阅读说明：本技术 一种pdn阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质 (PDN impedance flattening simulation method, device, equipment and medium ) 是由 陈政良 于 2020-04-21 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种PDN阻抗平坦化仿真方法,包括：将去耦合电容模型转化为等效串联RLC电路；通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量；将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量并依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序；获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值,在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容；依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。本发明还公开了一种装置、设备和介质。本发明提供的PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质可以使PDN阻抗平坦化。(The invention discloses a PDN impedance flattening simulation method, which comprises the following steps: converting the decoupling capacitance model into an equivalent series RLC circuit; respectively calculating the variation of the IC end impedance of the decoupling capacitor of the nodes to be placed of the different decoupling capacitors through simulation; configuring the node to be placed of the decoupling capacitor corresponding to the maximum variation of the IC terminal impedance as a first position node; calculating the variable quantity of the IC end impedance of the nodes to be placed of other decoupling capacitors again and sequentially acquiring the sequence of the nodes to be placed of all the decoupling capacitors; obtaining a capacitance value corresponding to a curve interleaving point of the target impedance and the PDN impedance, and placing a decoupling capacitor with the capacitance value adjacent to and larger than the capacitance value corresponding to the interleaving point on a first position node; the previous step is repeated for all the location nodes in turn to place decoupling capacitances. The invention also discloses a device, equipment and a medium. The PDN impedance flattening simulation method, device, equipment and medium provided by the invention can flatten the PDN impedance.)

一种PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质

技术领域

本发明涉及电路设计技术领域，更具体地，特别是指一种PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质。

背景技术

在服务器PCB(Printed circuit board，印刷电路板)设计中，电源平面及地平面，就像是共振腔体，不同的大小或形状，都会有它的谐振模态，图1示出的是现有技术中电源分布网路的示意图，如图1所示，在电源分布网路(PDN)的设计中，简单来说就是设计电源端到抽载电容之间的电源路径上，是否在有效频宽内达到目标阻抗(Target Impedance)的要求，如果超出目标阻抗的频率点，遇到电源抽载所造成的电源涟波窜出到PCB刚好在那个频率点，就会造成辐射问题。如果在IC电源接脚中的PDN(Power Distribution Network，电源分布网路)阻抗太高，当所有的调节模组同时切换时，其切换电流将产生电压，而该电压可在讯号本身观察到。

基于预期的抽载电压的涟波希望抑制到什么区间，或是希望可以承载的高峰电流多少，就可以去定义目标阻抗(Z)该设定多少。

目标阻抗(Z)可以按照如下方法計算：Z＝ΔV÷ΔI。

而目标阻抗的计算又是基于以下两种假设：

1.整个关心频段区间的阻抗都是平坦的；

2.PDN是线性不随时间变化。

而实际上服务器的PDN都无法遵照以上两种假设运作。

图2示出的是现有技术中阻抗大小及相位与电流关系的示意图，如图2所示，若单独观察单一步阶电流的响应图，阻抗图上有三个共振点。

图3示出了现有技术中极差情况的阻抗大小及相位与电流关系的示意图，如图3所示，若有多个步阶电流响应，随着运作时间的推进，有可能会在某时间点叠加造成极大的共振，称之为疯狗浪(rogue wave)。这也是为何需要设计PDN阻抗平坦化的目的。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种PDN阻抗仿真方案，可以透过去耦合电容在PCB印刷电路板中摆放位置，与适当挑选去耦合电容值，进而达到使PDN阻抗平坦化的设计目的，减低疯狗浪突波电压造成的影响。

基于上述目的，本发明一方面提供了一种PDN阻抗平坦化仿真方法，该方法包括：将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路；基于等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量；将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量，并将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为下一位置节点；重复前一步骤以依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序；获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容；依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。

在本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式中，将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路还包括：将VRM(Voltage Regulator Module，电源调节模组)与极性电解电容模型置入等效串联RLC电路。

在本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式中，基于等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量还包括：通过仿真计算公式计算当去耦合电容待摆放节点摆放去耦合电容时的IC端阻抗；根据仿真计算公式以及IC端阻抗计算当去耦合电容待摆放节点短路时的IC端阻抗的变化量。

在本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式中，方法还包括：仿真前，根据不同的直流偏压整理去耦合电容的模型数据库。

在本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式中，获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容还包括：获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的频率，根据频率获取电容值。

本发明实施例的另一方面，还提供了一种PDN阻抗平坦化仿真装置，该装置包括：转化模块，转化模块配置为将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路；仿真计算模块，仿真计算模块配置为基于等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量；第一位置节点模块，第一位置节点模块配置为将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；下一位置节点配置模块，下一位置节点配置模块配置为再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量，并将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为下一位置节点；顺序获取模块，顺序获取模块配置为重复前一步骤以依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序；电容值计算模块，电容值计算模块配置为获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容；顺次计算模块，顺次计算模块配置为依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。

在本发明的PDN阻抗平坦化仿真装置的一些实施方式中，转化模块还配置为：将电源调节模组与极性电解电容模型置入等效串联RLC电路。

在本发明的PDN阻抗平坦化仿真装置的一些实施方式中，仿真计算模块还包括：通过仿真计算公式计算当去耦合电容待摆放节点摆放去耦合电容时的IC端阻抗；根据仿真计算公式以及IC端阻抗计算当去耦合电容待摆放节点短路时的IC端阻抗的变化量。

本发明实施例的另一方面，还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括：至少一个处理器；以及存储器，存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时执行前述的PDN阻抗平坦化仿真方法。

本发明实施例的再一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，计算机程序被处理器执行时执行前述的PDN阻抗平坦化仿真方法。

本发明至少具有以下有益技术效果：可以避免疯狗浪电压突波对电源平面与地平面造成影响。避免杂讯干扰，对于服务器PDN与电源完整性的设计质量有显着提升。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。

图1示出了现有技术中电源分布网路的示意图；

图2示出了现有技术中阻抗大小及相位与电流关系的示意图；

图3示出了现有技术中极差情况的阻抗大小及相位与电流关系的示意图；

图4示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的示意性框图；

图5示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的PDN仿真节点示意图；

图6示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的Z11变化率的第一次排序的示意图表；

图7示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的Z11变化率的前两次排序的示意图表；

图8示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的目标阻抗(红线)与PDN阻抗的示意图；

图9示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的需要摆放的电容值选取方式的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。

需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”和“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。

基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提出了一种PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例。图1示出的是根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的示意图。如图1所示的实施例中，该方法至少包括如下步骤：

S100、将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路；

S200、基于等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量；

S300、将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；

S400、再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量，并将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为下一位置节点；

S500、重复前一步骤以依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序；

S600、获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容；

S700、依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。

在本发明的一些实施例中，图4示出的是根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的示意性框图，如图4所示，透过以下两个主要方式可以达到电源平面阻抗设计平坦化：

一、寻找电源平面与地平面上相对重要的节点摆放电容。

二、透过电容数据库的筛选找出适合摆放的电容值。

其中，方式一包括：

仿真前准备工作需将去耦合电容的模型(S2P)准备好，为加速仿真软体计算，将模型转为等效串联RLC电路；图5示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的PDN仿真节点示意图，如图5所示，P1为IC端的观测节点，P2为欲摆放去耦合电容节点；计算出有无去耦合电容对Z11的变化ΔZ11，依序对各节点去耦合电容摆放位做，越重要的节点Z11的变化越大。假设在此仿真电源平面与地平面有个节点是欲摆放电容的位置，可得出范例仿真结果。图6示出的是根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的Z11变化率的第一次排序的示意图表，如图6所示，P3为第一重要节点。将P3放置去耦合电容后，在重复一次操作，依序对P2，P4，P5，P6，P7，P8再进行一次仿真得到ΔZ11。图7示出的是根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的Z11变化率的前两次排序的示意图表；如图7所示，P6为第二重要节点。将P6放置去耦合电容后，在重复一次操作，依序对P2，P4，P5，P7，P8再进行一次仿真得到ΔZ11。直到排序出个节点优先顺序。

方式二包括：

找出目标阻抗与PDN阻抗的交错点，图8示出了根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的实施例的目标阻抗(红线)与PDN阻抗的示意图，如图8所示，目标阻抗的曲线为图8中灰色的曲线，PDN阻抗的曲线为图8中黑色的曲线；图表的横轴的Frequency表示频率，纵轴的Impedance表示阻抗值，依照方式一获得的电容优先顺序放入电容；进一步如图9所示，电容值的选择可先找出交错点的电容值Cx，需要摆放的电容值须邻近且大于Cx，而达到抑制PDN阻抗低于目标阻抗的目的；重复步骤即可使PDN阻抗低于目标阻抗同时达到平坦化。在一个实施例中，需要摆放的电容值大于Cx，且小于110％Cx。

根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式，将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路还包括：

将电源调节模组与极性电解电容模型置入等效串联RLC电路。

在本发明的一些实施例中，仿真前准备工作需将去耦合电容的模型(S2P)准备好，为加速仿真软体计算，将模型转为等效串联RLC电路。并且首先须把电源调节模组与极性电解电容模型置入。如图5所示，P1为IC端的观测节点，P2为欲摆放去耦合电容节点。

根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式，基于等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量还包括：

通过仿真计算公式计算当去耦合电容待摆放节点摆放去耦合电容时的IC端阻抗；

根据仿真计算公式以及IC端阻抗计算当去耦合电容待摆放节点短路时的IC端阻抗的变化量。

在本发明的一些实施例中，当P2有摆放电容时，可透过仿真计算Z11如下：

当P2为短路时，Zd＝0，透过此公式可以计算出有无去耦合电容对Z11的变化ΔZ11如下：

根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式，方法还包括：

仿真前，根据不同的直流偏压整理去耦合电容的模型数据库。

在本发明的一些实施例中，仿真前准备工作需将去耦合电容的模型数据库依照不同直流偏压整理好。

根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法的一些实施方式，获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容还包括：

获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的频率，根据频率获取电容值。

在本发明的一些实施例中，电容值的选择可先找出交错点的电容值Cx如下，f为交错点的频率，通过如下公式获取电容值：

本发明实施例的另一方面，提出了一种PDN阻抗平坦化仿真装置的实施例。该装置包括：

转化模块，转化模块配置为将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路；

仿真计算模块，仿真计算模块配置为基于等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量；

第一位置节点模块，第一位置节点模块配置为将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；

下一位置节点配置模块，下一位置节点配置模块配置为再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量，并将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为下一位置节点；

顺序获取模块，顺序获取模块配置为重复前一步骤以依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序；

电容值计算模块，电容值计算模块配置为获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容；

顺次计算模块，顺次计算模块配置为依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。

根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真装置的一些实施方式，转化模块还配置为：

将电源调节模组与极性电解电容模型置入等效串联RLC电路。

根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真装置的一些实施方式，仿真计算模块还包括：

通过仿真计算公式计算当去耦合电容待摆放节点摆放去耦合电容时的IC端阻抗；

根据仿真计算公式以及IC端阻抗计算当去耦合电容待摆放节点短路时的IC端阻抗的变化量。

基于上述目的，本发明实施例的另一方面，还提出了一种计算机设备，该计算机设备包括：至少一个处理器；以及存储器，存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时执行前述的PDN阻抗平坦化仿真方法。

本发明实施例的再一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，计算机程序被处理器执行时执行前述的PDN阻抗平坦化仿真方法。

同样地，本领域技术人员应当理解，以上针对根据本发明的PDN阻抗平坦化仿真方法阐述的所有实施方式、特征和优势同样地适用于根据本发明的装置、计算机设备和介质。为了本公开的简洁起见，在此不再重复阐述。

需要特别指出的是，上述PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质的各个实施例中的各个步骤均可以相互交叉、替换、增加、删减，因此，这些合理的排列组合变换之于PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质也应当属于本发明的保护范围，并且不应将本发明的保护范围局限在实施例之上。

最后需要说明的是，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关硬件来完成，PDN阻抗平坦化仿真方法的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，程序的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(ROM)或随机存储记忆体(RAM)等。上述计算机程序的实施例，可以达到与之对应的前述任意方法实施例相同或者相类似的效果。

此外，根据本发明实施例公开的方法还可以被实现为由处理器执行的计算机程序，该计算机程序可以存储在计算机可读存储介质中。在该计算机程序被处理器执行时，执行本发明实施例公开的方法中限定的上述功能。

此外，上述方法步骤以及系统单元也可以利用控制器以及用于存储使得控制器实现上述步骤或单元功能的计算机程序的计算机可读存储介质实现。

此外，应该明白的是，本文的计算机可读存储介质(例如，存储器)可以是易失性存储器或非易失性存储器，或者可以包括易失性存储器和非易失性存储器两者。作为例子而非限制性的，非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦写可编程ROM(EEPROM)或快闪存储器。易失性存储器可以包括随机存取存储器(RAM)，该RAM可以充当外部高速缓存存储器。作为例子而非限制性的，RAM可以以多种形式获得，比如同步RAM(DRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据速率SDRAM(DDRSDRAM)、增强SDRAM(ESDRAM)、同步链路DRAM(SLDRAM)、以及直接Rambus RAM(DRRAM)。所公开的方面的存储设备意在包括但不限于这些和其它合适类型的存储器。

本领域技术人员还将明白的是，结合这里的公开所描述的各种示例性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实现为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为了清楚地说明硬件和软件的这种可互换性，已经就各种示意性组件、方块、模块、电路和步骤的功能对其进行了一般性的描述。这种功能是被实现为软件还是被实现为硬件取决于具体应用以及施加给整个系统的设计约束。本领域技术人员可以针对每种具体应用以各种方式来实现的功能，但是这种实现决定不应被解释为导致脱离本发明实施例公开的范围。

结合这里的公开所描述的各种示例性逻辑块、模块和电路可以利用被设计成用于执行这里功能的下列部件来实现或执行：通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或者这些部件的任何组合。通用处理器可以是微处理器，但是可替换地，处理器可以是任何传统处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可以被实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP和/或任何其它这种配置。

结合这里的公开所描述的方法或算法的步骤可以直接包含在硬件中、由处理器执行的软件模块中或这两者的组合中。软件模块可以驻留在RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域已知的任何其它形式的存储介质中。示例性的存储介质被耦合到处理器，使得处理器能够从该存储介质中读取信息或向该存储介质写入信息。在一个替换方案中，存储介质可以与处理器集成在一起。处理器和存储介质可以驻留在ASIC中。ASIC可以驻留在用户终端中。在一个替换方案中，处理器和存储介质可以作为分立组件驻留在用户终端中。

在一个或多个示例性设计中，功能可以在硬件、软件、固件或其任意组合中实现。如果在软件中实现，则可以将功能作为一个或多个指令或代码存储在计算机可读介质上或通过计算机可读介质来传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质，该通信介质包括有助于将计算机程序从一个位置传送到另一个位置的任何介质。存储介质可以是能够被通用或专用计算机访问的任何可用介质。作为例子而非限制性的，该计算机可读介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储设备、磁盘存储设备或其它磁性存储设备，或者是可以用于携带或存储形式为指令或数据结构的所需程序代码并且能够被通用或专用计算机或者通用或专用处理器访问的任何其它介质。此外，任何连接都可以适当地称为计算机可读介质。例如，如果使用同轴线缆、光纤线缆、双绞线、数字用户线路(DSL)或诸如红外线、无线电和微波的无线技术来从网站、服务器或其它远程源发送软件，则上述同轴线缆、光纤线缆、双绞线、DSL或诸如红外线、无线电和微波的无线技术均包括在介质的定义。如这里所使用的，磁盘和光盘包括压缩盘(CD)、激光盘、光盘、数字多功能盘(DVD)、软盘、蓝光盘，其中磁盘通常磁性地再现数据，而光盘利用激光光学地再现数据。上述内容的组合也应当包括在计算机可读介质的范围内。

以上是本发明公开的示例性实施例，但是应当注意，在不背离权利要求限定的本发明实施例公开的范围的前提下，可以进行多种改变和修改。根据这里描述的公开实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不需以任何特定顺序执行。此外，尽管本发明实施例公开的元素可以以个体形式描述或要求，但除非明确限制为单数，也可以理解为多个。

应当理解的是，在本文中使用的，除非上下文清楚地支持例外情况，单数形式“一个”旨在也包括复数形式。还应当理解的是，在本文中使用的“和/或”是指包括一个或者一个以上相关联地列出的项目的任意和所有可能组合。

上述本发明实施例公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明实施例的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上的本发明实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实施例的保护范围之内。