具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

为使本发明的叙述更加详尽与完备，下文针对本发明的实施态样与具体实施例提出说明性的描述，但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所发明的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节，以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，亦可在无此些特定细节的情况下实践本发明的实施例。

另外，空间相对用语，如「下」、「上」等，是用以方便描述一组件或特征与其他组件或特征在附图中的相对关系。这些空间相对用语旨在包含除了附图中所示的方位以外，装置在使用或操作时的不同方位。装置可被另外定位(例如旋转90度或其他方位)，而本文所使用的空间相对叙述亦可相对应地进行解释。

于本文中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则『一』与『该』可泛指单一个或多个。将进一步理解的是，本文中所使用的『包含』、『包括』、『具有』及相似词汇，指明其所记载的特征、区域、整数、步骤、操作、组件与/或组件，但不排除其它的特征、区域、整数、步骤、操作、组件、组件，与/或其中的群组。

本文中，术语「合并」在文中表示包括各种情况的合并，例如局部合并、全部合并、不连续合并等。例如，相邻的两个图案之间的原蚀刻线不经蚀刻，呈现出两个图案合并的样貌；原蚀刻线也可以保留部分蚀刻，呈现局部合并的样貌；原蚀刻线也可以部分不连续蚀刻，呈现不连续合并的样貌等。

以下列举数个实施例及实验例以更详尽阐述本发明之触控面板，然其仅为例示说明之用，并非用以限定本发明，本发明的保护范围当以后附的权利要求范围所界定者为准。

图1绘示本发明的一实施方式的触控面板的平面图。本实施方式的触控面板100为双层电极层的结构态样，包含第一金属纳米线层110及第二金属纳米线层120。此外，触控面板100还包含基板，本实施例为了让电极层的图案较为清楚的呈现，因此基板的部分省略而未绘示。在一些实施方式中，第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120是分别设置于基板的相对两侧表面；而在另外一些实施方式中，第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120可以是设置于基板的同一侧，并且第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120之间再通过一绝缘层来电性绝缘。上述第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120通过基板或绝缘层来电性绝缘设置，其中关于第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120的上、下层位置关系在此并非为本发明所限制，可依实际设计需求来进行调整。

于一些实施方式中，上述基板理想上为透明基板，详细而言，可以为一硬式透明基板或一可挠式透明基板，其材料可以选自玻璃、亚克力(polymethylmethacrylate；PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride；PVC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate；PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚苯乙烯(polystyrene；PS)、聚酰亚胺(polyimide；PI)、环烯烃聚合物(cyclo-olefin polymers；COP)等透明材料。

请再同时参阅图2及图3，图2绘示本发明的一实施方式的第一金属纳米线层的示意图，图3绘示本发明的一实施方式的一第二金属纳米线层的示意图。第一金属纳米线层110包含多个第一电极线111、多个第一轴线112和多个第一虚设图案113。其中，第一电极线111是沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排列设置，本实施方式中，第一方向例如是X轴方向；第二方向例如是Y轴方向，第一方向垂直于第二方向。第一轴线112沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排列设置，使得第一轴线112与多条第一电极线111相连接。

本实施方式中，相邻的两条第一电极线111彼此之间相距一预定距离，具体而言，相邻的两个第一电极线111彼此之间相距约0.8毫米至约1.7毫米。在一实施方式中，这些第一电极线111的线宽L11介于300微米至500微米之间；在一些实施例中，线宽L11为约300微米、约320微米、约340微米、约360微米、约380微米、约400微米、约420微米、约440微米、约460微米、约480微米、约500微米、或者此等值中任意两者之间的任何值。在一实施方式中，这些第一轴线112的线宽L12介于150微米至250微米之间。在一些实施例中，线宽L12为约150微米、约170微米、约200微米、约230微米、约250微米、或者此等值中任意两者之间的任何值。

此外，本实施方式的第一轴线112是举例与三条第一电极线111相连接，以形成第一金属纳米线层110中代表X轴向电极的一条第一电极1101，换言之，第一金属纳米线层110包含多条第一电极1101，而每一条第一电极1101是以三条第一电极线111为一组，每一条第一电极1101中的第一轴线112是以并联方式电性连接所述三条第一电极线111。

第一虚设图案113电性绝缘地设置于第一电极线111和第一轴线112以外的区域，也就是设置在各第一电极线111之间与各第一轴线112之间的区域。第一虚设图案113包含分别沿第一方向及第二方向延伸设置的多个第一蚀刻区域1130以及由第一蚀刻区域1130分隔开的多个第一虚设子图案1131，其中第一虚设子图案1131彼此之间因第一蚀刻区域1130的设置而电性绝缘。在一实施方式中，第一蚀刻区域1130是一线状，也就是构成蚀刻线的态样，具体可包含曲线及/或直线，蚀刻线的线宽D是介于15微米至25微米之间。在一些实施例中，线宽D为约15微米、约16微米、约18微米、约20微米、约22微米、约24微米、约25微米、或者此等值中任意两者之间的任何值。

第二金属纳米线层120包含多个第二电极线121和多个第二轴线122。第二电极线121是沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排列设置。第二轴线122是沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排列设置，使得第二轴线122与多条第二电极线121相连接。同样的，本实施方式的第二轴线122是举例与三条第二电极线121相连接，以形成第二金属纳米线层120中代表Y轴向电极的一条第二电极1201，换言之，第二金属纳米线层120包含多条第二电极1201，而每一条第二电极1201是以三条第二电极线121为一组，每一条第二电极1201中的第二轴线122是以并联方式电性连接所述三条第二电极线121。

本实施方式中，相邻的两条第二电极线121彼此之间相距一预定距离，具体而言，相邻的两条第二电极线121彼此之间相距约0.8毫米至约1.7毫米。在一实施方式中，这些第二电极线121的线宽L21介于300微米至500微米之间；在一些实施例中，线宽L21为约300微米、约320微米、约340微米、约360微米、约380微米、约400微米、约420微米、约440微米、约460微米、约480微米、约500微米、或者此等值中任意两者之间的任何值。在一实施方式中，这些第二轴线122的线宽L22介于150微米至250微米之间。在一些实施例中，线宽L22为约150微米、约170微米、约200微米、约230微米、约250微米、或者此等值中任意两者之间的任何值。

需进一步说明的是，由于第二轴线122的线宽L22相对小于第二电极线121的线宽L21，当第一蚀刻区域1130(蚀刻线)对应位于第二轴线122的垂直投影区域时，容易造成第一蚀刻区域1130(蚀刻线)的边缘与第二轴线122的边缘相对过于靠近而导致光学上可视的情况。更具体来讲，从触控面板的垂直投影方向来看，在第二轴线122(线宽L22)的两条边缘线之间若再形成有任何由蚀刻线所形成的区域(该区域至少具有两条边缘线)，如此一来，在第二轴线122的线宽L12的范围内会形成有四条边缘线间隔相对较靠近的情形而导致光学上可视。

请再参考图4，绘示图1、图2虚线方框A的放大示意图。为了避免图形过于复杂而不容易辨识，图4所示的仅以第一金属纳米线层110设置有第一虚设图案113来举例说明，实际上较佳是第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120都设置虚设图案。本实施方式的第一虚设图案113在只有第二轴线122的一垂直投影区域是不设置沿第一方向延伸设置的第一蚀刻区域1130。进一步说明的是，在第一虚设图案113中，第一蚀刻区域1130(蚀刻线)是分别沿第一方向及第二方向延伸并沿另一方向(第二方向及第一方向)间隔排列来设置，并且在第一方向或第二方向上相邻的两个第一蚀刻区域1130(蚀刻线)之间的间隔距离是大于第二轴线122的线宽L22。在一实施方式中，假设在第一方向及第二方向上是分别等间距排列设置，若原本沿第二方向排列的相邻两个第一虚设子图案1131之间的第一蚀刻区域1130(蚀刻线)于垂直投影方向是重叠于第二轴线122，则这两个相邻的第一虚设子图案1131是以合并的型态来设置，使得在第一金属纳米线层110的多个第一虚设子图案1131中，在垂直投影方向有至少部分重叠于第二轴线122的第一虚设子图案1131的面积是大于其他在垂直投影方向没有重叠于第二轴线122的第一虚设子图案1131的面积。

接下来，针对第二电极线121和第二轴线122的交叉处V的设计，由于第二轴线122在此交叉处V有第二电极线121沿第二方向上的延伸设置，因此第二轴线122在此交叉处V并不会构成蚀刻边缘，也就是对应设置在此交叉处V的第一蚀刻区域1130(蚀刻线)不存在有与第二轴线122的边缘距离远近的问题。因此，在一些实施方式中，第一虚设图案113在第二电极线121和第二轴线122的交叉处V的垂直投影区域可设置沿第一方向延伸设置的第一蚀刻区域1130(蚀刻线)。

补充说明的是，本实施方式的第一电极线111和第二电极线121是例如设计为长条状的电极线，也就是类似细长型的电极线，其中所谓的长条状更可包含直线形、正弦波形或弯折线形。此外，本实施方式的第一方向是指广义的X轴方向，而第二方向是指广义的Y轴方向，因此正弦波形或弯折线形的长条状电极线，可以是从其中心线的方向来决定。而为了降低触控面板100的电极图案可视的程度，同时也能提高金属纳米线层的弯折能力，第一电极线111和第二电极线121较佳是设计为本实施例所绘示的正弦波形的长条状电极线，也就是所谓的S型电极线。此外，第一轴线112和第二轴线122的设计是加强第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120的结构完整性，当第一电极1101中的至少其中一条第一电极线111或第二电极1201中的至少其中一条第二电极线121发生断裂时，可以避免第一电极1101及/或第二电极1201的阻抗值异常升高，维持触控感测功能。

请复参阅图3，为了降低触控面板的触控电极的可视性问题，较佳是在第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120两层皆设置虚设图案，因此在一实施方式中，第二金属纳米线层120还包含第二虚设图案123。第二虚设图案123的设计大致与第一虚设图案113的设计相同，差异点只在于两者是针对不同轴向的电极来设计。

第二虚设图案123电性绝缘地设置于第二电极线121和第二轴线122以外的区域，也就是设置在各第二电极线121之间与各第二轴线122之间的区域。第二虚设图案123包含分别沿第一方向及第二方向延伸设置的多个第二蚀刻区域1230以及由第二蚀刻区域1230分隔开的多个第二虚设子图案1231，其中第二虚设子图案1231彼此之间因第二蚀刻区域1230的设置而电性绝缘。在一实施方式中，第二蚀刻区域1230是一线状，也就是构成蚀刻线的态样，具体可包含曲线及/或直线，蚀刻线的线宽D是介于15微米至25微米之间。在一些实施例中，线宽D为约15微米、约16微米、约18微米、约20微米、约22微米、约24微米、约25微米、或者此等值中任意两者之间的任何值。

此外，请再参考图5，绘示图1、图3虚线方框B的放大示意图。为了避免图形过于复杂而不容易辨识，图5所示的也仅仅以第二金属纳米线层120设置有第二虚设图案123来举例说明，实际上较佳是第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120都设置虚设图案。本实施方式的第二虚设图案123在只有第一轴线112的一垂直投影区域是不设置沿第二方向延伸设置的第二蚀刻区域1230，此外，在第二虚设图案123中，第二蚀刻区域1230(蚀刻线)是分别沿第一方向及第二方向延伸并沿另一方向(第二方向及第一方向)间隔排列来设置，并且在第一方向或第二方向上相邻的两个第二蚀刻区域1230(蚀刻线)之间的间隔距离是大于第一轴线112的线宽L12。使得在第二金属纳米线层120的多个第二虚设子图案1231中，在垂直投影方向有至少部分重叠于第一轴线112的第二虚设子图案1231的面积是大于其他在垂直投影方向没有重叠于第一轴线112的第二虚设子图案1231的面积。

进一步的，针对第一电极线111和第一轴线112的交叉处W的设计，由于第一轴线112在此交叉处W有第一电极线111沿第一方向上的延伸设置，因此第一轴线112在此交叉处W并不会构成蚀刻边缘，也就是对应设置在此交叉处W的第二蚀刻区域1230(蚀刻线)不存在有第一轴线112的边缘距离远近的问题。因此，在一些实施方式中，第二虚设图案123在第一电极线111和第一轴线112的交叉处W的垂直投影区域可设置沿第二方向延伸设置的第二蚀刻区域1230(蚀刻线)。

接下来，进一步说明第一金属纳米线层110和第二金属纳米线层120的具体制作方法，两层的制作方法相同，以下仅以第一金属纳米线层110来代表说明。第一金属纳米线层110是以含有金属纳米线的分散液或浆料经涂布、干燥/固化成型及图案化步骤等步骤所形成。

所述涂布步骤例如但不限于：网版印刷、喷头涂布、滚轮涂布等工艺；在一种实施例中，可采用卷对卷(roll to roll)工艺将含有金属纳米线的分散液或浆料涂布于连续供应的基板的表面。所述具有金属纳米线的分散液可为溶剂，如水、醇、酮、醚、烃或芳族溶剂(苯、甲苯、二甲苯等等)；上述分散液亦可包含添加剂、接口活性剂或黏合剂，例如羧甲基纤维素(carboxymethyl cellulose；CMC)、2-羟乙基纤维素(hydroxyethyl Cellulose；HEC)、羟基丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose；HPMC)、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸盐、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性剂等等。而所述的金属纳米线(metalnanowires)层，例如可为纳米银线(silver nanowires)层、纳米金线(gold nanowires)层或纳米铜线(copper nanowires)层所构成；更详细的说，本文所用的「金属纳米线(metalnanowires)」是为一集合名词，其指包含多个元素金属、金属合金或金属化合物(包括金属氧化物)之金属线的集合，其中所含金属纳米线的数量，并不影响本发明所主张的保护范围；且单一金属纳米线的至少一个截面尺寸(即截面的直径)小于500nm，较佳小于100nm，且更佳小于50nm；而本发明所称之为「线(wire)」的金属纳米结构，主要具有高的纵横比，例如介于10至100,000之间，更详细的说，金属纳米线的纵横比(长度：截面的直径)可大于10，较佳大于50，且更佳大于100；金属纳米线可以为任何金属，包括(但不限于)银、金、铜、镍及镀金之银。而其他用语，诸如丝(silk)、纤维(fiber)、管(tube)等若同样具有上述的尺寸及高纵横比，亦为本发明所涵盖的范畴。

在部分实施方式中，金属纳米线可以是纳米银线(Silver nanowires)或纳米银纤维(Silver nanofibers)，其可以具有平均约20至100纳米的直径，平均约20至100微米的长度，较佳为平均约20至70纳米的直径，平均约20至70微米的长度(即纵横比为1000)。于部分实施方式中，金属纳米线的直径可介于70纳米至80纳米，而长度约8微米。

所述固化/干燥步骤主要是让溶剂等物质被挥发，使得金属纳米线以随机的方式分布于基板的表面；较佳的，金属纳米线会固着于基板的表面上而不至脱落而形成所述的第一金属纳米线层110，且金属纳米线可彼此接触以提供连续电流路径，进而形成一导电网络(conductive network)。

此外，在一些实施方式中，可设置一底涂层(overcoat，图未示)于第一金属纳米线层110上，经过固化后，使底涂层与第一金属纳米线层110构成复合结构层。在一实施方式中，可将合适的聚合物或其混和物以涂布方法成型于第一金属纳米线层110上，所述的聚合物会渗入金属纳米线之间而形成填充物，并施以固化步骤以形成底涂层，换言之，金属纳米线可视为嵌入底涂层之中。在一具体实施方式，固化步骤可为：利用加热烘烤的方式(温度在约60℃到约150℃)将上述聚合物或其混和物形成底涂层于第一金属纳米线层110上。本发明并不限定底涂层与第一金属纳米线层110之间的实体结构，例如底涂层与第一金属纳米线层110可为两层结构的堆栈，或者底涂层与第一金属纳米线层110可相互组合而形成一复合层。优选的，金属纳米线为嵌入底涂层之中而形成复合型态，并在后续的工艺中被图案化。

上述的聚合物较佳的可赋予金属纳米线某些特定的化学、机械及光学特性，例如提供金属纳米线与基板的黏着性，或是较佳的实体机械强度，故底涂层又可被称作基质(matrix)。又一方面，使用某些特定的聚合物制作底涂层，使金属纳米线具有额外的抗刮擦及磨损的表面保护，采用诸如聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚胺基甲酸酯、聚硅烷、聚硅氧、聚(硅-丙烯酸)等可使金属纳米线具有较高的表面强度以提高耐刮能力。再者，前述聚合物中可添加交联剂、聚合抑制剂、稳定剂(例如但不限于抗氧化剂、紫外光稳定剂(UVstabilizers))、界面活性剂或上述之类似物或混合物以提高复合结构CS的抗紫外线能力或达成较长保存期限。

此外，前述的金属纳米线可进一步进行后处理以提高其导电度，此后处理可为包括如加热、等离子体、电晕放电、UV臭氧或压力之的过程步骤。例如，在固化形成第一金属纳米线层110的步骤后，可利用滚轮施加压力于其上，在一实施例中，可通过一或多个滚轮向金属纳米线层施加50至3400psi的压力，较佳为可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi的压力。于部分实施方式中，可同时进行加热与压力之后处理；详言之，所形成的金属纳米线可经由如上文所述之一或多个滚轮施加压力，并同时加热，例如由滚轮施加之压力为10至500psi，较佳为40至100psi；同时将滚轮加热至约70℃与200℃之间，较佳至约100℃与175℃之间，其可提高第一金属纳米线层110的导电度。于部分实施方式中，金属纳米线较佳可暴露于还原剂中进行后处理，例如包含纳米银线的金属纳米线较佳可暴露于银还原剂中进行后处理，银还原剂包括硼氢化物，如硼氢化钠；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷(DMAB)；或气体还原剂，诸如氢气(H₂)。而所述的暴露时间约10秒至约30分钟，较佳约1分钟至约10分钟。而上述施加压力之步骤可依实际的需求实施在适当的步骤中。

最后，所述的图案化步骤可例如在固化后的第一金属纳米线层110上进行曝光/显影(即熟知的微影工艺)及蚀刻，以制作出第一电极1101及第一虚设图案113的图案。在一实施方式中，第一金属纳米线层110较佳地具有以下特性：可见光(例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)可大于约80％，且表面电阻率(surface resistance)在约10至1000奥姆/平方(ohm/square)之间；较佳地，纳米线层的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)大于约85％，且表面电阻率(surfaceresistance)在约50至500奥姆/平方(ohm/square)之间。

本发明的一些实施方式中，具虚设图案的触控面板可以做为触控显示设备中的触控感测膜(图未示)。触控感测膜位于液晶显示模块之上，玻璃盖板设置于触控感测膜之上。触控感测膜与玻璃盖板及液晶显示模块之间，分别以光学胶体(OCA)进行黏合。触控感测膜的两侧可以具有保护层，例如保护油墨(protect ink)加以保护。

于本发明的多个实施方式中，在两层电极层的触控面板中，通过虚设图案的设计，当其中一层金属纳米线层的虚设图案中的蚀刻区域在垂直投影方向上至少部分重叠于另一层金属纳米线层的轴线时，进行虚设图案的合并设计，不仅可使整体视觉上图形的可视性降低，同时也不会因虚设图案的设计反而导致蚀刻线密集而可视的情形。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。