阅读说明：本技术 感应加热烹调器及传感器单元 (Induction heating cooker and sensor unit ) 是由 井下千鹤 森井彰 吉野勇人 于 2017-06-16 设计创作，主要内容包括：一种感应加热烹调器,具备：顶板,其供烹调容器载置；加热线圈,其配置在顶板的下方,并加热烹调容器；红外线传感器,其配置在加热线圈的下方,并检测从烹调容器放射的红外线；传感器壳体,其收容红外线传感器；及磁路形成机构,其配置于传感器壳体的上表面,磁路形成机构对从加热线圈产生并在红外线传感器上通过的磁通进行引导。(An induction heating cooker is provided with: a top plate on which a cooking container is placed; a heating coil disposed below the top plate and heating the cooking container; an infrared sensor disposed below the heating coil and detecting infrared rays emitted from the cooking container; a sensor case that houses the infrared sensor; and a magnetic path forming mechanism disposed on the upper surface of the sensor case, the magnetic path forming mechanism guiding a magnetic flux generated from the heating coil and passing through the infrared sensor.)

感应加热烹调器及传感器单元

技术领域

本发明涉及具备求出烹调容器的温度的传感器的感应加热烹调器及传感器单元。

背景技术

近年来，以感应加热方式对烹调物进行加热的感应加热烹调器正在普及。感应加热烹调器利用通过使电流流过配置在加热烹调器内的加热线圈等金属体而产生的磁通，使经由顶板载置于加热线圈上方的烹调容器主体产生涡电流，利用由烹调容器主体的电阻产生的焦耳热使烹调容器发热。

以往，作为对载置在感应加热烹调器的顶板上的被加热物即烹调容器主体的温度进行检测的方法，已知有使用接触式温度传感器即热敏电阻的热敏电阻方式和使用非接触式温度传感器即红外线传感器的红外线传感器方式。在热敏电阻方式中，使热敏电阻与顶板接触而检测经由顶板从烹调容器传递的温度。在红外线传感器方式中，利用配置在加热线圈的下方的红外线传感器，检测从载置于顶板上的烹调容器放射的红外线放射能量，并根据检测出的红外线能量计算烹调容器的温度。

在此，在红外线传感器方式的情况下，从加热线圈产生的磁通的一部分进入红外线传感器，由此高频噪声与红外线传感器的输出重叠，输出变得不稳定。由此，存在烹调容器的温度检测精度下降，适当温度烹调或自动烹调功能的精度也下降的问题。为了解决该问题，提出了在红外线传感器的周边设置防磁机构。

例如，在专利文献1中，提出了将热释电型的非接触温度传感器收容于由磁性体构成的壳体的方案。在专利文献1的结构中，通过由加热线圈产生的交流的磁通与配置在非接触温度传感器的周围的磁性体交叉，从而涡电流在磁性体中流动。而且，通过该涡电流产生磁通，并且所产生的磁通抵消进入非接触温度传感器的磁通，由此能够防止非接触温度传感器中的高频噪声的重叠。

另外，在专利文献2中，提出了用由铝构成的防磁构件来覆盖红外线传感器及控制基板的方案。在如专利文献2那样将金属用于防磁构件的情况下，也与专利文献1同样地，由加热线圈产生的交流的磁通与金属交叉，涡电流流动。并且，通过利用该涡电流抵消进入红外线传感器的磁通，能够防止高频噪声的重叠。

并且，在专利文献3中，提出了由铁氧体树脂构成红外线传感器的壳体的方案。铁氧体是绝缘物，如专利文献1及专利文献2那样，不会由于与磁通的交叉而产生涡电流。在专利文献3的结构中，通过利用铁氧体的磁导率对进入红外线传感器的磁通进行引导，从而防止高频噪声向红外线传感器的重叠。另外，在专利文献3中，通过使铁氧体成分混入树脂中，也能够提高壳体的成形性及成形精度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-158340号公报

专利文献2：日本特开2005-26162号公报

专利文献3：日本特开2011-9035号公报

发明内容

发明要解决的课题

在此，如专利文献1及专利文献2那样，在利用在防磁机构中产生的涡电流的情况下，与防磁机构交叉的磁通在比较高频的情况下产生涡电流，但在低频的情况下不产生涡电流。因此，在与防磁机构交叉的磁通为比较低频的情况下，不产生与射入非接触温度传感器的壳体的磁通抵消的磁通，防磁效果降低。

另外，在磁性体或金属中产生的磁通根据磁性体或金属的导电率及厚度的不同而不同。另外，由于产生如下损失，有时无法产生将射入的磁通全部抵消的磁通，该损失为：由从磁通产生涡电流并从涡电流产生磁通引起的、各阶段中的能量转换所导致的损失；以及由涡电流与导体的电阻引起的焦耳热的产生所导致的热能损失。

另外，专利文献3中使用的铁氧体树脂是对数百MHz～数GHz左右的高频具有效果的磁性材料。与此相对，感应加热烹调器的驱动频带为20KHz～100KHz。而且，在感应加热烹调器的驱动频带中的铁氧体树脂的相对磁导率与高频的情况相比显著低。例如，10KHz的情况下的铁氧体树脂的相对磁导率为10左右。因此，在使用铁氧体树脂作为防磁机构的情况下，需要如专利文献3那样由铁氧体树脂构成传感器壳体整体等，在红外线传感器的周围配置较多的铁氧体树脂，导致产品的成本上升。

并且，为了将作为光学部件的红外线传感器配置在准确的位置，需要进行传感器壳体的准确的成形。若传感器壳体的成形精度低，则无法使红外线传感器与顶板的距离稳定，对检测精度也产生影响。然而，在如专利文献3那样使用铁氧体树脂的情况下，由于在树脂中混入有金属，因此传感器壳体成形时的模具的耐久性下降，并且需要考虑成形时的磁场的影响，因此在制造传感器壳体时也会导致成本上升。

本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于得到一种能够降低磁通向红外线传感器的侵入而不会导致成本上升的感应加热烹调器及传感器单元。

用于解决课题的手段

本发明的加热烹调器具备：顶板，其供烹调容器载置；加热线圈，其配置在顶板的下方，并加热烹调容器；红外线传感器，其配置在加热线圈的下方，并检测从烹调容器放射的红外线；传感器壳体，其收容红外线传感器；以及磁路形成机构，其配置于传感器壳体的上表面，磁路形成机构对从加热线圈产生并在红外线传感器上通过的磁通进行引导。

本发明的传感器单元具备传感器、收容传感器的传感器壳体、以及磁路形成机构，所述磁路形成机构配置于传感器壳体的上表面且对在传感器上通过的磁通进行引导。

发明的效果

根据本发明的感应加热烹调器及传感器单元，通过由配置在传感器壳体的上表面的磁路形成机构而对在红外线传感器上通过的磁通进行引导，能够以简单的构造降低磁通向红外线传感器的侵入而不会导致成本上升。由此，能够抑制噪声向红外线传感器的重叠，能够提高红外线传感器的温度检测精度。

附图说明

图1是实施方式1中的感应加热烹调器的概略立体图。

图2是实施方式1中的感应加热烹调器的主要部的概略结构图。

图3是说明实施方式1中的感应加热烹调器的主要部的位置关系的图。

图4是说明实施方式1中的感应加热烹调器的主要部的位置关系的图。

图5是表示实施方式1中的感应加热烹调器的顶板的分光透射特性的曲线图。

图6是表示实施方式1中的感应加热烹调器的顶板的分光透射特性与各温度中的分光辐射亮度曲线的关系的曲线图。

图7是按每个温度表示黑体的分光辐射亮度曲线的曲线图。

图8是表示实施方式1中的加热烹调动作的流程的流程图。

图9是实施方式1中的非接触式温度传感器的立体图。

图10是实施方式1中的非接触式温度传感器的俯视图。

图11是以图10的A-A线剖切实施方式1中的非接触式温度传感器得到的纵剖视图。

图12是表示将实施方式1中的非接触式温度传感器的磁路形成机构与传感器壳体分离后的状态的立体图。

图13是表示实施方式1中的加热线圈的磁通与非接触式温度传感器的示意图。

图14是表示实施方式1中的加热线圈的磁通与非接触式温度传感器的示意图。

图15是说明由实施方式1的磁路形成机构产生的磁通的引导的图。

图16是变形例1-1中的非接触传感器的俯视图。

图17是以图16的A-A线剖切变形例1-1中的非接触传感器得到的纵剖视图。

图18是变形例1-2中的非接触传感器的俯视图。

图19是说明由变形例1-2的磁路形成机构产生的磁通的引导的图。

图20是实施方式2中的传感器壳体的立体图。

图21是实施方式2中的非接触式温度传感器的纵剖视图。

图22是变形例2-1中的传感器壳体的立体图。

图23是变形例2-1中的非接触式温度传感器的纵剖视图。

图24是实施方式3中的非接触式温度传感器的立体图。

图25是实施方式3中的非接触式温度传感器的俯视图。

图26是以图25的B-B线剖切实施方式3中的非接触式温度传感器得到的横剖视图。

图27是变形例3-1中的非接触式温度传感器的横剖视图。

图28是变形例3-2中的非接触式温度传感器的立体图。

图29是变形例3-2中的非接触式温度传感器的俯视图。

图30是以图29的B-B线剖切变形例3-2中的非接触式温度传感器得到的横剖视图。

图31是变形例3-3中的非接触式温度传感器的横剖视图。

图32是实施方式4中的非接触式温度传感器的纵剖视图。

图33是变形例4-1中的非接触式温度传感器的横剖视图。

图34是变形例4-2中的非接触式温度传感器的横剖视图。

图35是变形例4-3中的非接触式温度传感器的横剖视图。

图36是变形例5中的非接触式温度传感器的横剖视图。

图37是变形例6中的非接触式温度传感器的横剖视图。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的加热烹调器的实施方式进行说明。另外，适当简化或省略细微的构造及重复或类似的说明。

实施方式1.

(感应加热烹调器的结构)

首先，对感应加热烹调器1的结构进行说明。图1是实施方式1中的感应加热烹调器1的概略立体图。如图1所示，感应加热烹调器1具备主体2和配置在主体2的上表面的顶板3。在主体2的前表面设置有前表面操作部21。在前表面操作部21配置有用于接通/断开感应加热烹调器1的电源的电源开关22、以及用于调节火力的多个操作刻度盘23。

顶板3例如由耐热性的玻璃板和金属的框体构成。在顶板3的上表面通过印刷等设置有表示加热区域的多个(在本实施方式中为三个)圆形的加热口30。在各加热口30载置有锅或煎锅等烹调容器100(图2)。另外，在加热口30的下方配置有加热线圈4。

在顶板3的近前侧设置有为了调整加热口30的火力而进行操作的上表面操作部31。上表面操作部31具有为了调节火力而进行操作的火力操作部32和表示火力的大小的火力显示部33。在本实施方式中，与各加热口30对应地设置有多个火力操作部32及火力显示部33。火力操作部32例如由静电电容式的触摸传感器构成。火力显示部33例如由多个发光二极管(LED)构成，点亮与火力的大小相应的数量的发光二极管。

另外，在顶板3的近前侧中央设置有显示部34。显示部34例如由触摸面板构成，能够显示与感应加热烹调器1相关的信息，并且能够输入烹调模式的选择及烹调温度的设定等操作。显示于显示部34的信息包括感应加热烹调器1的设定信息、烹调模式的选择显示、自动烹调的进行状况、烹调容器100的温度及警告信息的显示等。

图2是本实施方式中的感应加热烹调器1的主要部的概略结构图。另外，图3及图4是说明本实施方式中的感应加热烹调器1的主要部的位置关系的图。在此，图3包括感应加热烹调器1的截面示意图和从上面观察加热线圈4的示意图，用虚线连接对应的各构成要素。另外，图4是从背面观察加热线圈4的示意图。

如图2～图4所示，在感应加热烹调器1的主体2的内部且在顶板3的下方设置有加热线圈4、支承加热线圈4的线圈基座5、配置在线圈基座5的下表面的多个铁氧体磁芯6、非接触式温度传感器7、多个接触式温度传感器8a、8b、8c、8d、温度检测部9、控制部10以及变换器12。

如图2所示，在顶板3中的、非接触式温度传感器7的正上方设置有透射部40。透射部40优选做成空心或由透射原材料构成，以使烹调容器100的红外线透射顶板3。然而，若将透射部40做成空心或由透射原材料构成，则存在从顶板3的上表面看到内部的加热线圈4及配线等的情况，在外观设计上不优选。因此，也可以对透射部40实施点状或条纹状的涂装，从而限制透明的部分的比例。通过这样做，能够确保美观性和功能性。

加热线圈4配置在设置于顶板3的加热口30的下方。加热线圈4是例如铜线或铝线等导线卷绕而成的圆形的线圈，通过被供给高频电流而产生高频磁场。在本实施方式中，加热线圈4是被分割为第一线圈4a、第二线圈4b及第三线圈4c的三重环状的线圈。另外，第一线圈4a、第二线圈4b及第3线圈4c电连接，并由同一变换器12驱动。此外，加热线圈4的形状及驱动电路的结构不限定于此。例如，加热线圈4的形状也可以是椭圆。另外，线圈的结构可以是双重环状或者四重以上的环状，或者也可以组合多个线圈而构成。另外，被分割的线圈可以不电连接，也可以通过多个变换器分别独立地被驱动。

线圈基座5由合成树脂等构成，是收容并支承加热线圈4的大致圆盘状的构件。如图3所示，线圈基座5具备大致圆形且与加热线圈4的绕组的中央嵌合的中央部51、与中央部51同心地设置并包围加热线圈4的外周侧的外周部52、以及将中央部51和外周部52在径向上连接的梁部53。在本实施方式中，八根梁部53呈放射状地设置。

铁氧体磁芯6是由非导电性且具有高磁导率的强磁性材料构成的棒状的构件。例如，铁氧体磁芯6由后述的软磁铁氧体构成。通过设置铁氧体磁芯6，能够抑制加热线圈4向下方的漏磁通，能够实现加热效率的提高及烹调容器100的均匀加热化。如图4所示，本实施方式的铁氧体磁芯6在各梁部53的下表面，以从加热线圈4的中心附近沿半径方向延伸的方式相互隔开间隔并均等地配置。

非接触式温度传感器7检测从载置于顶板3的烹调容器100的底部放射的红外线能量，由磁路形成机构200、包括红外线传感器211在内的红外线传感器单元210、以及传感器壳体220构成。非接触式温度传感器7在径向上以红外线传感器211位于第一线圈4a与第二线圈4b之间的方式配置。另外，非接触式温度传感器7在周向上以红外线传感器211位于呈放射状配置的铁氧体磁芯6之间(即梁部53之间)的方式配置。在此，将多个铁氧体磁芯6中的与红外线传感器211相邻的铁氧体磁芯6设为铁氧体磁芯6a、6b。同样地，将线圈基座5的梁部53中的、与红外线传感器211相邻的梁部53设为梁部53a、53b。关于非接触式温度传感器7，将在后面进行详细叙述。

接触式温度传感器8a、8b、8c及8d通过各自的未图示的传感器保持部而配置成与顶板3的背面(即与加热线圈4相向的面)接触。接触式温度传感器8a、8b、8c及8d检测顶板3的温度。如图3及图4所示，多个接触式温度传感器中的接触式温度传感器8a在径向上配置在第一线圈4a与第二线圈4b之间。另外，接触式温度传感器8a在周向上，在与红外线传感器211相邻的铁氧体磁芯6a的上方，配置在与红外线传感器211相邻的梁部53a的顶板3侧(铁氧体磁芯6a的相反侧)的附近。另外，接触式温度传感器8b及8c在径向上配置在接触式温度传感器8a与加热线圈4的中心的同心圆上，且在周向上配置在与配置有红外线传感器211的区域不同的区域。另外，接触式温度传感器8d在径向上配置在第二线圈4b与第三线圈4c之间，且在周向上配置在与配置有红外线传感器211的区域不同的区域。

另外，接触式温度传感器的数量及配置不限定于此。例如，在本实施方式中，构成为具备四个接触式温度传感器，但接触式温度传感器的数量也可以是三个以下或者五个以上。另外，接触式温度传感器8a配置于红外线传感器211的附近即可，其他接触式温度传感器也可以在加热线圈4成为最高温的部位的附近、接触式温度传感器8a与加热线圈4的中心的同心圆上等任意的位置配置多个。

返回图2，温度检测部9由实现其功能的电路设备等硬件、或者微型计算机等运算装置和在其上执行的软件构成。温度检测部9接收来自红外线传感器211及接触式温度传感器8a、8b、8c及8d的输出值，并基于接收到的输出值来计算烹调容器100的温度。详细而言，温度检测部9利用接触式温度传感器8a、8b、8c、8d的输出值的最大值来修正红外线传感器211的输出值，并计算烹调容器100的最高温度Tcmax。另外，温度检测部9利用配置在与红外线传感器211相邻的铁氧体磁芯6a的上方的接触式温度传感器8a的输出值来修正红外线传感器211的输出值，并计算烹调容器100的烹调控制用温度Tcook。

控制部10由实现其功能的电路设备等硬件、或者微型计算机等运算装置和在其上执行的软件构成。控制部10基于利用前表面操作部21或上表面操作部31进行的设定内容，控制感应加热烹调器1的动作。另外，控制部10基于由使用者设定的烹调温度和由温度检测部9计算出的烹调容器100的最高温度Tcmax以及烹调控制用温度Tcook控制变换器12，进行加热控制。

变换器12是将商用电源11的交流电源转换为高频电流并向加热线圈4供给的驱动电路。另外，感应加热烹调器1也可以包括图2所示以外的结构，例如，也可以具备与外部设备进行通信的通信部等。另外，控制部10也可以构成为具备温度检测部9的功能。

(顶板的分光透射特性)

接着，对顶板3的分光透射特性进行说明。图5是表示本实施方式的感应加热烹调器1的顶板3的分光透射特性的曲线图。图5的曲线图将由厚度约4mm的耐热性高的结晶化玻璃构成顶板3的情况下的透射率τ作为一例而示出。另外，图6是表示本实施方式的感应加热烹调器1的顶板3的分光透射特性与各温度中的分光辐射亮度曲线的关系的曲线图。在图6中，示出了烹调容器100的温度为150℃、200℃、250℃的情况下的分光辐射亮度曲线和顶板3的透射率τ。

由图5可知，顶板3中的透射率高的波长带为0.6μm～2.6μm，接下来透射率高的波长带为3.2μm～4.2μm。另外，由图6可知，烹调容器100的温度为150℃、200℃、250℃的分光辐射亮度曲线从2.0μm附近增加。因此，由透射率τ(％)与分光辐射亮度的乘积求出的从烹调容器100底部到达红外线传感器211的红外线能量的值在3.2μm～4.2μm的波长带增大。因此，为了检测烹调容器100的温度，需要检测该波长带的红外线。通过检测该3.2μm～4.2μm的波长带，能够准确地测定不易受到由顶板3引起的衰减的影响的烹调容器100的温度为140℃以上的温度区域。

红外线传感器211检测从烹调容器100的底部放射的红外线能量和通过利用热传导对顶板3进行加热而从顶板3的下表面放射的红外线能量。从顶板3放射的红外线能量在顶板3的透射率低的区域即比4.5μm长的波长带中以高比例放射。玻璃的放射率ε一般为0.84～0.9左右，具有高放射率。

图7是按每个温度表示黑体的分光辐射亮度曲线的曲线图。由感应加热烹调器1加热的烹调物(烹调容器100)的温度使用从煮沸到油炸食品的大致比230℃低的温度带。根据图7，作为波长带，到250℃为止的分光辐射亮度被检测到20μm左右。因此，从顶板3放射的红外线能量作为噪声而对本来想要利用红外线传感器211检测的3.2μm～4.2μm的波长带产生大的影响。

(加热烹调器的控制)

接着，对由本实施方式的控制部10进行的加热控制进行说明。图8是表示本实施方式中的加热烹调动作的流程的流程图。

首先，当使用者接通电源开关22时，控制部10启动，进行各种数据的初始化(S101)，成为等待使用者的加热开始的指示的状态(S102)。然后，当由使用者使用显示部34等设定烹调温度并指示加热开始时(S102：是)，通过控制部10驱动加热线圈4(S103)。详细而言，以基于由使用者设定的温度来驱动加热线圈4的方式，通过控制部10控制变换器12，从变换器12向加热线圈4供给规定频率的电力。

由此，从加热线圈4产生磁通，利用该磁通在烹调容器100中产生涡电流，烹调容器100被加热。而且，从烹调容器100放射的红外线被红外线传感器211接收，与光接收量相应的输出值Tir向温度检测部9输出(S104)。

另外，通过加热烹调容器100而产生的热量向顶板3导热，从而加热顶板3。并且，通过配置于顶板3的下方的多个接触式温度传感器8a、8b、8c及8d，分别检测顶板温度Tpa、Tpb、Tpc、Tpd，并向温度检测部9输出(S105)。

温度检测部9从由接触式温度传感器8a、8b、8c及8d检测出的顶板温度Tpa、Tpb、Tpc及Tpd中提取最高温度作为Tpmax。然后，利用Tpmax来修正红外线传感器211的输出值Tir，并计算烹调容器100的最高温度Tcmax。另外，温度检测部9利用接触式温度传感器8a检测出的顶板温度Tpa来修正红外线传感器211的输出值Tir，并计算烹调容器100的烹调控制用温度Tcook(S106)。接触式温度传感器8a配置在与红外线传感器211相邻的铁氧体磁芯6a的上方。红外线传感器211的输出值Tir的修正例如通过从与输出值Tir对应的温度减去Tpmax或Tpa来进行。

接着，由控制部10对温度检测部9计算出的烹调容器100的最高温度Tcmax与作为两阶段的限制值的第一限制值Tlim1及第二限制值Tlim2进行比较。第一限制值Tlim1是比第二限制值Tlim2小的值。第一限制值Tlim1及第二限制值Tlim2可以根据烹调模式等预先设定，或者也可以由使用者任意地设定。并且，在最高温度Tcmax比第二限制值Tlim2大的情况下(S107：是)，判断为烹调容器100的温度变得过高，通过控制部10停止加热线圈4的驱动(S108)。另外，此时，也可以从显示部34或者未图示的通知部通过视觉或者声音向使用者通知已停止加热的意思。

另一方面，在最高温度Tcmax为第二限制值Tlim2以下的情况下(S107：否)，在最高温度Tcmax比第一限制值Tlim1大的情况下(S109：是)，判断为烹调容器100的温度接近高温。因此，在该情况下，向加热线圈4供给的供给电力降低(S110)。另外，此时，也可以从显示部34或者未图示的通知部通过视觉或者声音向使用者通知降低了加热的意思。

另一方面，在最高温度Tcmax为第一限制值Tlim1以下的情况下(S109：否)，判断为烹调容器100的温度适当，基于温度检测部9计算出的烹调控制用温度Tcook和所设定的温度进行烹调用的温度控制(S111)。

在烹饪用的温度控制中，以成为设定温度的方式进行反馈控制。详细而言，通过控制部10对烹调控制用温度Tcook和设定温度进行比较。然后，在烹饪控制用温度Tcook比设定温度低的情况下，向加热线圈4供给电力。并且，在烹饪控制用温度Tcook接近设定温度的情况下，提高供给电力的频率来降低向加热线圈4供给的供给电力。另外，在烹饪控制用温度Tcook超过了设定温度的情况下，通过控制部10使变换器12停止，停止向加热线圈4的电力供给。通过反复进行以上的动作直到加热烹调结束，从而将烹调控制用温度Tcook维持在设定温度。

然后，在加热烹调已结束的情况下(S112：是)，通过控制部10使变换器12停止，遮断向加热线圈4的电力供给(S108)。通过进行这样的控制，能够降低由从顶板3放射的红外线能量产生的影响。

(非接触式温度传感器7的结构)

接着，对本实施方式的非接触式温度传感器7进行详细叙述。图9是本实施方式中的非接触式温度传感器7的立体图，图10是本实施方式中的非接触式温度传感器7的俯视图。另外，图11是以图10的A-A线剖切本实施方式中的非接触式温度传感器7得到的纵剖视图。并且，图12是表示将本实施方式中的非接触式温度传感器7的磁路形成机构200与传感器壳体220分离后的状态的立体图。如图9～图12所示，非接触式温度传感器7具备包括红外线传感器211在内的红外线传感器单元210、收容红外线传感器单元210的传感器壳体220、以及配置于传感器壳体220的上表面的磁路形成机构200。非接触式温度传感器7以上表面与加热线圈4平行的方式安装于线圈基座5。

(磁路形成机构200)

磁路形成机构200对从加热线圈4产生并在红外线传感器211上通过的磁通进行引导。如图10及图11所示，磁路形成机构200是具有在俯视观察时比红外线传感器211大的面积的平板状的构件，以覆盖红外线传感器211的方式配置。另外，磁路形成机构200只要与在红外线传感器211上产生的磁通的方向平行的边的长度比与红外线传感器211的磁通的方向平行的长度长即可。另外，磁路形成机构200具有透射来自烹调容器100的红外线的开口201。磁路形成机构200配置在非接触式温度传感器7的最上部，并利用粘接剂、胶带或具有粘着性的缓冲材料等，以与传感器壳体220的上表面紧贴的方式固定。由此，磁路形成机构200与加热线圈4平行地配置。

另外，本实施方式的磁路形成机构200由在感应加热烹调器1的驱动频带中的相对磁导率μ_s比空气的相对磁导率(μ_s＝1)高的构件构成。作为一例，磁路形成机构200由作为软磁性体的软磁铁氧体构成。铁氧体是以铁为主要成分的氧化物磁性体，化学式由MO-Fe₂O₃表示。M为二价金属离子Fe、Mn、Zn、Ni、Mg、Co或Cu等。通过改变金属离子M，能够得到各种特性的铁氧体。

铁氧体大致分为磁性硬的硬磁铁氧体和磁性软的软磁铁氧体。硬磁铁氧体在增强了磁场的情况下，最初磁通密度也不怎么变化，在使磁场非常强的情况下，磁通突然流动而磁化。另外，硬磁铁氧体具有一旦被磁化则即使施加相反侧的磁通也不易复原的性质。另一方面，软磁铁氧体具有若增加磁场则磁通立即流动而被磁化，但若施加相反侧的磁通则立即复原的性质。

软磁铁氧体有Mn-Zn类和Ni-Zn类。Mn-Zn类虽然磁导率μ及磁通密度B高，但与磁导率高的量相应地，由于斯诺克效应(英文：Snoek’s effect)而能够使用的频率为1MHz以下。另外，由于为了具有导电性而需要进行绝缘加工，因此在作为滤波器使用的情况下，形状大。Ni-Zn类大多为绝缘体，高频优异，因此对于在滤波器等电子电路中使用的噪声对策，往往使用Ni-Zn类。

本实施方式中的磁路形成机构200利用铁氧体的高磁导率将在空间中流动的磁通引导到磁路形成机构200中。作为磁路形成机构200，并非仅使用磁性体即可，需要配置在感应加热烹调器1的驱动频率(20KHz～100KHz)中具有比空气高的相对磁导率μ_s的磁性体。另外，若在感应加热烹调器1的驱动频带中的相对磁导率μ_s高，则也可以使用硬磁铁氧体等硬磁性体。

在此，相对磁导率μ_s是该磁性体的磁导率与真空的磁导率之比，是表示相对于真空容易通过几倍磁通的指标。另外，由于真空的磁导率和空气的磁导率大致相等，因此也可以说相对磁导率μ_s表示相对于空气容易通过几倍磁通。相对磁导率μ_s、磁场的强度H和磁通密度B的关系由以下表示。

B＝μ_abH＝μ₀μ_sH

μ_ab＝绝对磁导率[H/m]

μ₀＝真空的磁导率(4π×10^-7[H/m])

μ_s＝相对磁导率(该磁性体容易通过真空的几倍磁通)

如本实施方式那样，在将磁性体作为用于屏蔽的磁路形成机构而使用的情况下，相对磁导率是重要的。在相同大小的磁性体的情况下，相对磁导率越高，能够得到越高的磁通引导效果。换言之，作为磁路形成机构200，通过使用相对磁导率高的磁性体，能够减小磁路形成机构200的大小，削减材料。

另外，铁氧体的磁导率μ不是恒定的，而根据频率、磁场的大小或温度变化。通常，若铁氧体的温度升高则磁导率也上升，但若达到某个温度则成为极大值。若温度自此进一步上升，则铁氧体的磁导率成为空气的磁导率μ＝1。将磁性从该磁性体消失(成为空气的磁导率)的温度称为居里温度，根据铁氧体的种类的不同而不同。在本实施方式中，对磁路形成机构200使用的铁氧体的居里温度优选为加热线圈4的覆膜耐热温度以上。例如，若加热线圈4的覆膜是H种的覆膜，则覆膜耐热温度为180℃，居里温度为180℃以上的铁氧体用于磁路形成机构200。

另外，磁路形成机构200的材质不限定于软磁铁氧体，只要是在感应加热烹调器1的驱动频带中的相对磁导率μ_s比空气的相对磁导率(μ_s＝1)高的材质即可。

(红外线传感器单元210)

如图11所示，红外线传感器单元210具备红外线传感器211和安装有红外线传感器211的基板212。红外线传感器211检测从被加热物放射的红外线，并作为电压输出。作为红外线传感器211，使用针对在红外线区域中宽的波长具有灵敏度的例如热电堆传感器等。如图11所示，本实施方式的红外线传感器211是将凸形状的聚光透镜213和配置于聚光透镜213的下方的圆筒形状的封入构件214在基板212上封装化而成的。在封入构件214的内部封入有未图示的热电堆芯片及自身温度检测热敏电阻。

如本实施方式那样，通过使红外线传感器211的聚光透镜213为凸形状，能够缩小红外线传感器211的视野范围，抑制干扰光的影响。另外，作为聚光透镜213的基材，使用硅。硅在红外线区域中透射率约为50～60％，波长依赖性小，另外，除了红外线区域中的光的透射以外，反射率大、热吸收率小，因此温度不易上升。另外，由于硅的热扩散性高，即使聚光透镜213吸收红外线而温度上升，通过热扩散，也不易对红外线量的检测带来影响。因此，通过使用硅作为聚光透镜213的基材，从而即使在红外线传感器211设置于顶板3的附近那样的使用环境中，也不易产生由聚光透镜213的温度上升引起的对红外线的检测的影响。另外，聚光透镜213的基材不限定于硅，只要是具有同样的透射特性及热扩散性的材料即可。

另外，红外线传感器211的具体结构不限定于图11所例示的结构。例如，作为红外线传感器211，也可以使用基于光电二极管式的红外线传感器。另外，封入构件214的形状也可以不是圆筒形状。

在基板212安装有红外线传感器211、放大器及控制放大器的各种电子部件215。红外线传感器211以受光部位于磁路形成机构200的开口201的正下方的方式配置于基板212。从红外线传感器211输出的电压被放大器放大，并被发送到温度检测部9。然后，通过温度检测部9得到被加热物的温度信息，并输出到控制部10，用于加热控制等。

(传感器壳体220)

传感器壳体220是以在加热线圈4的附近流动的冷却风不与红外线传感器单元210直接接触的方式覆盖红外线传感器单元210的周围的壳体。本实施方式的传感器壳体220具有俯视为长方形的长方体形状。传感器壳体220例如由耐热性能高的聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂(PBT)或聚苯硫醚树脂(PPS)等树脂构成。

如图11及图12所示，传感器壳体220由上壳体230和下壳体240构成。通过在下壳体240的内部配置红外线传感器单元210并使上壳体230覆盖，从而红外线传感器单元210被收容在传感器壳体220内。此时，红外线传感器单元210以与传感器壳体220的侧壁保持规定距离的状态收容在传感器壳体220的内部，以使红外线传感器211的周围的环境温度相同。

上壳体230由在俯视观察时呈长方形的上表面和从上表面的四边向下方延伸的侧面构成，具有底部敞开的形状。另外，如图11及图12所示，在上壳体230的上表面形成有用于红外线传感器211接收红外线的开口231。在红外线传感器单元210被收纳在传感器壳体220内的状态下，红外线传感器211经由上壳体230的开口231及磁路形成机构200的开口201检测红外线。另外，上壳体230的开口231及磁路形成机构200的开口201不限定于矩形，也可以是圆形或多边形。

下壳体240由在俯视观察时呈长方形的底面和从底面的四边向上方延伸的侧面构成，具有上部敞开的形状。如图11所示，在下壳体240的底面的内侧，将载置红外线传感器单元210的基板212的支承部241从下壳体240的底面向上方突出而形成。在本实施方式中，沿着基板212的底面的四边设置有四个支承部241。

通过由支承部241支承基板212，从而在基板212与下壳体240的底面之间设置有间隙。由此，能够确保基板212的冷却性。另外，本实施方式中的下壳体240构成为具有四个支承部241，但不限定于此。支承部241只要能够以使基板212不移动的方式进行支承即可，例如，可以将支承部241配置在基板212的底面的四角，也可以分散配置三个以下或者五个以上的支承部241。

在上壳体230的侧面的下端部和下壳体240的外周部，在将上壳体230覆盖于下壳体240时相对的位置设置有卡合突起(未图示)。在将上壳体230覆盖于下壳体240时，通过该卡合突起卡合，能够对上壳体230和下壳体240进行定位。

另外，在上壳体230的短边侧的侧面分别形成向外侧突出的安装片232a及安装片232b。另外，在安装片232a及232b分别形成插通孔233a及233b。同样地，在下壳体240的短边侧的侧面分别形成向外侧突出的安装片242a及安装片242b。另外，在安装片242a及242b分别形成插通孔243a及插通孔243b。

安装片232a和安装片242a、以及安装片232b和安装片242b以在上壳体230和下壳体240卡合的状态下在俯视观察时重叠的方式配置。并且，通过使螺钉插通插通孔233a和243a以及插通孔233b和243b，并螺钉固定于线圈基座5的背侧(加热线圈4侧的相反侧)，从而传感器壳体220被安装于线圈基座5。此时，传感器壳体220以将顶板3与红外线传感器211之间的距离保持为恒定的状态固定于线圈基座5。

接着，对非接触式温度传感器7中的防磁效果进行说明。

感应加热烹调器1的噪声产生源是配置在非接触式温度传感器7的上方的加热线圈4。图13及图14是表示本实施方式中的加热线圈4的磁通与非接触式温度传感器7的示意图。如图13及图14所示，在加热线圈4的周围，在与流过加热线圈4的电流正交的方向上产生磁通300。另外，越远离加热线圈4，磁通越少、越弱。如图14所示，非接触式温度传感器7的上表面最接近加热线圈4，磁通的影响较大。因此，如本实施方式那样，通过在非接触式温度传感器7的上表面配置磁路形成机构200，能够针对红外线传感器211得到高防磁效果。

图15是说明本实施方式的磁路形成机构200的磁通的引导的图。如图15所示，本实施方式的磁路形成机构200以包围上壳体230的开口231的方式配置。在上壳体230的开口231的下方配置有红外线传感器211。另外，磁路形成机构200与由加热线圈4产生的磁通且在红外线传感器211上通过的磁通的方向平行地配置。由此，利于磁路形成机构200，优先引导从加热线圈4进入红外线传感器211的漏磁通。其结果是，如图15所示，通过红外线传感器211的上部的磁通避开红外线传感器211的上方，通过磁路形成机构200。由此，能够降低磁通向红外线传感器211的侵入。

如上所述，在本实施方式中，利用配置在传感器壳体220的上表面的磁路形成机构200，能够引导来自加热线圈4的漏磁通并使其在红外线传感器211的上方通过。由此，能够抑制磁通进入红外线传感器211，降低高频噪声向红外线传感器211的重叠。其结果是，能够提高红外线传感器211的温度检测精度，也能够提高适当温度烹调及自动烹调的精度。

另外，通过将磁路形成机构200设为平板形状，能够提高成形性，削减制造成本。另外，通过将平板形状的磁路形成机构200局部地配置于上壳体230的上表面，能够以简单的构造得到防磁效果，并且能够降低作业工时及材料费，防止产品的成本上升。而且，即使在磁路形成机构200破损了的情况下，也能够防止破损构件的落下或向机身内部的飞散。

此外，本实施方式不限定于上述结构，能够进行各种变形。例如，磁路形成机构200的形状不限定于上述形状，能够根据磁通的方向、强度任意地变更。以下对本实施方式的进一步的变形例1-1及变形例1-2进行说明。

变形例1-1.

图16是变形例1-1中的非接触式温度传感器7A的俯视图，图17是以图16的A-A线剖切变形例1-1中的非接触式温度传感器7A得到的纵剖视图。此外，在图16及图17中，对与图10及图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图16及图17所示，本变形例的非接触式温度传感器7A中的磁路形成机构200A具有在俯视观察时比红外线传感器单元210的基板212大的面积，以覆盖基板212的方式配置。另外，磁路形成机构200A只要与在基板212上通过的磁通的方向平行的边的长度比与基板212的磁通的方向平行的长度长即可。另外，在磁路形成机构200A设置有用于红外线传感器211接收红外线的开口201。另外，磁路形成机构200A由与实施方式1的磁路形成机构200相同的材质构成。

通过采用本变形例那样的结构，不仅能够降低磁通向红外线传感器211的侵入，还能够降低磁通向基板212的侵入。由此，能够降低向配置于基板212的各电子部件215及配线的高频噪声，能够进一步提高温度检测精度。

变形例1-2.

图18是变形例1-2中的非接触式温度传感器7B的俯视图，图19是说明由变形例1-2的磁路形成机构产生的磁通的引导的图。此外，在图18及图19中，对与图10所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图18及图19所示，本变形例的非接触式温度传感器7B在上壳体230的上表面具备隔着开口231而相对的第一磁路形成机构200Ba及第二磁路形成机构200Bb。第一磁路形成机构200Ba及第二磁路形成机构200Bb分别具有矩形的平板形状，与在非接触式温度传感器7B上产生的磁通的方向平行地配置。另外，第一磁路形成机构200Ba及第二磁路形成机构200Bb由与实施方式1的磁路形成机构200相同的材质构成。

如图19所示，本变形例的第一磁路形成机构200Ba及第二磁路形成机构200Bb将朝向上壳体230的开口231侵入的磁通引导到比开口231靠近前的位置。由此，能够避免磁通在开口231的角部附近的集中，能够顺畅地引导磁通。

在感应加热烹调器1中，电流在作为噪声产生源的加热线圈4中流动的方向固定。因此，从加热线圈4产生的磁通的方向也固定，能够设想磁通强的位置。因此，在磁通强的位置中，通过在磁通容易流动的方向上配置第一磁路形成机构200Ba及第二磁路形成机构200Bb，能够高效且顺畅地引导磁通。

如上所述，根据本变形例，能够有效地配置磁路形成机构，能够在不损害噪声的降低效果地使磁路形成机构小型化。由此，能够削减产品的成本。

实施方式2.

接着，对本发明的实施方式2进行说明。实施方式2的非接触式温度传感器7C在传感器壳体220C的形状上与实施方式1不同。感应加热烹调器1的其他结构及控制与实施方式1相同。

图20是本实施方式中的传感器壳体220C的立体图，图21是本实施方式中的非接触式温度传感器7C的纵剖视图。另外，在图20及图21中，对与图9及图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图20所示，在本实施方式的传感器壳体220C的上壳体230C的上表面形成有向加热线圈4侧(即上侧)突出的肋234。肋234沿着开口231的外周的整周形成。并且，如图21所示，本实施方式的磁路形成机构200配置成嵌入上壳体230C的肋234。

如上所述，根据本实施方式，磁路形成机构200的位置由上壳体230C的肋234限制。由此，磁路形成机构200的定位容易，非接触式温度传感器7C的制造时的负荷减轻。

此外，本实施方式不限定于上述结构，能够进行各种变形。例如，肋234不限定于设置在上壳体230C的开口231的外周的整周，也可以仅在隔着开口231相对的两边设置肋234。并且，在开口231为圆形的情况下，也可以在距开口231的中心同一角度的三处设置肋234。另外，用于对磁路形成机构200进行定位的肋的形状及数量不限定于上述形状及数量，能够任意地选择。以下对本实施方式的进一步的变形例2-1进行说明。

变形例2-1.

图22是变形例2-1中的传感器壳体220D的立体图，图23是变形例2-1中的非接触式温度传感器7D的纵剖视图。另外，在图22及图23中，对与图9及图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图22所示，在本实施方式的传感器壳体220C的上壳体230D的上表面形成有沿着外周向加热线圈4侧(即上侧)突出的肋235。并且，如图23所示，磁路形成机构200D配置成嵌入上壳体230D的肋235内。

如上所述，根据本变形例，磁路形成机构200D的位置也由上壳体230D的肋235限制。由此，磁路形成机构200D的定位容易，非接触式温度传感器7D的制造时的负荷减轻。此外，在本变形例中，也不限定于将肋235设置在上壳体230D的外周的整周，能够任意地选择在角部或各边配置多处等。

实施方式3.

接着，对本发明的实施方式3进行说明。实施方式3的非接触式温度传感器7E在磁路形成机构的形状上与实施方式1不同。感应加热烹调器1的其他结构及控制与实施方式1相同。

图24是本实施方式中的非接触式温度传感器7E的立体图，图25是本实施方式中的非接触式温度传感器7E的俯视图。另外，图26是以图25的B-B线剖切本实施方式中的非接触式温度传感器7E得到的横剖视图。在图24～26中，对与图9～图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图24～26所示，本实施方式的磁路形成机构200E具有从长边侧弯曲并向下方延伸的侧部202a及侧部202b。侧部202a及202b沿着上壳体230E的长边侧的侧面从上壳体230E的上表面向下方延伸。磁路形成机构200E由与实施方式1的磁路形成机构200相同的材质构成。

另外，在上壳体230E的长边侧的侧面分别形成向外侧突出的叶片部236a及叶片部236b。磁路形成机构200E的侧部202a及202b分别载置于上壳体230E的叶片部236a及236b。

如上所述，根据本实施方式，通过磁路形成机构200E的侧部202a及202b，能够引导未能够在上壳体230E的上表面上引导的、朝向侧面的磁通，能够进一步降低噪声向红外线传感器211的重叠。另外，磁路形成机构200E相对于上壳体230E的位置由磁路形成机构200E的侧部202a及202b限制。由此，磁路形成机构200E的定位容易，非接触式温度传感器7E的制造时的负荷减轻。

而且，通过在上壳体230E设置分别承接磁路形成机构200E的侧部202a及202b的叶片部236a及236b，能够抑制磁路形成机构200E破损了的情况下的破损部件的落下。另外，叶片部236a及236b不是必要的结构，也可以省略。

此外，本实施方式不限定于上述结构，能够进行各种变形。例如，在上述中，构成为使磁路形成机构200E的长边侧弯曲而设置侧部202a及202b，但也可以使短边侧弯曲而设置侧部202a及202b。或者，也可以使长边侧及短边侧的四边分别弯曲而设置四个侧部。另外，也可以仅使磁路形成机构200E的单侧弯曲，将磁路形成机构200E构成为在横截面观察时呈L字型。

另外，磁路形成机构200E的侧部的形状及位置不限定于上述形状及位置，能够根据磁通的方向和强度而任意地选择。以下对本实施方式的进一步的变形例3-1、变形例3-2及变形例3-3进行说明。

变形例3-1.

图27是变形例3-1中的非接触式温度传感器7F的横剖视图。另外，在图27中，对与图26所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图27所示，本变形例的磁路形成机构200F中的侧部202a及202b形成为延伸至比红外线传感器单元210的基板212靠下方的位置。另外，本变形例的上壳体230F的侧面也形成为延伸至基板212的下方，在侧面的端部形成有供磁路形成机构200F的侧部202a及202b载置的叶片部236a及236b。

这样，根据本变形例，能够降低从传感器壳体220的侧面进入基板212的噪声，能够进一步提高温度检测精度。

变形例3-2.

图28是变形例3-2中的非接触式温度传感器7G的立体图，图29是变形例3-2中的非接触式温度传感器7G的俯视图。另外，图30是以图29的B-B线剖切变形例3-2中的非接触式温度传感器7G得到的横剖视图。在图28～30中，对与图24～图27所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图28～30所示，本变形例的磁路形成机构200F具有与变形例3-1同样的结构，具有延伸至比红外线传感器单元210的基板212靠下方的位置的侧部202a及202b。另外，本变形例的下壳体240G形成为在俯视观察时短边侧大于上壳体230，磁路形成机构200F的侧部202a及202b收容于下壳体240的内部。即，在本变形例中，成为由上壳体230的侧面和下壳体240G的侧面夹入磁路形成机构200G的侧部202a及202b的结构。

如上所述，根据本变形例，能够降低从传感器壳体220的侧面进入基板212的噪声，并且能够稳定地配置磁路形成机构200F。

变形例3-3.

图31是变形例3-3中的非接触式温度传感器7H的横剖视图。在图31中，对与图30所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图31所示，本变形例的非接触式温度传感器7H的磁路形成机构200H除了侧部202a及202b之外，还具备底部203。并且，磁路形成机构200H的底部203在下壳体240G内配置在红外线传感器单元210的基板212的下方。

如上所述，根据本变形例，能够降低从传感器壳体的侧面及底面侵入基板212的噪声，并且能够稳定地配置磁路形成机构200H。

实施方式4.

接着，对本发明的实施方式4进行说明。实施方式4的非接触式温度传感器7J在还具备用于保护磁路形成机构的保护机构260这一点上与实施方式1不同。感应加热烹调器1的其他结构及控制与实施方式1相同。

图32是本实施方式中的非接触式温度传感器7J的纵剖视图。在图32中，对与图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图32所示，本实施方式的非接触式温度传感器7J在磁路形成机构200的上表面具备保护机构260。保护机构260是具有在俯视观察时比磁路形成机构200大的面积的平板状的构件，以覆盖磁路形成机构200的方式配置。另外，保护机构260具有用于红外线传感器211接收红外线的开口261。

本实施方式的保护机构260由导电率高的金属构件构成。作为金属构件，例如能够采用板状的铝、铜、不锈钢或铁等，但考虑到耐磁性能，优选使用作为非磁性金属的铝或铜。

如上所述，根据本实施方式，通过利用保护机构260保护磁路形成机构200，从而即使在磁路形成机构200破损了的情况下，也能够防止破损构件的飞散。另外，通过将保护机构260设为导电率高的金属构件，从而利用由金属的涡电流产生的磁通，能够进一步降低从上表面侵入红外线传感器211的磁通。并且，作为金属构件的保护构件260的表面的反射率高，因此，还能够使来自顶板3的辐射热反射，抑制辐射热对红外线传感器211的影响。

此外，本实施方式不限定于上述结构，能够进行各种变形。例如，保护机构260也可以不由金属构件构成，而由树脂构成。另外，保护机构260也可以是平板以外的形状。例如通过设为网眼或冲孔构造，能够容易散热。以下对本实施方式的进一步的变形例4-1、变形例4-2及变形例4-3进行说明。

变形例4-1.

图33是变形例4-1中的非接触式温度传感器7K的横剖视图。在图33中，对与图32所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图33所示，本变形例的磁路形成机构200K具有从上壳体230K的上表面向下方延伸的侧部202a及202b，并配置在上壳体230K的上表面及侧面。在上壳体230K的侧面形成有供侧部202a及202b载置的叶片部236a及236b。在本变形例中，上壳体230K配置在下壳体240K的内部，磁路形成机构200K的侧部202a及202b由上壳体230K的侧面和下壳体240K的侧面夹入。

下壳体240K的侧面延伸至磁路形成机构200K的上表面，在端部形成有向外侧突出的安装部245a及安装部245b。并且，本变形例的保护机构260K与下壳体240K一起通过螺钉270安装于线圈基座5。

在本变形例中，通过利用保护机构260K来保护磁路形成机构200K，从而即使在磁路形成机构200破损了的情况下，也能够防止破损构件的飞散。

变形例4-2.

图34是变形例4-2中的非接触式温度传感器7L的横剖视图。在图34中，对与图33所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。如图34所示，本变形例的磁路形成机构200L具有平板形状，并配置在上壳体230L的上表面。在上壳体230L的上表面，沿着外周的至少一部分形成有肋237。肋237形成为比磁路形成机构200L的厚度厚，由此在保护机构260L与磁路形成机构200L之间形成有间隙301。

在下壳体240L的侧面的端部形成有向外侧突出的安装部245a及245b。而且，本变形例的保护机构260L经由间隔件280与下壳体240L一起通过螺钉270安装于线圈基座5。

如本变形例那样，通过在保护机构260K与磁路形成机构200之间设置间隙301，从而磁路形成机构200L相对于振动的耐久性提高。

变形例4-3.

图35是变形例4-3中的非接触式温度传感器7M的横剖视图。另外，在图35中，对与图33所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。

如图35所示，本变形例的非接触式温度传感器7M具备覆盖上壳体230M的外侧的上侧磁路形成机构200Ma、和覆盖下壳体240M的外侧的下侧磁路形成机构200Mb。上侧磁路形成机构200Ma配置在上壳体230M的上表面及侧面，下侧磁路形成机构200Mb配置在下壳体240M的侧面及底面的外侧。

另外，本变形例的非接触式温度传感器7M还具备保护上侧磁路形成机构200Ma的上侧保护机构260Ma、和保护下侧磁路形成机构200Mb的下侧保护机构260Mb。下侧保护机构260Mb在内部收容上侧磁路形成机构200Ma、下侧磁路形成机构200Mb及传感器壳体220M。另外，在下侧保护机构260Mb的侧面形成有安装部261a及安装部261b。并且，上侧保护机构260Ma与下侧保护机构260Mb一起通过螺钉270安装于线圈基座5。

在本变形例中，通过将上侧磁路形成机构200Ma和下侧磁路形成机构200Mb配置在传感器壳体220M的外侧，能够简化传感器壳体220M。另外，通过将上侧磁路形成机构200Ma或下侧磁路形成机构200Mb中的一方接地，能够进一步降低红外线传感器211的噪声。另外，上侧磁路形成机构200Ma及下侧磁路形成机构200Mb的配置不限定于图35，也可以有效地配置在磁通的侵入多的部位。

以上，参照附图对本发明的实施方式及变形例进行了说明，但本发明的具体结构并不限于此，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行变更。例如，作为磁路形成机构，可以使用电磁波屏蔽片或电磁波屏蔽涂料等。电磁波屏蔽片是在由硅或其他橡胶制成的片材中揉入铝硅铁粉或铁氧体等磁性材料的粉末而得到的，根据所使用的磁性材料的不同，具有效果的频率不同。作为屏蔽的原理，与金属同样地，在数百MHz～数GHz的宽的频率范围内有效。但是，电磁波屏蔽片及电磁波屏蔽涂料只要是在感应加热烹调器1的驱动频带中的相对磁导率高的材料，就也能够作为磁路形成机构得到效果。

另外，也可以采用上述实施方式的传感器壳体作为受到干扰光的影响的光电二极管式的红外线传感器、振荡器成为高温的超声波距离传感器、多普勒式距离传感器、磁式距离传感器、或光(激光)式传感器的传感器壳体。由此，能够在各传感器中降低磁场的影响。另外，也可以将传感器壳体220的一部分与线圈基座5一体地形成。

并且，上述实施方式的结构能够适当组合。例如，在实施方式2及3所记载的非接触式温度传感器中，也可以具备实施方式4所记载的保护磁路形成机构的保护机构。另外，以下对其他的变形例5及6进行说明。

变形例5.

图36是变形例5中的非接触式温度传感器7N的横剖视图。另外，在图36中，对与图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。如图36所示，也可以将磁路形成机构200N配置在传感器壳体220N的内部。由此，能够降低由外力引起的磁路形成机构200N的破损。

变形例6.

图37是变形例6中的非接触式温度传感器7P的横剖视图。另外，在图37中，对与图11所示的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记。如图37所示，也可以将红外线传感器211配置成从传感器壳体220P的开口231向上方突出。在该情况下，磁路形成机构200P的厚度形成为比红外线传感器211的突出厚度厚。通过设为这样的结构，能够缩短红外线传感器211与顶板3的距离，提高红外线传感器211的灵敏度。

附图标记说明

1感应加热烹调器；2主体；3顶板；4加热线圈；4a第一线圈；4b第二线圈；4c第3线圈；5线圈基座；6、6a、6b铁氧体磁芯；7、7A、7B、7C、7D、7E、7F、7G、7H、7J、7K、7L、7M、7N、7P非接触式温度传感器；8a、8b、8c、8d接触式温度传感器；9温度检测部；10控制部；11商用电源；12变换器；21前表面操作部；22电源开关；23操作刻度盘；30加热口；31上表面操作部；32火力操作部；33火力显示部；34显示部；40透射部；51中央部；52外周部；53、53a、53b梁部；100烹调容器；200、200A、200D、200E、200F、200G、200H、200K、200L、200N、200P磁路形成机构；200Ba第一磁路形成机构；200Bb第二磁路形成机构；200Ma上侧磁路形成机构；200Mb下侧磁路形成机构；201开口；202a、202b侧部；203底部；210红外线传感器单元；211红外线传感器；212基板；213聚光透镜；214封入构件；215电子部件；220、220C、220D、220M、220N、220P传感器壳体；230、230C、230D、230E、230F、230K、230L、230M上壳体；231开口；232a、232b、242a、242b安装片；233a、233b、243a、243b插通孔；234、235、237肋；236a、236b叶片部；240、240G、240K、240L、240M下壳体；241支承部；245a、245b安装部；260、260K、260L保护机构；260Ma上侧保护机构；260Mb下侧保护机构；261开口；261a、261b安装部；270螺钉；280间隔件。