背面研磨带
阅读说明：本技术 背面研磨带 (Back grinding belt ) 是由 尹美善 金色拉 李光珠 延博拉 金相还 金殷英 于 2019-06-04 设计创作，主要内容包括：本公开内容涉及背面研磨带,包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层,所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元,其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。本公开内容还涉及使用背面研磨带研磨晶片的方法。(The present disclosure relates to a back-grinding tape comprising a polymer resin layer containing a urethane (meth) acrylate resin comprising 10 to 40% by weight of a repeating unit derived from a (meth) acrylate monomer or oligomer having a glass transition temperature of 0 ℃ or higher, wherein the glass transition temperature of the polymer resin layer is-30 to 0 ℃. The present disclosure also relates to methods of grinding wafers using back side grinding tape.)
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0064315号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开内容涉及背面研磨带，更特别地，涉及附接至半导体晶片的表面以在半导体制造过程中在背面研磨过程期间保护表面的胶粘带。
背景技术
近来，随着电子器件朝小型化、高功能性和容量增大的趋势日益增加，对半导体封装的致密化和高集成度的需求快速增加。因此，半导体芯片的尺寸变得更大，同时厚度变得更薄，这增加了电路的集成度。然而，半导体芯片本身的模量降低，引起制造过程中或最终产品的可靠性方面的问题。
根据对半导体的增大和减薄的需求，基本上通过用由细金刚石颗粒构成的抛光轮研磨晶片的背表面以减小芯片的厚度来进行背面研磨过程，从而促进组装。在研磨过程期间，由于大量的硅残留物(粉尘)和颗粒，经常发生晶片的损坏例如污染和裂纹。因此，用于保护半导体晶片的表面的胶粘膜或背面研磨带变得更重要。
特别地，当将半导体晶片研磨至极薄的厚度时，晶片的刚性降低并且容易发生翘曲，使得研磨过程中使用的背面研磨带的物理特性的均匀性变得更重要。
发明内容
技术问题
本公开内容将提供背面研磨带，其可以容易地应用于具有薄厚度的晶片的研磨过程，并且可以表现出改善的晶片保护性能。
本公开内容还将提供使用背面研磨带的晶片的研磨方法。
技术方案
提供了背面研磨带，其包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。
还提供了使用背面研磨带研磨晶片的方法。
在下文中，将更详细地描述根据本公开内容的示例性实施方案的背面研磨带和研磨方法。
在本公开内容中，(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯二者。
如上所述，根据本公开内容的一个实施方案，提供了背面研磨带，其包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。
本发明人通过使用包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂制备了玻璃化转变温度为-30℃至0℃的聚合物树脂层，并且通过实验发现当将所述聚合物树脂层用作背面研磨带时，可以容易地将其应用于具有约50μm的薄厚度的晶片的研磨过程。本发明人还发现背面研磨带具有小于某一水平的恢复率，使得可以防止由于加工期间的应力或热引起的变形，由此实现改善的晶片保护性能，从而完成了本发明。
更具体地，当聚合物树脂层具有-30℃至0℃的玻璃化转变温度，并且包含含有10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂时，对背面研磨带测量的以下恢复率1与以下恢复率2之差的绝对值可以为10％或更小。
[恢复率1和恢复率2]
恢复率1是当将背面研磨膜在室温下在任一方向(第一方向)上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比。
恢复率2是当将背面研磨膜在室温下在垂直于第一方向的第二方向上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比。
当恢复率1与恢复率2之差的绝对值超过10％时，芯片之间的间隙(在下文中称为切口(kerf))由于研磨过程期间产生的热或应力而膨胀或收缩，导致芯片破裂或对准问题，这可能引起过程误差。当恢复率1与恢复率2之差的绝对值低于10％时，存在由于膨胀或收缩引起的较小变形，并且可以防止芯片破裂或切口收缩，从而实现改善的晶片保护性能。
在下文中，恢复率1与恢复率2之差的绝对值可以为10％或更小、7％或更小、或者5％或更小。
第一方向可以为背面研磨带中包括的聚合物树脂层的MD方向，第二方向可以为聚合物树脂层的TD方向。
聚合物树脂层的玻璃化转变温度可以为-30℃至0℃，因为树脂层包含含有10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂。更具体地，玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的玻璃化转变温度可以为0℃至100℃。
玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的实例可以为以下至少一种化合物：邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯(OPPEA)、(甲基)丙烯酸异冰片酯(IBOA)、丙烯酸甲酯和(甲基)丙烯酸环己酯。
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂连同源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元还可以包含含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元或含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。
含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元可以为源自选自以下的至少一种单体或低聚物的重复单元：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯和(甲基)丙烯酸癸酯。
含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的实例可以包括含有羟基、羧基、含氮官能团等的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元可以源自含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的单体。
含羟基的(甲基)丙烯酸酯单体的实例包括(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯。含羧基的(甲基)丙烯酸酯单体的实例可以包括(甲基)丙烯酸，含有含氮官能团的(甲基)丙烯酸酯单体的实例可以包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己内酰胺。然而，实例不限于此。
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂可以包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，并且还可以包含源自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物或聚合物的基于氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的重复单元或链段。
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物或聚合物的实例没有具体限制。例如，可以使用分子量为100至15,000的基于氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的低聚物或经聚碳酸酯改性的脂族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、或分子量为20,000至100,000的聚碳酸酯氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
聚合物树脂层的厚度没有特别限制，但可以为5μm至200μm。
同时，本实施方案的背面研磨带还可以包括厚度为1μm至100μm的胶粘层。
胶粘层的具体组成没有特别限制。例如，胶粘层可以包含胶粘树脂、光引发剂和交联剂。
交联剂可以包括选自以下的至少一种化合物：基于异氰酸酯的化合物、基于氮丙啶的化合物、基于环氧的化合物和基于金属螯合物的化合物。基于100重量份的胶粘树脂，胶粘层可以包含0.1重量份至40重量份的交联剂。当交联剂的含量太小时，胶粘层的内聚性可能不足。另一方面，当交联剂的含量太高时，在光固化之前胶粘层可能无法充分地确保粘合性，并且可能发生芯片散射现象(chip scattering phenomenon)。
光引发剂的具体实例没有限制，但可以使用本领域已知的光引发剂。基于100重量份的胶粘树脂，胶粘层可以包含0.1重量份至20重量份的光引发剂。
胶粘树脂可以包括基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。在本公开内容中，(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯二者。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的实例可以包括基于(甲基)丙烯酸酯的单体和含有可交联官能团的单体的共聚物。在本文中，基于(甲基)丙烯酸酯的单体的实例可以包括(甲基)丙烯酸烷基酯，具体地，含有C1至C12烷基的单体，例如(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸癸酯、或其混合物。
含有可交联官能团的单体的实例可以包括含羟基单体、含羧基单体、含氮单体、或其混合物。
含羟基化合物的实例可以包括(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、2-羟基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、2-羟基丙二醇(甲基)丙烯酸酯等。
含羧基化合物的实例可以包括(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸、马来酸酐等。
含氮单体的实例可以包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等。
在基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中，可以另外包含乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等以改善其他功能性例如相容性等。
胶粘层还可以包含可UV固化化合物。
可UV固化化合物的种类没有具体限制，例如，可以使用重均分子量为500至300,000的多官能化合物(例如，多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯单体或低聚物等)。本领域普通技术人员可以根据期望的用途容易地选择适当的化合物。基于100重量份的胶粘树脂，可UV固化化合物的含量可以为1重量份至400重量份，优选5重量份至200重量份。当可UV固化化合物的含量小于1重量份时，固化之后的粘合性降低可能不足，并因此拾取性(pick-up)可能劣化。当可UV固化化合物的含量大于400重量份时，UV照射之前的粘合剂的内聚性可能不足，或者从离型膜等的分层可能不容易。
可UV固化粘合剂不仅可以以可UV固化化合物的加成类型的形式使用，而且还可以以碳-碳双键在侧链或主链的末端处键合至丙烯酸类共聚物的形式使用。即，基于(甲基)丙烯酸酯的共聚物还可以包括键合至包括基于(甲基)丙烯酸酯的单体和含有可交联官能团的单体的主链的侧链的可UV固化化合物。
可UV固化化合物的类型没有特别限制，只要所述化合物每分子包含1个至5个，优选1个或2个可光固化官能团(例如，可UV聚合碳-碳双键)和能够与主链中包含的可交联官能团反应的官能团即可。能够与主链的可交联官能团反应的官能团的实例可以包括但不限于异氰酸酯基、环氧基等。
可UV固化化合物包含能够与主链中包含的羟基反应的官能团，其实例可以包括以下中的一种或更多种：(甲基)丙烯酰氧基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰氧基甲基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、4-(甲基)丙烯酰氧基丁基异氰酸酯、间丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯或烯丙基异氰酸酯；通过使二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯反应获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过使二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物、多元醇化合物与(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯反应获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；含有能够与主链中包含的羧基反应的官能团的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯或烯丙基缩水甘油基醚，但不限于此。
可UV固化化合物可以通过取代主链中包含的5mol％至90mol％的可交联官能团而包含在基础树脂的侧链中。当取代量小于5mol％时，剥离强度可能无法通过紫外线照射而充分降低。当取代量大于90mol％时，紫外线照射之前的粘合剂的内聚性可能降低。
胶粘层可以适当地包含增粘剂，例如松香树脂、萜烯树脂、酚树脂、苯乙烯树脂、脂族石油树脂、芳族石油树脂、脂族芳族共聚物石油树脂等。
在基底膜上形成胶粘层的方法没有具体限制，例如，可以使用如下方法：将粘合剂组合物直接涂覆在基底膜上以形成胶粘层的方法；或者首先将粘合剂组合物涂覆在可剥离基底上以制备胶粘层，然后使用可剥离基底将粘合剂层转移至基底膜的方法。
在本文中，涂覆和干燥粘合剂组合物的方法没有具体限制，例如，可以使用如下方法：将含有上述组分的组合物原样涂覆，或者将其在适当的有机溶剂中稀释并通过已知工具例如逗号涂覆机、凹版涂覆机、模涂机、反向涂覆机等涂覆，然后在60℃至200℃的温度下干燥溶剂10秒至30分钟。此外，在上述过程中，还可以进行老化过程以进行粘合剂的充分交联。
胶粘层的厚度可以为1μm至100μm。
此外，本实施方案的背面研磨带还可以包括厚度为5μm至200μm的透光基底。
透光基底可以为相对于300nm至600nm的波长具有50％或更大的透射率的包含聚合物树脂的基底。
可用作透光基底的聚合物树脂的类型没有特别限制。透光基底的材料的实例可以包括聚酯例如PET、纤维素例如三乙酰纤维素、基于环烯烃的(共聚)聚合物、聚酰亚胺、苯乙烯丙烯腈共聚物(SAN)、低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯的无规共聚物、聚丙烯的嵌段共聚物、均聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-离聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯的共聚物、及其两者或更多者的混合物。
具体地，本实施方案的背面研磨带可以具有粘合剂层形成在聚合物树脂层的一个表面上的结构，或者聚合物树脂层形成在透光基底的一个表面上并且胶粘层形成在基底的另一个表面上的结构。
同时，如有必要，背面研磨带还可以包括粘合剂层。
粘合剂层可以包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。
热塑性树脂可以包括选自以下的至少一种聚合物树脂：聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。
作为环氧树脂，可以使用本领域已知的用于一般粘合剂的环氧树脂。例如，可以使用分子中含有两个或更多个环氧基且重均分子量为100至2000的环氧树脂。
环氧树脂通过固化过程形成硬交联结构，并且可以表现出优异的粘合性、耐热性和机械强度。更具体地，环氧树脂的平均环氧当量重量可以为100至1000。当环氧树脂的环氧当量重量小于100时，交联密度变得太高，并且粘合剂膜可能表现出整体刚性特性。当环氧当量重量大于1000时，耐热性可能降低。
环氧树脂的实例可以包括但不限于以下中的一种或更多种：双官能环氧树脂例如双酚A环氧树脂和双酚F环氧树脂；具有三个或更多个官能团的多官能环氧树脂例如甲酚酚醛清漆环氧树脂、酚酚醛清漆环氧树脂、四官能环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、二环戊二烯改性的酚型环氧树脂。
优选使用双官能环氧树脂和多官能环氧树脂的混合树脂作为环氧树脂。在本公开内容中，术语“多官能环氧树脂”是指具有三个或更多个官能团的环氧树脂。即，通常，双官能环氧树脂在高温下在柔性和流动性方面是优异的，但具有差的耐热性和低的固化率。另一方面，具有三个或更多个官能团的多官能环氧树脂具有高固化率并且由于高交联密度而表现出优异的耐热性，但具有差的柔性和流动性。
粘合剂层中包含的固化剂没有特别限制，只要其与环氧树脂和/或热塑性树脂反应形成交联结构即可。例如，固化剂可以包括选自以下的至少一种化合物：基于酚的树脂、基于胺的固化剂和基于酸酐的固化剂。
基于100重量份的环氧树脂，粘合剂层可以包含10重量份至1000重量份的热塑性树脂和10重量份至700重量份的固化剂。
固化催化剂用于促进固化剂的作用或用于接合半导体的粘合剂树脂组合物的固化，并且可以没有特别限制地应用已知在用于半导体的粘合剂膜的领域中使用的任何固化催化剂。例如，作为固化催化剂，可以使用选自以下的至少一者：基于磷的化合物、基于硼的化合物、基于亚磷-硼的化合物和基于咪唑的化合物。固化催化剂的量可以考虑最终产生的粘合剂膜的特性等来适当地选择。例如，基于100重量份的环氧树脂、基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和酚树脂的总量，可以使用0.5重量份至10重量份的固化催化剂。
粘合剂层的厚度可以为1μm至300μm。
根据本公开内容的另一个实施方案，提供了使用背面研磨带研磨晶片的方法。
在将背面研磨带粘附至半导体晶片的一个表面之后，可以进行半导体晶片的研磨过程。在研磨过程之后，可以在UV照射或热处理之后剥离背面研磨带。
在半导体晶片的研磨过程中使用背面研磨带的方法没有特别限制。例如，可以在室温下将背面研磨带附接至半切成50μm的厚度的电路表面，然后可以将附接有背面研磨带的表面固定至真空台(vacuum table)以研磨电路表面的背表面。随后，可以通过以500mJ/cm2或更大照射UV A从经研磨的晶片移除背面研磨带。
有益效果
根据本公开内容，提供了背面研磨带和使用背面研磨带的晶片的研磨方法，所述背面研磨带可以容易地应用于具有薄厚度的晶片的研磨过程并且可以表现出改善的晶片保护性能。
具体实施方式
将在以下实施例中更详细地描述本发明。然而，这些实施例仅用于说明性目的，并且本发明不旨在被这些实施例限制。
[实施例1：背面研磨带的制备]
(1)聚合物树脂层的制备
放入25g聚碳酸酯氨基甲酸酯丙烯酸酯(分子量：30,000g/mol)、30g丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、15g丙烯酸2-羟基乙酯(2-HEA)、15g邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯(OPPEA，玻璃化转变温度：33℃)和15g丙烯酸异冰片酯(IBOA，玻璃化转变温度：94℃)并将其混合。
基于100重量份的单体，添加0.5g光引发剂(Irgacure 651)并混合。将含有光引发剂的混合物直接涂覆在厚度为50μm的PET基底(由SKC制造，T7650等级)上，并用1J/cm2的UV剂量照射以制备包括厚度为50μm的聚合物树脂层的厚度为100μm的半成品。
聚合物树脂层的玻璃化转变温度被确定为-10℃，其通过动态机械分析仪Q-800(由TA Instruments制造)测量。
(2)胶粘层的制备
将7g基于TDI的异氰酸酯固化剂和3g光引发剂(Irgacure 184)与100g基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物树脂(由68.5重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、8.5重量份的丙烯酸甲酯(MA)和23重量份的丙烯酸羟基乙酯(HEA)的混合物共聚合)混合以制备粘合剂组合物。
将粘合剂组合物涂覆在有机硅离型PET膜上，然后在110℃下干燥3分钟以形成厚度为20μm的胶粘层。将厚度为20μm的胶粘层层合在包括聚合物树脂层和PET基底(由SKC制造，T7650等级)的半成品的PET基底上以制备背面研磨带。
[比较例1：背面研磨带的制备]
(1)聚合物树脂层的制备
以与实施例1中相同的方式制备包括聚合物树脂层的半成品，不同之处在于将25g聚碳酸酯氨基甲酸酯丙烯酸酯(分子量：30,000g/mol)、10g丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、15g丙烯酸2-羟基乙酯(2-HEA)、17g邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯(OPPEA)和33g丙烯酸异冰片酯(IBOA)混合。
聚合物树脂层的玻璃化转变温度被确定为22℃，其通过动态机械分析仪Q-800(由TA Instruments制造)测量。
(2)胶粘层的制备
以与上述实施例1中相同的方式在半成品上形成厚度为20μm的胶粘层。
[实验例：恢复率的测量]
通过以下方法测量上述实施例和比较例中制备的背面研磨带的恢复率，结果示于下表1中。
(1)对于实施例1和比较例1的背面研磨带，制备具有2.5cm的宽度和25cm的长度的样品。
(2)将样品的各端的2.5cm固定在测量仪器上，然后在室温下使用织构分析仪(texture analyzer)以拉伸模式在MD方向和TD方向上拉伸5％。测量在保持1分钟之后的恢复长度和拉伸长度。
恢复率测量为恢复长度相对于拉伸长度的百分比。
恢复率(％)＝(恢复长度/拉伸长度)*100
[表1]
参照表1，实施例1的背面研磨带在MD方向上的恢复率(％)与在TD方向上的恢复率(％)之差为5％。即，确定背面研磨带的恢复率之差小于某一水平，使得存在由于膨胀或收缩引起的较小变形，并且在背面研磨过程期间未发生切口收缩。
另一方面，确定比较例1的背面研磨带在MD方向上的恢复率(％)与在TD方向上的恢复率(％)之差为15％，使得在背面研磨过程期间发生切口收缩。