，第一照射部41或第三照射部43被照射激光。当放置在第二位置11b上的待处理物40在X轴方向上移动时，第二照射部42被激光照射。

如图10所示，在台架10的顶表面11上放置的尺寸为3,370mm×2,940mm的基底包括八个(4×2)面板45，每个面板是所谓的65英寸面板，尺寸为820mm×1,445mm。激光的线束21的长度被设置为1,470mm。在这种情况下，待处理物40上的照射区域包括第一照射部41和第二照射部42。第一和第二照射部41和42之间的关系以及第一和第二位置11a和11b之间的关系与图7所示的基底的相似。

如图11所示，在台架10的顶表面11上放置的尺寸为3,370mm×2,940mm的基底包括六个(2×3)面板45，每个面板是所谓的75英寸面板，尺寸为1666mm×944mm。激光的线束21的长度被设置为980mm。在这种情况下，待处理物40上的照射区域包括第一照射部41、第二照射部42和第三照射部43。第一、第二和第三照射部41、42和43之间的关系以及第一和第二位置11a和11b之间的关系与图8所示的基底的相似。

如图12所示，尺寸为2,940mm×3,370mm的基底放置在台架10的顶表面11上，包括三个(1×3)面板45，每个面板为所谓的85英寸面板，尺寸为1,892mm×1,073mm。激光的线束21的长度被设置为1,123mm。在这种情况下，待处理物40上的照射区域包括第一照射部41、第二照射部42和第三照射部43。第一、第二和第三照射部41、42和43之间的关系以及第一和第二位置11a和11b之间的关系与图9所示的基底的相似。

注意，已经描述了其中待处理物40上的照射区域包括两个或三个照射部的情况。然而，待处理物40上的照射区域可以包括四个或更多个照射部。

<激光处理方法>

接下来，将描述激光照射方法以解释由激光处理装置1执行的操作。图13为根据一实施方式的示例的采用激光处理装置的激光照射方法的流程图如图13的步骤S11所示，首先，将待处理物40装载到台架10上，并放置在放置位置。通过控制单元50或装载/卸载控制单元31选择待处理物40的放置位置。

图14示出了由根据实施例的激光处理装置1和装载/卸载装置30执行的操作的示例，并且示出了激光处理装置1的控制单元50选择待处理物40的放置位置，并向装载/卸载装置30指示所选择的放置位置的情形。

如图14所示，控制单元50请求装载/卸载装置30装载待处理物40。当这样做时，控制单元50选择第一位置11a或第二位置11b作为待处理物40的放置位置。例如，控制单元50首先选择第一位置11a作为放置位置。然后，控制单元50指示装载/卸载装置30将待处理物40放置在所选择的第一位置11a。如上所述，控制单元50将用于控制待处理物40在台架10上的放置位置的第一位置控制信号发送至用于待处理物40的装载/卸载装置30(步骤a)。

装载/卸载装置30询问控制单元50是否可以装载待处理物40。响应于该询问，激光处理装置1的运动控制器15使位于被选择为放置位置的第一位置11a上的推针14升高。此外，控制单元50打开装载门17a的门阀23。然后，控制单元50通知装载/卸载装置30可以装载待处理物40。

响应于该通知，装载/卸载装置30通过装载门17a将待处理物40放置在台架10的顶表面11上方的第一位置11a中。即，由装载/卸载装置30将待处理物40放置在由第一位置控制信号确定的台架10上的第一位置(步骤b)。

装载/卸载装置30通知控制单元50待处理物40的装载已经完成。控制单元50关闭装载门17a的门阀23。运动控制器15使位于第一位置11a的推针14下降。然后，处理进入下一个处理，即，沿着放置位置进行对待处理物40的处理。

如上所述，首先，将待处理物40放置在台架10的一端的附近12的第一位置11a。在本实施方式的激光处理方法中，使用激光处理装置1的控制单元50。然后，首先，使控制单元50选择第一位置11a作为待处理物40的放置位置。使控制单元50向装载/卸载装置30指示所选择的放置位置。此外，使控制单元50指示装载/卸载装置30将待处理物40放置在第一位置11a。

图15示出了由根据实施例的激光处理装置1和装载/卸载装置30执行的操作的示例，并且示出了装载/卸载装置30的装载/卸载控制单元31选择待处理物40的放置位置，并向激光处理装置1指示所选择的放置位置的情形。

如图15所示，激光处理装置1的控制单元50要求装载/卸载装置30装载待处理物40。装载/卸载装置30的装载/卸载控制单元31向激光处理装置1询问是否可以装载待处理的物40。此外，装载/卸载控制单元31选择第一位置11a或第二位置11b作为待处理物40的放置位置。例如，装载/卸载控制单元31首先选择第一位置11a作为放置位置。然后，装载/卸载控制单元31对激光处理装置1进行指示，使得能够将待处理物40放置在所选择的第一位置11a上。如上所述，装载/卸载装置30的装载/卸载控制单元31可以选择放置位置，并且向激光处理装置1指示所选择的放置位置。

响应于该指令，激光处理装置1的运动控制器15使位于放置位置的推针14升高。此外，运动控制器15打开装载门17a的门阀23。然后，激光处理装置1向装载/卸载装置30的装载/卸载控制单元31通知可以装载待处理物40。

装载/卸载装置30通过装载门17a将待处理物40放置在顶表面11上方的放置位置。装载/卸载装置30通知激光处理装置1已经完成了待处理物40的装载。激光处理装置1关闭装载门17a的门阀23。运动控制器15使位于放置位置的推针14下降。然后，处理进入下一个处理，即，沿着放置位置进行对待处理物40的处理。

接下来，如图13中的步骤S12所示，在台架10的顶表面11上沿X轴方向移动待处理物40。然后，将待处理物40运送到台架10上的激光照射位置(步骤c)。例如，放置在第一位置11a上的待处理物40沿着X轴方向从顶表面11的一端的附近12移动到其另一端的附近13。在该过程中，待处理物40仅沿X轴方向移动。运动控制器15控制抓握部16，从而使抓握部16抓握待处理物40并使其在X轴方向上移动。当这样做时，可通过悬浮单元控制器24将待处理物40从顶表面11悬浮。

随后，如图13中步骤S13所示，以激光照射待处理物40。具体地，控制单元50通过控制激光照射单元控制器22，将激光施加到在台架10的顶表面11上移动的待处理物40(步骤d)。

接下来，如图13中的步骤S14所示，由装载/卸载装置30卸载待处理物40(步骤e)。具体地，控制单元50通过控制装载/卸载装置30，从台架10的顶表面11的另一端的附近13卸载待处理物40。

接下来，如图13中的步骤S15所示，控制单元50确定是否所有的照射区域都已经被激光照射。是否在所有照射区域上都照射了激光，是指在照射区域包括第一照射部41、第二照射部42和第三照射部43的情况下，是否对第一照射部至第三照射部全部进行了照射。例如，在未对所有照射区域进行激光照射的情况下(“否”的情况)，例如，在已经对第一照射部41进行了激光照射而未对第二照射部42进行了照射的情况下，处理返回到步骤S11，在步骤S11中，将待处理物40装载到台架10上并放置在第二位置11b。如果需要，待处理物40由旋转装置32旋转，然后放置在台架10上。

例如，通过控制单元50选择待处理物40的放置位置。控制单元50选择第二位置11b作为待处理物40的放置位置。控制单元50向装载/卸载装置30指示所选择的放置位置。即，控制单元50将第二位置控制信号发送到装载/卸载装置30(步骤f)。另外，控制部50指示装载/卸载装置30将待处理物40放置在第二位置11b。响应于该指令，由装载/卸载装置30将待处理物40放置在与台架10上的第一位置不同的第二位置上，该第二位置由第二位置控制信号确定(步骤g)。

然后，依次执行步骤S12(步骤h)，步骤S13(步骤i)和步骤S14(步骤j)。注意，在步骤(c)和(h)中，连接第一位置和第二位置的方向与待处理物40的输送方向相交。注意，类似于步骤(c)，待处理物40在步骤(h)中仅沿第一方向移动。

另一方面，当在步骤S15中确定已经照射了所有照射区域时(在“是”的情况下)，激光照射处理结束。以这种方式，可以对待处理物40执行激光处理。

以下，对本实施方式的效果进行说明。

在本实施方式的激光处理装置1中，即使待处理物40的长度比激光的线光束21的长度长，待处理物40也仅在一个方向上从台架10的顶表面11的一端的附近12移动到其另一端的附近13。因此，可以防止台架10的面积增加。

装载/卸载装置30将待处理物40放置在在一端的附近12的第一位置11a或第二位置11b。因此，激光处理装置1不需要用于使待处理物40沿Y轴方向广泛地移动的移动机构。因此，可以简化激光处理装置1的机构，从而防止激光处理装置1的尺寸增加。然而，激光处理装置1可以配备有用于在Y轴方向上精细地移动待处理物40的机构，而不会使激光处理装置1的机构变得相当复杂。

图16为根据比较例的示例的激光处理装置的平面图。如图16所示，比较例的激光处理装置100在待处理对物40比激光的线束21的长度长时，使待处理物40沿X轴方向和Y轴方向在台架10的顶表面11上移动。因此，台架10的面积增加。

另外，比较例的激光处理装置100需要具有使待处理物40沿Y轴方向移动的移动机构和使待处理物40沿水平面旋转的旋转机构。因此，激光处理装置100的机构变得复杂并且其尺寸增加。

此外，在根据比较例的激光处理装置100中，直到完成对一个待处理物40的激光处理为止，下一个待处理物40不能放置在台架10上。因此，不可能改善周期时间，因此不可能改善生产量。此外，其中发射的激光不用于实际处理的浪费的激光发射增加了，因此生产成本增加了。如果停止激光的发射以减少浪费的激光发射，则激光的稳定性会劣化。

相对于此，在本实施方式的激光处理装置1中，能够在台架10上沿X轴方向依次运送多个被处理物40。因此，可以改善周期时间，从而提高生产率。此外，由于可以在X轴方向上无中断地运送多个待处理物40，因此可以减少浪费的激光发射，因此可以降低生产成本。此外，由于可以保持激光发射状态，因此提高了激光的稳定性。

在本实施方式的激光处理装置1中，第一位置11a的一部分在顶表面11上与第二位置11b的一部分重叠。因此，可以防止台架10的面积增加。在使用悬浮单元来悬浮待处理物40的情况下，可以减少从台架10的顶表面11喷射的气体的消耗。注意，使用诸如空气或氮气的惰性气体作为从顶表面11喷射的气体。

由于可以将放置在台架10的顶表面11上的基底的长度增加到2,880mm或更长，因此激光处理装置1可以用于下一代面板的玻璃基底。即使当用激光照射长度为激光的线束21的长度的三倍或更长的基底时，也可以在第一位置11a放置第一至第三照射部中的第一和第三照射部41，并因此通过激光照射他们。因此，可以使台架10的顶表面11在Y轴方向上的长度短于待处理物40在Y轴方向上的长度的两倍。

(变型例1)

接下来，将描述上述实施例的变型例1。在该变型例中，提供条状物以代替推针14，作为用于待处理物40的保持装置。

图17是表示本实施方式的变型例1的示例的保持机构的平面图。如图17所示，在该变型例中，在台架10的顶表面11上设有条状物26。条状物26沿Y轴方向延伸。可以在第一位置11a和第二位置11b中的每个位置分别设置多个条状物26。可替代地，可以设置条状物26以从第一位置11a延伸到第二位置11b。

条状物26由运动控制器15通过驱动器控制。当待处理物40被条状物26保持时，条状物26从台架10的顶表面11上升。当待处理物40在X轴方向上移动时，条状物26被容纳在台架10中。条状物26可以以这样的方式被容纳在台架10中，即，条状物26越靠近抓握部16，它们被越早地容纳在台架10中，使得抓握部16可以抓握待处理物40。具体地，条状物26可以是弯曲的，以使得它们离抓握部16越近，它们越早被容纳在台架10中。

根据变型例1的激光处理装置1，能够稳定地保持待处理物40。此外，可以简化保持机构。其他的结构和效果与实施方式的说明相同。

(变型例2)

接下来，将描述上述实施例的变型例2。在该变型例中，待处理物40的装载保持部和卸载保持部别由多个槽形成。在台架10的顶表面11的一端的附近12和另一端的附近13形成有沿Y轴方向延伸的槽。

图18是表示实施方式的变型例2的示例的台架10的平面图。图19为实施方式变型例2的示例的台架10的截面图。如图18和图19所示，在台架10的顶表面形成有沿Y轴方向延伸的槽27。槽27设置在台架10的顶表面11的一端的附近12和另一端的附近13。装载/卸载装置30包括臂部33。装载/卸载装置30将臂部33***多个槽27中，从而装载/卸载待处理物40。具体而言，将用于保持待处理物40的装载/卸载装置30的臂部33***槽27内。臂部33的顶端被划分为最多与槽27的数量相同的数量的分支。臂部33的分支部在Y轴方向上延伸。

装载/卸载装置30将待处理物40保持在臂部33上方。然后，当将待处理物40放置在台架10的顶表面11上时，臂部33的分支部***槽27中。在将待处理物40放置在顶表面11上之后，装载/卸载装置30将臂部33从槽27中拉出。此外，当从台架10卸载待处理物40时，臂部33的分支部***到待处理物40所放置的顶表面11的下方的槽27中。然后，放置在台架10上的待处理物40被臂部33铲起并放置在臂部33上。在将待处理物40离开并放置在臂部33上方的同时，将臂部33从槽27中拉出。通过此种方式，待处理物40被装载和卸载。

根据变型例2的激光处理装置1，能够减少由运动控制器15进行的保持机构的控制，因而能够进一步简化激光处理装置1的机构。其余的配置和效果与实施例和变型例1的描述中的相同。

<半导体器件制造方法>

以下，作为其他实施方式，对使用上述激光处理装置的半导体器件制造方法进行描述。在本实施例中，激光退火装置用作激光处理装置1。根据本实施例的半导体器件的制造方法包括以下步骤：准备包括基底和在基底上方形成的非晶膜的待处理物40；通过向非晶膜照射激光，使非晶膜结晶化。使用其中形成有非晶半导体膜的基底作为待处理物40。例如，使用其上形成有非晶硅的玻璃基底。在使非晶膜结晶化的步骤中，执行使用激光处理装置1的激光处理方法。

所述半导体器件例如为含TFT(薄膜晶体管)的半导体器件。在该情形中，可通过在非晶硅膜上施加激光而将该非晶硅膜结晶化，从而形成多晶硅膜。

图20为例示半导体器件制造方法截面图。上述实施方式激光处理装置适于制造TFT阵列基底。以下，将对含TFT的半导体器件的制造方法进行描述。

首先，如图20(a)所示，在玻璃基底201上形成栅电极202。例如，含铝等金属的金属薄膜可用作栅电极202。随后，如图20(b)所示，在栅电极202上形成栅极绝缘膜203。所形成的栅极绝缘膜203覆盖栅电极202。在此之后，如图20(c)所示，在栅极绝缘膜203上形成非晶硅膜204。所形成的非晶硅膜204位于栅电极202上方，并使得栅极绝缘膜203位于栅电极202和非晶硅膜204之间。如上所述，首先，准备其中形成有非晶半导体膜的基底(步骤A)

栅极绝缘膜203例如为氮化硅膜(SiN_x)、氧化硅膜(SiO₂膜)或以上两者的层叠膜等。具体而言，栅极绝缘膜203和非晶硅膜204通过化学气相沉积(CVD)技术相继沉积而成。其上沉积非晶硅膜204的玻璃基底201即为激光处理装置1中的待处理物40。

随后，如图20(d)所示，利用上述激光处理装置，在非晶硅膜204上施加激光，以使得非晶硅膜204结晶化，从而形成多晶硅膜205。例如，如针对上述激光处理方法所说明的，将用于控制基底在台架10上的放置位置的第一位置控制信号发送到用于基底的基底装载/卸载装置30(步骤B)。然后，将基底放置在由装载/卸载装置30根据位置控制信号确定的台架10上方的第一位置(步骤C)。之后，将基底运送到台架10上(步骤D)，并且用激光照射基底，从而使非晶半导体膜转变成多晶态(步骤D)。在非晶半导体膜转变为多晶状态之后，通过装载/卸载装置30卸载基底(步骤F)。

当不是所有的照射区域都没有被激光照射时，第二位置控制信号被发送到装载/卸载装置30(步骤G)，使得基底被放置在台架10上与第一位置不同的第二位置，装载/卸载装置30根据第二位置控制信号确定该第二位置(步骤H)。然后，将基底运送到台架10上方的激光照射位置(步骤I)，并且用激光照射基底(步骤J)。通过这一步骤，栅极绝缘膜203上形成所含硅已结晶化的多晶硅膜205。

注意，当将激光施加到玻璃基底201上时，可以通过使用根据上述实施例的激光处理装置1来减小其翘曲的影响。因此，可以防止非晶硅膜204从施加到其上的激光的景深(DOF)处移位。因此，可以形成均匀结晶的多晶硅膜205。

在所有照射区域都被激光照射并且半导体膜由此转变成多晶状态之后，通过装载/卸载装置30卸载基底(步骤K)。

随后，如图20(e)所示，在多晶硅膜205上形成层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b。层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b可通过常规光刻技术或成膜技术形成。

通过上述半导体器件制造方法，可制造含TFT的半导体器件。这样的半导体器件可以用于控制显示器。需要注意的是，后续制造步骤随最终制造的器件的不同而不同，因此不再赘述。

<有机EL显示器>

以下，作为采用含TFT的半导体器件的装置一例，对有机EL显示器进行描述。图21为所述有机EL显示器概略截面图，其中，该有机EL显示器的像素电路以简化方式示出。图21所示有机EL显示装置300为每一像素PX均设有TFT的有源矩阵型显示装置。

有机EL显示装置300包括基底310、TFT层311、有机层312、滤色层313及密封基底314。图21所示为顶部发射型有机EL显示装置，其中，密封基底314一侧位于观看侧。需要注意的是，以下描述用于展示有机EL显示装置的例示结构，本实施方式并不限于下述结构。本实施方式半导体器件也可例如用于底部发射型有机EL显示装置。

基底310为玻璃基底或金属基底。TFT层311设于基底310之上。TFT层311包含分别设于各个像素PX之内的TFT 311a。TFT层311还包括与TFT 311a连接的连接线路等构件。TFT311a、连接线路以及其他构件构成像素电路。需要注意的是，TFT层311对应于以上参考图20所述TFT，并包括栅电极202、栅极绝缘膜203、多晶硅膜205、层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b。

有机层312设于TFT层311上。有机层312包括分别设于各个像素PX内的有机EL发光单元312a。有机EL发光单元312a例如具有由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极组成的叠层结构。在顶部发射型的情况下，所述阳极为金属电极，而阴极为氧化铟锡(ITO)等制成的透明导电膜。此外，在有机层312内，像素PX之间还设有将有机EL发光单元312a分隔开来的分隔壁312b。

滤色层313设于有机层312上。滤色层313包括用于实现彩色显示的滤色片313a。也就是说，每一像素PX内均设有作为滤色片313a的着色为红(R)、绿(G)或蓝(B)的树脂层。当有机层312发出的白光通过滤色片313a时，该白光其被转化为具有红绿蓝三色的光。需要注意的是，当有机层312内设有有机EL发光单元能够发出红绿蓝三色当中每一色的三色系统时，可不设滤色层313。

密封基底314设于滤色层313上。密封基底314为玻璃基底等透明基底，而且用于防止有机层312的有机EL发光元件发生性能下降。

流经有机层312的有机EL发光元件312a的电流随提供至像素电路的显示信号的变化而变化。因此，通过向每一像素PX提供与显示图像相对应的显示信号，可以控制每一像素PX的发光量。因此，可以显示期望的图像。

需要注意的是，虽然上文将所述有机EL显示器作为采用含TFT的半导体器件的装置一例进行了描述，但是该含TFT的半导体器件还可以为液晶显示装置等其他类型的显示装置。此外，上面已经描述了将根据本实施例的激光处理装置1应用于激光退火装置的情况。然而，本实施方式激光处理装置也可应用于激光退火装置以外的装置。

以上，已根据实施方式对本申请发明人做出的本发明进行了具体描述。然而，本发明并不限于上述实施方式，而且毋庸赘言，在不脱离本发明精神和范围的前提下，还可进行各种修饰变更。

另外，以下的事项也包含在本实施方式或变形例的技术思想的范围内。

(补充说明1)

一种激光处理装置，包括：

台架，包括顶表面，在该顶表面上，待处理物在平行于顶表面的平面中沿着一个方向从顶表面的一端的附近移动到其另一端的附近；

激光照射单元，其被配置为将激光施加到在所述顶表面上移动的待处理物；

控制单元，其被配置为指示装载/卸载装置将待处理物放置在一端附近的第一位置或该一端附近的第二位置，该装载/卸载装置被配置为将待处理物放置在该一端附近，并从另一端附近卸载待处理物，第二位置从第一位置沿与该一个方向正交的另一方向在平行于顶表面的平面上偏离第一位置预定长度。

(补充说明2)

根据补充说明1所述的激光处理装置，其中，所述控制单元选择所述第一位置或所述第二位置作为所述待处理物的放置位置，并指示装载/卸载装置将所述待处理物放置在所选择的放置位置。

(补充说明3)

根据补充说明1所述的激光处理装置，其中，在装载/卸载控制部选择了所述第一位置或所述第二位置作为所述待处理物的放置位置的情况下，所述控制单元能够通过装载/卸载控制单元将待处理物放置在由装载/卸载控制单元选择的放置位置，装载/卸载控制单元被配置为控制待处理物在装载/卸载装置中的装载/卸载。

(补充说明4)

根据补充说明1至3中任一项所述的激光处理装置，其中，

该台架放置在处理室内，该处理室内包括装载门和不同于装载门的卸载门，并且

控制单元使装载/卸载装置通过装载门将待处理物携带入，将待处理物放置在顶表面上，并通过卸载门将待处理物卸载出。

(补充说明5)

根据补充说明1至4中任一项所述的激光处理装置，其中，所述第一位置的一部分在所述顶表面上与所述第二位置的一部分重叠。

(补充说明6)

根据补充说明1至5中任一项所述的激光处理装置，其中，

激光具有沿另一方向延伸的线束形状，并且

放置顶表面上的待处理物上的照射区域的在另一方向上的长度比线束的长度长，该照射区域是需要被激光照射的区域。

(补充说明7)

根据补充说明6所述的激光处理装置，其中，

照射区域包括第一照射部、第二照射部和第三照射部，它们均可以通过在一个方向上一次转移待处理物而用激光照射，

在待处理物中，第二照射部位于第一和第三照射部之间，

当放置在第一位置的待处理物在一个方向上移动时，第一或第三照射部被激光照射，并且

当放置在第二位置的待处理物在一个方向上移动时，第二照射部被激光照射。

(补充说明8)

根据补充说明6所述的激光处理装置，其中，

所述照射区域包括第一照射部和第二照射部，所述第一照射部和第二照射部的每一个都可以通过在一个方向上一次转移所述待处理物而被激光照射，

当放置在第一位置的待处理物在一个方向上移动时，第一照射部被激光照射，并且

当放置在第二位置的待处理物在一个方向上移动时，第二照射部被激光照射。

(补充说明9)

根据补充说明1至8中任一项所述的激光处理装置，其中，放置在顶表面上的待处理物的在另一方向上长度为2220mm及以上。

(补充说明10)

根据补充说明1至9中任一项所述的激光处理装置，其中，在顶表面上方的第一位置和第二位置中的至少一个中设置有保持装置，该保持装置被配置为从顶表面突出并保持待处理物。

(补充说明11)

根据补充说明10所述的激光处理装置，其中，在所述待处理物向所述一个方向移动时，所述保持装置收纳在所述顶表面的下方。

(补充说明12)

根据补充说明11所述的激光处理装置，其中，

该台架包括布置在顶表面中的抓握部，该抓握部构造成抓握待处理物，以及

保持装置以这样一种方式被收纳，即它与抓握部的位置越近，被收纳的越早。

(补充说明13)

根据补充说明10至12中任一项所述的激光处理装置，其中，所述保持装置是推针。

(补充说明14)

根据补充说明10至12中任一项所述的激光处理装置，其中，所述保持装置是条状物。

(补充说明15)

根据补充说明1至9中任一项所述的激光处理装置，其中，在所述顶表面的一端的附近和所述另一表面的另一端的附近形成有槽，所述槽形成为使得所述装载/卸载装置***其中，所述臂部构造成保持待处理物。

(补充说明16)

根据补充说明1至15中的任一项所述的激光处理装置，其中，所述待处理物包括基底和在该基底上形成的半导体膜。

(补充说明17)

一种激光处理方法，包括以下步骤：

(a)将待处理物放置在台架的一端附近的第一位置，该台架包括顶表面，在该顶表面上，待处理物在平行于顶表面的平面上沿一个方向从顶表面的一端附近移动至另一端附近；

(b)将待处理物从顶表面的一端附近沿该一个方向移动到另一端附近；

(c)向在顶表面上移动的待处理物照射激光；

(d)从顶表面的另一端附近卸载待处理物；

(e)将待处理物放置在顶表面的一端附近的第二位置，该第二位置在平行于顶表面的平面上在与该一个方向正交的另一方向上从第一位置偏移预定长度，和

在步骤(e)之后，依次执行步骤(b)、步骤(c)和步骤(d)。

(补充说明18)

根据补充说明17中所述的激光处理方法，其中

使用控制单元，该控制单元被配置为指示装载/卸载装置将待处理物放置在一端的附近，并将待处理物从另一端的附近卸载，

在步骤(a)中，使控制单元指示装载/卸载装置将待处理物放置在第一位置，并且

在步骤(e)中，使控制单元指示装载/卸载装置将待处理物放置在第二位置。

(补充说明19)

根据补充说明18中所述的激光处理方法，其中

在步骤(a)中，使控制单元选择第一位置作为待处理物的放置位置，并向装载/卸载装置指示所选择的放置位置，以及

在步骤(e)中，使控制单元选择第二位置作为待处理物的放置位置，并向装载/卸载装置指示所选择的放置位置。

(补充说明20)

一种半导体器件制造方法，其中，包括以下步骤：

(A)准备包括基底和在该基底上形成的非晶膜的待处理物；

(B)通过用激光照射非晶膜来使非晶膜结晶，其中

步骤(B)包括以下步骤：

(a)将待处理物放置在台架的一端附近的第一位置，该台架包括顶表面，在该顶表面上，待处理物在平行于顶表面的平面上沿一个方向从顶表面的一端附近移动至另一端附近；

(b)将待处理物从顶表面的一端附近沿该一方向移动到另一端附近；

(c)向在顶表面上移动的待处理物照射激光；

(d)从顶表面的另一端附近卸载待处理物；

(e)将待处理物放置在顶表面的一端附近的第二位置，该第二位置在平行于顶表面的平面上在与该一个方向正交的另一方向上从第一位置偏移预定长度，和

在步骤(e)之后，依次执行步骤(b)、步骤(c)和步骤(d)。

本申请基于申请日为2018年1月11日且申请号为2018-002460的日本专利申请，并要求其优先权，该申请的公开内容通过引用整体并入本文。

附图标记列表

1，100 激光处理装置

10 台架

11 顶表面

11a 第一位置

11b 第二位置

11c 第三位置

11d 第四位置

12 一端附近

13 另一端附近

14 推针

14a 第一推针驱动器

14b 第二推针驱动器

15 运动控制器

16 抓握部

17a 加载部

17b 卸载部

18 处理室

20 激光照射单元

21 线束

22 激光照射单元控制器

23 门阀

24 悬浮单元控制器

25 XYθ台架

26 条状物

27 槽

28a 光学系统壳体

28b 反射镜

28c 封闭部

28d 气体箱

28e 进气口

28f 气体

28g 照射窗口

28h 密封窗口

30 装载/卸载装置

31 装载/卸载控制单元

32 旋转装置

33 臂部

34 盒

40 待处理物

41 第一照射部

42 第二照射部

43 第三照射部

45 面板

50 控制单元

51 主控制单元

52 副控制单元