阅读说明：本技术 显示装置 (Display device ) 是由 裵寅浚 金喆镐 朴允桓 全珍 崔凡洛 于 2019-10-11 设计创作，主要内容包括：本发明的一实施例公开了一种显示装置,包括：基板,包括配备有主像素的显示区域和配备有辅助像素和透过部的电子组件区域；以及电子组件,通过所述透过部向所述基板外发送预定信号,在电子组件和辅助像素的辅助薄膜晶体管之间布置有在平面上遮挡所述辅助薄膜晶体管的整个半导体层的阻断层。(An embodiment of the present invention discloses a display device, including: a substrate including a display region provided with main pixels and an electronic component region provided with auxiliary pixels and a transmission portion; and an electronic component which transmits a predetermined signal to the outside of the substrate through the transmission portion, and a blocking layer which blocks an entire semiconductor layer of the auxiliary thin film transistor on a plane is disposed between the electronic component and the auxiliary thin film transistor of the auxiliary pixel.)

显示装置

技术领域

本发明的实施例涉及显示装置。

背景技术

近来，显示装置的用途正在多样化。并且，趋势是显示装置的厚度变薄，重量变轻，从而使用范围逐渐变广。

随着显示装置被多样化地使用，可以采用多种方法来设计显示装置的形态，并且能够嫁接或者关联到显示装置的功能正在增加。

发明内容

本发明的实施例可以提供在显示区域的内侧配备有布置传感器等组件的传感器区域的显示装置。尤其是，可以提供阻挡因组件导致的元件损伤的阻断层的布置结构得到改善的显示装置。然而这些课题仅为示例性的，本发明的范围并不限于此。

本发明的实施例提供一种显示装置，包括：基板，包括配备有主像素的显示区域及配备有辅助像素和透过部的电子组件区域；以及电子组件，通过所述透过部向所述基板外发送预定信号，其中，所述辅助像素配备有包括半导体层的辅助薄膜晶体管，在所述电子组件和所述辅助薄膜晶体管之间布置有在平面上遮挡所述辅助薄膜晶体管的整个所述半导体层的阻断层。

所述阻断层可以具有与所述辅助薄膜晶体管的所述半导体层的图案相同的图案。

所述阻断层的图案的宽度可以大于所述辅助薄膜晶体管的所述半导体层的图案的宽度。

所述阻断层可以包括与所述辅助薄膜晶体管的所述半导体层的图案不同的图案。

所述阻断层的厚度可以为以上。

在所述辅助薄膜晶体管和所述阻断层之间以及所述阻断层和所述基板之间可以分别存在缓冲层。

所述辅助像素还可以包括与所述辅助薄膜晶体管连接的有机发光元件。

所述主像素配备有包括半导体层的主薄膜晶体管，在所述电子组件和所述主薄膜晶体管之间也可以布置有在平面上遮挡所述主薄膜晶体管的整个所述半导体层的阻断层。

所述主像素还可以包括与所述主薄膜晶体管连接的有机发光元件。

所述预定信号可以包括光信号和音响信号中的任意一个。

通过以下的附图、权利要求书的范围以及发明的详细说明，前述以外的其他特征、优点将变得明确。

附图说明

图1是概略示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。

图2是沿图1的A-A'线截取的剖面图。

图3是图1的平面图。

图4是示出图1所示的显示面板的传感器区域周围的辅助像素和主像素的概略布置的平面图。

图5是示出将图4的辅助像素放大的平面图。

图6是仅摘取图5中的半导体层和阻断层而示出的平面图。

图7a是示出沿图6的B-B'线截取的剖面图。

图7b作为图7a的比较例，是描述阻断层仅在半导体层的一部分区域下部的情形下的断线状况的剖面图。

图8是图4的剖面图。

图9a至图9d是示出图6示出的阻断层的可变形结构的平面图。

图10是根据本发明的另一实施例的显示面板的概略性剖面图。

具体实施方式

本发明可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，在附图中示出特定实施例，并在具体实施方式中进行详细说明。参考与附图一起在后面详细描述的实施例，能够明确本发明的效果与特征以及达成所述效果与特征的方法。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。

以下，将参照附图详细说明本发明的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对其重复说明。

在以下实施例中，除非在上下文中明确表示不同含义，否则单数的表述包含复数的表述。

在以下实施例中，包含或者具有等术语表示记载于说明书上的特征或者构成要素的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或者构成要素的添加可能性。

为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，以任意的大小及厚度示出了附图中示出的各个构成的大小及厚度，因此本发明并不一定限于附图中示出的内容。

当某实施例可以被实现为不同时，特定的工序可以与所说明的顺序不一样地被执行。例如，连续说明的两道工序可以实质上同时被执行，也可以以与所说明的顺序相反的顺序进行。

图1是概略示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。

参照图1，显示装置1包括实现图像的显示区域DA和不实现图像的非显示区域NDA。显示装置1可以利用从布置在显示区域DA的多个主像素Pm发出的光而提供主图像。

显示装置1包括传感器区域SA。传感器区域SA如将参照图2后述的一样，可以是在其下部布置有利用光信号或者音响信号的传感器等组件20的区域。传感器区域SA可以包括从组件20向外部输出或者从外部向组件20传播的光信号和/或音响信号能够透过的透过部TA。作为本发明的一实施例，在红外线通过传感器区域SA而透过的情形下，透光率可以是大约10％以上，更优选地，可以是20％以上，或者25％以上，或者50％以上，或者85％以上，或者90％以上。

在本实施例中，在传感器区域SA可以布置有多个辅助像素Pa，可以利用从所述多个辅助像素Pa发出的光而提供预定的图像。从传感器区域SA提供的图像作为辅助图像，其分辨率可低于从显示区域DA提供的图像。即，由于传感器区域SA具有可使光信号和/或音响信号透过的透过部TA，因此，可以布置在传感器区域SA的每单位面积辅助像素Pa的数量可少于布置在显示区域DA的每单位面积的主像素Pm的数量。

传感器区域SA可以被显示区域DA围绕至少一部分，作为一实施例，

图1示出了传感器区域SA被显示区域DA全部围绕的情形。

以下，虽然将有机发光显示装置作为根据本发明的实施例的显示装置1的示例进行了说明，但本发明的显示装置并不限于此。作为另一实施例，也可以使用诸如无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display)、量子点发光显示装置(Quantum dot LightEmitting Display)等多种方式的显示装置。

虽然图1中示出了传感器区域SA布置在四边形的显示区域DA的一侧(右上侧)的情形，但本发明不限于此。显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或者诸如三角形或五角形的多边形，并且传感器区域SA的位置和数量显然也可以进行多种改变。

图2是简略地示出根据本发明的实施例的显示装置的剖面图，可对应于根据图1的A-A'线的剖面。

参照图2，显示装置1可以包括包含显示要素的显示面板10以及对应于传感器区域SA的组件20。

显示面板10可以包括：基板100；显示要素层200，布置在基板100上；薄膜封装层300，作为密封所述显示要素层200的密封部件。并且，显示面板10还可以包括布置在基板100的下部的下部保护膜175。

基板100可以包括玻璃或高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(PES：polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI：polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN：polyethylene napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(PPS：polyphenylene sulfide)、聚芳酯(PAR：polyarylate)、聚酰亚胺(PI：polyimide)、聚碳酸酯(PC：polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(CAP：cellulose acetate propionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或者可弯曲特性。基板100可以是包括包含前述的高分子树脂的层以及无机层(未示出)的多层结构。

显示要素层200可以包括包含主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'的电路层、作为显示要素的有机发光元件OLED以及位于它们的外围的绝缘层IL、IL'。

在显示区域DA可以布置有包括主薄膜晶体管TFT和与其连接的有机发光元件(OLED：organic light-emitting diode)的主像素Pm，在传感器区域SA可以布置有包括辅助薄膜晶体管TFT'和与其连接的有机发光元件(OLED：organic light-emitting diode)的辅助像素Pa以及布线WL。

并且，在传感器区域SA可以布置有透过部TA，在透过部TA没有布置辅助薄膜晶体管TFT'以及显示要素。透过部TA可以被理解为使从组件20发出的光信号和/或音响信号或者入射到组件20的光信号和/或音响信号透过(transmission)的区域。

组件20可以位于传感器区域SA。组件20可以是利用光或者音响的电子要素。例如，组件20可以是诸如红外线传感器的将光接收而利用的传感器、输出和感测光或者音响而检测距离或者识别指纹等的传感器、发出光的小型灯或者输出声音的扬声器等。当组件20为利用光的电子要素的情况下，显然可以利用可见光、红外线光、紫外线光等多种波段的光。布置在传感器区域SA的组件20的数量可以配备为多个。例如，发光元件和光接收元件可以作为组件20而一起布置在一个传感器区域SA。或者，可以在一个组件20同时配备有发光部和光接收部。这里，组件20不仅可以是利用光或音响的电子要素或传感器，也可以是不是传感器的其他电子要素(即，电子组件)。并且，组件20是电子要素(即，电子组件)，因此传感器区域SA也可以称为电子组件区域。

本实施例中，在传感器区域SA可以布置有阻断层BSM。阻断层BSM可以在布线WL下部和辅助薄膜晶体管TFT'的下部与布线WL和辅助薄膜晶体管TFT'对应地布置。阻断层BSM可以防止外部光到达包括布线WL和辅助薄膜晶体管TFT'等的辅助像素Pa。例如，防止从组件20射出的光到达布线WL和辅助像素Pa。

此外，在阻断层BSM施加有恒定电压或者信号，因此可以防止因静电放电导致的像素电路的损伤。并且，该阻断层BSM尤其在针对所述辅助像素Pa的平面上的布置关系也具有特征，对此将在后面进行详细的说明。

薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。与此相关地，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及其之间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化铊、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一个以上的无机绝缘体。

有机封装层320可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或者它们的任意组合。

下部保护膜175贴附在基板100的下部，可以起到支撑并保护基板100的作用。下部保护膜175可以配备有对应于传感器区域SA的开口175OP。可以通过在下部保护膜175配备开口175OP而提高传感器区域SA的透光率。下部保护膜175可以配备为包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethyeleneterepthalate)或聚酰亚胺(PI：polyimide)。

传感器区域SA的面积可以配备为大于布置组件20的面积。据此，配备于下部保护膜175的开口175OP的面积可能与所述传感器区域SA的面积不一致。例如，开口175OP的面积可以配备为小于传感器区域SA的面积。

虽然未示出，但在显示面板10上还可以布置有诸如感测触摸输入的输入感测部件、包括偏振器(polarizer)和延迟器(retarder)或者滤色器和黑色矩阵的防反射部件以及透明窗的构成要素。

此外，虽然本实施例中示出了利用薄膜封装层300作为密封显示要素层200的封装部件的情形，但本发明并不限于此。例如，也可以利用借助密封剂(sealant)或者玻璃料(frit)粘合到基板100的密封基板作为密封显示要素层200的部件。

图3是更加详细地示出图1的平面上的布线结构的平面图。

参照图3，显示面板10包括布置在显示区域DA的多个主像素Pm。主像素Pm分别可以包括诸如有机发光元件的显示要素。各主像素Pm可以通过有机发光元件而发出例如红色、绿色、蓝色或者白色的光。本说明书中的主像素Pm可以理解为如前所述的发出红色、绿色、蓝色、白色中的任意一个颜色的光的像素。显示区域DA被在前面参照图2而说明的封装部件覆盖而可以免受外部气体或者水分等影响。

传感器区域SA可以布置在显示区域DA的内侧，在传感器区域SA布置有多个辅助像素Pa。辅助像素Pa中的每一个可以包括诸如有机发光元件的显示要素。各辅助像素Pa可以通过有机发光元件而发出例如红色、绿色、蓝色或者白色的光。在本说明书中，辅助像素Pa可以理解为发出如前所述的红色、绿色、蓝色、白色中的任意一个颜色的光的像素。此外，在传感器区域SA可以配备有布置在辅助像素Pa之间的透过部TA。

在一实施例中，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，本发明并不限于此。包括于主像素Pm的像素电路和包括于辅助像素Pa的像素电路显然可以彼此不同。

传感器区域SA配备有透过部TA，传感器区域SA的分辨率可以低于显示区域DA。例如，传感器区域SA的分辨率可以是显示区域DA的大约1/2。在部分实施例中，显示区域DA的分辨率可以是400ppi以上，传感器区域SA的分辨率可以为大约200ppi。

各像素Pm、Pa可以与布置在非显示区域NDA的外廓电路电连接。在非显示区域NDA可以布置有第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源供应布线160以及第二电源供应布线170。

第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL而向各像素Pm、Pa提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以通过发光控制线EL而向各像素Pm、Pa提供发光控制信号。第二扫描驱动电路120可以隔着显示区域DA而与第一扫描驱动电路110并排布置。布置在显示区域DA的像素Pm、Pa中的一部分可以与第一扫描驱动电路110电连接，其余可以连接到第二扫描驱动电路120。作为另一实施例，第二扫描驱动电路120可以被省略。

端子140可以布置在基板100的一侧。端子140可以不被绝缘层覆盖而暴露，从而与印刷电路基板PCB电连接。印刷电路基板PCB的端子PCB-P可以与显示面板10的端子140电连接。印刷电路基板PCB可以将控制部(未示出)的信号或者电源传递到显示面板10。从控制部生成的控制信号可以通过印刷电路基板PCB而分别传递到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制部可以通过第一连接布线161和第二连接布线171而向第一电源供应布线160、第二电源供应布线170分别提供第一电源(ELVDD)和第二电源(ELVSS)。第一电源电压(ELVDD)可以通过与第一电源供应布线160连接的驱动电压线PL而提供到各像素Pm、Pa，第二电源电压(ELVSS)可以提供到与第二电源供应布线170连接的各像素Pm、Pa的对向电极。

数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接布线151和连接到连接布线151的数据线DL而提供到各像素Pm、Pa。虽然图3示出了数据驱动电路150布置在印刷电路基板PCB的情形，但作为另一实施例，数据驱动电路150可以布置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140和第一电源供应布线160之间。

第一电源供应布线(first power supply line)160可以包括隔着显示区域DA而在x方向上并排延伸的第一子布线162和第二子布线163。第二电源供应布线(second powersupply line)170可以以一侧开放的环形形状部分围绕显示区域DA。

图4是仅简略示出各一个存在于传感器区域SA的辅助像素Pa和透过部TA以及与传感器区域SA相邻的主像素Pm的平面图，在辅助像素Pa和主像素Pm分别布置有半导体层1130。该半导体层1130作为分别配备于辅助像素Pa和主像素Pm的所述辅助薄膜晶体管TFT'和主薄膜晶体管TFT的有源层的要素，其两侧以相同的图案形成。在此，仅摘取辅助像素Pa和主像素Pm的半导体层1130而简略示出的理由在于，在说明后续的图5的复杂布线之前，简略提及本实施例中为了将半导体层1130从组件20的光信号和音响信号较好地阻断而布置了阻断层BSM的特征。即，本实施例具有用阻断层BSM很好地遮挡半导体层1130以使其不会被组件20的信号干扰而发生漏电流等的特征。此特征稍后将在图6进行说明。

图5是将布置在包括辅助薄膜晶体管TFT'的辅助像素Pa的各种布线重叠而示出的平面图，所述辅助薄膜晶体管TFT'包括作为构成要素而配备这种半导体层1130的驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化驱动薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化驱动薄膜晶体管T7的七个辅助薄膜晶体管。可以认为主像素Pm也具有与此相同的布线的布置结构。

如图5所示，辅助薄膜晶体管TFT'构成为驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化驱动薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化驱动薄膜晶体管T7沿半导体层1130而布置的结构。半导体层1130布置在形成有作为无机绝缘物质的第一缓冲层111a(参照图8)的基板100上。

所述半导体层1130的一部分区域相当于驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化驱动薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化驱动薄膜晶体管T7的有源层。换句话说，可以理解为驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化驱动薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化驱动薄膜晶体管T7的有源层彼此连接并且以多种形状弯曲。以下将有源层也统一称为半导体层。

下面将简略介绍所述7个辅助薄膜晶体管TFT'。

首先，驱动薄膜晶体管T1包括与驱动沟道区域重叠的驱动栅电极G1和驱动沟道区域两侧的驱动源电极S1以及驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区域可以通过具有诸如欧米伽(Ω)形状的弯曲的形状而在窄的空间内形成长的沟道长度。在驱动沟道区域的长度长的情形下，由于栅极电压的驱动范围(driving range)变广，因此可以更加精细地控制从有机发光元件OLED发出的光的色阶，从而可以提高显示品质。

开关薄膜晶体管T2包括与开关沟道区域重叠的开关栅电极G2和开关沟道区域两侧的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以与驱动源电极S1连接。

补偿薄膜晶体管T3作为双薄膜晶体管，可以配备有与两个补偿沟道区域重叠的补偿栅电极G3，并且可以包括布置在两侧的补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿薄膜晶体管T3可以通过后述的节点连接线1174而与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接。

第一初始化驱动薄膜晶体管T4作为双薄膜晶体管，可以配备有与两个

第一初始化沟道区域重叠的第一初始化栅电极G4，可以包括布置在两侧的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。

操作控制薄膜晶体管T5可以包括与操作控制沟道区域重叠的操作控制栅电极G5和位于两侧的操作控制源电极S5以及操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以与驱动源电极S1连接。

发光控制薄膜晶体管T6可以包括与发光控制沟道区域重叠的发光控制栅电极G6和位于两侧的发光控制源电极S6以及发光控制漏电极D6。发光控制源电极S6可以与驱动漏电极D1连接。

第二初始化驱动薄膜晶体管T7可以包括与第二初始化沟道区域重叠的第二初始化栅电极G7以及位于两侧的第二初始化源电极S7以及第二初始化漏电极D7。

前述的辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到信号线(扫描线SL)、先前扫描线SL-1、发光控制线EL以及数据线DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。

前述的半导体层1130上可以隔着(多个)绝缘层而布置有扫描线SL、先前扫描线SL-1、发光控制线EL以及驱动栅电极G1。

扫描线SL可以沿第一方向延伸。扫描线SL的一区域可以相当于开关栅电极G2和补偿栅电极G3。例如，扫描线SL中与开关薄膜晶体管T2的开关沟道和补偿薄膜晶体管T3的两个补偿沟道区域重叠的区域分别可以是开关栅电极G2和补偿栅电极G3。

先前扫描线SL-1沿第一方向延伸，并且一部分区域分别可以相当于第一初始化栅电极G4、第二初始化栅电极G7。例如，先前扫描线SL-1中与第一驱动薄膜晶体管T4的两个第一初始化沟道区域和第二初始化驱动薄膜晶体管T7的第二初始化沟道区域重叠的区域可以分别是第一初始化栅电极G4、第二初始化栅电极G7。

发光控制线EL沿第一方向延伸。发光控制线EL的一区域分别可以相当于操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6。例如，发光控制线EL中与操作控制薄膜晶体管T5的操作控制沟道区域和发光控制薄膜晶体管T6的发光控制沟道区域重叠的区域分别可以是操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6。

驱动栅电极G1作为浮置电极，可以借助前述的节点连接线1174而与补偿薄膜晶体管T3连接。

在前述的扫描线SL、先前扫描线SL-1、发光控制线EL以及驱动栅电极G1上可以隔着(多个)绝缘层而布置有电极电压线HL。

电极电压线HL可以以与数据线DL和驱动电压线PL交叉的方式沿第一方向延伸。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，并且可以与驱动栅电极G1一起形成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以成为存储电容器Cst的第一存储蓄电板CE1，电极电压线HL的一部分可以成为存储电容器Cst的第二存储蓄电板CE2。

存储电容器Cst的第二存储蓄电板CE2与驱动电压线PL电连接。与此相关地，电极电压线HL可以通过接触孔CNT而与布置在电极电压线HL上的驱动电压线PL连接。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。例如，电极电压线HL可以具有+5V的恒定电压。电极电压线HL可以理解为横方向驱动电压线。

由于驱动电压线PL沿第二方向延伸，并且与驱动电压线PL电连接的电极电压线HL沿与第二方向交叉的第一方向延伸，因此多个驱动电压线PL和电极电压线HL可以在显示区域构成网状结构(mesh structure)。

在电极电压线HL上可以隔着(多个)绝缘层而布置有数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173以及节点连接线1174。

数据线DL沿第二方向延伸，并且可以通过接触孔1154而连接到开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以理解为开关源电极。

驱动电压线PL沿第二方向延伸，并且如前所述，通过接触孔CNT而连接到电极电压线HL。并且，可以通过接触孔1155而连接到操作控制薄膜晶体管T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155而连接到操作控制漏电极D5。

初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接到第一初始化驱动薄膜晶体管T4和第二初始化驱动薄膜晶体管T7，另一端可以通过接触孔1151而连接到初始化电压线VL。

节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156而连接到补偿漏电极D3，另一端可以通过接触孔1157而连接到驱动栅电极G1。

数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173以及节点连接线1174上可以隔着(多个)绝缘层而布置有初始化电压线VL。

初始化电压线VL沿第一方向延伸。初始化电压线VL可以通过初始化连接线1173而连接到第一初始化驱动薄膜晶体管T4和第二初始化驱动薄膜晶体管T7。初始化电压线VL可以具有恒定电压(例如，-2V等)。

初始化电压线VL可以布置在与有机发光元件OLED(图8)的像素电极210相同的层上，并且可以包括相同的物质。像素电极210可以连接到发光控制薄膜晶体管T6。像素电极210通过接触孔1163而连接到连接金属1175，连接金属1175可以通过接触孔1153而连接到发光控制漏电极D6。

如以上所观察，所述辅助薄膜晶体管TFT'的半导体层1130布置在基板100上而构成多个薄膜晶体管T1-T7的主要层。但是，如果所述组件20的光信号或者音响信号被直接传递到该半导体层1130，则会在各薄膜晶体管T1-T7产生漏电流而作用为妨碍正确操作的要素。

因此，为了防止这个问题，如图6所示地在半导体层1130之下形成阻断层BSM。该阻断层BSM布置在位于基板100的下方的组件20和位于基板100上部的半导体层1130之间，从而起到阻断由所述组件20输出的光信号或者音响信号而使其不会直接传递到半导体层1130的功能。阻断层BSM主要由Mo材质形成，为了充分执行这种阻断功能，厚度t1(参照图7a)需要在以上。然而，如果将这种具有以上厚度的阻断层BSM仅形成在半导体层1130下面的一部分区域，例如仅是薄膜晶体管T1～T7所存在的位置，则由于阶梯差，会增加半导体层1130发生断线的风险。因此，为了防止这个问题，在本实施例中通过将阻断层BSM形成为与半导体层1130相同的图案而遮挡半导体层1130的整个区域。当然，为了更加稳定的阻断功能，阻断层BSM的宽度W2形成为大于半导体层1130的宽度W1(W1<W2)。

在此，因所述阶梯差导致的断线问题可以如图7a和图7b一样地理解。图7a是沿图6的B-B'线截取的本实施例的结构，图7b作为比较例，是示出阻断层BSM仅在半导体层1130的部分区域下部的情形的剖面图。

首先，图7a是在半导体层1130的整个区域之下形成阻断层BSM的本实施例的结构，由于半导体层1130不需要上下经过由于阻断层BSM而产生的阶梯差，而仅位于阻断层BSM之上，因此从根源上不会产生因阶梯差导致的断线问题。

但是，如果如图7b所述地，阻断层BSM仅在半导体层1130的部分区域之下，则半导体层1130会经过由于阻断层BSM而形成的阶梯差，此时，阻断层BSM越厚，则阶梯差越严重，从而容易形成如图所示的断线部位1130a。因此，在本实施例，通过如图6所示地将阻断层BSM形成为与半导体层1130相同的图案，从而遮挡半导体层1130的整个区域，从根源上消除了因阶梯差导致的发生断线的危险。

以下，参照图8观察具有如上所述的特征的薄膜晶体管的辅助像素Pa和主像素Pm的剖面结构。可以视为进一步详细示出在图2中概略示出的基板100上的层叠结构。

换句话说，基板100可以包括玻璃或者高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(PES：polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI：polyetherimide)、聚萘二甲酸(PEN：polyethylene napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(PPS：polyphenylene sulfide)、聚芳酯(PAR：polyarylate)、聚酰亚胺(PI：polyimide)、聚碳酸酯(PC：polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(CAP：cellulose acetate propionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或者可弯曲特性。基板100可以是包含包括前述的高分子树脂的层以及无机层(未示出)的多层结构。

缓冲层111位于基板100上，可以减少或者阻断来自基板100的下部的异物、湿气或者外气的渗透，并且可以在基板100上提供平坦面。缓冲层111可以由诸如氧化物或氮化物的无机物、有机物或者有机和无机复合物，可以由无机物和有机物的单层或者多层结构构成。基板100和缓冲层111之间还可以包括阻断外部气体渗透的阻挡层(未示出)。缓冲层111可以配备为层叠第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。

在半导体层1130上隔着第一栅极绝缘层112而布置有栅电极G。栅电极G可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以构成为单层或者多层。作为一例，栅电极G可以是Mo的单层。扫描线SL、先前扫描线SL-1以及发光控制线EL可以与栅电极G形成在同一层。即，栅电极G、扫描线SL、先前扫描线SL-1以及发光控制线EL可以布置在第一栅极绝缘层112上。

第一栅极绝缘层112可以包括硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiN_x)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al₂O₃)、钛氧化物(TiO₂)、钽氧化物(Ta₂O₅)、铪氧化物(HfO₂)或者锌氧化物(ZnO₂)等。

第二栅极绝缘层113可配备为覆盖栅电极G。第二栅极绝缘层113可以包括硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiN_x)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al₂O₃)、钛氧化物(TiO₂)、钽氧化物(Ta₂O₅)、铪氧化物(HfO₂)或者锌氧化物(ZnO₂)等。

在层间绝缘层115上可以布置有有源电极S和漏电极D以及驱动电压线PL。源电极S和漏电极D以及驱动电压线PL可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包括所述材料的单层或者多层。

所述漏电极D与有机发光元件OLED的像素电极210连接。

平坦化层117可位于源电极S和漏电极D以及驱动电压线PL上，有机发光元件OLED可位于平坦化层117上。

平坦化层117可以具有平坦的上面以使像素电极210可以平坦地形成。平坦化层117可以单层或者多层地形成有由有机物质构成的膜。这种平坦化层117可以包括苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)或者诸如聚苯乙烯(PS：Polystylene)的一般通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子，酰亚胺类高分子，芳基醚类高分子，酰胺类高分子，氟类高分子，对二甲苯类高分子，乙烯醇类高分子及其复合物等。平坦化层117可以包括无机物质。这种平坦化层117可以包括硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiN_x)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al₂O₃)、钛氧化物(TiO₂)、钽氧化物(Ta₂O₅)、铪氧化物(HfO₂)或者锌氧化物(ZnO₂)等。在平坦化层117利用无机物质构成的情形下，可以根据情况而进行化学平坦化研磨。此外，平坦化层117可以将有机物质和无机物质全部包括。

像素电极210可以是(半)透光性电极或者反射电极。在部分实施例，像素电极210可以配备有利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等形成的反射膜和形成在反射膜上的透明或者半透明电极层。透明或者半透明电极层可以配备有从铟锡氧化物(ITO：indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO：indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO：zincoxide)、铟氧化物(In₂O₃：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO：indium gallium oxide)和铝锌氧化物(AZO：aluminum zinc oxide)的组中选择的至少一个。在部分实施例，像素电极210可以配备为层叠ITO/Ag/ITO的结构。

在平坦化层117上可以布置有像素限定膜119，并且可以对诸如聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO：hexamethyldisiloxane)和酚醛树脂等有机绝缘物质进行旋涂而形成。

有机发光元件OLED的中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括包含发出红色、绿色、蓝色或者白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。有机发光层可以是低分子有机物或者高分子有机物，在有机发光层的下部和上部还可以选择性地布置有空穴传输层(HTL：hole transport layer)、空穴注入层(HIL：hole injection layer)、电子传输层(ETL：electron transport layer)以及电子注入层(EIL：electron injection layer)等功能层。中间层220可布置为分别对应于多个像素电极210。然而，并不限于此。中间层220可以进行多种变形，如可以包括遍布多个像素电极210而为一体的层等。

对向电极230可以是透光性电极或者反射电极。在部分实施例中，对向电极230可以是透明或者半透明电极，可以是由包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及它们的化合物的功函数小的金属薄膜形成。并且，在金属薄膜上还可以布置有ITO、IZO、ZNO或者In₂O₃等的透明导电氧化物(TCO：transparent conductive oxide)膜。对向电极230遍布显示区域DA以及传感器区域SA而布置，可以布置在中间层220和像素限定膜119的上部。对向电极230可以针对多个有机发光元件OLED而一体地形成，从而可以对应于多个像素电极210。

在像素电极210配备为反射电极，而对向电极230配备为透光性电极的情形下，从中间层220发出的光向对向电极230侧发出，因此显示装置可以成为前面发光型。在像素电极210构成为透明或者半透明电极，而对向电极230构成为反射电极的情形下，从中间层220发出的光会向基板100侧发出，因此显示装置可以成为背面发光型。然而，本实施例不限于此。本实施例的显示装置可以是向前面和背面两方向发出光的双面发光型。

在本实施例中，在辅助像素Pa的基板100和半导体层1130之间以及基板100和布线部DW之间布置有阻断层BSM。更准确地，通过在所述组件20和半导体层1130之间以及组件20和布线部DW之间布置阻断层BSM而使辅助薄膜晶体管TFT'和布线部DW不受组件20的光信号或者音响信号的干扰，尤其是针对辅助薄膜晶体管TFT'的半导体层1130，如图6所示，阻断层BSM遮挡半导体层1130的整个区域而进行保护。

因此，根据这种结构，可以用阻断层BSM阻断而防止通过组件20光信号或音响信号可能发生漏电流的危险。尤其是，由于辅助薄膜晶体管TFT'的半导体层1130对漏电流的产生比较敏感，因此为了充分防止它，需要将阻断层BSM的厚度形成为以上，此时，对于可能由于因阻断层BSM的厚度导致的阶梯差而产生的半导体层1130断线的危险，如图6所说明，可以通过使阻断层BSM以与半导体层1130相同图案沿半导体层1130的整个区域进行遮挡而消除。

因此，可以用阻断层BSM充分防止因组件20的信号导致的漏电流的发生，从而在传感器区域SA也可以顺利地进行组件20的操作和图像呈现，并且还可以从根源上消除因阶梯差导致的半导体层1130的断线问题。

此外，在本实施例中，示出了阻断层BSM形成为与半导体层1130的图案相同的图案的情形，也可以形成为如图9a至图9d所示的具有部分不同图案的区域的形态。即，只要可以遮挡半导体层1130的整个区域，则即使阻断层BSM不一定具有相同的图案，也可以充分执行防止漏电流的发生和抑制断线的功能。

并且，前述的实施例中，如图8所说明，示出了仅在传感器区域SA的辅助薄膜晶体管TFT'的下方有阻断层BSM的情形，但如图10所示，在主像素Pm的主薄膜晶体管TFT下部也可以使用与辅助薄膜晶体管TFT'的阻断层BSM相同的物质和相同的图案布置阻断层BSM。即，由于主像素Pm没有位于组件20所在的传感器区域SA，因此即使没有阻断层BSM也不会有太大的问题，但如果是以将因除了组件20以外的外光导致的噪音的混入也彻底阻断为目的，则可以在该主像素Pm的主薄膜晶体管TFT的下部也布置阻断层BSM而遮挡半导体层1130的整个区域。

虽然如此以附图中所示的一实施例为参考说明了本发明，但这仅为示例性的，只要是在相应技术领域具有普通知识的人便可以理解，据此可以进行多种变形和等同的其他实施例。因此，本发明的真正技术保护范围应当根据记载的权利要求书的技术思想而被确定。