阅读说明：本技术 晶片装置、其制造方法以及混合滤波器 (Wafer device, method for manufacturing the same, and hybrid filter ) 是由 M·希克 R·罗塞齐恩 于 2018-11-13 设计创作，主要内容包括：一种晶片装置包括具有顶表面的载体晶片(CW),该定表面被划分为第一表面区域(SA1,ARS)和第二表面区域(SA2,PES)的规则图案(RP),其中每个第一表面区域被分配给相邻地施加的相应的分开的第二表面区域,以一起形成组合滤波区域。薄膜压电材料的斑点被结合到第一表面区域。LC元件的电路(PES)由多层金属化(ML1,ML2)集成地形成在第二表面区域上。每个金属化层的LC元件被嵌入在电介质中。(A wafer device comprises a Carrier Wafer (CW) having a top surface, the top surface being divided into a Regular Pattern (RP) of first surface areas (SA1, ARS) and second surface areas (SA2, PES), wherein each first surface area is assigned to a respective separate second surface area applied adjacently to form together a combined filter area. A spot of thin film piezoelectric material is bonded to the first surface area. The circuitry (PES) of the LC element is integrally formed on the second surface area by a multilayer metallization (ML1, ML 2). The LC elements of each metallization layer are embedded in a dielectric.)

晶片装置、其制造方法以及混合滤波器

背景技术

为了满足第五代(5G)移动通信标准，需要在增加的工作频率和高的带宽下的带通滤波器功能。

声学滤波器通常具有梯型或格子结构。在梯型结构中，串联谐振器和并联谐振器被组合以生成期望的滤波器功能，例如，带通功能。在格子结构中，具有串联谐振器的两条串联信号线与并联支路互连，其中并联谐振器分别被布置在并联支路中。估计这种滤波器结构的可达到的带宽可以为所使用的谐振器的零极点距离PZD的大约两倍。这种滤波器结构的标准拓扑结构使用SAW谐振器或BAW谐振器，这两者的PZD相当。

然而，使用常规梯型带通滤波器不能同时实现所需要的带宽和选择性。

LC元件也可以用于形成滤波器结构。LC滤波器的带宽较高，但是由于Q因子较低，因此可实现的通带的裙边不如SAW或BAW技术中的声谐振器的裙边陡。

为了进一步提高滤波器通带的临界裙边的性能，将声谐振器与LC元件相结合使用以增强裙边的陡度，从而保持高带宽。

在所公开的专利申请US 2017/0077079 A1中描述了用于改善LC元件的质量的最新方法。在那里，玻璃衬底用于在被嵌入到电介质中的多层金属化中构建高Q的LC元件。过孔用于互连不同的金属化层并且提高集成度。在以下上下文中，这些LC元件称为POG(玻璃上的无源器件)。

最近，已经提出了一种被称为薄膜SAW(TFSAW)的高性能SAW器件以提供低损耗的波传播。TFSAW由布置在诸如Si、玻璃或陶瓷等载体衬底上的薄膜压电层形成。该装置可以通过将压电单晶晶片结合到载体晶片、并且将单晶晶片减薄到约1μm的期望的低厚度来制造。

为了通过组合TFSAW结构和LC结构来形成混合滤波器，将有必要使用两个不同的并且因此分开的晶片来实现该组合。两个管芯导致大量面积消耗，这是不希望的并且在移动或手持式设备中可能是至关重要的。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够克服上述问题的混合滤波器。

该目的和其他目的通过根据权利要求1的晶片装置来实现。本发明的其他实施例是其他权利要求的主题。

本发明的总体思想是在公共载体晶片上将薄膜压电材料的斑点和LC元件的电路布置在一起。载体晶片至少具有电绝缘顶表面，该电绝缘顶表面被划分为第一表面区域和第二表面区域的规则图案。每个第一表面区域被分配给与相应的第一表面区域直接相邻的相应的第二表面区域。相应的第一表面区域和所分配的相邻的第二表面区域一起形成组合滤波区域。薄膜压电材料的斑点结合到第一表面区域，并且每个LC元件的电路由多层金属化集成地形成在相应的第二表面区域上。每个金属化层的LC元件被嵌入在电介质中。

每个斑点提供与要在该斑点上制造的至少一个SAW器件的区域相对应的压电薄膜区域。以后的每个SAW器件都需要一个如下的区域，该区域被称为薄膜压电材料的虚拟功能芯片部分。但是，斑点可以包括更多数目的功能芯片部分。

每个第二表面区域包括足以用于至少一个LC电路的区域，该区域被称为虚拟无源元件部分。LC电路是还包括相应SAW器件的组合滤波器的一部分。

斑点的尺寸以及功能芯片部分和无源元件部分的布置取决于先决条件，即，在载体晶片的规则图案中，第一表面区域上的每个虚拟功能芯片部分都需要与相应的无源元件部分相邻，并且所有第一表面区域都必须被斑点占据。优选地，斑点较大以包括尽可能多的虚拟功能芯片部分。

规则图案的尺寸的选择取决于后续组合滤波器所需要的面积。每个部分优选地是矩形或正方形。组合滤波器或混合滤波器包括：薄膜SAW器件，其形成在薄膜压电材料的斑点上的相应虚拟功能芯片部分上；和所分配的LC元件的电路，其与该SAW器件互连。

混合滤波器结合了两种不同的技术。根据面积要求，第一表面区域可以与第二表面区域在尺寸上不同。因此，规则图案是指在载体晶片上以二维布置的第一表面区域和第二表面区域的交替序列。

规则图案可以包括棋盘图案，其由虚拟功能芯片部分和相应的虚拟无源元件部分形成。可以在每个功能芯片部分上结合薄膜SAW器件，并且可以在每个虚拟无源元件部分上形成相应LC电路。在棋盘图案的每一行中，第一表面区域和第二表面区域是交替的，并且这一行中的每个第一表面区域和第二表面区域仅包括一个SAW器件和一个LC电路，这是形成组合或混合滤波器所必需的。规则图案的每一列中存在相同的交替序列。对于棋盘图案，第一表面区域和第二表面区域必须具有相同的大小。

另一可能的规则图案包括第一平行条和第二平行条，其中每个第一条包括一行薄膜SAW器件，并且每个第二条包括一行LC电路。第一条和第二条彼此相邻使得每个第一表面区域与第二表面区域相邻。每个条可以具有根据载体晶片的直径的长度。然而，较小的条(即，较短的条)也是可能的。

在另一可能的布置中，第一条和第二条被布置为使得第一条和相邻的第二条形成第一对条。第二平行条和相邻的第一平行条的第二对条相对于第一对条被镜像反转。第一对条和第二对条被交替地布置。在该图案中，最小的重复单元包括四个平行条，这四个平行条是两个相邻的第一条以及被相邻地布置在两个第一条两侧的第二条。

第一条和第二条的布置允许分别针对虚拟功能芯片部分和虚拟无源元件部分来独立地选择第一表面区域和第二表面区域的所需要的尺寸。

所提出的晶片装置具有很大的优点，即，载体晶片的尺寸可以被选择为尽可能大，并且与功能晶片的尺寸无关，从该功能晶片上切割出薄膜压电材料的斑点。结果并且其他优点是，与功能晶片上的器件相比，可以为更多数目的器件并行地在载体晶片上实现混合滤波器。

在制造这种晶片装置的第一步骤中，将压电材料的斑点结合到载体晶片。压电材料的斑点的第一厚度d1高于后面的薄膜SAW器件的第二厚度d2。

如果结合到载体晶片上的压电材料的斑点包括一个以上的薄膜SAW器件，则优选地为薄膜压电材料提供分隔线图案，以支持对所完成的单个混合滤波器芯片的稍后单片化。分离线被切入斑点的底表面，该底表面是结合到载体晶片的表面。

分离线的深度可以在薄膜压电材料的层厚度的大约一半到其总厚度的范围内。斑点(该斑点具有如下的区域，该区域与相对较高数目的虚拟功能芯片部分相顺应)由于其相对较高的厚度而可以被处理和结合而没有任何问题。在随后的步骤中，由于斑点的减薄过程而实现了最终厚度d1，其中d1<d2。

根据一个实施例，在每个虚拟功能芯片部分上方的第一表面区域上和中制造的薄膜SAW器件的电极结构被封闭在下面的腔体中，该腔体位于薄膜封装的覆盖层与薄膜压电材料的表面之间。

覆盖层可以将整个薄膜SAW器件封闭在单个腔体内。但是由于SAW器件通常包括一系列谐振器，因此优选地在相应腔体内分别布置一个或多个谐振器。因此，每个SAW器件在覆盖层下方包括多个腔体。

多层金属化的LC元件可以被嵌入在有机电介质中。根据另一实施例，电介质可以是陶瓷或另一无机电介质。此外，可以使用不同的电介质，以将不同的金属化层堆叠在彼此之上。优选的无机电介质是氧化物，诸如二氧化硅。

形成在相同的金属化层中的LC元件可以通过导线电连接。形成在不同的金属化层中的LC元件可以通过过孔互连。

薄膜SAW器件可以分别通过顶部导线电连接到LC电路，该顶部导线被引导在薄膜SAW器件的顶部上和在LC电路的最上电介质的顶部上。需要两个或更多个金属化层的LC元件可以具有由底部导线形成的其他或替代的电连接。

一种制造晶片装置的方法也在本发明的范围内。该方法包括以下步骤：

a)提供包括晶体功能层的功能晶片；

b)将功能晶片划分为虚拟功能芯片部分的规则阵列，并且将功能晶片(W1)分离成较小的斑点，每个斑点包括

-仅单个功能芯片部分，或者

-带有布置成行的若干功能芯片部分的条，或者

-带有布置成两个平行的行的功能芯片部分的条；

c)提供载体晶片；

d)将载体晶片的主表面划分为虚拟载体芯片部分的规则阵列，每个虚拟载体芯片部分包括用于虚拟功能芯片部分和虚拟无源元件部分的区域；

f)将斑点结合到载体晶片的主表面使得

-斑点的每个功能芯片部分完全覆盖相应虚拟载体芯片部分的第一表面区域，而相应功能芯片部分的第二表面区域保持暴露；

g)减小所有斑点的功能层的厚度d1，直到在每个斑点中实现具有期望厚度d2的薄膜功能层。

优选地，功能晶片是从晶棒切出的压电晶片。虚拟功能芯片部分是在其上形成薄膜SAW器件所需要的区域。因此，虚拟功能芯片部分是功能晶片和后续晶片装置的最小单位。

载体晶片的面积可以大于功能晶片的面积，因为没有由于晶体生长而引起的限制。虚拟载体芯片部分是在其上形成混合滤波器所需要的区域，该混合滤波器包括LC元件的电路和薄膜SAW器件。在虚拟载体芯片部分内，第一表面区域和第二表面区域的面积可以相同，也可以不同。

斑点的大小和尺寸可以相同。但是，斑点也可以具有不同的大小或尺寸，这些斑点被布置为形成上述布置，上述布置具有单行的条，或者上述布置的条具有包括彼此相邻的两个平行的行。这是因为，载体晶片和功能晶片的大小可以相差大于2倍使得载体晶片上的载体芯片部分的数目大于可以从一个功能晶片取回的功能芯片部分的数目。由于功能晶片的圆形形式，将功能晶片划分为上述斑点会导致大小不同的斑点。因此，将功能晶片材料的斑点布置到载体晶片上会导致一种镶嵌(mosaic)。

可以在单个结合步骤中同时针对所有斑点进行斑点到载体晶片主表面的结合。根据一种变体，每个斑点可以分别结合到载体晶片。

在将斑点结合到载体晶片之后，减小所有斑点的功能层的厚度，使得所有第一表面区域被功能芯片部分覆盖。

所有斑点的功能层的厚度可以通过研磨方法然后是化学机械抛光(CMP)来减小。

在随后的步骤h)中，在每个虚拟载体芯片部分的暴露的第二表面区域上形成LC元件的电路。该电路是组合或混合滤波器的第一部分电路。

根据该方法的变体，在制造包括LC元件的第二部分电路之后，抛光薄膜压电材料。因此，可以去除由于在压电材料之上进行的LC生产而引起的任何杂质。

在可以在步骤h)之后执行的随后的步骤i)中，在每个功能芯片部分上产生混合滤波器的包括SAW谐振器的电路的第二部分电路。

根据替代实施例，步骤h)和i)的顺序可以互换。

在随后的步骤k)中，每个载体芯片部分上的第一部分电路和第二部分电路被连接以形成作为混合滤波器的组合滤波电路。替代地，在形成第一部分电路或第二部分电路的集成过程中，实现互连。

在随后的步骤中，通过切割将载体晶片分离成单个载体芯片部分。然后，每个载体芯片部分包括工作的混合滤波器，该混合滤波器稍后可以设置有封装。根据一种变体，可以在将载体晶片分离成单个载体芯片部分之前，在晶片台上制造薄膜SAW器件的封装。

形成用于SAW器件的薄膜封装包括施加和结构化材料的牺牲层，该材料的牺牲层可以在随后的步骤中容易地去除。这样的牺牲层可以是有机材料，或者可以包括氧化硅。

在结构化牺牲材料之后，牺牲材料仅保留在如下的区域上，该区域需要被封闭在封装的腔体之下。如已经提到的，每个腔体中可以包括一个或多个单独的谐振器。

向结构化的牺牲材料上产生覆盖层以密封至压电材料的表面。在下一步骤中，形成开口并且通过这些开口去除牺牲材料。在封闭开口之后，可以施加另外的覆盖层。

根据另外的实施例，可以以另一方式来封装SAW器件，例如，通过在其上安装刚性帽或者在分离和单片化出单个载体芯片部分之前结合整个布置的盖子。

附图说明

在下文中，将参考特定实施例和附图更详细地解释本发明。附图仅是示意性的并且未按比例绘制，因此为了更好地理解，附图的单个部分可以被描绘为大于它们的实际部分。因此，绝对尺寸和相对尺寸均不能从图中得出。

图1以俯视图和截面图示出了功能晶片；

图2A示出了具有第一表面区域和第二表面区域的棋盘图案的载体晶片的示意性俯视图；

图2B以俯视图示出了具有包括成行的功能芯片部分的规则图案的载体晶片；

图2C以俯视图示出了具有如下的规则图案的载体晶片，该规则图案包括两个平行行的功能芯片部分的条；

图3A至图3i以剖视图示出了制造过程的不同阶段；

图4是混合滤波器的示意性截面图；

图5是LC元件和声谐振器的第一部分电路和第二部分电路的框图；

图6是包括LC元件的电路的多层金属化的更详细的截面图；

图7示出了包括互连的第一部分电路和第二部分电路的混合滤波器的横截面；

图8是声谐振器的梯型滤波器的框图；

图9是声谐振器的格子型滤波器的框图。

具体实施方式

用于产生晶片装置的方法以功能晶片FW开始。将功能晶片FW划分为虚拟功能芯片部分FCS的规则阵列，如图1的左侧的俯视图所示。功能晶片FW的相应横截面在图1的右侧示出。功能晶片的厚度为d1。

在下一步骤中，将功能晶片FW分离成较小的斑点使得每个斑点包括

-仅单个功能芯片部分，或者

-条，其带有布置成行的若干功能芯片部分，或者

-条，其带有布置成两个平行的行的功能芯片部分。

可以从一个功能晶片上取回不同大小的斑点。但是，优选地取回包括最大数目的功能芯片部分的斑点，以支持对斑点进行处理。

与其独立地，载体晶片CW被划分为载体芯片部分(CCS)的规则图案(RP)，每个CCS包括第一表面区域SA1和第二表面区域SA2。

图2A至2C示出了第一表面区域和第二表面区域以及包括第一表面区域和第二表面区域的相应载体部分的不同布置。

图2A示出了载体晶片，其中第一表面区域SA2和第二表面区域SA2以棋盘图案布置。这表示，在水平行中，第一表面区域和第二表面区域是交替的。在每个垂直的列中，第一表面区域和第二表面区域也交替，使得每一行相对于相邻的行移动。第一表面区域SA1和相邻的第二表面区域SA2形成虚拟载体芯片部分CCS。在图中，只有两个这样的虚拟载体芯片部分CCS用粗线矩形标记。

图2B示出了具有第一表面区域SA1和第二表面区域SA2的第二布置的载体晶片CW。一行第一表面区域SA1和一行第二表面区域SA2彼此平行地以交替顺序布置。各行的尺寸被确定为覆盖最大量的载体晶片CW，使得能够取回最大数目的载体芯片部分CCS。

图2C示出了第三可能布置，其中第一表面区域SA1布置在两个相邻的平行的行中。在两对行之间，插入有两行第二表面区域，从而形成载体芯片部分CCS，其中每个载体芯片部分CCS包括第一表面区域SA1和相邻的第二表面区域SA2。

从功能晶片FW切割出的压电材料的斑点被布置到如此分割的载体晶片CW上，使得每个第一表面区域SA1被压电材料的斑点的虚拟功能芯片部分覆盖。为了用相应的虚拟功能芯片部分FCS覆盖载体晶片的所有第一表面区域SA1，可以使用压电材料的不同尺寸的斑点。这表示，图2B和2C的任何一行第一表面区域可以被多个不同的斑点覆盖，其中每个斑点可以包括一个或多个虚拟功能芯片部分FCS。

图3A示出了载体晶片CW的横截面，该载体晶片根据图2A或2B所示的布置而设置有压电材料PM的斑点。压电材料PM具有原始功能晶片FW的原始厚度d1。为了获取薄膜压电材料TF，将压电材料PM的斑点的厚度减小到厚度d2。图3B示出了该阶段的布置。

在下一步骤中，在图3B的每个暴露的第二表面区域SA2上，形成LC元件的电路。LC元件形成期望的混合滤波器的第一部分电路。图3C示出了在该阶段的载体晶片的横截面，其中第一表面区域被薄膜压电材料覆盖，并且第二表面区域被LC元件LC的电路覆盖。

另一实施例包括如图3D、3E和3C所示的一系列步骤和阶段。该方法以如图2所示的载体晶片开始。如图3D所示，在该载体晶片的第二表面区域SA2上产生LC元件LC的电路，并且使第一表面区域SA1暴露。

厚度为d1的压电材料PM的斑点被布置到这些暴露的第一表面区域中并且结合到载体晶片CW。图3E示出了该阶段的布置。

在将压电材料PM的斑点减薄到厚度d2之后，实现了根据图3C的布置。该阶段符合第一变体的相应阶段。

根据未在附图中示出的替代实施例，图3B所示的布置经受在薄膜压电材料的斑点上形成薄膜SAW器件TFS的过程。

另外的介入步骤包括用薄膜SAW封装来封装薄膜SAW器件TFS，从而使薄膜SAW器件TFS的焊盘PD暴露以与后面的LC元件的电路电互连。在产生LC元件LC的电路时，可以集成地形成电接触。

在图3B或3C所示的阶段之后的步骤中，通过在薄膜压电材料TF的顶表面上形成金属电极结构来制造薄膜SAW器件TFS。然后，载体芯片部分的薄膜SAW器件TFS通过相应的导线与同一载体芯片部分CCS的相应的LC元件LC的电路连接。以这种方式，在每个载体芯片部分CCS中实现了混合滤波器，该混合滤波器包括薄膜SAW器件和LC元件的相应电路。

在随后的步骤中，如图3F所示，通过沿着分离线SL对载体芯片和在其上形成的相应结构进行切割来对由此产生的混合滤波器进行单片化。

图3G示出了单个混合滤波器，其包括精确的一个载体芯片部分CCS，该CCS包括薄膜SAW器件TFS和LC元件LC的互连电路。

替代地，可以在图3F所示的阶段进行混合滤波器的封装。封装在图中未示出。

图3H和3i示出了处理包括一个以上的功能芯片部分FCS的压电材料PM的斑点的一种优选方法。为了便于以后分离成单个芯片，在斑点的底表面上设置有沟槽TR。沟槽对相邻的功能芯片部分进行划分。如图3H所示，每个沟槽TR的厚度可以在d1到d2之间，但是对斑点留下足够的机械稳定性以用于对其进行安全处理。

图3i示出了在将压电材料PM减薄到厚度d2之后的布置。由此，沟槽从顶部暴露，并且在薄膜压电材料TF的相邻功能芯片部分之间形成间隙GP。载体晶片CW上的第二表面区域SA2保持暴露。之后可以是抛光表面的步骤。

图4示意性地示出了混合滤波器。混合滤波器包括无源元件部分PES和声谐振器部分ARS。声谐振器部分ARS包括形成SAW器件的SAW谐振器电路，该SAW器件是混合滤波器的第二部分电路。形成混合滤波器的第二部分电路PC2的SAW器件的确切结构未示出。

无源元件部分PES包括若干金属化层ML1、ML2，在图4中示出了其中的两个金属化层。在第一金属化层ML1中，例如，可以形成电容器MIM。在第二金属化层ML2中，可以形成电感或线圈，并且通过过孔将其与第一金属化层ML1的无源元件互连。替代地，在将第一金属化层ML1嵌入电介质之后，需要暴露要第一金属化层ML1的与第二金属化层ML2的结构连接的结构。该图未示出连接无源元件部分PES的无源元件和声谐振器部分ARS的SAW谐振器SR的导线和过孔。

图5示出了具有最少数目的元件的混合滤波器的框图。实际电路可以包括更多数目的这种结构。在图5中，第一部分电路PC1包括串联阻抗元件IE_S和并联阻抗元件IE_P。串联阻抗元件IE_S可以体现为电容器，并且并联阻抗元件IE_P可以体现为线圈。第二部分电路PC2包括至少一个串联SAW谐振器SR_S和至少一个并联SAW谐振器SR_P。如图5所示，在组合电路内，第一部分电路PC1和第二部分电路PC2可以交替或者以任意顺序布置。可以根据期望的混合滤波器的要求来优化这种混合滤波器的精确设计。这种优化可以由技术人员通过优化计算机程序来容易地完成。

图6示出了混合滤波器的无源元件部分PES的示意性横截面。该无源元件部分可以根据上述US 2017/0077079 A1中描述的方法来形成。在优选地为平面玻璃晶片的载体晶片CW上，形成第一LC元件并且将其嵌入第一电介质DE1中。在该图中，LC元件体现为金属-绝缘体-金属电容器MIM(其是被介电层DL覆盖的第一金属结构、以及作为第二电容器电极的另一金属结构)。

在第一电介质DE1上方，第二金属化层ML2被形成、结构化并且嵌入第二电介质DE2中。对于两种金属化层，电介质DE1和DE2两者可以相同或不同。电容器MIM的一个元件可以在第二金属化层中构造为顶部电极。

金属结构可以由Al或AlCu合金制成。介电层DL可以是诸如氧化硅等氧化物。

在第一电介质DE1上方，第二金属化层ML2形成、结构化并且嵌入第二电介质DE2中。除了电容器MIM的顶部电极之外，线圈IND由第二金属化层ML2构成。为了形成平面线圈IND，使用单个掩模步骤来相应地构造第二金属化层ML2。

可以通过首先形成和构造抗蚀剂掩模并且然后在由抗蚀剂掩模暴露的区域中沉积金属来构造金属化层ML。金属的沉积可以通过将金属电镀到籽晶层或者通过将金属电镀到第一电介质DE1或更高水平的电介质上来完成，上述的籽晶层被施加到衬底SU的针对第一金属化层的整个表面上。在电镀步骤之后，去除抗蚀剂掩模，从而暴露剩余的籽晶层区域，该被暴露的籽晶层区域然后也被去除。

需要在两个相邻的金属化层内形成三维线圈IND(图中未示出)。两个相邻的金属化层中的一个金属化层可以是第一金属化层ML1。

为了互连两个金属化层ML1、ML2，通过在第一电介质DE1的顶表面中形成开口来暴露下部金属化层ML1中的相应金属化。现在可以在其上施加的第二金属化层ML2的结构接触第一金属化层ML1中的相应结构。不需要层间电连接的所有结构通过第一电介质DE1而被彼此隔离。

LC元件LC的电路在两层金属化中集成地形成。

在互连ICN的区域中，过孔可以在不同的金属化层之间提供电接触并且在LC元件的电路的顶表面上提供接触区域CA。替代地，取决于载体晶片CW上存在的结构，通过在载体晶片的顶表面上的导线或在更高的水平处的导线，将LC电路的电互连设置在底部。

图7示出了可以从晶片装置中单片化出的晶片装置的载体芯片部分CCS的横截面。如已经在图4中示意性地示出的，组合滤波电路布置在载体晶片CW上并且包括无源元件部分PES和声谐振器部分ARS。声谐振器部分ARS包括薄膜SAW器件TFS，该薄膜SAW器件TFS通过在薄膜压电层的功能层FL之上提供电极结构来实现。薄膜SAW器件TFS被薄膜封装TFP封闭，该薄膜封装TFP提供封闭薄膜SAW器件的电极结构的腔体。

薄膜封装TFP可以暴露连接到薄膜SAW器件TFS的电极结构的焊盘PD，以实现到布置在无源元件部分PES中的LC元件的电路的电接触。在该实施例中，在在无源元件部分PES中制造和沉积LC元件的电路的多层金属化之前，薄膜SAW器件TFS被完全封装。在该图中，第二金属化层ML2的金属结构与焊盘PD直接接触，以将无源元件部分PES和声谐振器部分ARS互连。

声谐振器部分ARS可以包括薄膜SAW谐振器SR的电路，该电路以梯型或格子型拓扑连接，如图8和9中示意性地示出的。

图8示出了包括串联SAW谐振器SR_S和并联SAW谐振器SR_P的梯型布置。在该实施例中，相应的串联SAW谐振器SR_S和相应的并联SAW谐振器SR_P形成梯型布置的基本部分BS_LT。梯型装置包括多个基本部分BS_LT，这些基本部分可以串联地电路连接以实现第二部分滤波电路PC2的期望的滤波功能。

图9示出了包括串联SAW谐振器和并联SAW谐振器的SAW谐振器的格子型布置。与梯型布置相反，并联SAW谐振器SR_P被布置并联支路中，该并联支路使得两个串联信号线与串联SAW谐振器SR_S互连。并联支路以交叉布置电路连接，使得格子型布置BS_LC的基本部分包括布置在两个不同信号线中的串联的第一SAW谐振器SR_S和第二SAW谐振器SR_S、以及带有布置在其中的相应的并联的SAW谐振器SR_P的两个交叉的电路连接的并联分支。根据滤波器的要求，格子型滤波器还可以包括多个基本部分。

本发明仅通过有限数目的示例说明了，并且因此不限于这些示例。本发明由权利要求的范围限定，并且可以与所提供的实施例不同。

这样的其他实施例可以包括在所呈现的实施例中未示出的其他细节。此外，晶片装置以及每个混合滤波器可以包括LC元件的任意电路和任意结构的SAW器件。混合滤波器可以实现一系列不同的滤波器功能中的任意一个。示例是带通、高通和低通以及组合滤波器，例如提取器、双工器或多路复用器。这样的其他实施例可以包括在所呈现的实施例中未示出的其他细节。此外，晶片装置以及每个混合滤波器可以包括LC元件的任意电路和任意结构的SAW器件。混合滤波器可以实现一系列不同的滤波器功能中的任意一个。示例是带通、高通和低通以及组合滤波器，例如提取器、双工器或多路复用器。

所使用的附图标记列表