具体实施方式

以下结合附图1-8对本申请作进一步详细说明。

实施例1

本申请实施例公开一种薄膜电感器。参照图1和图2，包括绝缘基板1，绝缘基板1为方形陶瓷基板，且绝缘基板1的顶面设定为正面，绝缘基板1的底面设定为背面。绝缘基板1正面固设有第一绝缘层2，第一绝缘层2为二氧化硅溅射而成。绝缘基板1背面也固设有第一绝缘层2，绝缘基板1沿其长度方向两端的端面也分别固设有第一绝缘层2。绝缘基板1正面于第一绝缘层2的表面对称固设有两个正面电极31，两个正面电极31分别设置在绝缘基板1沿其长度方向的两端，正面电极31为方形。绝缘基板1背面于第一绝缘层2的表面对称固设有两个背面电极32，两个背面电极32分别设置在绝缘基板1沿其长度方向的两端，背面电极32为方形。绝缘基板1沿其长度方向两端的端面于第一绝缘层2的表面分别固设有侧面电极33，即侧面电极33的数量为两个，侧面电极33为方形。两个侧面电极33、两个正面电极31、两个背面电极32分别一一对应，且侧面电极33实现正面电极31和背面电极32的连接。

参照图1和图2，绝缘基板1正面于第一绝缘层2表面固设有电感线圈34，电感线圈34位于两个正面电极31之间，且电感线圈34为圆形螺旋形。绝缘基板1正面于第一绝缘层2表面固设有隔离层4，隔离层4覆盖在电感线圈34表面，隔离层4底面开设有与电感线圈34相适配的第一让位槽41，隔离层4为导热硅脂填充二氧化硅溅射而成。隔离层4的表面固设有第二绝缘层5，第二绝缘层5为二氧化硅溅射而成。电感线圈34外面连接端穿过隔离层4和其中一个正面电极31连接，电感线圈34里面连接端和剩余一个正面电极31之间固设有引出棒35，引出棒35的一端穿过隔离层4、第二绝缘层5以后和电感线圈34里面连接端连接，引出棒35的另一端和剩余一个正面电极31连接。隔离层4、第二绝缘层5均开设有与引出棒35相适配的让位孔6。第二绝缘层5的表面固设有加固层7，加固层7覆盖在引出棒35上，加固层7底面开设有与引出棒35相适配的第二让位槽71。

参照图1和图2，引出棒35包括与正面电极31连接且与其相适配的第一端部351、与电感线圈34连接且与其里面连接端相适配的第二端部352，第一端部351为方形，第二端部352也为方形，且第二端部352顶面面积小于第一端部351顶面面积。第二端部352位于隔离层4、第二绝缘层5的让位孔6内。第二端部352顶部和第一端部351顶部固设有连接部353，通过第一端部351、第二端部352、连接部353之间的相互配合，实现正面电极31和电感线圈34的连接。

参照图1和图2，正面电极31、背面电极32、侧面电极33的材料相同，正面电极31具体为固设在第一绝缘层2表面的钛层、固设在钛层表面的第一铜层、固设在第一铜层表面的第一挂镀铜。背面电极32具体为固设在第一绝缘层2表面的钛层、固设在钛层表面的第一铜层、固设在第一铜层表面的第一挂镀铜。侧面电极33具体为固设在第一绝缘层2表面的钛层、固设在钛层表面的第一铜层、固设在第一铜层表面的第一挂镀铜。引出棒35为与正面电极31和电感线圈34连接的第二铜层、固设在第二铜层表面的第二挂镀铜。

本申请实施例的薄膜电感器，有效的降低金属钛、金属铜出现团聚颗粒化的现象，降低钛层、第一铜层、第二铜层表面出现团聚颗粒化的现象，而且增加了钛层、第一铜层、第二铜层的结晶性，提高薄膜电感器的性能、稳定性、良品率、实用性。

实施例2

本申请实施例公开一种薄膜电感器加工工艺，包括如下步骤：

S1、在绝缘基板1于设置正面电极31的正面、于设置背面电极32的背面、两个于设置侧面电极33的侧面分别溅射二氧化硅，二氧化硅在绝缘基板1表面形成第一绝缘层2，参照图3。

申请人发现，第一绝缘层2不仅提高了绝缘基板1的绝缘性，而且绝缘基板1为方形陶瓷基板，陶瓷的成分主要是硅、铝、氧三种元素，在绝缘基板1表面溅射二氧化硅，利用二氧化硅中的硅以及陶瓷中硅之间的协同作用，有效提高第一绝缘层2和绝缘基板1的结合强度，同时第一绝缘层2还能够有效的增加绝缘基板1表面的粗糙度。

S2、在绝缘基板1背面间隔设置磁铁片，磁铁片为与绝缘基板1相适配的方形片，并使磁铁片于绝缘基板1处形成外加磁场，然后在绝缘基板1正面溅射金属钛，金属钛在第一绝缘层2表面形成钛层，然后溅射金属铜，金属铜在钛层表面形成第一铜层。

申请人发现，在绝缘基板1正面溅射金属钛、金属铜时，加入外加磁场，此时绝缘基板1处于缓变的梯形纵向磁场中，金属钛、金属铜在溅射沉积过程中，受到外加磁场的作用使其纵向、横向动能分量相互转化，并使金属钛、金属铜具有较大的迁移能力、自身活动性和较小的轰击损坏能力，有效的降低金属钛、金属铜出现团聚颗粒化的现象，从而降低钛层、第一铜层表面出现团聚颗粒化的现象，并增加了钛层、第一铜层的结晶性，还提高了钛层、第一铜层的均匀性，减少钛层、第一铜层的缺陷，提高钛层、第一铜层的磁化强度，也提高薄膜电感器的性能。申请人还发现，利用钛层中钛和第一铜层中铜之间的协同作用，有效提高钛层和第一铜层的结合强度，同时结合，步骤S1中的第一绝缘层2，利用第一绝缘层2、钛层、第一铜层、绝缘基板1之间协同作用，提高其之间的结合强度。

S3、在绝缘基板1正面于第一铜层表面固设第一负向感光膜。然后通过曝光的方式，将两个相对的正面电极图形、位于两个正面电极图形之间的电感图形分别留于第一负向感光膜上，且电感图形外面连接端和其中一个正面电极图形连通、里面连接端和剩余一个正面电极图形不连通。之后通过显影的方式，除去电感图形和正面电极图形处的第一负向感光膜，并露出两个正面电极图形和电感图形处的第一铜层。

S4、通过挂镀的方式，在绝缘基板1正面于正面电极图形和电感图形处的第一铜层表面挂镀第一挂镀铜。

S5、通过去膜的方式，除去绝缘基板1正面于正面电极图形和电感图形以外的第一负向感光膜，并露出正面电极图形和电感图形以外的第一铜层。然后通过化学蚀刻的方式，除去正面电极图形和电感图形以外的钛层、第一铜层，并露出正面电极图形和电感图形以外的第一绝缘层2。钛层、第一铜层、第一挂镀铜于电感图形处形成电感线圈34，钛层、第一铜层、第一挂镀铜于正面电极图形处形成正面电极31，参照图4。

S6、在绝缘基板1正面于第一挂镀铜表面固设第二负向感光膜。然后通过曝光的方式，将隔离图形留于第二负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去隔离图形处的第二负向感光膜，并露出隔离图形处于绝缘基板1表面的第一绝缘层2、电感线圈34于除里面连接端的第一挂镀铜。

S7、在绝缘基板1正面于隔离图形处溅射导热硅脂填充二氧化硅，导热硅脂填充二氧化硅在第一绝缘层2表面形成导热硅脂填充二氧化硅层。然后在绝缘基板1正面于隔离层4的表面溅射二氧化硅，二氧化硅在导热硅脂填充二氧化硅层表面形成二氧化硅层。

其中，导热硅脂填充二氧化硅采用以下方法制备：在导热硅脂中加入二氧化硅浸泡，浸泡5h后取出，然后静置处理2h，得到导热硅脂填充二氧化硅，导热硅脂进入二氧化硅内部的孔隙，且稳定存在。导热硅脂为CPU导热硅脂，且选自深圳市浩成电子材料有限公司的HC7300。

申请人发现，将导热硅脂填充到二氧化硅内部的孔隙内，并通过导热硅脂、二氧化硅之间的协同作用，不仅具有良好的导热、散热性，而且还具有良好的绝缘性。申请人还发现，在隔离层4的表面设置第二绝缘层5，利用第二绝缘层5中二氧化硅、隔离层4中二氧化硅之间的协同作用，有效提高隔离层4和第二绝缘层5的结合强度，并增加隔离层4的稳定性，提高薄膜电感器的良品率。

S8、在绝缘基板1正面于二氧化硅层表面固设第三负向感光膜。然后通过曝光的方式，将隔离图形留于第三负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去隔离图形以外的第三负向感光膜，并露出隔离图形以外的二氧化硅层。之后通过化学蚀刻的方式，除去隔离图形以外的二氧化硅层、导热硅脂填充二氧化硅层，并露出隔离图形以外的第二负向感光膜。然后通过去膜的方式，除去隔离图形以外的第二负向感光膜，并露出隔离图形以外于绝缘基板1表面的第一绝缘层2、两个正面电极31的第一挂镀铜、电感线圈34里面连接端的第一挂镀铜。之后通过去膜的方式，除去隔离图形处的第三负向感光膜，并露出二氧化硅层。导热硅脂填充二氧化硅层于隔离图形处形成隔离层4，且隔离层4于电感线圈34处形成第一让位槽41，隔离层4于电感线圈34里面连接端处形成让位孔6，二氧化硅层于隔离图形处形成第二绝缘层5，且第二绝缘层5于电感线圈34里面连接端处也形成让位孔6，参照图5。

S9、在绝缘基板1正面于第二绝缘层5表面固设第四负向感光膜。然后通过曝光的方式，将引出棒图形留于第四负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去引出棒图形处的第四负向感光膜，并露出引出棒图形于正面电极31的第一挂镀铜、电感线圈34里面连接端的第一挂镀铜、第二绝缘层5。

S10、在绝缘基板1背面间隔设置磁铁片，磁铁片为与绝缘基板1相适配的方形片，并使磁铁片于绝缘基板1处形成外加磁场，然后在绝缘基板1正面溅射金属铜，金属铜形成第二铜层。

申请人发现，加入外加磁场，有效的降低金属铜出现团聚颗粒化的现象，而且增加了第二铜层的结晶性，还提高了第二铜层的均匀性，减少第二铜层的缺陷，提高第二铜层的磁化强度，也提高薄膜电感器的性能。

S11、在绝缘基板1正面于第二铜层表面固设第五负向感光膜。然后通过曝光的方式，将引出棒图形留于第五负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去引出棒图形处的第五负向感光膜，并露出引出棒图形处于正面电极31表面的第二铜层、电感线圈34里面连接端的第二铜层、第二绝缘层5表面的第二铜层。

S12、通过挂镀的方式，在绝缘基板1正面于引出棒图形处的第二铜层表面挂镀第二挂镀铜。

S13、通过去膜的方式，除去引出棒图形以外的第五负向感光膜，并露出引出棒图形以外的第二铜层。然后通过化学蚀刻的方式，除去引出棒图形以外的第二铜层，并露出引出棒图形以外的第四负向感光膜。之后通过去膜的方式，除去引出棒图形以外的第四负向感光膜，并露出引出棒图形以外于绝缘基板1表面的第一绝缘层2、第二绝缘层5、和电感线圈34连接的正面电极31的第一挂镀铜。之后通过去膜的方式，除去引出棒图形处的第五负向感光膜，并露出引出棒35的第二挂镀铜。第二铜层、第二挂镀铜于引出棒图形处形成引出棒35，参照图6。

S14、在绝缘基板1背面加工出两个与两个正面电极31相对的背面电极32。

具体步骤为：Sa1、在绝缘基板1正面间隔设置磁铁片，磁铁片为与绝缘基板1相适配的方形片，并使磁铁片于绝缘基板1处形成外加磁场，然后在绝缘基板1背面溅射金属钛，金属钛在第一绝缘层2表面形成钛层，然后溅射金属铜，金属铜在钛层表面形成第一铜层。

Sa2、在绝缘基板1背面于第一铜层表面固设第六负向感光膜。然后通过曝光的方式，将两个相对的背面电极图形留于第六负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去背面电极图形处的第六负向感光膜，并露出两个背面电极图形处的第一铜层。

Sa3、通过挂镀的方式，在绝缘基板1背面于背面电极图形处的第一铜层表面挂镀第一挂镀铜。

Sa4、通过去膜的方式，除去背面电极图形以外的第六负向感光膜，并露出背面电极图形以外的第一铜层。然后通过化学蚀刻的方式，除去背面电极图形以外的钛层、第一铜层，并露出绝缘基板1表面的第一绝缘层2。钛层、第一铜层、第一挂镀铜于背面电极图形处形成背面电极32，参照图7。

S15、在绝缘基板1相对的两个侧面分别加工出侧面电极33。

具体步骤为：Sb1、在绝缘基板1侧面于第一绝缘层2表面固设第七负向感光膜。然后通过曝光的方式，将侧面电极图形留于第七负向感光膜上，且侧面电极图形的两端分别和正面电极31、背面电极32连接。之后通过显影的方式，除去侧面电极图形处的第七负向感光膜，并露出背面电极图形处于绝缘基板1表面的第一绝缘层2、正面电极31的侧面、背面电极32的侧面。

Sb2、在绝缘基板1侧面间隔设置磁铁片，磁铁片为与绝缘基板1相适配的方形片，并使磁铁片于绝缘基板1处形成外加磁场，然后在绝缘基板1侧面溅射金属钛，金属钛在第一绝缘层2表面形成钛层，然后溅射金属铜，金属铜在钛层表面形成第一铜层。

Sb3、在绝缘基板1侧面于第一铜层表面固设第八负向感光膜。然后通过曝光的方式，将侧面电极图形留于第八负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去侧面电极图形处的第八负向感光膜，并露出侧面电极图形处的第一铜层。

Sb4、通过挂镀的方式，在绝缘基板1侧面于侧面电极图形处的第一铜层表面挂镀第一挂镀铜。

Sb5、通过去膜的方式，除去侧面电极图形以外的第八负向感光膜，并露出侧面电极图形以外的第一铜层。然后通过化学蚀刻的方式，除去侧面电极图形以外的钛层、第一铜层，并露出侧面电极图形以外的第七负向感光膜。之后通过去膜的方式，除去侧面电极图形以外的第七负向感光膜，并露出绝缘基板1表面的第一绝缘层2、正面电极31的侧面、背面电极32的侧面。钛层、第一铜层、第一挂镀铜于侧面电极图形处形成侧面电极33，且得到初成品，参照图8。

S16、将初成品于温度为150℃的条件下，热处理1h，当然，热处理温度也可以根据实际情况而定，例如130℃、140℃、160℃等，热处理时间也可以根据实际情况而定，例如0.5h、1.5h、2h等。

申请人发现，对钛层、第一铜层、第二铜层进行热处理后，金属钛、金属铜中的非晶包能够发生分裂，并转化为晶体，可以使钛层、第一铜层、第二铜层择优生长，从而使热处理后的钛层、第一铜层、第二铜层能够实现非晶体向晶体转变，增加钛层、第一铜层、第二铜层的结晶性，减少钛层、第一铜层、第二铜层的缺陷，提高钛层、第一铜层、第二铜层的磁化强度，也提高薄膜电感器的性能。

S17、在绝缘基板1正面于第二绝缘层5表面加工加固层7。

具体步骤为：Sc1、在绝缘基板1正面于引出棒35表面涂刷环氧树脂胶，环氧树脂胶固化形成加固膜。

Sc2、在绝缘基板1正面于加固膜表面固设第九负向感光膜。然后通过曝光的方式，将加固图形留于第九负向感光膜上。之后通过显影的方式，除去加固图形以外的第九负向感光膜，并露出加固图形以外的加固膜。然后通过去膜的方式，除去加固图形以外的加固膜，并露出加固图形以外于绝缘基板1表面的第一绝缘层2、和电感线圈34连接正面电极31的第一挂镀铜、引出棒35的第二挂镀铜。之后通过去膜的方式，除去加固图形处的第九负向感光膜，并露出加固膜。加固膜于加固图形处形成加固层7，且加固层7于引出棒35处形成第二让位槽71，参照图1。

申请人发现，在第二绝缘层5的表面设置加固层7，环氧树脂胶具有一定的弹性，能够对引出棒35、正面电极31、电感线圈34起到良好的保护作用。

本申请实施例的薄膜电感器加工工艺，便于对各个步骤进行控制，而且还具有加工简便、稳定的优点，通过各个步骤之间的协同作用，不仅降低钛层、第一铜层、第二铜层表面出现团聚颗粒化的现象，并提高薄膜电感器的性能，而且还提高了薄膜电感器的良品率，满足市场需求。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。