阅读说明：本技术 基板处理装置和基板处理方法 (Substrate processing apparatus and substrate processing method ) 是由 柏木诚 保科真穂 于 2020-01-22 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种基板处理装置,能够使基板的中心与处理台的轴心高精度地对准,而防止产生不良基板。基板处理装置具备：偏心检测机构(54),该偏心检测机构取得定心台(10)所保持的基板(W)的中心相对于定心台(10)的轴心(C1)的偏心量和偏心方向；以及对准器(36、41、75),该对准器使基板W的中心与处理台(20)的轴心(C2)对准。对准器(36、41、75)在将基板W从定心台(10)交接到处理台(20)之后,使用偏心检测机构(54)而取得基板(W)的中心相对于处理台(20)的轴心(C2)的偏心量和偏心方向,并且该对准器确认所取得的基板(W)的中心相对于处理台(20)的轴心(C2)的偏心量处于规定的允许范围内。(The invention provides a substrate processing apparatus, which can align the center of a substrate with the axis of a processing table with high precision and prevent the generation of a bad substrate. The substrate processing apparatus includes: an eccentricity detection mechanism (54) that acquires the amount and direction of eccentricity of the center of the substrate (W) held by the centering table (10) relative to the axis (C1) of the centering table (10); and an aligner (36, 41, 75) that aligns the center of the substrate W with the axis (C2) of the processing table (20). After the aligner (36, 41, 75) has transferred the substrate W from the centering table (10) to the processing table (20), the eccentricity amount and the eccentricity direction of the center of the substrate (W) with respect to the axis (C2) of the processing table (20) are acquired by using the eccentricity detection mechanism (54), and the aligner confirms that the acquired eccentricity amount of the center of the substrate (W) with respect to the axis (C2) of the processing table (20) is within a predetermined allowable range.)

基板处理装置和基板处理方法

技术领域

本发明涉及能够应用于对晶片等基板的周缘部进行研磨的研磨装置和研磨方法等的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

作为用于对晶片等基板的周缘部进行研磨的装置，使用具备研磨带、磨石等的研磨工具的研磨装置。图35是表示该类型的研磨装置的示意图。如图35所示，研磨装置具备：基板工作台210，该基板工作台通过真空吸引来保持晶片W的中心部，使晶片W旋转；以及研磨头205，该研磨头将研磨工具200向晶片W的周缘部按压。晶片W与基板工作台210一同旋转，在研磨工具200的下表面(研磨面)与晶片W的表面平行的状态下，研磨头205通过将研磨工具200向下方朝向晶片W的周缘部按压而对晶片W的周缘部进行研磨。作为研磨工具200，使用研磨带或者磨石。

如图36所示，由研磨工具200研磨的晶片W的部位的宽度(以下，将其称为研磨宽度)由研磨工具200相对于晶片W的相对的位置确定。通常，研磨宽度距晶片W的最外周端几毫米。为了以恒定的研磨宽度来研磨晶片W的周缘部，需要使晶片W的中心与基板工作台210的轴心对准。

因此，以往的研磨装置具备：用于进行晶片W的定心的定心台、用于研磨晶片W的处理台、以及使晶片W的中心与处理台的轴心对准的处理台(例如，参照专利文献1和专利文献2)。

专利文献1所记载的对准器由偏心检测部、定心台旋转机构以及移动机构构成，该偏心检测部对定心台所保持的晶片W的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向(晶片W的最大偏心点)进行测定，该定心台旋转机构使定心台以其轴心为中心进行旋转，该移动机构使定心台相对于处理台相对地水平移动。

在该研磨装置中，最初，在使处理台的轴心与定心台的轴心一致的状态下，使定心台移动到比处理台高的上升位置。然后，使定心台保持晶片W，并且通过定心台旋转机构而使定心台和晶片W旋转。偏心检测部在使晶片W旋转的期间，确定晶片W的中心相对于定心台的轴心的偏心量和晶片W的最大偏心点。

接下来，定心台旋转机构使定心台和晶片W旋转，直到将最大偏心点和定心台的轴心连结的直线与移动机构的规定的偏置轴一致为止。接着，移动机构使定心台和该定心台所保持的晶片W沿着偏置轴移动了与偏心检测部所测定的偏心量相当的距离。由此，能够使晶片W的中心与处理台的中心对准。最后，使定心台沿铅垂方向下降，而将晶片W从定心台交接到处理台，对处理台所保持的晶片W的周缘部进行研磨。

专利文献2所记载的对准器在定心台的轴心与处理台的轴心不一致的条件下进行晶片W的定心。该对准器最初取得定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置。对准器基于该初始相对位置、基板的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向而计算应该使定心台移动的距离和应该使定心台旋转的角度，使定心台移动和旋转了计算出的距离和角度。由此，在定心台的轴心与处理台的轴心不一致的条件下，也能够使晶片W的中心与处理台的中心对准。

专利文献1：日本特许第6113624号公报

专利文献2：日本特开2016-201535号公报

使用了研磨工具的晶片W的周缘部的研磨是针对处理台所保持的晶片W进行的。因此，为了以准确的研磨宽度来研磨晶片W的周缘部，晶片W的中心相对于处理台的轴心的偏心量是最重要的。然而，以往的研磨装置在将晶片W从定心台交接到处理台之后，不对该晶片W的中心相对于处理台的轴心的偏心量进行测定。

因此，若在将晶片W从定心台交接到处理台时，晶片W相对于处理台偏移，则晶片W的中心相对于处理台的轴心偏移。或者，若上述的定心台旋转机构和移动机构等产生了破损和/或故障，则有可能在晶片W的中心从处理台的轴心偏移的状态下，将晶片W从定心台交接到处理台。并且，若对晶片W的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向进行计算的算法存在错误(例如，程序上的故障)，则存在偏心检测部所确定的偏心量和偏心方向自身错误的可能性。如果偏心检测部所取得的偏心量和偏心方向错误，则无法使晶片W的中心与处理台的轴心准确地一致。

若在晶片W的中心与处理台的轴心不一致的状态下研磨晶片W的周缘部，则会产生超过所允许的研磨宽度的不良晶片(不良基板)。由于在基板的中心与处理台的轴心不一致的状态下执行基板处理而产生不良基板这样的问题在一边保持基板一边处理基板的其他的装置和方法(例如，用于CVD的装置和方法、用于溅射的装置和方法)中也产生。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够使晶片等基板的中心与处理台的轴心高精度地对准，防止产生不良基板。

在一个方式中，提供一种基板处理装置，其特征在于，具备：定心台，该定心台保持基板的下表面内的第一区域；处理台，该处理台保持所述基板的下表面内的第二区域；工作台升降机构，该工作台升降机构使所述定心台在比所述处理台高的上升位置与比所述处理台低的下降位置之间移动；处理台旋转机构，该处理台旋转机构使所述处理台以该处理台的轴心为中心进行旋转；偏心检测机构，该偏心检测机构取得由所述定心台保持时的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向；以及对准器，该对准器基于所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向而执行使所述基板的中心与所述处理台的轴心对准的定心动作，所述对准器在将所述基板从所述定心台交接到所述处理台并进行保持之后，使用所述偏心检测机构而取得所述处理台所保持的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量和偏心方向，所述对准器确认所取得的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量处于规定的允许范围内。

在一个方式中，在所取得的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量处于规定的允许范围外的情况下，所述对准器重复进行所述定心动作。

在一个方式中，所述偏心检测机构包含偏心检测部，该偏心检测部对所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向、以及所述处理台所保持的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定，所述偏心检测部是具备发出光的投光部、以及接收由所述投光部发出的光的受光部的光学式偏心传感器，所述投光部与所述受光部之间的铅垂方向的距离被设定为比位于偏心检测位置的所述定心台所保持的所述基板的上表面与所述处理台的外缘之间的距离大。

在一个方式中，所述偏心检测机构包含偏心检测部，该偏心检测部对所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向、以及所述处理台所保持的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定，所述偏心检测部具备拍摄装置、以及朝向所述拍摄装置发出光的投光装置。

在一个方式中，所述对准器具备：定心台旋转机构，该定心台旋转机构使所述定心台旋转，直到所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心方向与水平延伸的规定的偏置轴平行为止；以及移动机构，该移动机构使所述定心台沿着所述偏置轴移动，直到所述定心台所保持的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上为止。

在一个方式中，所述对准器执行如下的定心准备动作：使用所述偏心检测机构而取得所述定心台的轴心相对于所述处理台的轴心的初始相对位置，所述对准器基于所述初始相对位置、以及所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向而执行所述定心动作。

在一个方式中，所述对准器具备：定心台旋转机构，该定心台旋转机构使所述定心台旋转，直到所述定心台上的所述基板的中心位于通过所述处理台的轴心且与所述规定的偏置轴平行地延伸的直线上为止；以及移动机构，该移动机构使所述定心台沿着规定的偏置轴移动，直到所述定心台所保持的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上为止。

在一个方式中，所述对准器还具备动作控制部，该动作控制部控制所述移动机构和所述定心台旋转机构的动作，所述动作控制部具备存储装置和处理装置，该存储装置储存有通过机器学习而构建的学习完成模型，该处理装置执行如下的运算：在将所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向输入到所述学习完成模型时，输出用于使所述基板的中心与所述处理台的中心对准的所述定心台的旋转量和移动量。

在一个方式中，所述对准器还具备动作控制部，该动作控制部控制所述移动机构和所述定心台旋转机构的动作，所述动作控制部具备存储装置和处理装置，该存储装置储存有通过机器学习而构建的学习完成模型，该处理装置执行如下的运算，在将所述初始相对位置和所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向输入到所述学习完成模型时，输出用于使所述基板的中心与所述处理台的中心对准的所述定心台的旋转量和移动量。

在一个方式中，提供一种基板处理方法，其特征在于，利用定心台保持基板的下表面内的第一区域，取得由所述定心台保持时的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向，基于所述定心台所保持的所述基板相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向而执行使所述基板的中心与处理台的轴心对准的定心动作，将所述基板从所述定心台交接到所述处理台并保持在该处理台，取得所述处理台所保持的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量和偏心方向，确认所取得的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量处于规定的允许范围内，在所取得的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量处于规定的允许范围内的情况下，一边使所述处理台以该处理台的轴心为中心进行旋转，一边处理所述基板。

在一个方式中，在所取得的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量处于规定的允许范围外的情况下，重复进行所述定心动作。

在一个方式中，作为光学式偏心传感器的偏心检测部具备发出光的投光部以及接收所述投光部发出的光的受光部，通过该偏心检测部而执行取得所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向的工序、以及取得所述处理台所保持的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量和偏心方向的工序，所述投光部与所述受光部之间的铅垂方向的距离被设定为比所述定心台所保持的所述基板的上表面与所述处理台的外缘之间的距离大。

在一个方式中，偏心检测部具备拍摄装置以及朝向所述拍摄装置发出光的投光装置，通过该偏心检测部而执行取得所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向的工序、以及取得所述处理台所保持的所述基板的中心相对于所述处理台的轴心的偏心量和偏心方向的工序。

在一个方式中，所述定心动作包含如下的动作：使所述定心台旋转，直到所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心方向与水平延伸的规定的偏置轴平行为止；以及使所述定心台沿着所述偏置轴移动，直到所述定心台所保持的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上为止。

在一个方式中，在所述定心动作之前，执行取得所述定心台的轴心相对于所述处理台的轴心的初始相对位置的定心准备动作，基于所述初始相对位置、以及所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向而执行所述定心动作。

在一个方式中，所述定心动作包含如下的动作：使所述定心台旋转，直到所述定心台上的所述基板的中心位于通过所述处理台的轴心且与所述规定的偏置轴平行地延伸的直线上为止；以及使所述定心台沿着规定的偏置轴移动，直到所述定心台的轴心与所述处理台的轴心的距离与所述偏心量相等为止。

在一个方式中，向通过机器学习而构建的学习完成模型输入所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向，从所述学习完成模型输出用于使所述基板的中心与所述处理台的中心对准的所述定心台的旋转量和移动量。

在一个方式中，向通过机器学习而构建的学习完成模型输入所述初始相对位置以及所述定心台所保持的所述基板的中心相对于所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向，从所述学习完成模型输出用于使所述基板的中心与所述处理台的中心对准的所述定心台的旋转量和移动量。

根据本发明，由于对准器确认从定心台交接到处理台的基板的中心是否与处理台的轴心高精度地对准，因此能够防止产生不良基板(例如，超过允许的研磨宽度而被研磨的基板)。

附图说明

图1是表示一个实施方式的研磨装置的示意图。

图2是表示使用图1所示的研磨装置来研磨晶片的周缘部的方法的动作流程图。

图3是在图2所示的动作流程图中，处理台所保持的晶片的偏心量超过了允许范围时的动作流程图。

图4是表示搬运机构的机械手搬运被研磨的晶片的动作的图。

图5是表示定心台保持晶片的动作的图。

图6是表示使用偏心检测部而对晶片的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。

图7是表示在定心台所保持的晶片旋转一周的期间所取得的光量的图。

图8是表示在定心台所保持的晶片旋转一周的期间所取得的光量的图。

图9是对用于修正晶片的偏心的动作进行说明的俯视图。

图10是对用于修正晶片的偏心的动作进行说明的俯视图。

图11是对用于修正晶片的偏心的动作进行说明的俯视图。

图12是表示晶片从定心台离开的动作的图。

图13是表示对晶片的中心相对于处理台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。

图14是表示在处理台所保持的晶片旋转一周的期间所取得的光量的一例的图。

图15是表示一边通过处理台使晶片旋转一边研磨晶片的周缘部的动作的图。

图16是示意性地表示图1所示的偏心检测部的变形例的侧视图。

图17是示意性地表示图1所示的偏心检测部的其他的变形例的侧视图。

图18是说明通过其他的实施方式的偏心检测机构而对晶片的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。

图19是说明通过其他的实施方式的偏心检测机构而对晶片的中心相对于处理台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。

图20是表示研磨晶片的周缘部的其他的方法的动作流程图。

图21是用于对图20的步骤1中执行的定心准备动作进行说明的动作流程图。

图22是表示对参照晶片的中心相对于处理台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。

图23是表示参照晶片的中心相对于处理台的轴心的偏心量和偏心方向的图。

图24是表示将参照晶片从处理台转移到定心台的动作的图。

图25是表示对参照晶片的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。

图26是表示参照晶片的中心相对于定心台的轴心的偏心量和偏心方向的图。

图27是表示定心台的轴心、处理台的轴心和参照晶片的中心的位置关系的图。

图28是表示定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置的图。

图29是表示处理台的轴心、定心台的轴心和晶片的中心的位置关系的图。

图30是表示使定心台沿着偏置轴移动了动作控制部所计算出的距离的动作的图。

图31是表示使定心台与晶片一同旋转了动作控制部所计算出的角度的动作的图。

图32是表示图1所示的动作控制部的一例的示意图。

图33是表示输出定心台的旋转量和移动量的学习完成模型的一个实施方式的示意图。

图34是表示神经网络的构造的一例的示意图。

图35是表示以往的研磨装置的示意图。

图36是对晶片的研磨宽度进行说明的图。

符号说明

1 研磨工具

5 研磨头

10 定心台

10a 第一基板保持面

15 第一真空线路

20 处理台

20a 第二基板保持面

22 空间

25 第二真空线路

30 支承轴

31 连结块

32 轴承

35 转矩传递机构

36 定心台旋转机构

38 旋转编码器

40 直动轴承

41 移动机构

42 基座

43 支承臂

44 旋转接头

45 致动器

46 直动引导件

47 偏置马达

48 偏心凸轮

49 凹部

51 工作台升降机构

54 偏心检测机构

55 转矩传递机构

56 处理台旋转机构

58 旋转接头

59 旋转编码器

60、60A、60B 偏心检测部

61 投光部

62 受光部

65 处理部

69 横向移动机构

72、91 挡板

75 动作控制部

85 拍摄装置

86 投光装置

88 支承台

90 机械手

M1、M2 马达

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。以下所说明的本发明的基板处理装置和基板处理方法的实施方式是研磨基板的周缘部的研磨装置和研磨方法。

图1是表示一个实施方式的研磨装置的示意图。如图1所示，研磨装置具有保持作为基板的一例的晶片W的定心台10和处理台20。定心台10是用于进行晶片W的定心的工作台，处理台20是用于研磨晶片W的工作台。在晶片W的定心中，晶片W仅由定心台10保持，在晶片W的研磨中，晶片W仅由处理台20保持。

处理台20在其内部具有空间22，定心台10收容在处理台20的空间22内。定心台10具有保持晶片W的下表面内的第一区域的第一基板保持面10a。处理台20具有保持晶片W的下表面内的第二区域的第二基板保持面20a。第一区域和第二区域是位于晶片W的下表面内的不同位置的区域。在本实施方式中，第一基板保持面10a具有圆形的形状，构成为保持晶片W的下表面的中心侧区域。第二基板保持面20a具有环状的形状，构成为保持晶片W的下表面的外周区域。上述中心侧区域位于上述外周区域的内侧。本实施方式的中心侧区域是包含晶片W的中心点的圆形的区域，但只要位于上述外周区域的内侧，则也可以是不包含晶片W的中心点的环状的部位。第二基板保持面20a被配置为包围第一基板保持面10a。环状的第二基板保持面20a的宽度例如为5mm～50mm。

定心台10经由轴承32而与配置在其下方的支承轴30连结。轴承32固定在支承轴30的上端，将定心台10支承为旋转自如。定心台10经由由带轮和带等构成的转矩传递机构35而与马达M1连接，定心台10以其轴心为中心进行旋转。马达M1固定在连结块31。马达M1和转矩传递机构35构成使定心台10以其轴心C1为中心进行旋转的定心台旋转机构36。在马达M1连结有旋转编码器38，定心台10的旋转角度由旋转编码器38测定。

在定心台10和支承轴30的内部设置有沿其轴向延伸的第一真空线路15。该第一真空线路15经由固定在支承轴30的下端的旋转接头44而与真空源(未图示)连结。第一真空线路15的上端开口部位于第一基板保持面10a内。因此，在第一真空线路15内形成真空时，晶片W的中心侧区域通过真空吸引而被保持在第一基板保持面10a。

定心台10经由支承轴30而与工作台升降机构51连结。工作台升降机构51配置在处理台20的下方，进一步与支承轴30连接。工作台升降机构51能够使支承轴30和定心台10一体地上升和下降。

定心台10与使定心台10沿着水平延伸的规定的偏置轴OS移动的移动机构41连结。定心台10被直动轴承40支承为旋转自如，该直动轴承40固定在连结块31。直动轴承40构成为允许定心台10的上下运动，并且将定心台10支承为旋转自如。作为直动轴承40，例如使用滚珠花键轴承。

移动机构41具备：上述的连结块31、使定心台10沿水平方向移动的致动器45、以及将定心台10的水平移动限制成沿着上述偏置轴OS的水平移动的直动引导件46。该偏置轴OS是沿直动引导件46的长边方向延伸的假想的移动轴。在图1中，用箭头表示偏置轴OS。

直动引导件46固定在基座42。该基座42固定在与研磨装置的框架等静止部件连接的支承臂43。连结块31被直动引导件46支承为在水平方向上移动自如。致动器45具备：固定在基座42的偏置马达47、安装于该偏置马达47的驱动轴的偏心凸轮48、以及形成于连结块31且收容偏心凸轮48的凹部49。在偏置马达47使偏心凸轮48旋转时，偏心凸轮48一边与凹部49接触一边使连结块31沿着偏置轴OS水平移动。

在致动器45工作时，定心台10在其移动方向被直动引导件46引导的状态下沿着偏置轴OS水平移动。处理台20的位置被固定。移动机构41使定心台10相对于处理台20相对地水平移动，工作台升降机构51使定心台10相对于处理台20相对地沿铅垂方向移动。

定心台10、定心台旋转机构36和移动机构41收容在处理台20的空间22内。因此，能够使由定心台10和处理台20等构成的基板保持部紧凑。另外，处理台20能够保护定心台10远离在晶片W的研磨中供给到晶片W的表面的研磨液(纯水、药液等)。

处理台20被未图示的轴承支承为能够旋转。处理台20经由由带轮和带等构成的转矩传递机构55而与马达M2连接，处理台20以其轴心C2为中心进行旋转。在马达M2连结有旋转编码器59，处理台20的旋转角度由旋转编码器59测定。马达M2和转矩传递机构55构成使处理台20以其轴心C2为中心进行旋转的处理台旋转机构56。

处理台20包括扩径部20b和缩径部20c，该扩径部具有环状的第二基板保持面20a，该缩径部支承扩径部20b。扩径部20b的上表面构成环状的第二基板保持面20a，第二基板保持面20a具有比晶片W的直径稍微小的外径。并且，扩径部20b的外径从作为基板保持面20a的上表面朝向下表面逐渐减少，扩径部20b的下表面的外径与缩径部20c的上表面的外径相同。在本实施方式中，扩径部20b被未图示的固定件固定在缩径部20c，但也可以使扩径部20b与缩径部20c一体地构成。

在处理台20内设置有多个第二真空线路25。该第二真空线路25经由旋转接头58而与真空源(未图示)连结。第二真空线路25形成在扩径部20b和缩径部20c的内部，第二真空线路25的上端开口部位于作为扩径部20b的上表面的第二基板保持面20a内。因此，在第二真空线路25内形成真空时，晶片W的下表面的外周区域通过真空吸引而被保持在第二基板保持面20a。如上所述，第二基板保持面20a的外径比晶片W的直径小，因此第二基板保持面20a所保持的晶片W的外缘从第二基板保持面20a突出。

在处理台20的第二基板保持面20a的上方配置有将研磨工具1向晶片W的周缘部按压的研磨头5。研磨头5构成为能够在铅垂方向和晶片W的径向上移动。在研磨工具1的下表面(研磨面)与晶片W的上表面平行的状态下，研磨头5将研磨工具1向下按压到旋转的晶片W的周缘部，由此研磨晶片W的周缘部。作为研磨工具1，使用研磨带或者磨石。

在本实施方式中，研磨装置还具备偏心检测机构54，该偏心检测机构包含配置在定心台10和处理台20的侧方的偏心检测部60、以及与该偏心检测部60连结的横向移动机构69。偏心检测部60对定心台10所保持的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向以及处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向进行测定。横向移动机构69使偏心检测部60在接近和远离晶片W的周缘部的方向上移动。

图1所示的偏心检测部60是具备发出光的投光部61、接受光的受光部62、以及根据受光部62所测定的光量来确定晶片W的偏心量和偏心方向的处理部65的光学式偏心传感器。在图1所示的偏心检测部60中，受光部62配置在投光部61的下方，接收投光部61朝向下方发出的光。虽然未图示，但也可以使投光部61与受光部62的配置上下反转。在该情况下，受光部62配置在投光部61的上方，接收投光部61朝向上方发出的光。横向移动机构69例如具有：与偏心检测部60的侧面连结的杆、以及使该杆进退的致动器。通过对横向移动机构69的致动器进行驱动，能够使偏心检测部60经由杆而在接近和远离晶片W的周缘部的方向上移动。

接下来，参照图2至图15，对使晶片W的中心与处理台20的轴心C2高精度地对准而研磨该晶片W的周缘部的方法进行说明。图2是表示使用图1所示的研磨装置来研磨晶片W的周缘部的方法的动作流程图。图3是在图2所示的动作流程图中，处理台所保持的晶片W的偏心量超过允许范围时的动作流程图。另外，如图1所示，研磨装置具有动作控制部75，偏心检测部60与动作控制部75连接。在本实施方式中，动作控制部75构成为控制包含定心台旋转机构36、工作台升降机构51、移动机构41、处理台旋转机构56和偏心检测机构54在内的研磨装置的各结构设备的动作。

一般地，为了使用定心台10而使晶片W的中心对准到处理台20的轴心C2上，优选使定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2一致。因此，在本实施方式中，手动地调整处理台20的轴心C2相对于定心台10的轴心C1的位置，以使得将定心台10的轴心C1和处理台20的轴心C2连结的直线与移动机构41使定心台10移动的方向(即，偏置轴OS)平行。接着，动作控制部75通过移动机构41(参照图1)而使定心台10移动，直到定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2对准为止(参照图2的步骤1)。接着，动作控制部75将表示后述的定心动作的重复次数的N设定为0(参照图2的步骤2)。在该状态下，被研磨的晶片W被搬运到定心台10上(参照图2的步骤3)。

图4是表示搬运机构的机械手90搬运被研磨的晶片W的动作的图，图5是表示定心台10保持晶片W的动作的图。在图4和图5中，省略机械手90、定心台10、处理台20和偏心检测部60以外的结构要素。

如图4所示，定心台10通过工作台升降机构51(参照图1)而上升到上升位置。在该上升位置，定心台10的第一基板保持面10a位于比处理台20的第二基板保持面20a高的位置。

在该状态下，晶片W被搬运机构的机械手90搬运，如图5所示，晶片W被放置在定心台10的圆形的第一基板保持面10a上。在第一真空线路15形成真空，由此晶片W的下表面的中心侧区域通过真空吸引而被保持在第一基板保持面10a(参照图2的步骤4)。

接着，动作控制部75使用偏心检测机构54的偏心检测部60而取得晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(参照图2的步骤5)。

图6是表示使用偏心检测部60对晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。在图6中也是，省略定心台10、处理台20和偏心检测部60以外的结构要素。在晶片W如图5所示被保持在定心台10的第一基板保持面10a之后，搬运机构的机械手90离开研磨装置。然后，如图6所示，定心台10通过工作台升降机构51而移动到偏心检测位置。具体而言，定心台10从上升位置下降到偏心检测位置。偏心检测位置是偏心检测部60为了测定定心台10所保持的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向而设定的定心台10的位置。

偏心检测位置位于比上述上升位置低、并且比处理台20的第二基板保持面20a高的位置。即，偏心检测位置位于上升位置与第二基板保持面20a之间。位于偏心检测位置的定心台10的第一基板保持面10a与处理台20的第二基板保持面20a之间的距离例如处于5mm至10mm的范围。

在一个实施方式中，为了将晶片W从搬运机构的机械手90交接到定心台10，也可以使定心台10上升到图6所示的偏心检测位置而不是图4所示的上升位置。在该情况下，晶片W被搬运机构的机械手90搬运到位于偏心检测位置的定心台10的第一基板保持面10a上，通过真空吸引而被保持在第一基板保持面10a。然后，不用变更定心台10的升降位置，通过偏心检测机构54的偏心检测器60来测定位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的偏心量和偏心方向。

在本实施方式中，在定心台10位于偏心检测位置时，偏心检测部60的投光部61的铅垂方向的位置位于比定心台10所保持的晶片W的上表面靠上方的位置，偏心检测部60的受光部62的铅垂方向的位置位于比处理台20的扩径部20b的外缘靠下方的位置。即，偏心检测部60构成为，投光部61的下表面与受光部62的上表面之间的铅垂方向的距离比位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的上表面与处理台20的扩径部20b的外缘之间的距离大。

因此，如图6所示，若使偏心检测部60接近位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W，则偏心检测部60的投光部61和受光部62位于夹着晶片W的周缘部和处理台20的扩径部20b的外缘的位置。在该状态下，测定晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向。

具体而言，位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的偏心量像如下那样测定。如图6所示，使偏心检测部60接近晶片W的周缘部直到晶片W的周缘部和处理台20的扩径部20b的外缘被夹在投光部61与受光部62之间为止。在该状态下，一边使晶片W以定心台10的轴心C1为中心进行旋转，一边由投光部61朝向受光部62发出光。光的一部分被晶片W遮挡，光的其他的部分到达受光部62。

受光部62所测定的光量取决于晶片W与定心台10的相对位置而改变。如图7所示，在晶片W的中心位于定心台10的轴心C1上时，在晶片W旋转一周的期间所取得的光量被保持为规定的基准光量RD。与此相对，如图8所示，在晶片W的中心从定心台10的轴心C1偏移时，在晶片W旋转一周的期间所取得的光量根据晶片W的旋转角度而变化。

晶片W的偏心量与受光部62所测定的光量成反比例。换言之，光量最小的晶片W的角度为晶片W的偏心量最大的角度。上述的基准光量RD是在具有基准直径(例如直径300.00mm)的基准晶片(基准基板)的中心位于定心台10的轴心C1上的状态下所测定的光量。该基准光量RD预先储存于处理部65。并且，表示光量与晶片W相对于定心台10的轴心C1的偏心量的关系的数据(表、关系式等)预先储存于处理部65。与基准光量RD对应的偏心量为0。处理部65基于数据并根据光量的测定值来确定晶片W的偏心量。

偏心检测部60的处理部65与旋转编码器38(参照图1)连接，表示定心台10的旋转角度(即晶片W的旋转角度)的信号从旋转编码器38发送给处理部65。处理部65确定光量最小的晶片W的角度即最大偏心角度。该最大偏心角度表示晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心方向，根据最大偏心角度而确定距离定心台10的轴心C1最远的晶片W上的最大偏心点。并且，处理部65基于基准光量RD与最大偏心点的光量(或者，最小偏心点的光量)之差来计算偏心量。这样，偏心检测部60的处理部65取得晶片W相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向。并且，处理部65将所确定的偏心量和偏心方向发送给动作控制部75(参照图1)，动作控制部75存储接收到的偏心量和偏心方向。

接下来，动作控制部75使用定心旋转机构36和移动机构41而使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准(参照图2的步骤6)。图9至图11是从上方观察定心台10上的晶片W的图。在图9所示的例子中，放置在定心台10上的晶片W的中心从定心台10的轴心C1(和处理台20的轴心C2)偏移。在从晶片W上方观察时，距离定心台10的轴心C1(和处理台20的轴心C2)最远的晶片W上的最大偏心点(假想点)F(即，晶片W的偏心方向)不处于移动机构41的偏置轴(假想轴)OS上。因此，如图10所示，使定心台10旋转，在从晶片W上方观察时，使最大偏心点F位于偏置轴OS上。即，使定心台10旋转，直到将最大偏心点F和定心台10的轴心C1连结的线(即，晶片W的偏心方向)与偏置轴OS平行为止。此时的定心台10的旋转角度(即，旋转量)相当于确定最大偏心点F的位置的角度与确定偏置轴OS的位置的角度的差。

并且，如图11所示，在最大偏心点F位于偏置轴OS上的状态下，通过移动机构41(参照图1)使定心台10沿着偏置轴OS移动直到定心台10所保持的晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上为止。此时的定心台10的移动距离(即，移动量)相当于晶片W的偏心量。这样，晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准。在本实施方式中，基于偏心检测机构54所取得的晶片W的中心相对于定心台10的轴心的偏心量和偏心方向而执行使晶片W的中心与处理台20的轴心对准的定心动作的对准器由定心台旋转机构36、移动机构41和动作控制部75构成。

接下来，将定心台10所保持的晶片W交接给处理台20(参照图2的步骤7)。图12是表示晶片W从定心台10离开的动作的图。在图12中，省略定心台10、处理台20和偏心检测部60以外的结构要素。

如图12所示，使定心台10下降直到晶片W的下表面的外周部与处理台20的第二基板保持面20a接触为止。在该状态下，在第二真空线路25形成真空，由此晶片W的下表面的外周部通过真空吸引而被保持在处理台20。然后，第一真空线路15向大气开放。如图12所示，定心台10进一步下降到规定的下降位置，该第一基板保持面10a从晶片W离开。其结果为，晶片W仅由处理台20保持。

定心台10仅保持晶片W的下表面的中心侧部位，处理台20仅保持晶片W的下表面的外周部。若晶片W被定心台10和处理台20双方同时保持，则晶片W有时挠曲。这是因为，由于机械性的定位精度的问题，定心台10的第一基板保持面10a存在于与处理台20的第二基板保持面20a相同的水平面内是非常困难的。根据本实施方式，在晶片W的研磨中，仅晶片W的下表面的外周部由处理台20保持，定心台10从晶片W离开。因此，能够防止晶片W的挠曲。

如图12所示，晶片W从定心台10向处理台20交接，但在该交接时，有时晶片W相对于处理台20偏移。并且，在偏心检测部60的投光部61和/或受光部62产生破损或者故障、或者在确定储存于处理部65的偏心量和最大偏心点的算法中存在错误(例如，程序上的故障)的情况下，无法取得准确的偏心量和偏心方向(即，最大偏心点)。或者，若定心台旋转机构36和/或移动机构41产生破损或者故障，则无法基于偏心检测部60所取得的偏心量和偏心方向而使定心台10准确地移动。在这些情况下，在晶片W的中心与处理台20的轴心C2不对准的状态下，晶片W从定心台10交接到处理台20。

因此，在本实施方式中，使用上述偏心检测机构54而取得处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20轴心的偏心量和偏心方向(参照图2的步骤8)，确定所得到的偏心量是否处于规定的允许范围内(参照图2的步骤9)。

图13是表示对晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。如上所述，偏心检测机构54的偏心检测部60构成为，投光部61的下表面与受光部62的上表面之间的铅垂方向的距离比位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的上表面与处理台20的扩径部20b的外缘的下表面之间的距离大。因此，不需要为了测定处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向而使偏心检测部60移动。即，偏心检测部60能够在与测定晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向的位置(参照图6)相同的位置，测定处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向。因此，即使测定处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向，也能够将研磨装置的生产率的降低抑制在最小限度。

晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向的测定与上述的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向的测定同样地进行。具体而言，一边使晶片W以处理台20的轴心C2为中心进行旋转，一边由偏心检测部60的投光部61朝向受光部62发出光。光的一部分被晶片W遮挡，光的其他的部分到达受光部62。偏心检测部60的处理部65预先存储表示由受光部62测定的光量与晶片W相对于处理台20的轴心C2的偏心量的关系的数据(表、关系式等)，基于该数据并根据光量的测定值来确定晶片W的偏心量。并且，处理部65基于光量最小的晶片W的角度即最大偏心角度，而确定距离处理台20的轴心C2最远的晶片W上的偏心方向(即，最大偏心点)。处理部65将所确定的偏心量和偏心方向发送给动作控制部75(参照图1)，动作控制部75存储接收到的偏心量和偏心方向。

图14是表示在处理台20所保持的晶片W旋转一周的期间所取得的光量的一例的图。在图14中，表示预先储存于动作控制部75的规定的允许范围。该允许范围是基于晶片W的周缘部的研磨宽度的偏差的允许值而计算出的光量的允许范围，是预先确定的。在图14中，用粗实线描绘处于规定的允许范围内的光量，用单点划线描绘位于规定的允许范围外的光量，用粗虚线描绘确定允许范围的上限和下限的光量。

像图14中实线所示的光量那样，在晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量处于允许范围内的情况下(参照图2的步骤9的“是”)，动作控制部75执行晶片W的周缘部的研磨(参照图2的步骤10)。

图15是表示一边通过处理台20使晶片W旋转一边研磨晶片W的周缘部的动作的图。如图15所示，处理台20以其轴心C2为中心进行旋转。由于晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上，因此晶片W绕其中心旋转。在该状态下，从未图示的研磨液供给喷嘴向晶片W上供给研磨液(例如，纯水或者浆料)。而且，在研磨工具1的下表面(研磨面)与晶片W的上表面平行的状态下，研磨头5将研磨工具1向下方按压到旋转的晶片W的周缘部，而研磨该周缘部。在晶片W的研磨中，晶片W的下表面的外周区域被处理台20保持，因此能够从研磨工具1的下方支承研磨工具1的载荷。因此，能够防止研磨中的晶片W的挠曲。

这样，在本实施方式中，在晶片W从定心台10交接到处理台20之后，确认该晶片W的中心是否与处理台20的轴心C2对准。更具体而言，在将晶片W从定心台10交接到处理台20之后，取得晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向(参照图2的步骤8)，确认该偏心量是否进入允许范围(参照图2的步骤9)。在确认了晶片W的中心与处理台20的轴心C2高精度地对准之后，研磨晶片W的周缘部。其结果为，能够防止产生超过所允许的研磨宽度而被研磨的不良晶片W。

另一方面，在像图14中单点划线所示的光量那样，晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量处于允许范围外的情况下(参照图2的步骤9的“否”)，动作控制部75使表示定心动作的重复次数的N加1(参照图3的步骤11)。定心动作是上述的步骤6所表示的动作，N的初始值为0。接着，动作控制部75将步骤11中得到的N与规定的重复次数NA进行比较(图3的步骤12)。

规定的重复次数NA为预先存储于动作控制部75的自然数，研磨装置的使用者能够任意地设定该规定的重复次数NA。规定的重复次数NA也可以为1。在步骤11中得到的N达到重复次数NA的情况下(参照图3的步骤12的“是”)，动作控制部75停止研磨装置的动作，发出警报(参照图3的步骤13)。由此，可防止晶片W的周缘部以不准确的研磨宽度被研磨。并且，通过由接受警报的作业者确认研磨装置的各结构设备，能够早期发现产生故障和/或破损等不良情况的部件。另外，在规定的重复次数NA为1的情况下，动作控制部75不重复定心动作，立即停止研磨装置的动作，发出警报。

在步骤11中得到的N未达到重复次数NA的情况下(参照图3的步骤12的“否”)，动作控制部75再次执行上述的定心动作。即，动作控制部75使定心台10上升直到定心台10的第一基板保持面10a与晶片W的下表面接触为止，使处理台20所保持的晶片W保持在定心台10(参照图2的步骤4)。接着，动作控制部75使用偏心检测机构54的偏心检测部60而取得晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(参照图2的步骤5)，使用定心旋转机构36和移动机构41而执行使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心动作(参照图2的步骤6)。并且，动作控制部75将定心台10所保持的晶片W交接到处理台20(参照图2的步骤7)，再次取得晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向(参照图2的步骤8)。接着，动作控制部75确认晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量是否处于规定的允许范围内(参照图2的步骤9)。如果晶片W的中心的偏心量处于规定的允许范围内，则动作控制部75研磨晶片W的周缘部(参照图2的步骤10)。

在一个实施方式中，在再次执行定心动作的情况下，也可以省略图2的步骤5。在该情况下，动作控制部75在将晶片W从处理台20交接到定心台10之前，基于在进行了上次的定心动作之后所取得的晶片W相对于处理台20的轴心C2的偏心方向(即，距离处理台20的轴心C2最远的晶片W上的最大偏心点)，而使定心台10旋转。然后，动作控制部75将晶片W从处理台20交接到定心台10，使定心台10保持晶片W(参照图2的步骤4)。并且，动作控制部75不取得晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(即，不执行图2的步骤5)，基于晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量而使定心台10水平移动。通过省略步骤5，即使多次进行定心动作，也能够将研磨装置的生产率的降低抑制在最小限度。

这样，在本实施方式中，重复进行定心动作，直到晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量进入规定的允许范围、或者定心动作达到规定的重复次数NA为止。

在一个实施方式中，也可以是，动作控制部75最初使用搬运机构的机械手90而将晶片W搬运到处理台20。即，搬运机构的机械手90将晶片W搬运到处理台20而不是搬运到定心台10。或者，也可以是，在搬运机构的机械手90将晶片W搬运到位于上升位置的定心台10之后，通过工作台升降机构51使定心台10下降，而将晶片W从定心台10交接到处理台20。在该情况下，动作控制部75使用偏心检测机构54的偏心检测部60而取得晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向(即，最大偏心点)。

接着，动作控制部75使处理台20旋转，在从晶片W的上方观察时，使处理台20所保持的晶片W的最大偏心点位于移动机构41的偏置轴OS上。即，使处理台20旋转直到将处理台20所保持的晶片W的最大偏心点F和处理台20的轴心C2连结的线(即，晶片W的偏心方向)与偏置轴OS平行为止。此时的处理台20的旋转角度相当于确定处理台20所保持的晶片W的最大偏心点的位置的角度与确定偏置轴OS的位置的角度的差分。

接着，使用工作台升降机构51，而使定心台10上升，将晶片W从处理台20交接到定心台10。并且，动作控制部75基于所取得的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量而使定心台10移动。由此，晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准。接着，动作控制部75使用工作台升降机构51而使定心台10下降，将晶片W从定心台10交接到处理台20，确认处理台20所保持的晶片W的偏心量是否处于规定的允许范围内。在所得到的偏心量处于规定的允许范围内的情况下，动作控制部75执行晶片W的周缘部的研磨。在所得到的偏心量处于规定的允许范围外的情况下，动作控制部75重复进行定心动作，直到晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量进入规定的允许范围、或者定心动作达到规定的重复次数NA为止。

在该方法中也是，在将晶片W从定心台10交接到处理台20之后，确认晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量是否处于规定的允许范围。因此，能够使晶片W的中心与处理台20的轴心C2高精度地对准，因此能够以准确的研磨宽度来研磨晶片W的周缘部。并且，根据该方法，能够省略定心台旋转机构36。

图16是示意性地表示图1所示的偏心检测部60的变形例的侧视图。图16所示的偏心检测部60具备挡板72，该挡板用于将配置有投光部61和受光部62的偏心检测部60的内部空间隔离。在图示的例子中，挡板72由2个门72A、72B构成，该2个门经由铰链而分别安装于偏心检测部60的上表面和下表面。在偏心检测部60接近晶片W时，门72A、72B被未图示的致动器打开(参照图16的虚线)，在偏心检测部60从晶片W离开时，门72A、72B被致动器关闭。能够通过挡板72防止晶片W的研磨所使用的研磨液飞散而附着于投光部61和受光部62。

图17是示意性地表示图1所示的偏心检测部60的其他的变形例的侧视图。图17所示的偏心检测部60具备：拍摄装置85；以及配置在该拍摄装置85的下方的、朝向拍摄装置85发出光的投光装置86。拍摄装置85例如是能够取得连续的静止图像的照相机(例如，CCD照相机)，投光装置86例如是固定在支承台88的上表面的LED灯。拍摄装置85具有透镜装置(未图示)，该透镜装置能够使焦点与位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的周缘部和处理台20所保持的晶片W的周缘部这双方对准。

拍摄装置85取得在晶片W旋转一周的期间的晶片W的周缘部的连续静止图像，处理部65根据所取得的连续静止图像而确定晶片W的偏心量和偏心方向(即，最大偏心点)。更具体而言，处理部65根据拍摄装置85所取得的各静止图像中的晶片W的周缘部的位置来确定晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1(或者，处理台20的轴心C2)的偏心量，并且根据从旋转编码器38(或者，旋转编码器59)发送来的信号来确定偏心方向(最大偏心点)。

拍摄装置85与未图示的致动器连结，能够使用该致动器而使拍摄装置85与晶片W接近或者远离。与拍摄装置85连结的致动器例如是能够使拍摄装置85沿铅垂方向移动的致动器。并且，支承台88也与未图示的致动器连结，能够使用该致动器而使投光装置86与支承台88一体地与晶片W接近或者远离。与支承台88连结的致动器例如是能够使支承台88和投光装置86沿水平方向移动的致动器。通过使用这些致动器而使拍摄装置85和投光装置86从晶片W离开，从而防止晶片W的研磨所使用的研磨液飞散而附着于拍摄装置85和投光装置86。

在一个实施方式中，如图17中假想线(单点划线)所示，偏心检测机构54也可以在拍摄装置85与晶片W之间设置挡板91，该挡板妨碍飞散的研磨液到达拍摄装置85。该挡板91与未图示的致动器连结。通过使该致动器工作，挡板91在位于拍摄装置85与晶片W之间的遮挡位置和从拍摄装置85与晶片W之间避让的拍摄位置之间移动。在挡板91位于拍摄位置时，拍摄装置85能够取得晶片W的周缘部的图像。

图18是说明通过其他的实施方式的偏心检测机构54而对晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。图19是说明通过其他的实施方式的偏心检测机构54而对晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向进行测定的动作的图。未特别说明的本实施方式的结构与图1所示的实施方式的结构相同，因此省略该重复的说明。

图18和图19所示的偏心检测机构54具有2个偏心检测部60A、60B。偏心检测部60A、60B分别具有与图1所示的偏心检测部60相同的结构。一个偏心检测部60A是为了测定晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向而使用的，另一个偏心检测部60B是为了测定晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向而使用的。具体而言，一个偏心检测部60A是为了取得上述的位于偏心检测位置的晶片W的偏心量和偏心方向而使用的，另一个偏心检测部60B是为了确认晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量是否处于允许范围内而使用的。偏心检测部60A、60B也可以分别具有参照图16而说明的挡板72。并且，偏心检测部60A、60B也可以是具有图17所示的拍摄装置85和投光装置86的偏心检测部60。

在上述的实施方式中，基于晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向而使定心台10移动，由此使晶片的中心对准到处理台20的轴心C2上。因此，在图2所示的步骤1中，优选定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2完全一致。然而，由于研磨装置的各部件的组装精度和机械性的尺寸误差等理由，使定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2完全一致是极其困难的。

因此，以下，参照图20至图31，说明在定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2不一致的条件下，进行使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心动作的实施方式。

图20是表示研磨晶片W的周缘部的其他的方法的动作流程图。在图20所示的动作流程图中未特别说明的步骤与图2所示的动作流程图的步骤相同，因此省略其重复的说明。在图20所示的动作流程图中，最初，执行取得定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置的定心准备动作(参照图20的步骤1)。定心准备动作是在定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2不一致的条件下进行的。该定心准备动作例如是在执行研磨装置的维护之后进行的。

图21是用于对图20的步骤1中执行的定心准备动作进行说明的动作流程图。在图21所示的动作流程图中，将表示为了取得初始相对位置而使用的参照晶片RW的个数的N2设定为0(参照图21的步骤1)。接着，如图22所示，将参照晶片(或者参照基板)RW载置在处理台20上，参照晶片RW被保持在处理台20(参照图21的步骤2)。参照晶片RW也可以由研磨装置的作业者手动地载置在处理台20上，也可以由图4和图5所示的搬运机构的机械手90载置在处理台20上。或者，也可以在通过搬运机构的机械手90将参照晶片RW搬运到位于上升位置的定心台10之后，使该定心台10下降而将参照晶片RW载置在处理台20上。参照晶片RW可以是作为研磨对象的晶片、或者也可以是具有与研磨对象的晶片相同的尺寸的其他的晶片。

如上所述，参照晶片RW通过真空吸引而被保持在处理台20的第二基板保持面20a上。在该状态下，处理台20通过处理台旋转机构56(参照图1)而与参照晶片RW一同旋转一周，参照晶片RW的中心RC相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向(即，最大偏心角度)由偏心检测部60取得(参照图21的步骤3)。

如图23所示，偏心检测部60对参照晶片RW的中心RC相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向(即，最大偏心角度)进行计算，确定偏心矢量Pv’(参照图21的步骤4)。偏心量为偏心矢量Pv’的大小|Pv’|，相当于从处理台20的轴心C2到参照晶片RW的中心RC为止的距离。偏心方向被表示为偏心矢量Pv’相对于角度基准线RL的角度α，该角度基准线通过处理台20的轴心C2且垂直于与偏置轴OS平行的处理台基准轴PS。

在确定了偏心矢量Pv’之后，如图24所示，定心台10上升直到定心台10的第一基板保持面10a与参照晶片RW的下表面的中心侧区域接触为止。在该状态下，在第一真空线路15形成真空，由此参照晶片RW的下表面的中心侧区域通过真空吸引而被保持在定心台10。然后，第二真空线路25向大气开放，参照晶片RW从处理台20释放。由此，将参照晶片RW从定心台10交接到处理台20(参照图21的步骤5)。在参照晶片RW从处理台20转移到定心台10之后，定心台10与参照晶片RW一同上升，直到参照晶片RW到达上述的偏心检测位置。

如图25所示，定心台10与参照晶片RW一同以定心台10的轴心C1为中心进行旋转，参照晶片RW的中心RC相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(即，最大偏心角度)由偏心检测部60取得(参照图21的步骤6)。如图26所示，确定参照晶片RW的中心RC相对于定心台10的轴心C1的偏心矢量Pv(参照图21的步骤7)。偏心量为偏心矢量Pv的大小|Pv|，相当于从定心台10的轴心C1到参照晶片RW的中心RC为止的距离。偏心方向被表示为偏心矢量Pv相对于角度基准线PL的角度β，该角度基准线通过定心台10的轴心C1且与偏置轴OS垂直。图26所示的角度基准线PL与图23所示的角度基准线RL为相互平行的水平线。

如上所述，偏心检测部60与图1所示的动作控制部75连接，确定偏心矢量Pv’和偏心矢量Pv的偏心量(|Pv’|、|Pv|)和偏心方向(角度α、角度β)被发送给动作控制部75。动作控制部75根据偏心矢量Pv’和偏心矢量Pv而计算定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置。

图27是表示偏心矢量Pv’和偏心矢量Pv的图。从处理台20转移到定心台10时的参照晶片RW的位置不发生变化。因此，图22所示的由处理台20保持时的参照晶片RW的中心RC的位置与图25所示的由定心台10保持时的参照晶片RW的中心RC的位置相同。换言之，偏心矢量Pv’的终点的位置与偏心矢量Pv的终点的位置一致。

在图27中，定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置被表示为矢量dv。该矢量dv通过下面的式子而求出。

dv＝Pv’-Pv (1)

若将偏心矢量Pv’和偏心矢量Pv分别分解成角度基准线RL上的i方向的矢量和与角度基准线RL垂直的处理台基准轴PS上的j方向的矢量，则偏心矢量Pv’和偏心矢量Pv能够分别像如下那样表示。

Pv’＝(|Pv’|cosα)iv+(|Pv’|sinα)jv (2)

Pv＝(|Pv|cosβ)iv+(|Pv|sinβ)jv (3)

其中，|Pv’|表示参照晶片RW的中心RC相对于处理台20的轴心C2的偏心量，|Pv|表示参照晶片RW的中心RC相对于定心台10的轴心C1的偏心量，α表示偏心矢量Pv’相对于角度基准线RL的角度，β表示偏心矢量Pv相对于角度基准线PL的角度，iv表示i方向的矢量，jv表示j方向的矢量。

从图27可知，角度α表示参照晶片RW的中心RC相对于处理台20的轴心C2的偏心方向，角度β表示参照片RW的中心RC相对于定心台10的轴心C1的偏心方向。

根据上述式子(2)和式子(3)，表示定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置的矢量dv像如下那样求出。

dv＝Pv’-Pv

＝(|Pv’|cosα-|Pv|cosβ)iv+(|Pv’|sinα-|Pv|sinβ)jv

＝aiv+bjv (4)

a＝|Pv’|cosα-|Pv|cosβ (5)

b＝|Pv’|sinα-|Pv|sinβ (6)

θ＝tan^-1(b/a) (7)

如图28所示，定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置能够使用确定矢量dv的要素a、b、θ来表示。像以上那样，取得定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置(矢量dv)(参照图21的步骤8)。表示该初始相对位置的要素a、b、θ各自的数值是研磨装置固有的数值。表示初始相对位置的要素a、b、θ的各个数值存储于动作控制部75(参照图21的步骤9)。

在本实施方式中，定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置的取得是针对多个参照晶片RW而进行的。因此，动作控制部75预先存储Nx，该Nx相当于上述的步骤1至9所示的一系列的动作的重复次数。

动作控制部75使表示用于取得初始相对位置的参照晶片RW的个数的N2加1(参照图21的步骤10)。并且，动作控制部75将N2与规定的重复次数Nx进行比较(参照图21的步骤11)。如果N2未达到重复次数Nx(参照图21的步骤11的“是”)，则使新的参照晶片RW保持在处理台20(参照图21的步骤2)。新的参照晶片W可以是与取得上次的初始相对位置的参照晶片RW不同的参照晶片RW，也可以是相同的参照晶片W。

接着，动作控制部75使偏心检测部60取得参照晶片RW的中心RC相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向(参照图21的步骤3)，确定表示该偏心量和偏心方向的偏心矢量Pv’(参照图21的步骤4)。接着，动作控制部75使参照晶片RW保持在定心台10(参照图21的步骤5)，然后，使偏心检测部60取得参照晶片RW的中心RC相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(参照图21的步骤6)，确定表示该偏心量和偏心方向的偏心矢量Pv(参照图21的步骤7)。接着，动作控制部75取得定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置(矢量dv)(参照图21的步骤8)，并且存储表示初始相对位置的要素a、b、θ各自的数值(参照图21的步骤9)。

在N2达到重复次数Nx的情况下(参照图21的步骤11的“否”)，动作控制部75基于表示所取得的多个初始相对位置的要素a、b、θ各自的数值而确定最佳的初始相对位置(参照图21的步骤12)。例如，动作控制部75对表示所取得的多个初始相对位置的要素a、b、θ各自的数值的平均值进行计算。

这样，确定表示定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置的要素a、b、θ。定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置是由于研磨装置的构造引起的位置偏移。在本实施方式中，在图20的步骤1中，确定定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置，接着，动作控制部75将表示后述的定心动作的重复次数的N设定为0(参照图20的步骤2)。接着，如图4所示，动作控制部75将晶片W搬运到定心台10(参照图20的步骤3)，并且如图5所示，将该晶片W保持在定心台(参照图20的步骤4)。

接着，如图6所示，动作控制部75使定心台10下降到偏心检测位置，如上所述，使用偏心检测部60而取得晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(参照图20的步骤5)。接着，执行使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心动作(参照图20的步骤6)。在本实施方式中，定心动作像以下那样进行。

图29是表示处理台20的轴心C2、定心台10的轴心C1和晶片W的中心wf的位置关系的图。晶片W的中心wf相对于定心台10的轴心C1的偏心量由从定心台10的轴心C1到晶片W的中心wf为止的距离、即偏心矢量Pv的大小|Pv|表示。晶片W的中心wf相对于定心台10的轴心C1的偏心方向由偏心矢量Pv相对于角度基准线PL的角度β表示。所确定的晶片W的偏心量(|Pv|)和偏心方向(角度β)被发送给动作控制部75。

动作控制部75基于定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置以及晶片W的偏心量|Pv|和偏心方向(角度β)，而计算为了使晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上所需要的、使定心台10沿着偏置轴OS移动的距离和使定心台10旋转的角度。而且，移动机构41和定心台旋转机构36使定心台10移动和旋转，直到定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上为止。

图30是表示移动机构41使定心台10沿着偏置轴OS移动了动作控制部75所计算出的距离的情况的图。如图30所示，移动机构41使定心台10沿着偏置轴OS水平移动，直到定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2的距离D与偏心量|Pv|相等为止。并且，如图31所示，定心台旋转机构36使定心台10与晶片W一同旋转了动作控制部75所计算出的角度。更具体而言，定心台旋转机构36使定心台10旋转，直到定心台10上的晶片W的中心wf位于通过处理台20的轴心C2且与偏置轴OS平行地延伸的直线PS上。

这样，通过定心台10的沿着偏置轴OS的水平移动和定心台10的旋转，能够使定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上。在本实施方式中也是，用于执行使定心台10移动和旋转直到定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上为止的定心动作的对准器由定心台旋转机构36、移动机构41和动作控制部75构成。在一个实施方式中，也可以先进行定心台10的旋转，接着进行定心台10沿着偏置轴OS的移动。为了在更短时间内完成定心动作，移动机构41和定心台旋转机构36也可以同时执行定心台10沿着偏置轴OS的水平移动和定心台10的旋转。

在上述的定心动作完成之后，如图12所示，动作控制部75将晶片W从定心台10交接到处理台20(参照图20的步骤7)。接着，动作控制部75使用上述偏心检测机构54而取得处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心的偏心量和偏心方向(参照图20的步骤8)，确定所得到的偏心量是否处于规定的允许范围内(参照图20的步骤9)。

在处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20轴心的偏心量处于允许范围内的情况下，动作控制部75执行晶片W的周缘部的研磨(参照图20的步骤10)。在处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心的偏心量处于允许范围外的情况下，像参照图2和图3而说明的那样，重复进行定心动作直到定心动作的次数N达到重复次数NA为止。

这样，在本实施方式中也是，在晶片W从定心台10交接到处理台之后，确认晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量是否处于规定的允许范围。因此，能够防止产生超过允许的研磨宽度而被研磨的不良晶片W。

另外，虽然定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置基本上没有变化，但随着重复进行多个晶片的研磨，有时位置偏移发生变化。为了修正这样的位置偏移，以往需要进行机械性的调整(即，基于作业人员的手动作业的位置调整)，根据本实施方式，如果进行上述的工序而自动地计算初始相对位置，并更新存储于动作控制部75的表示初始相对位置的要素a、b、θ，则能够排除初始相对位置的变化的影响。这样，根据本实施方式，不需要基于作业人员的手动作业的位置调整，因此能够减少研磨装置的停机时间。

图32是表示图1所示的动作控制部75的一例的示意图。图32所示的动作控制部75是专用的或者通用的计算机。图32所示的动作控制部75具备：储存程序、数据等的存储装置110；根据储存于存储装置110的程序而进行运算的CPU(中央处理装置)或者GPU(图形处理单元)等处理装置120；用于将数据、程序和各种信息输入给存储装置110的输入装置130；用于输出处理结果、所处理的数据的输出装置140；以及用于与因特网等网络连接的通信装置150。

存储装置110具备：处理装置120能够访问的主存储装置111；以及储存数据和程序的辅助存储装置112。主存储装置111为例如随机访问存储器(RAM)，辅助存储装置112为硬盘驱动器(HDD)或者固态驱动器(SSD)等存储装置。

输入装置130具备键盘、鼠标，还具备用于从记录介质读入数据的记录介质读入装置132、以及与记录介质连接的记录介质端口134。记录介质是非暂时性的有形物即计算机能够读取的记录介质，例如为光盘(例如，CD-ROM、DVD-ROM)、半导体存储器(例如，USB闪存驱动器、存储卡)。作为记录介质读入装置132的例子，列举CD-ROM驱动器、DVD-ROM驱动器等光学驱动器、读卡器。作为记录介质端口134的例子，列举USB端口。存储于记录介质的程序和/或数据经由输入装置130被导入计算机，储存于存储装置110的辅助存储装置112。输出装置140具备显示装置141、打印装置142。

动作控制部75根据电储存于存储装置110的程序，而执行包含上述的定心动作的研磨工序。即，动作控制部75执行如下的步骤：使偏心检测机构54的偏心检测部60(或者偏心检测部60A)进行动作，而取得位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向，使对准器进行动作，而使定心台10所保持的晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准，使工作台升降机构51进行动作，而将晶片W从定心台10交接到处理台20并进行保持，使偏心检测机构54的偏心检测部60(或者偏心检测部60B)进行动作，而取得处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向，确认处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量是否处于规定的允许范围内，在晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量处于规定的允许范围内的情况下，开始进行晶片W的周缘部的研磨。如上所述，动作控制部75也可以在执行定心动作之前，执行定心准备动作。在该情况下，定心动作是基于定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置以及晶片W的偏心量|Pv|和偏心方向(角度β)而执行的。

在晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量处于规定的允许范围外的情况下，动作控制部75再次执行使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的重试动作。即，动作控制部75执行如下的步骤：将晶片W从处理台20交接到定心台10并进行保持，使偏心检测机构54的偏心检测部60(或者偏心检测部60A)进行动作，而取得位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向，使对准器进行动作，而使定心台10所保持的晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准，使工作台升降机构51进行动作，而将晶片W从定心台10交接到处理台20并进行保持，使偏心检测机构54的偏心检测部60(或者偏心检测部60B)进行动作，而取得处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向，确认处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量是否处于规定的允许范围内。在重试动作中，也可以省略如下的动作：取得位于偏心检测位置的定心台10所保持的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向。在该情况下，动作控制部75基于在上次的定心动作后所取得的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向而使处理台20旋转，将晶片W从处理台20交接到定心台10，并且使定心台10所保持的晶片W移动。

每当偏心检测机构54的偏心检测部60取得晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向、以及处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向时，动作控制部75将这些偏心量和偏心方向存储于存储装置110。由此，在动作控制部75的存储装置110中，存储由晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的多个偏心量和偏心方向以及处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的多个偏心量和偏心方向所构成的数据集。并且，动作控制部75在存储装置110中还存储有为了使晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上而计算出的定心台10的移动量和定心台10的旋转量。由此，在动作控制部75的存储装置110中，存储有由用于使晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上的定心台10的移动量与旋转量的组合构成的数据集。

用于使动作控制部75执行上述步骤的程序记录在非暂时性的有形物即计算机能够读取的记录介质中，经由记录介质而提供给动作控制部75。或者，程序也可以经由因特网等通信网络而提供给动作控制部75。

动作控制部75也可以通过人工智能(AI：artificial intelligence)来确定用于使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心台10的旋转量和移动量。在人工智能中，进行使用了神经网络或者量子计算的机器学习，来构建学习完成模型。

图33是表示输出定心台10的旋转量和移动量的学习完成模型的一个实施方式的示意图。如图33所示，在用于构建学习完成模型的机器学习中，使用教师数据。机器学习所使用的教师数据是在构建用于输出适当的定心台10的旋转量和移动量的学习完成模型时所需要的学习用的数据集。该教师数据例如为正常数据、异常数据或者参照数据。教师数据例如为包含上述的晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向、用于使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心台10的旋转量和移动量、在执行了上述的定心动作之后处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向、以及上述允许范围的数据集，预先存储于动作控制部75的存储装置110。也可以将表示初始相对位置的要素a、b、θ添加到教师数据。

作为机器学习，优选深度学习法(深层学习法)。深度学习法是基于将隐藏层(也称为中间层)多层化而得的神经网络的学习法。在本说明书中，将使用由输入层、二层以上的隐藏层、输出层构成的神经网络的机器学习称为深度学习。

图34是表示神经网络的构造的一例的示意图。学习完成模型通过使用了图34所示的神经网络的深度学习法而构建。图34所示的神经网络具有输入层301、多个(在图示的例子中为4个)隐藏层302、输出层303。在正常数据作为教师数据而使用的情况下，动作控制部75为了构建学习完成模型，而调整使用正常数据来构成神经网络的权重参数。更具体而言，动作控制部75调整神经网络的权重参数，以使得在将为了学习而制作的、至少包含晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向的数据输入到神经网络时，将与定心台10的适当的旋转量和移动量相当的数据从神经网络输出。在对表示初始相对位置的a、b、θ进行计算的上述的实施方式中，为了构建学习完成模型而输入到神经网络的数据集也可以进一步包含为了学习而制作的表示初始相对位置的a、b、θ。

从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量与正常范围进行比较。该正常范围是在执行了上述的定心动作之后处理台20所保持的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量进入到上述允许范围时的定心台10的旋转量和移动量的数据的集合体。在从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量偏离正常范围的情况下，自动地调整权重参数，以使得在将为了学习而制作的、至少包含晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向的数据再次输入到神经网络的输入层301时，从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量进入正常范围。这样，学习完成模型是通过重复进行朝向输入层301的、至少包含晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向的数据的输入、从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量与正常范围的比较、以及权重参数的调整而构建的。并且，优选动作控制部75在将验证用数据输入到神经网络时，验证从神经网络输出的数据是否相当于包含在正常范围内的数据。

这样构建的学习完成模型储存于存储装置110(参照图32)。动作控制部75根据电储存于存储装置110的程序而进行动作。即，动作控制部75的处理装置120执行如下的运算：将偏心检测机构54所取得的至少包含晶片W的中心相对于定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向(以及表示初始相对位置的a、b、θ)的数据输入到上述学习完成模型的输入层301，基于所输入的数据而预测用于使晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心台10的适当的旋转量和移动量，从输出层303输出该定心台10的旋转量和移动量。

在判断为从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量与包含在正常范围内的数据同等的情况下，动作控制部75将该定心台10的旋转量和移动量作为追加的教师数据而存储于存储装置111，通过基于教师数据和追加的教师数据的机器学习(深度学习)，来更新学习完成模型。由此，能够提高从学习完成模型输出的定心台10的旋转量和移动量的精度。

从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量是否与包含在正常范围内的数据同等的判断像以下那样进行。动作控制部75基于从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量而执行使定心台10所保持的晶片W的中心与处理台20的轴心C2对准的定心动作。接着，动作控制部75使用偏心检测机构54的偏心检测部60(或者偏心检测部60B)而取得在定心动作后从定心台10交接到处理台20的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向。在偏心检测机构54的偏心检测部60(或者偏心检测部60B)所取得的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量处于规定的允许范围内的情况下，动作控制部75判断为从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量与包含在正常范围内的数据同等。动作控制部75将判断为与包含在正常范围内的数据同等的定心台10的旋转量和移动量作为追加的教师数据而存储于存储装置111。另一方面，在偏心检测部60(或者偏心检测部60B)所取得的晶片W的中心相对于处理台20的轴心C2的偏心量处于规定的允许范围外的情况下，可以不将从输出层303输出的定心台10的旋转量和移动量作为追加的教师数据来使用，也可以作为追加的教师数据来使用。

上述的研磨装置是本发明的基板处理装置的一个实施方式，但本发明的基板处理装置和基板处理方法能够应用于一边保持基板一边处理基板的其他的装置和方法、例如用于CVD的装置和方法、用于溅射的装置和方法等。

上述的实施方式是以本领域技术人员能够实施本发明为目的而记载的。只要是本领域技术人员，上述实施方式的各种变形例是显而易见的，本发明的技术性思想也可以应用于其他的实施方式。因此，本发明不限于所记载的实施方式，解释为基于发明要保护的范围所定义的技术性思想的最宽的范围。