具体实施方式

参照附图描述示例实施例。实际的实施例可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于示例实施例。

尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以用于区分不同类别或不同组的元件。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。

术语“连接”可以是指“电连接”或“不通过中间晶体管而电连接”。术语“绝缘”可以是指“电绝缘”或“电隔离”。术语“导电”可以是指“电气导电”。术语“驱动”可以是指“操作”或“控制”。术语“延伸”可以是指“突出”。

图1是根据实施例的显示装置10的示意性平面图。

显示装置10可以显示移动图像或静止图像。显示装置10可以表示包括显示屏的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机和便携式摄像机。

显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管(LED)显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板以及场发射显示面板。无机LED显示面板作为示例被描述。

可以对显示装置10的形状进行各种修改。例如，显示装置10可以具有各种形状，诸如水平长矩形、垂直长矩形、正方形、具有圆角(顶角)的四边形、其他多边形和圆形。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，显示装置10和显示区域DPA中的每一个形如水平长矩形。

显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是能够显示屏幕的区域，并且非显示区域NDA可以是不显示屏幕的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DPA通常可以占据显示装置10的中心。

显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以以矩阵形式设置。在显示区域DPA的平面图中，像素PX中的每一个可以是矩形或正方形。像素PX中的每一个也可以具有菱形平面形状，该菱形平面形状具有相对于一方向倾斜的各边。像素PX可以以条纹或蜂窝状(PENTILE)(TM)配置而交替地设置。像素PX中的每一个可以包括发射特定波段的光以显示特定颜色的一个或多个发光元件ED(参见图2)。

非显示区域NDA可以布置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以为矩形，并且非显示区域NDA可以被布置成与显示区域DPA的四个边邻近。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。在每个非显示区域NDA中，可以布置包括在显示装置10中的布线或电路驱动器，或者可以安装外部装置。

图2是根据实施例的显示装置10的像素PX的平面图。

参照图2，像素PX中的每一个可以包括多个子像素PXn(其中，n是1至3的整数)。例如，一个像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。子像素PXn可以发射相同颜色的光。像素PX可以包括更多的子像素PXn。

显示装置10的每个子像素PXn可以包括发射区域EMA和非发射区域(未图示出)。发射区域EMA可以是其中布置有发光元件ED以输出特定波段的光的区域，并且非发射区域可以是其中没有布置发光元件ED并且因为从发光元件ED发射的光没有到达该区域所以没有光从其输出的区域。发射区域EMA可以包括其中布置有发光元件ED并且其中从发光元件ED发射的光输出到与发光元件ED邻近的区域的区域。

发射区域EMA可以包括从发光元件ED发射的光在被其他构件反射或折射之后从其输出的区域。可以在每个子像素PXn中布置多个发光元件ED，并且其中布置有发光元件ED的区域与邻近该区域的区域可以形成发射区域EMA。

每个子像素PXn可以包括被布置在非发射区域中的切割区域CBA。切割区域CBA可以被布置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧。切割区域CBA可以被布置于在第二方向DR2上彼此相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间。即，可以在显示装置10的显示区域DPA中设置多个发射区域EMA和多个切割区域CBA。例如，发射区域EMA和切割区域CBA可以在第一方向DR1上重复地设置，但是可以在第二方向DR2上交替地设置。第二堤BNL2可以被布置在切割区域CBA与发射区域EMA之间，并且切割区域CBA与发射区域EMA之间的间隙可以根据第二堤BNL2的宽度进行变化。因为发光元件ED未被布置在切割区域CBA中，所以光可以不从切割区域CBA输出，但是被布置在每个子像素PXn中的电极RME的一部分可以被布置在切割区域CBA中。被布置在一些子像素PXn中的电极RME可以在切割区域CBA中彼此分离。电极RME在切割区域CBA中可以不彼此分离。

图3是图2的第一子像素PX1和第二子像素PX2的平面图。图4是沿着图2的线Q1-Q1’、Q2-Q2’和Q3-Q3’截取的截面图。图4图示出了跨被布置在第三子像素PX3中的发光元件ED的一端和另一端的截面。

结合图2参照图3和图4，显示装置10可以包括第一基板11以及被布置在第一基板11上的半导体层、多个导电层以及多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以构成显示装置10的电路层和发光元件层。

具体地，第一基板11可以是绝缘基板。第一基板11可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。另外，第一基板11可以是刚性基板，但是也可以是可以弯曲、折叠和卷曲的柔性基板。

遮光层BML可以被布置在第一基板11上。遮光层BML与显示装置10的第一晶体管T1的有源层ACT1重叠。遮光层BML可以包括用于防止光进入第一晶体管T1的有源层ACT1的遮光材料。例如，遮光层BML可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。遮光层BML可以是可选的。

缓冲层12可以被布置在具有遮光层BML的第一基板11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一基板11上，以保护像素PX的第一晶体管T1免受通过易受湿气穿透的第一基板11而引入的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以由交替地堆叠的多个无机层组成。例如，缓冲层12可以是其中包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)和氧氮化硅(SiO_xN_y)中的至少一种的无机层(交替地)堆叠的多层。

半导体层被布置在缓冲层12上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT1。有源层ACT1可以与第一栅导电层的栅电极G1部分地重叠。

显示装置10还可以包括更多的晶体管。例如，显示装置10可以通过在每个子像素PXn中包括除了第一晶体管T1之外的一个或多个晶体管，而包括两个或三个晶体管。

半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体等。当半导体层包括氧化物半导体时，每个有源层ACT1可以包括多个导电区ACTa和ACTb以及被布置在多个导电区ACTa与ACTb之间的沟道区ACTc。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)或氧化铟镓锌锡(IGZTO)。

在实施例中，半导体层可以包括多晶硅。可以通过使非晶硅结晶来形成多晶硅。在这种情况下，有源层ACT1的导电区ACTa和ACTb中的每一个可以是掺杂有杂质的掺杂区。

第一栅绝缘层13被布置在半导体层和缓冲层12上。第一栅绝缘层13可以被布置在具有半导体层的缓冲层12上。第一栅绝缘层13可以用作每个晶体管的栅绝缘膜。第一栅绝缘层13可以是包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氧氮化硅(SiO_xN_y)的无机材料的无机层，或者可以具有其中以上材料被堆叠的结构。

第一栅导电层被布置在第一栅绝缘层13上。第一栅导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器的第一电容电极CSE1。栅电极G1可以在厚度方向上与有源层ACT1的沟道区ACTc重叠。第一电容电极CSE1可以在厚度方向上与稍后将描述的第二电容电极CSE2重叠。在实施例中，第一电容电极CSE1可以一体地连接到栅电极G1。第一电容电极CSE1可以与第二电容电极CSE2重叠，并且在它们之间可以形成存储电容器。

第一栅导电层可以是单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和这些金属中的一些金属的合金中的一种或多种制成，或者包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和这些金属中的一些金属的合金中的一种或多种。

第一层间绝缘层15被布置在第一栅导电层上。第一层间绝缘层15可以用作第一栅导电层与被布置在第一栅导电层上的其他层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层15可以覆盖并保护第一栅导电层。第一层间绝缘层15可以是包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氧氮化硅(SiO_xN_y)的无机材料的无机层，或者可以具有其中以上材料被堆叠的结构。

第一数据导电层被布置在第一层间绝缘层15上。第一数据导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1、数据线DTL和第二电容电极CSE2。

第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1可以通过穿透第一层间绝缘层15和第一栅绝缘层13的接触孔分别接触有源层ACT1的导电区ACTa和ACTb。第一晶体管T1的第一源电极S1可以通过另一接触孔电连接到遮光层BML。

数据线DTL可以将数据信号传输到包括在显示装置10中的其他晶体管(未图示出)。尽管在附图中未图示出，但是数据线DTL可以连接到其他晶体管的源电极/漏电极，并且可以将接收到的信号传输到源电极/漏电极。

第二电容电极CSE2在厚度方向上与第一电容电极CSE1重叠。在实施例中，第二电容电极CSE2可以一体地连接到第一源电极S1。

第一数据导电层可以是单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和这些金属中的一些金属的合金中的一种或多种制成，或者包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和这些金属中的一些金属的合金中的一种或多种。

第二层间绝缘层17被布置在第一数据导电层上。第二层间绝缘层17可以用作第一数据导电层与被布置在第一数据导电层上的其他层之间的绝缘膜。第二层间绝缘层17可以覆盖并保护第一数据导电层。第二层间绝缘层17可以是包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氧氮化硅(SiO_xN_y)的无机材料的无机层，或者可以具有其中以上材料被堆叠的结构。

第二数据导电层被布置在第二层间绝缘层17上。第二数据导电层可以包括第一电压布线VL1、第二电压布线VL2和第一导电图案CDP。被供给到第一晶体管T1的高电位电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压布线VL1，并且被供给到第一电极RME1的低电位电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压布线VL2。可以在显示装置10的制造工艺期间，将对准发光元件ED所需的对准信号传输到第二电压布线VL2。

第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层17中的接触孔，连接到第二电容电极CSE2。第二电容电极CSE2可以与第一晶体管T1的第一源电极S1成一体，并且第一导电图案CDP可以电连接到第一源电极S1。第一导电图案CDP还可以接触稍后将描述的电极RME，并且第一晶体管T1可以将从第一电压布线VL1接收的第一电源电压通过第一导电图案CDP传输到第二电极RME2。第二数据导电层可以包括更多的第一电压布线VL1和更多的第二电压布线VL2。

第二数据导电层可以是单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和这些金属中的一些金属的合金中的一种或多种制成，或者包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和这些金属中的一些金属的合金中的一种或多种。

第一平坦化层19被布置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料并且执行表面平坦化功能。

多个第一堤BNL1、多个电极RME、发光元件ED、多个接触电极CNE1和CNE2以及第二堤BNL2被布置在第一平坦化层19上。多个绝缘层PAS1至PAS3可以被布置在第一平坦化层19上。

第一堤BNL1可以直接被布置在第一平坦化层19上。第一堤BNL1可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以被布置在发射区域EMA内而不延伸到在第二方向DR2上相邻的其他子像素PXn。第一堤BNL1可以在第一方向DR1上彼此间隔开，并且发光元件ED可以被布置在第一堤BNL1之间。第一堤BNL1可以被布置在显示装置10的显示区域DPA中的每个子像素PXn中，以形成线形图案。可以根据每个子像素PXn中的布置有发光元件ED的区域的数量来布置更多的第一堤BNL1。

第一堤BNL1中的每一个的至少一部分可以从第一平坦化层19的上表面突出。第一堤BNL1中的每一个的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ED发射的光可以被布置在第一堤BNL1上的电极RME反射，以朝向第一平坦化层19上方传播。第一堤BNL1可以提供其中布置有发光元件ED的区域，同时用作反射屏障，该反射屏障在向上方向上反射从发光元件ED发射的光。第一堤BNL1的外表面也可以具有弯曲的半圆形或半椭圆形。第一堤BNL1可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。

电极RME(RME1、RME2)中的每一个包括在一个方向上延伸的部分，并且延伸部分被布置在每个子像素PXn中。根据实施例，电极RME中的每一个包括在第二方向DR2上延伸的电极主干部分RM_S以及连接到电极主干部分RM_S并且具有更大宽度的电极延伸部分(或者电极突出部分)RM_E。电极延伸部分RM_E在第一方向DR1上从电极主干部分RM_S的在第一方向DR1上的一侧突出，并且延伸到另一相邻的子像素PXn。每个电极RME可以跨彼此相邻的子像素PXn之间的边界布置。例如，电极RME的电极主干部分RM_S在每个子像素PXn的中间在第二方向DR2上延伸，以位于发射区域EMA和切割区域CBA之上。电极延伸部分RM_E连接到电极主干部分RM_S的被布置在发射区域EMA中的一部分，并且在第一方向DR1上具有更大的宽度。电极延伸部分RM_E可以连接到被布置在一个子像素PXn中的电极RME的电极主干部分RM_S，并且可以与在第一方向DR1上和该子像素PXn相邻的另一子像素PXn的电极主干部分RM_S间隔开。即，电极延伸部分RM_E可以被布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上。

显示装置10的电极RME可以包括第一电极RME1和第二电极RME2，第一电极RME1的电极主干部分RM_S被布置在每个奇数列子像素PXn中，第二电极RME2的电极主干部分RM_S被布置在每个偶数列子像素PXn中。被布置在第一子像素PX1和第三子像素PX3中的每一个中的电极主干部分RM_S可以是第一电极RME1的电极主干部分RM_S，并且被布置在第二子像素PX2中的电极主干部分RM_S可以是第二电极RME2的电极主干部分RM_S。第一电极RME1和第二电极RME2可以沿着第一方向DR1交替且重复地设置，并且它们的电极主干部分RM_S和电极延伸部分RM_E可以在每个子像素PXn的发射区域EMA中彼此间隔开。

第二电极RME2可以在子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以在切割区域CBA中与另一第二电极RME2间隔开。例如，切割区域CBA可以被布置于在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间，并且第二电极RME2的电极主干部分RM_S可以在切割区域CBA中与被布置于在第二方向DR2上相邻的子像素PXn中的另一第二电极RME2的电极主干部分RM_S分离。被布置在每个子像素PXn中的电极RME的电极主干部分RM_S可以不分离，而是可以延伸到在第二方向DR2上相邻的子像素PXn。

第一电极RME1和第二电极RME2中的每一个覆盖第一堤BNL1。每个电极RME可以比第一堤BNL1宽并且可以覆盖被布置在不同子像素PXn中的第一堤BNL1。例如，第一电极RME1的电极主干部分RM_S可以覆盖被布置在第一子像素PX1中的一个第一堤BNL1，并且第一电极RME1的电极延伸部分RM_E可以覆盖被布置在第二子像素PX2中的一个第一堤BNL1。第一电极RME1和第二电极RME2可以分别覆盖在一个子像素PXn内的彼此间隔开的第一堤BNL1。即，第一电极RME1和第二电极RME2可以覆盖被布置在一个子像素PXn中的不同的第一堤BNL1，并且因此可以彼此间隔开。第一电极RME1和第二电极RME2可以分别被布置在第一堤BNL1的侧表面上，并且第一电极RME1与第二电极RME2之间的间隙可以小于第一堤BNL1之间的间隙。第一电极RME1和第二电极RME2中的每一个的至少一部分可以直接被布置在第一平坦化层19上，使得它们位于同一平面上。在一些情况下，每个电极RME可以比第一堤BNL1窄。每个电极RME可以覆盖第一堤BNL1的至少一个侧表面，以反射从发光元件ED发射的光。

根据实施例，与电极RME布置在同一层上的电极接触部分EP可以被布置在每个子像素PXn的发射区域EMA中。电极接触部分EP可以在第一方向DR1上与电极RME的电极主干部分RM_S间隔开，并且在第二方向DR2上与电极延伸部分RM_E间隔开。

电极RME的部分和电极接触部分EP可以电连接到发光元件ED，并且预定电压可以被施加，使得发光元件ED可以发光。电极RME和电极接触部分EP可以通过接触电极CNE1和CNE2电连接到发光元件ED，并且被传输到电极RME和电极接触部分EP的电信号可以通过接触电极CNE1和CNE2被传输到发光元件ED。

电极接触部分EP可以通过穿透被布置在电极接触部分EP下方的第一平坦化层19的第一接触孔CT1而接触第一导电图案CDP。电极接触部分EP可以通过第一导电图案CDP电连接到第一晶体管T1，并且还可以电连接到稍后将描述的第二接触电极CNE2。电极接触部分EP可以用作连接电极，通过该连接电极，第二接触电极CNE2电连接到在第二接触电极CNE2下方的第一晶体管T1。由于电极接触部分EP与每个电极RME间隔开，因此电极接触部分EP可以将被传输到第一晶体管T1的电信号传输到第二接触电极CNE2，而不管被传输到电极RME的信号如何。电极接触部分EP可以与电极RME中的一个成一体。

电极RME中的第一电极RME1可以通过穿透被布置在第一电极RME1下方的第一平坦化层19的第二接触孔CT2而接触第二电压布线VL2。第一电极RME1可以通过形成在第二接触孔CT2中的电极主干部分RM_S而电连接到第二电压布线VL2，并且也可以电连接到稍后将描述的第一接触电极CNE1。可以根据实施例来配置第一接触孔CT1和第二接触孔CT2的位置。

每个电极RME可以包括具有高反射率的导电材料。例如，每个电极RME可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的、作为具有高反射率的材料的金属，或者可以是包括铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金。每个电极RME可以将从发光元件ED发射之后朝向第一堤BNL1的侧表面行进的光朝向每个子像素PXn上方反射。

每个电极RME可以进一步包括透明导电材料。例如，每个电极RME可以包括ITO、IZO或ITZO。在一些实施例中，每个电极RME可以具有其中透明导电材料和具有高反射率的金属层被堆叠的结构，或者可以形成为包括透明导电材料和/或金属层的单层。例如，每个电极RME可以具有ITO-Ag-ITO、ITO-Ag-IZO或ITO-Ag-ITZO-IZO的堆叠结构。

第一电极RME1和第二电极RME2中的每一个可以包括更多的电极延伸部分RM_E，或者可以进一步包括连接到电极主干部分RM_S的连接部分或子延伸部分。电极RME可以进一步包括具有与第一电极RME1和第二电极RME2不同的形状的电极。

可以利用电极RME来在每个子像素PXn中形成电场，以便对准发光元件ED。可以通过在第一电极RME1与第二电极RME2之间形成的电场，将发光元件ED放置在第一电极RME1和第二电极RME2上。可以通过喷墨印刷工艺将发光元件ED喷射到电极RME上。当将包括发光元件ED的墨水喷射到电极RME上时，通过将对准信号传输到电极RME来生成电场。分散在墨水中的发光元件ED可以通过由于在电极RME上生成的电场而导致的介电电泳力，而在电极RME上对准。

每个发光元件ED可以包括被掺杂以具有不同导电类型的半导体层，并且根据在电极RME上生成的电场的方向，每个发光元件ED的一端可以被定向成面对特定方向。被布置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以通过由不同符号的对准信号生成的电场来定向。由于被传输不同符号的对准信号的电极RME被布置在每个子像素PXn中，因此发光元件ED可以被布置在电极RME之间。

当被传输不同符号的对准信号的电极RME被布置在每个子像素PXn中时，每个子像素PXn的每单位面积布置的电极RME的数量可增加。电极RME的电极主干部分RM_S可以在一个方向上延伸，并且可以被布置在位于非显示区域NDA中的布线区域中，非显示区域NDA位于显示区域DPA外部。当多个电极RME被布置在显示区域DPA的每个子像素PXn中时，大量的电极主干部分RM_S可以被布置在布线区域中，并且可以减小电极主干部分RM_S之间的间隙，从而导致一些电极RME彼此短路。具体地，超高分辨率显示装置10每单位面积可以具有大量的子像素PXn，并且被传输不同的对准信号的电极RME之间所需的最小间隙可能更加不足。

在根据该实施例的显示装置10中，每个电极RME的形状被设计成使得一个电极RME的一部分被布置在两个相邻的子像素PXn之上，从而减少了被布置在显示区域DPA中的电极RME的数量。在一个子像素PXn中，布置被传输不同的对准信号的电极RME(例如，第一电极RME1和第二电极RME2)。然而，由于每个电极RME的电极延伸部分RM_E被布置在一个或多个子像素PXn中，因此可以在仅具有少量电极RME的情况下，使不同的电极RME1和RME2被布置在每个子像素PXn中。因此，可以减少被布置在显示区域DPA外部的电极主干部分RM_S的数量，并且可以防止电极RME之间的短路，这对于实现超高分辨率显示装置10可以是有利的。

由于跨每个子像素PXn的边界布置被传输不同的对准信号的电极RME1和RME2，因此在显示装置10的制造工艺期间，由被传输到电极RME1和RME2的对准信号生成的电场的方向可以是不同的。例如，在第一子像素PX1中，第二电极RME2被布置在发射区域EMA的中心的左侧，并且第一电极RME1被布置在发射区域EMA的中心的右侧。另一方面，在第二子像素PX2中，第一电极RME1被布置在发射区域EMA的中心的左侧，并且第二电极RME2被布置在发射区域EMA的中心的右侧。因此，在第一子像素PX1和第二子像素PX2中，由电极RME1和RME2生成的电场的方向可以是不同的，并且根据电场的方向定向的每个发光元件ED的第一端的方向也可以是不同的。在根据该实施例的显示装置10中，一个电极RME可以被布置在相邻的子像素PXn之上，并且每个发光元件ED的第一端的方向在不同的子像素PXn中可以是不同的。稍后将对此进行更详细的描述。

第一绝缘层PAS1被布置在第一平坦化层19上。第一绝缘层PAS1可以覆盖第一堤BNL1、电极RME和电极接触部分EP。第一绝缘层PAS1可以保护电极RME，同时使电极RME彼此绝缘。另外，第一绝缘层PAS1可以防止被布置在第一绝缘层PAS1上的发光元件ED直接接触其他构件并且因此被损坏。

在实施例中，第一绝缘层PAS1可以包括分别部分地暴露第一电极RME1和电极接触部分EP的开口OP1和OP2。例如，第一开口OP1可以部分地暴露第一电极RME1的电极主干部分RM_S的被布置在第一堤BNL1的上表面上的一部分。第二开口OP2可以暴露电极接触部分EP的上表面的一部分。稍后将描述的接触电极CNE1和CNE2中的每一个的一部分可以接触通过开口OP1或OP2暴露的电极RME或电极接触部分EP。另外，开口OP1和OP2可以同时穿透第一绝缘层PAS1和稍后将描述的第二绝缘层PAS2。

第一绝缘层PAS1可以是阶梯状的，使得第一绝缘层PAS1的上表面的一部分凹在第一电极RME1与第二电极RME2之间。例如，由于第一绝缘层PAS1覆盖第一电极RME1和第二电极RME2，因此第一绝缘层PAS1的上表面根据被布置在第一绝缘层PAS1下方的电极RME的形状而可以是阶梯状的。

第二堤BNL2可以被布置在第一绝缘层PAS1上。在显示装置10的平面图中，第二堤BNL2可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，以在整个显示区域DPA之上形成格子图案。第二堤BNL2可以被布置在子像素PXn的边界之间以分离相邻的子像素PXn。

第二堤BNL2可以围绕被布置在每个子像素PXn中的发射区域EMA和切割区域CBA，以将发射区域EMA和切割区域CBA彼此分离。第一电极RME1和第二电极RME2可以在第二方向DR2上延伸，以与第二堤BNL2的在第一方向DR1上延伸的一部分交叉。

第二堤BNL2可以形成为具有比第一堤BNL1高的高度。第二堤BNL2可以在显示装置10的制造工艺的喷墨印刷工艺中防止墨水溢出到邻近的子像素PXn。因此，第二堤BNL2可以分离其中针对不同的子像素PXn分散有不同的发光元件ED的墨水，以便防止墨水彼此混合。像第一堤BNL1一样，第二堤BNL2可以包括聚酰亚胺(PI)。

发光元件ED可以被布置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以沿着每个电极RME延伸的第二方向DR2彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件ED可以在一个方向上延伸，并且每个电极RME延伸的方向和发光元件ED延伸的方向可以基本上彼此垂直。发光元件ED可以在与每个电极RME延伸的方向不垂直而是倾斜的方向上延伸。

被布置在子像素PXn中的每一个中的发光元件ED可以包括发光层36(参见图5)，发光层36包括不同的材料以发射不同波段的光。因此，可以分别从第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3输出第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光。子像素PXn可以包括相同类型的发光元件ED，以发射基本上相同颜色的光。

每个发光元件ED的两端可以分别被布置在第一堤BNL1之间的电极RME上。每个发光元件ED延伸的长度可以大于第一电极RME1与第二电极RME2之间的间隙。每个发光元件ED的一端可以被布置在一个电极RME的电极主干部分RM_S上，并且另一端可以被布置在另一电极RME的电极延伸部分RM_E上。另外，每个发光元件ED的两端可以分别被布置在第一电极RME1和第二电极RME2上。例如，被布置在第二子像素PX2中的每个发光元件ED的一端被布置在第一电极RME1的电极延伸部分RM_E上，并且另一端被布置在第二电极RME2的电极主干部分RM_S上。

每个发光元件ED可以包括在平行于第一基板11或第一平坦化层19的上表面的方向上布置的多个层。每个发光元件ED延伸的方向可以平行于第一平坦化层19的上表面，并且包括在每个发光元件ED中的多个半导体层可以沿着平行于第一平坦化层19的上表面的方向顺序地布置。当每个发光元件ED具有不同的结构时，可以在垂直于第一平坦化层19的上表面的方向上布置半导体层。

每个发光元件ED的两端可以分别接触接触电极CNE1和CNE2。例如，绝缘膜38(参见图5)可以不形成在每个发光元件ED的在每个发光元件ED延伸的方向上的端表面上，从而部分地暴露半导体层。被暴露的半导体层可以接触接触电极CNE1和CNE2。可以去除每个发光元件ED的绝缘膜38的至少一部分，以部分地暴露半导体层的两端的侧表面。半导体层的被暴露的侧表面可以直接接触接触电极CNE1和CNE2。

如稍后将描述的，每个发光元件ED包括第一半导体层31(参见图5)、第二半导体层32(参见图5)以及布置在第一半导体层31与第二半导体层32之间的发光层36(参见图5)。第一半导体层31可以比第二半导体层32长，并且每个发光元件ED的布置有第一半导体层31的第一端和布置有第二半导体层32的第二端可以被限定。发光层36可以被布置成基于每个发光元件ED的纵向中心更靠近第二端，并且可以被布置成更远离第一端。

在显示装置10中，一个电极RME可以被布置在相邻的子像素PXn之上，并且不同的电极RME1和RME2可以部分地被布置在一个子像素PXn中。在显示装置10的子像素PXn的一些子像素PXn中，第一电极RME1可以被布置在发射区域EMA的中心的左侧。在其他子像素PXn中，第二电极RME2可以被布置在发射区域EMA的中心的左侧。根据实施例，根据第一电极RME1和第二电极RME2的位置，显示装置10可以被划分成第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB，并且发光元件ED可以包括被布置在第一类型子像素PXA中的第一类型发光元件ED1以及被布置在第二类型子像素PXB中的第二类型发光元件ED2。

在显示装置10的制造工艺期间，每个发光元件ED可以被定向成使得第一端面对生成于被传输不同的对准信号的电极RME1和RME2上的电场的方向。每个发光元件ED的第一端可以被布置在第一电极RME1上，并且第二端可以被布置在第二电极RME2上。被布置在不同类型的子像素PXn中的第一类型发光元件ED1的第一端和第二类型发光元件ED2的第一端可以面对相反方向。

例如，在图3中图示出了作为第一类型子像素PXA的第一子像素PX1和作为第二类型子像素PXB的第二子像素PX2。像第一子像素PX1一样，图2的第三子像素PX3是第一类型子像素PXA。在第一类型子像素PXA中，由于第一电极RME1被布置在发射区域EMA的中心的右侧，因此第一类型子像素PXA的每个第一类型发光元件ED1可以被布置成使得第一端面对第一方向DR1的第一侧或附图中的右侧。在第二类型子像素PXB中，由于第一电极RME1被布置在发射区域EMA的中心的左侧，因此第二类型子像素PXB的每个第二类型发光元件ED2可以被布置成使得第一端面对第一方向DR1的第二侧或附图中的左侧。显示装置10可以包括部分地布置在相邻的子像素PXn之上的电极RME1和RME2，并且根据被布置在每个发射区域EMA中的电极RME1和RME2的类型，可以包括不同类型的子像素PXA和PXB。不同类型的子像素PXA和PXB可以包括各自的第一端在不同的方向上被定向的发光元件ED1和ED2。

尽管在附图中未图示出，但是被布置在第三子像素PX3的在第一方向DR1上的一侧或右侧的子像素可以是第二类型子像素PXB，第二类型子像素PXB与第二子像素PX2在电极RME1和RME2的结构以及发光元件ED的第一端的方向上相同。然而，由于发射不同颜色的光的第一子像素PX1至第三子像素PX3可以重复地设置在显示装置10中，因此被布置在第三子像素PX3的右侧的子像素可以发射与从第一子像素PX1发射的光的颜色相同颜色的光。换句话说，尽管基于电极RME1和RME2的结构以及发光元件ED的第一端的方向，将被布置在第三子像素PX3的右侧的子像素分类为第二类型子像素PXB，但是从该子像素的发光元件ED发射的光的颜色可以与从第一子像素PX1发射的光的颜色相同。在显示装置10中，通过电极RME1和RME2的结构以及发光元件ED的第一端的方向而彼此区分的第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB可以交替且重复地设置，并且同时，可以重复地设置为发射不同颜色的光的第一子像素PX1至第三子像素PX3。即，第一类型子像素PXA不必与第一子像素PX1或第三子像素PX3相对应，并且第二类型子像素PXB不必与第二子像素PX2相对应。

第二绝缘层PAS2可以被布置在第一绝缘层PAS1和发光元件ED上，以暴露每个发光元件ED的两端。例如，第二绝缘层PAS2可以全部被布置在第一绝缘层PAS1以及发光元件ED上，但是，第二绝缘层PAS2的一部分可以被布置在发光元件ED上以暴露每个发光元件ED的两端。在显示装置10的制造工艺期间，第二绝缘层PAS2可以被布置成覆盖发光元件ED、电极RME和第一绝缘层PAS1，并且然后被去除以暴露每个发光元件ED的两端。在平面图中，第二绝缘层PAS2可以在第一绝缘层PAS1上在第二方向DR2上延伸，并且可以在每个子像素PXn中形成线形或岛状图案。第二绝缘层PAS2可以在显示装置10的制造工艺中保护发光元件ED，同时固定发光元件ED。

多个接触电极CNE1和CNE2可以被布置在第二绝缘层PAS2上。接触电极CNE1和CNE2均可以包括在一个方向上延伸的部分，并且可以分别被布置在电极RME上。接触电极CNE1和CNE2可以包括被布置在第一电极RME1上的第一接触电极CNE1以及被布置在第二电极RME2上的第二接触电极CNE2。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每一个可以被布置在第一电极RME1或第二电极RME2的电极主干部分RM_S或电极延伸部分RM_E上。例如，被布置在第一子像素PX1中的第一接触电极CNE1可以被布置在第一电极RME1的电极主干部分RM_S上，并且被布置在第二子像素PX2中的第一接触电极CNE1可以被布置在第一电极RME1的电极延伸部分RM_E上。

在实施例中，第一接触电极CNE1可以在一个方向上延伸。与第一接触电极CNE1不同，第二接触电极CNE2可以包括：被布置在每个电极RME上并在一个方向上延伸的接触电极主干部分CN_S；被布置在电极接触部分EP上的接触电极延伸部分CN_E，电极接触部分EP被布置在每个子像素PXn的发射区域EMA中；以及连接接触电极延伸部分CN_E和接触电极主干部分CN_S的接触电极连接部分CN_B。在被布置在第一类型子像素PXA中的第二接触电极CNE2中，由于接触电极主干部分CN_S和接触电极延伸部分CN_E并排布置，因此接触电极连接部分CN_B可以是短的。另一方面，在被布置在第二类型子像素PXB中的第二接触电极CNE2中，接触电极连接部分CN_B可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸并且可以弯曲。第二接触电极CNE2可以与第一接触电极CNE1具有基本上相同的形状。

接触电极CNE1和CNE2可以彼此间隔开或者可以彼此面对。例如，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的接触电极主干部分CN_S可以分别被布置在第一电极RME1和第二电极RME2上，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

接触电极CNE1和CNE2中的每一个可以接触发光元件ED。第一接触电极CNE1可以接触发光元件ED的第一端，并且第二接触电极CNE2可以接触发光元件ED的第二端。半导体层可以在每个发光元件ED的在每个发光元件ED延伸的方向上的两个端表面上被暴露，并且接触电极CNE1和CNE2可以分别直接接触每个发光元件ED的被暴露的半导体层，并且因此电连接到每个发光元件ED的被暴露的半导体层。接触电极CNE1和CNE2的与每个发光元件ED的两端接触的相应侧可以被布置在第二绝缘层PAS2上。

在一个方向上测量的每个接触电极CNE1或CNE2的宽度可以小于在该方向上测量的每个电极RME的宽度。接触电极CNE1和CNE2可以被布置成分别接触每个发光元件ED的一端和另一端，同时分别部分地覆盖第一电极RME1和第二电极RME2的上表面。接触电极CNE1和CNE2可以比电极RME宽，以覆盖每个电极RME的两侧。

接触电极CNE1和CNE2可以将从被布置在第一平坦化层19下方的电路层接收的电信号传输到发光元件ED。接触电极CNE1和CNE2中的每一个可以通过电极RME或电极接触部分EP电连接到第一晶体管T1或第二电压布线VL2。例如，第一接触电极CNE1可以通过穿透第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第一开口OP1而接触第一电极RME1。第二电源电压可以通过第二电压布线VL2被传输到第一电极RME1，并且第一接触电极CNE1可以将第二电源电压传输到每个发光元件ED的第一端。第二接触电极CNE2的接触电极延伸部分CN_E可以通过穿透第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第二开口OP2而接触电极接触部分EP。第一电源电压可以通过第一晶体管T1被传输到电极接触部分EP，并且第二接触电极CNE2可以将第一电源电压传输到每个发光元件ED的第二端。第二类型子像素PXB的第二电极RME2的电极主干部分RM_S可以在切割区域CBA的切割部分CB中与另一第二电极RME2的电极主干部分RM_S分离，可以不通过第一接触孔CT1或第二接触孔CT2电连接到其下方的电路层，并且可以不接触第二接触电极CNE2。即，被布置在每个第二类型子像素PXB中的第二电极RME2可以是在显示装置10被驱动时未被传输电信号的浮置电极。第二电极RME2可以在显示装置10的制造工艺期间接收对准信号，并且可以在显示装置10的驱动期间在每个子像素PXn中处于浮置状态。被布置在第二电极RME2上的第二接触电极CNE2可以通过电极接触部分EP接收第一电源电压，并且将第一电源电压传输到每个发光元件ED的第二端，而无需经由第二电极RME2。

由于显示装置10包括第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB，因此在第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB中，第一电极RME1和第二电极RME2的位置以及发光元件ED1和ED2的第一端的方向可以是不同的。类似地，根据实施例，被布置在第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB中的接触电极CNE1和CNE2可以被布置在基于发射区域EMA的中心的不同位置处。例如，在第一类型子像素PXA中，第一接触电极CNE1可以被布置在发射区域EMA的中心的右侧，并且第二接触电极CNE2可以被布置在发射区域EMA的中心的左侧。第二类型子像素PXB的接触电极CNE1和CNE2可以被布置在与第一类型子像素PXA的接触电极CNE1和CNE2的位置相对的位置处。

接触电极CNE1和CNE2可以包括透明导电材料。例如，接触电极CNE1和CNE2可以包括ITO、IZO、ITZO或铝(Al)。从发光元件ED发射的光可以穿过接触电极CNE1和CNE2并朝向电极RME行进。

接触电极CNE1和CNE2的数量可以根据被布置在每个子像素PXn中的电极RME的数量而变化。

第三绝缘层PAS3可以完全被布置在第一基板11的整个显示区域DPA上。第三绝缘层PAS3可以保护被布置在第一基板11上的构件免受外部环境的影响。然而，也可以省略第三绝缘层PAS3。

以上描述的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每一个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每一个可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氧氮化硅(SiO_xN_y)、氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每一个可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。

在显示装置10中，由于不同的电极RME1和RME2被布置在每个子像素PXn中，因此在以上描述的第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB中，发光元件ED以及接触电极CNE1和CNE2可以具有不同的设置结构。在显示装置10的制造工艺期间，可以将不同的对准信号传输到被布置在每个子像素PXn中的电极RME，并且即使相同形状的电极RME被布置在相邻的子像素PXn之上，在第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB中，发光元件ED以及接触电极CNE1和CNE2的设置也可以是不同的。由于显示装置10包括被构造成减少在显示装置10的每单位面积布置的电极RME的数量的电极RME，因此可以防止邻近的电极RME之间的短路。另外，显示装置10可以包括第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB，在第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB中的每一个中，发光元件ED以及接触电极CNE1和CNE2的设置是不同的。

图5是根据实施例的发光元件ED的示意图。

发光元件ED可以是LED。具体地，发光元件ED可以是具有微米或纳米尺寸并且由无机材料制成的无机LED。当在彼此面对的两个电极之间在特定方向上形成电场时，无机LED可以在其中形成有极性的两个电极之间对准。LED可以通过形成在两个电极上的电场而在电极之间对准。

根据实施例的发光元件ED可以在一个方向上延伸。发光元件ED可以形如圆柱、棒、线或管等。发光元件ED可以具有各种形状，包括诸如立方体、长方体和六角棱柱的多边形棱柱以及在一个方向上延伸并且具有部分地倾斜的外表面的形状。包括在发光元件ED中的多个半导体可以沿着这一个方向顺序地布置或堆叠。

发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号并发射特定波段的光。

参照图5，发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。

第一半导体层31可以是n型半导体。当发光元件ED发射蓝色波段中的光时，第一半导体层31可以包括具有化学式Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，包括在第一半导体层31中的半导体材料可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是Si、Ge或Sn等。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以在1.5μm至5μm的范围内。发光元件ED的第一端可以是基于发光层36布置有第一半导体层31的部分。

第二半导体层32被布置在稍后将描述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。当发光元件ED发射蓝色波段或绿色波段中的光时，第二半导体层32可以包括具有化学式Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，包括在第二半导体层32中的半导体材料可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se或Ba等。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内。发光元件ED的第二端可以是基于发光层36布置有第二半导体层32的部分。

取决于发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每一个可以包括更多层，例如，可以进一步包括包覆层或拉伸应变阻挡降低(TSBR)层。

发光层36被布置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单个或多个量子阱结构的材料。当发光层36包括具有多个量子阱结构的材料时，发光层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号，通过电子-空穴对的结合来发光。当发光层36发射蓝色波段中的光时，发光层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。具体地，当发光层36具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多个量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。例如，发光层36可以包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，以发射中心波段在450nm至495nm的范围内的蓝光。

发光层36可以具有其中具有大的带隙能量的半导体材料和具有小的带隙能量的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以取决于发射的光的波段而包括不同的第3至5族半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波段中的光。在一些情况下，发光层36可以发射红色或绿色波段中的光。发光层36的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内。

从发光层36发射的光不仅可以在纵向方向上辐射通过发光元件ED的外表面，而且可以辐射通过两个侧表面。从发光层36发射的光的方向不限于一个方向。

电极层37可以是欧姆接触电极。电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。发光元件ED可以包括更多的电极层37，或者电极层37可以是可选的。即使当发光元件ED包括不同数量的电极层37或者进一步包括另一结构时，发光元件ED的以下描述也可以同样地适用。

当发光元件ED电连接到根据该实施例的显示装置10中的电极RME或接触电极CNE1和CNE2时，电极层37可以减小发光元件ED与电极RME或接触电极CNE1和CNE2之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。另外，电极层37可以包括n型或p型掺杂的半导体材料。

绝缘膜38围绕以上描述的半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以围绕至少发光层36的外表面并且在发光元件ED延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护上述构件。绝缘膜38可以围绕上述构件的侧表面，但是可以暴露发光元件ED在纵向方向上的两端。

在附图中，绝缘膜38在发光元件ED的纵向方向上延伸，以从第一半导体层31的侧表面覆盖到电极层37的侧表面。绝缘膜38可以覆盖仅仅一些半导体层以及发光层36的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分，以部分地暴露每个电极层37的外表面。在与发光元件ED的至少一端邻近的区域中的截面中，绝缘膜38的上表面可以是圆形的。

绝缘膜38的厚度可以在10nm至1.0μm的范围内。绝缘膜38的厚度可以优选是大约40nm。

绝缘膜38可以包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氧氮化硅(SiO_xN_y)、氮化铝(AlN)或氧化铝(Al₂O₃)的绝缘材料。因此，可以防止当发光层36直接接触用于将电信号传输到发光元件ED的电极时可能发生的电短路。另外，由于绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件ED的外表面，因此可以防止发光效率的降低。

绝缘膜38的外表面可以被处理。分散在预定墨水中的发光元件ED可以被喷射到电极上，并且然后被对准。这里，绝缘膜38的表面可以被疏水性或亲水性处理，使得发光元件ED在墨水中保持分离，而不与其他邻近的发光元件ED聚集。例如，绝缘膜38的外表面可以用诸如硬脂酸或2,3-萘二甲酸的材料处理。

发光元件ED的长度h可以在1μm至10μm的范围内或在2μm至6μm的范围内，并且可以优选地在3μm至5μm的范围内。发光元件ED的直径可以在30nm至700nm的范围内，并且发光元件ED的纵横比可以是1.2至100。根据发光层36的组成的不同，包括在显示装置10中的发光元件ED可以具有不同的直径。发光元件ED的直径可以优选地是大约500nm。

在发光元件ED中，第一半导体层31和第二半导体层32可以是被掺杂成具有不同导电类型的半导体层，并且在发光元件ED的第一端与第二端之间可以形成面对发光元件ED的纵向方向的偶极矩。当将发光元件ED放置于在被传输不同的对准信号的电极RME上生成的电场中时，具有偶极矩的发光元件ED由于其位置和取向方向通过被施加到发光元件ED的介电电泳力而改变，因此可以被布置在电极RME上。发光元件ED的第一端面对的方向可以根据偶极矩的方向和电场的方向而变化。由于子像素PXn包括不同类型的子像素PXA和PXB，因此在显示装置10的制造工艺期间，在不同类型的子像素PXA和PXB中生成的电场可以面对不同的方向，并且在每种类型的子像素PXA或PXB中，发光元件ED的第一端的方向可以是不同的。

图6和图7是图示出了根据实施例的制造显示装置10的工艺中的一些操作的平面图。

首先，参照图6，制造显示装置10的工艺可以包括：在每个子像素PXn中形成第一堤BNL1、多个电极RME和电极接触部分EP；以及形成被布置在每个子像素PXn的边界处的第二堤BNL2。第一堤BNL1和第二堤BNL2的形状与以上描述的那些相同。

电极RME可以均包括电极主干部分RM_S和电极延伸部分RM_E，并且因此可以具有基本上相同的形状。电极主干部分RM_S在第二方向DR2上延伸超过发射区域EMA和切割区域CBA。被布置于在第二方向DR2上相邻的子像素PXn中的电极RME的电极主干部分RM_S可以彼此连接。电极延伸部分RM_E可以在发射区域EMA中连接到电极主干部分RM_S，并且可以跨在第一方向DR1上相邻的不同子像素PXn的边界布置。电极接触部分EP可以与被布置在发射区域EMA中的电极主干部分RM_S和电极延伸部分RM_E中的每一个间隔开。

诸如第一子像素PX1或第三子像素PX3的奇数列子像素PXn可以是其中布置有第一电极RME1的电极主干部分RM_S的第一类型子像素PXA。诸如第二子像素PX2的偶数列子像素PXn可以是其中布置有第二电极RME2的电极主干部分RM_S的第二类型子像素PXB。然而，在显示装置10的制造工艺期间，相同的电极RME可以布置在每个子像素PXn中，并且可以任意地限定第一电极RME1和第二电极RME2，而不管它们的形状和位置如何。

接下来，参照图7，将发光元件ED放置在每个子像素PXn的发射区域EMA中。在实施例中，发光元件ED可以被分散在墨水中，并且然后通过喷墨印刷工艺被喷射到发射区域EMA上。第二堤BNL2可以防止墨水溢出到其他相邻的子像素PXn的发射区域EMA。

当将墨水喷射到发射区域EMA上时，通过分别将对准信号Signal1和Signal2传输到电极RME，在电极RME上生成电场EF1或EF2。被分散在墨水中的发光元件ED可以接收由于电场EF1或EF2而导致的介电电泳力。因此，每个发光元件ED的两端可以被布置在不同的电极RME1和RME2上。

可以将不同的对准信号Signal1和Signal2传输到被布置在每个子像素PXn中的电极RME1和RME2，并且可以通过对准信号Signal1与Signal2之间的电压差而生成电场EF1或EF2。为了在彼此间隔开的第一电极RME1与第二电极RME2之间生成电场EF1或EF2，第一对准信号Signal1可以被传输到第一电极RME1，并且第二对准信号Signal2可以被传输到第二电极RME2。

对准信号Signal1和Signal2中的每一个可以通过电极主干部分RM_S被传输到电极RME1或RME2的电极延伸部分RM_E。可以通过被传输到电极主干部分RM_S的对准信号和被传输到电极延伸部分RM_E的对准信号，在每个子像素PXn中生成电场EF1或EF2。基于电极主干部分RM_S，不同的对准信号Signal1和Signal2被传输到在第一方向DR1上相邻的子像素PXn。例如，在奇数列子像素PXn中，第一对准信号Signal1被传输到第一电极RME1的电极主干部分RM_S，并且第二对准信号Signal2被传输到第二电极RME2的电极延伸部分RM_E。在偶数列子像素PXn中，第二对准信号Signal2被传输到第二电极RME2的电极主干部分RM_S，并且第一对准信号Signal1被传输到第一电极RME1的电极延伸部分RM_E。由于在每个子像素PXn中，电极延伸部分RM_E被布置在发射区域EMA的中心的左侧，并且电极主干部分RM_S被布置在右侧，因此在子像素PXn中，电极主干部分RM_S和电极延伸部分RM_E的设置可以是相同的，但是被传输到子像素PXn的对准信号Signal1和Signal2可以是彼此相反的。当由对准信号Signal1和Signal2生成的电场EF1或EF2的方向被限定为从被传输第一对准信号Signal1的电极朝向被传输第二对准信号Signal2的电极的方向时，在子像素PXn中生成的电场EF1和EF2的方向可以是彼此相反的。

在奇数列子像素PXn中，生成面对被传输第二对准信号Signal2的电极延伸部分RM_E的第一电场EF1。在偶数列子像素PXn中，生成面对被传输第二对准信号Signal2的电极主干部分RM_S的第二电场EF2。因此，可以在奇数列子像素PXn和偶数列子像素PXn中生成相反方向的电场EF1和EF2，并且被布置在奇数列子像素PXn和偶数列子像素PXn中的发光元件ED的第一端的方向可以是彼此相反的。

根据实施例，在显示装置10中，第一对准信号Signal1可以被传输到其中布置有第一电极RME1的电极主干部分RM_S的第一类型子像素PXA的电极主干部分RM_S，并且第二对准信号Signal2可以被传输到其中布置有第二电极RME2的电极主干部分RM_S的第二类型子像素PXB的电极主干部分RM_S。由于在第一类型子像素PXA中生成第一电场EF1，并且在第二类型子像素PXB中生成第二电场EF2，因此第一类型发光元件ED1可以被布置在第一类型子像素PXA中，第一类型发光元件ED1的第一端被定向成面对第一方向DR1的第一侧，并且第二类型发光元件ED2可以被布置在第二类型子像素PXB中，第二类型发光元件ED2的第一端被定向成面对第一方向DR1的第二侧。由于显示装置10包括被设计成最小化每单位面积布置的电极RME1和RME2的数量的电极RME1和RME2，因此显示装置10可以包括其中发光元件ED的第一端面对不同方向的子像素PXn。

接下来，尽管在附图中未图示出，但是在布置发光元件ED之后，形成第二绝缘层PAS2，并且被布置在第二类型子像素PXB中的第二电极RME2的电极主干部分RM_S在切割区域CBA中分开。然后，形成开口OP1和OP2以及接触电极CNE1和CNE2，以完成显示装置10。开口OP1和OP2以及接触电极CNE1和CNE2的形状和设置与以上描述的那些相同。

图8是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图8，在显示装置10中，被布置在第二类型子像素PXB中的第二电极RME2的电极主干部分RM_S也可以被连接，而不在切割区域CBA中分开。在显示装置10的制造工艺期间，被传输到第一电极RME1和第二电极RME2的对准信号Signal1和Signal2可以分别通过单独的对准装置而直接被传输到电极RME1和RME2。因此，第二电极RME2可以不连接到下面的电路层，并且即使电极主干部分RM_S没有被切割部分CB分离，被布置在每个子像素PXn中的第二电极RME2也可以处于浮置状态。由于第二接触电极CNE2不直接接触第二电极RME2，因此被布置于在第二方向DR2上相邻的子像素PXn中的第二电极RME2可以彼此连接。在显示装置10中，由于省略了将第二电极RME2分开的工艺，因此可以减少制造工艺的数量。其他细节与以上描述的图2的实施例的那些细节相同。

图9是根据实施例的显示装置10的局部截面图。

参照图9，在显示装置10中，可以省略第二电压布线VL2，并且可以不在第一平坦化层19中形成第二接触孔CT2。第一电极RME1的电极主干部分RM_S可以彼此连接，并且因此直接连接到被布置在非显示区域NDA中的电压焊盘(未图示出)。可以将第二电源电压直接施加到第一电极RME1，并且可以省略第二电压布线VL2。即使当第二电源电压因为第二电源电压被施加到第一电极RME1而因此同时被施加到多个子像素PXn时，发光元件ED也可以响应于通过第二接触电极CNE2从第一晶体管T1接收的第一电源电压而发光。由于第二接触电极CNE2通过被布置在每个子像素PXn中的电极接触部分EP而接收第一电源电压，因此即使将第二电源电压同时施加到子像素PXn的第一电极RME1，也可以单独地驱动子像素PXn。在显示装置10中，由于省略了第二电压布线VL2，因此可以减少制造电路层的工艺的数量，并且如果将第一电压布线VL1布置在另一层上，则可以省略第二数据导电层。当前实施例与图4的实施例的不同之处在于，省略了第二电压布线VL2。其他细节与以上描述的那些细节相同。

如果在显示装置10的制造工艺期间可以减少被传输对准信号Signal1和Signal2的电极RME1和RME2的数量，则可以以各种方式设计每个电极RME1或RME2的结构。例如，只要每个电极RME1或RME2包括电极主干部分RM_S以及连接到电极主干部分RM_S并被布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上的部分，则该部分可以具有与电极延伸部分RM_E不同的形状。另外，如果电极RME1和RME2分离，使得可以将被施加到发光元件ED的第一电源电压单独地施加到每个子像素PXn，则第一电源电压和第二电源电压可以通过每个电极RME1或RME2传输，并且电极接触部分EP可以是可选的，或者可以连接到电极RME1和RME2中的一个。

图10是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。图11是图示出了制造图10的显示装置10的工艺中的一个操作的平面图。图11是图示出了在图10的显示装置10的制造工艺期间将发光元件ED对准的操作的平面图，并且图示出了每个电极RME1_1或RME2_1在切割部分CB中没有分开的状态。

参照图10和图11，即使第一电极RME1_1和第二电极RME2_1不一定包括具有宽的宽度的电极延伸部分RM_E，也可以将第一电极RME1_1和第二电极RME2_1布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上。例如，第一电极RME1_1包括第一电极主干部分RM_S1、第一电极面对部分RM_F1以及连接第一电极主干部分RM_S1和第一电极面对部分RM_F1的电极连接部分RM_B。第二电极RME2_1包括第二电极主干部分RM_S2、第二电极面对部分RM_F2和连接到第二电极面对部分RM_F2但与第二电极主干部分RM_S2分离的电极分离部分RM_D。在显示装置10中，每个电极RME1_1或RME2_1被布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上，但是每个电极RME1_1或RME2_1中的一些在发光元件ED的对准之后可以被分开。因此，其中布置有不同的电极主干部分RM_S1和RM_S2的不同类型的子像素PXA和PXB在被布置在发射区域EMA中的电极RME1_1和RME2_1的结构上可以是不同的。图10和图11的实施例与图2和图7的实施例不同之处在于第一电极RME1_1和第二电极RME2_1的形状。在下文中，将省略任何多余的描述，并且将主要描述差异。

第一电极RME1_1包括在第二方向DR2上延伸的第一电极主干部分RM_S1、被布置在另一子像素PXn的发射区域EMA中并且与第二电极RME2_1间隔开以面对第二电极RME2_1的第一电极面对部分RM_F1以及连接第一电极主干部分RM_S1和第一电极面对部分RM_F1的电极连接部分RM_B。第一电极主干部分RM_S1被布置在第一类型子像素PXA中并且在第二方向DR2上延伸。第一电极主干部分RM_S1延伸超过与在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的边界，并且一个第一电极主干部分RM_S1可以被布置在被布置于同一奇数列中的第一类型子像素PXA中。第一电极主干部分RM_S1可以通过第二接触孔CT2电连接到其下方的第二电压布线VL2。即，第一电极主干部分RM_S1可以具有与包括在图2的第一电极RME1中的电极主干部分RM_S基本上相同的形状。

第一电极面对部分RM_F1可以被布置于在第一方向DR1上相邻的第二类型子像素PXB的发射区域EMA中，并且可以在第二方向DR2上延伸。第一电极面对部分RM_F1可以与第二电极RME2_1的第二电极主干部分RM_S2间隔开，并且被布置在第二类型子像素PXB中的第二类型发光元件ED2的第一端可以被布置在第一电极面对部分RM_F1上。

电极连接部分RM_B可以在第一方向DR1上延伸，以连接第一电极主干部分RM_S1和第一电极面对部分RM_F1，并且可以跨第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB之间的边界布置。与电极延伸部分RM_E不同，第一电极面对部分RM_F1和电极连接部分RM_B可以具有与第一电极主干部分RM_S1相同的宽度。在第一电极RME1_1中，第一电极主干部分RM_S1、第一电极面对部分RM_F1和电极连接部分RM_B可以成一个电极，并且可以传输通过第二电压布线VL2接收的第二电源电压。例如，第一电极RME1_1可以通过形成为与第一类型子像素PXA的第一电极主干部分RM_S1重叠的第二接触孔CT2，而电连接到第二电压布线VL2。与图9的实施例中一样，第二电源电压可以直接被施加到第一电极RME1_1，在这种情况下，第二接触孔CT2可以是可选的。

第二电极RME2_1包括在第二方向DR2上延伸的第二电极主干部分RM_S2、被布置在另一子像素PXn的发射区域EMA中并且与第一电极RME1_1间隔开以面对第一电极RME1_1的第二电极面对部分RM_F2以及连接到第二电极面对部分RM_F2但与第二电极主干部分RM_S2分离的电极分离部分RM_D。第二电极主干部分RM_S2可以被布置在第二类型子像素PXB中，以在第二方向DR2上延伸，但是在切割区域CBA的切割部分CB中，可以与在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的第二电极主干部分RM_S2分离。一个第二电极主干部分RM_S2可以被布置在被布置于同一偶数列中的第二类型子像素PXB中。

第二电极面对部分RM_F2可以被布置于在第一方向DR1上相邻的第一类型子像素PXA的发射区域EMA中，并且可以在第二方向DR2上延伸。第二电极面对部分RM_F2可以与第一电极RME1_1的第一电极主干部分RM_S1间隔开，并且被布置在第一类型子像素PXA中的第一类型发光元件ED1的第二端可以被布置在第二电极面对部分RM_F2上。

电极分离部分RM_D可以连接到第二电极面对部分RM_F2，以在第一方向DR1上延伸，并且可以跨第一类型子像素PXA与第二类型子像素PXB之间的边界布置。电极分离部分RM_D可以在显示装置10的制造工艺期间连接到第二电极主干部分RM_S2，并且然后在发光元件ED的对准工艺之后在切割部分CB中分开。电极分离部分RM_D和第二电极面对部分RM_F2可以在显示装置10的制造工艺期间接收相同的对准信号，但是因为它们被布置在不同类型的子像素PXA和PXB中，因此可以在显示装置10被驱动时接收不同的信号。与电极延伸部分RM_E不同，第二电极面对部分RM_F2和电极分离部分RM_D也可以具有与第二电极主干部分RM_S2相同的宽度。第二电极RME2_1可以包括第二电极主干部分RM_S2、第二电极面对部分RM_F2以及与第二电极主干部分RM_S2分离的电极分离部分RM_D，并且可以传输通过第一晶体管T1接收的第一电源电压。

第二电极RME2_1可以通过第一晶体管T1接收第一电源电压。根据实施例，第二电极RME2_1的第二电极主干部分RM_S2和电极分离部分RM_D中的每一个可以通过第一接触孔CT1接触其下方的第一导电图案CDP。第一接触孔CT1可以形成为与第一类型子像素PXA中的电极分离部分RM_D重叠，并且可以形成为与第二类型子像素PXB中的第二电极主干部分RM_S2重叠。在不同类型的子像素PXA和PXB中，可以根据第一电极RME1_1和第二电极RME2_1的形状，设计被布置在第一电极RME1_1和第二电极RME2_1下方的电路层的第一导电图案CDP的位置，以将第一电源电压传输到第二电极RME2_1。第一接触孔CT1也可以形成在与图10的位置不同的位置处。在一些实施例中，电极接触部分EP可以被布置在每个子像素PXn中，并且可以通过电极接触部分EP施加第一电源电压。

第一堤BNL1可以被布置在每个子像素PXn的发射区域EMA中的电极主干部分RM_S1或RM_S2、或电极面对部分RM_F1或RM_F2下方。第一堤BNL1可以彼此间隔开，并且被布置在第一堤BNL1上的电极主干部分RM_S1或RM_S2与电极面对部分RM_F1或RM_F2也可以彼此间隔开。因此，发光元件ED可以被布置在电极主干部分RM_S1或RM_S2以及电极面对部分RM_F1或RM_F2上。

发光元件ED包括被布置在第一类型子像素PXA中的第一类型发光元件ED1以及被布置在第二类型子像素PXB中的第二类型发光元件ED2。第一类型发光元件ED1具有被布置在第一电极主干部分RM_S1上的第一端以及被布置在第二电极面对部分RM_F2上的第二端。第二类型发光元件ED2具有被布置在第一电极面对部分RM_F1上的第一端以及被布置在第二电极主干部分RM_S2上的第二端。第一类型发光元件ED1和第二类型发光元件ED2被布置成使得它们的第一端面对相反方向。

第一接触电极CNE1被布置在第一电极RME1_1的第一电极主干部分RM_S1或第一电极面对部分RM_F1上。被布置在第一类型子像素PXA中的第一接触电极CNE1被布置在第一电极主干部分RM_S1上，以接触第一类型发光元件ED1的第一端。另外，第一类型子像素PXA的第一接触电极CNE1可以通过第二开口OP2接触第一电极主干部分RM_S1，并且将被传输到第一电极RME1_1的第二电源电压传输到第一类型发光元件ED1的第一端。被布置在第二类型子像素PXB中的第一接触电极CNE1被布置在第一电极面对部分RM_F1上，以接触第二类型发光元件ED2的第一端。第二类型子像素PXB的第一接触电极CNE1可以通过第一开口OP1接触第一电极面对部分RM_F1，并且将被供给到第一电极RME1_1的第二电源电压传输到第二类型发光元件ED2的第一端。

第二接触电极CNE2被布置在第二电极RME2_1的第二电极主干部分RM_S2或第二电极面对部分RM_F2上。被布置在第一类型子像素PXA中的第二接触电极CNE2被布置在第二电极面对部分RM_F2上，以接触第一类型发光元件ED1的第二端。另外，第一类型子像素PXA的第二接触电极CNE2可以通过第一开口OP1接触第二电极面对部分RM_F2，并且将被传输到第二电极面对部分RM_F2的第一电源电压传输到第一类型发光元件ED1的第二端。被布置在第二类型子像素PXB中的第二接触电极CNE2被布置在第二电极主干部分RM_S2上，以接触第二类型发光元件ED2的第二端。第二类型子像素PXB的第二接触电极CNE2可以通过第二开口OP2接触第二电极主干部分RM_S2，并且将被传输到第二电极RME2_1的第一电源电压传输到第二类型发光元件ED2的第二端。

与图2和图3的实施例中不同，根据当前实施例的第二接触电极CNE2可以在一个方向上延伸并且直接接触第二电极RME2_1，而不是接触电极接触部分EP。被设计成布置在相邻的子像素PXn之上的第一电极RME1_1和第二电极RME2_1可以直接接触接触电极CNE1和CNE2，以分别将第一电源电压和第二电源电压传输到接触电极CNE1和CNE2。即使省略电极接触部分EP，第二接触电极CNE2也可以通过第二电极主干部分RM_S2或第二电极面对部分RM_F2接收第一电源电压。然而，第二电极RME2_1可以不是处于浮置状态，而是可以通过第一晶体管T1接收第一电源电压，并且可以针对每个子像素PXn单独地施加信号。为此，第一类型子像素PXA的第二电极面对部分RM_F2和第二类型子像素PXB的第二电极主干部分RM_S2需要彼此分离。在显示装置10中，第一电极RME1_1和第二电极RME2_1可以以基本上相同的结构形成，并且然后可以在对准发光元件ED之后，执行将第二电极RME2_1部分地分开的工艺。

参照图11，第一电极RME1_1和第二电极RME2_1分别包括电极主干部分RM_S1和RM_S2以及电极面对部分RM_F1和RM_F2。第一电极RME1_1包括电极连接部分RM_B，并且第二电极RME2_1包括电极分离部分RM_D。在对准发光元件ED的操作中，电极分离部分RM_D处于连接到第二电极主干部分RM_S2的状态。

第一对准信号Signal1被传输到第一电极RME1_1，第一电极RME1_1的第一电极主干部分RM_S1被布置在第一类型子像素PXA中，并且第二对准信号Signal2被传输到第二电极RME2_1，第二电极RME2_1的第二电极主干部分RM_S2被布置在第二类型子像素PXB中。当将电场EF1或EF2的方向限定为从被传输第一对准信号Signal1的电极朝向被传输第二对准信号Signal2的电极的方向时，在第一类型子像素PXA中生成第一电场EF1，并且在第二类型子像素PXB中生成第二电场EF2。因此，发光元件ED被对准成使得第一端被布置在第一电极RME1_1上，并且第一类型发光元件ED1的第一端和第二类型发光元件ED2的第一端面对相反方向。

被施加到第一电极RME1_1的第二电源电压可以从第一电极主干部分RM_S1和第一电极面对部分RM_F1通过第一接触电极CNE1被传输到每个发光元件ED1或ED2的第一端。第二电源电压可以被施加到每个子像素PXn中的每个发光元件ED1或ED2的第一端。由于每个子像素PXn可以响应于被施加到第二电极RME2_1的第一电源电压而发光，因此第二电极RME2_1需要被分开，使得相邻的子像素PXn可以单独地发光。根据实施例，在第二电极RME2_1中，第二电极主干部分RM_S2和电极分离部分RM_D可以在切割部分CB中彼此分离，并且第二电极主干部分RM_S2可以在切割区域CBA的切割部分CB中分开。第二电极RME2_1的第二电极主干部分RM_S2和电极分离部分RM_D可以彼此分离，并且可以将第一电源电压单独地传输到被布置在子像素PXn的发射区域EMA中的第二电极主干部分RM_S2和第二电极面对部分RM_F2中的每一个。

与图2和图7的实施例中不同，在显示装置10中，每个电极RME1_1或RME2_1即使不包括电极延伸部分RM_E，也可以被部分地布置在不同类型的子像素PXA和PXB之上。因为减少了被传输用于对准发光元件ED的对准信号Signal1和Signal2的电极RME1_1和RME2_1的数量，所以显示装置10可以防止电极RME1_1与RME2_1之间的短路，并且可以具有各种电极结构。

在显示装置10的电极RME1和RME2中的每一个中，被布置在每个发射区域EMA中的部分可以以各种修改的结构被设计，只要在每个子像素PXn中布置一个电极主干部分RM_S。在根据该实施例的显示装置10的电极RME1和RME2中的每一个中，被布置在每个发射区域EMA中的电极延伸部分RM_E或电极面对部分RM_F1或RM_F2的结构和数量可以改变，并且彼此串联连接的多个发光元件ED可以包括在一个子像素PXn中。

图12是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。图13是图12的第一类型子像素PXA和第二类型子像素PXB的平面图。图14是图示出了制造图12的显示装置10的工艺中的一个操作的平面图。图14图示出了在显示装置10的制造工艺期间对发光元件ED进行对准的操作。

参照图12至图14，显示装置10的每个电极RME_2(RME1_2或RME2_2)可以包括电极主干部分RM_S以及连接到电极主干部分RM_S的多个电极延伸部分RM_E1和RM_E2。由于一个电极RME_2包括更多的电极延伸部分RM_E1和RM_E2，因此可以在每个子像素PXn中确保其中可以布置有发光元件ED的更多空间。每个子像素PXn可以包括其末端被布置在不同的电极延伸部分RM_E1和RM_E2上的发光元件ED，并且接触电极CNE1_2、CNE2_2和CNE3_2的结构可以被设计成串联连接发光元件ED。当前实施例与图8的实施例的不同之处在于电极RME1_2和RME2_2以及接触电极CNE1_2、CNE2_2和CNE3_2的结构以及发光元件ED的设置。在下文中，将省略任何多余的描述，并且将主要描述差异。

第一电极RME1_2和第二电极RME2_2中的每一个包括电极主干部分RM_S以及连接到电极主干部分RM_S的第一电极延伸部分RM_E1和第二电极延伸部分RM_E2。根据实施例，一个电极RME1_2或RME2_2包括电极主干部分RM_S以及被布置在不同子像素PXn之上的多个电极延伸部分RM_E1和RM_E2。

电极主干部分RM_S以与图8的实施例中的方式基本上相同的方式布置。第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S在第一类型子像素PXA中在第二方向DR2上延伸，并且第二电极RME2_2的电极主干部分RM_S在第二类型子像素PXB中在第二方向DR2上延伸。第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S可以通过第二接触孔CT2连接到第二电压布线VL2，并且第二电极RME2_2的电极主干部分RM_S可以以浮置状态被布置。

第一电极延伸部分RM_E1可以以与图8的实施例中的方式相同的方式布置，但是在第二方向DR2上测量的第一电极延伸部分RM_E1的长度可以是短的。第一电极延伸部分RM_E1连接到电极主干部分RM_S的在第一方向DR1上的一侧并且具有较宽的宽度。第一电极延伸部分RM_E1可以从电极主干部分RM_S的该侧朝向第一方向DR1的第一侧突出，并且可以被布置于在第一方向DR1上相邻的另一子像素PXn之上。

第二电极延伸部分RM_E2可以在与第一电极延伸部分RM_E1相反的方向上布置。第二电极延伸部分RM_E2连接到电极主干部分RM_S的另一侧，并且朝向第一方向DR1的第二侧突出。例如，在第二子像素PX2的情况下，第二电极RME2_2的电极主干部分RM_S被布置在第二子像素PX2中并在第二方向DR2上延伸。第二电极RME2_2的第一电极延伸部分RM_E1朝向第一方向DR1的第一侧突出，并且跨与第三子像素PX3的边界布置，并且第二电极延伸部分RM_E2朝向第一方向DR1的第二侧突出，并且跨与第一子像素PX1的边界布置。在平面图中，第一电极延伸部分RM_E1和第二电极延伸部分RM_E2可以朝向不同的子像素PXn突出，并且可以在一个子像素PXn中交错。第二电极RME2_2的第一电极延伸部分RM_E1可以与被布置在第三子像素PX3中的第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S间隔开，并且第二电极延伸部分RM_E2可以与被布置在第一子像素PX1中的第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S间隔开。在每个发射区域EMA中，可以布置在第二方向DR2上彼此间隔开的第一电极延伸部分RM_E1和第二电极延伸部分RM_E2。

多个第一堤BNL1可以被布置成与每个子像素PXn的电极主干部分RM_S重叠或与电极延伸部分RM_E1和RM_E2的突出侧重叠。与电极主干部分RM_S重叠的第一堤BNL1可以在第二方向DR2上具有比与电极延伸部分RM_E1和RM_E2的突出侧重叠的第一堤BNL1大的长度。

在每个子像素PXn的发射区域EMA中，一个电极主干部分RM_S与两个电极延伸部分RM_E1和RM_E2彼此间隔开。该电极主干部分RM_S与另一电极的第一电极延伸部分RM_E1在发射区域EMA的中心的上侧彼此间隔开，并且发光元件ED_A或ED_B被布置在该电极主干部分RM_S与该另一电极的第一电极延伸部分RM_E1之间。另外，该电极主干部分RM_S与另一电极的第二电极延伸部分RM_E2在发射区域EMA的中心的下侧彼此间隔开，并且发光元件ED_C或ED_D也可以被布置在该电极主干部分RM_S与该另一电极的第二电极延伸部分RM_E2之间。

例如，在作为第一类型子像素PXA的第一子像素PX1中，可以布置第一发光元件ED_A，第一发光元件ED_A具有被布置在第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S上的第一端以及被布置在第二电极RME2_2的第一电极延伸部分RM_E1上的第二端。在作为第二类型子像素PXB的第二子像素PX2中，可以布置第二发光元件ED_B，第二发光元件ED_B具有被布置在第一电极RME1_2的第一电极延伸部分RM_E1上的第一端以及被布置在第二电极RME2_2的电极主干部分RM_S上的第二端。另外，在第一子像素PX1中，可以布置第三发光元件ED_C，第三发光元件ED_C具有被布置在第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S上的第一端以及被布置在第二电极RME2_2的第二电极延伸部分RM_E2上的第二端。在第二子像素PX2中，可以布置第四发光元件ED_D，第四发光元件ED_D具有被布置在第一电极RME1_2的第二电极延伸部分RM_E2上的第一端以及被布置在第二电极RME2_2的电极主干部分RM_S上的第二端。

被布置在第一类型子像素PXA中的第一类型发光元件ED1包括第一发光元件ED_A和第三发光元件ED_C，并且被布置在第二类型子像素PXB中的第二类型发光元件ED2包括第二发光元件ED_B和第四发光元件ED_D。根据实施例，由于不同的电极延伸部分RM_E1和RM_E2被布置在电极主干部分RM_S的两侧并且彼此间隔开，因此第一发光元件ED_A的第一端和第三发光元件ED_C的第一端可以面对相反方向。另外，第二发光元件ED_B的第一端和第四发光元件ED_D的第一端可以面对相反方向。类似于电极延伸部分RM_E1和RM_E2交错，在平面图中，被布置在每个子像素PXn中的不同的发光元件ED_A或ED_B与ED_C或ED_D可以在发射区域EMA中交错。即，布置有第一发光元件ED_A的区域和布置有第三发光元件ED_C的区域可以在第二方向DR2上彼此交错。

如图14中所图示，当第一对准信号Signal1被传输到第一类型子像素PXA的第一电极RME1_2，并且第二对准信号Signal2被传输到第二类型子像素PXB的第二电极RME2_2时，可以在每个电极主干部分RM_S与电极延伸部分RM_E1和RM_E2之间在朝向被传输第二对准信号Signal2的电极的方向上生成电场EF1和EF2。由于在每个子像素PXn中，电极延伸部分RM_E1和RM_E2被布置在电极主干部分RM_S的在第一方向DR1上的一侧和另一侧，因此在每个子像素PXn中可以生成第一电场EF1和第二电场EF2。当在一个子像素PXn中生成面对相反方向的电场EF1和EF2时，每个子像素PXn的发光元件ED可以包括其第一端面对相反方向的多个发光元件ED_A或ED_B与ED_C或ED_D。

当每个子像素PXn中的发光元件ED被布置在不同的空间中时，连接发光元件ED的接触电极CNE1_2、CNE2_2和CNE3_2的设置可以被设计成串联连接发光元件ED。根据实施例，每个子像素PXn可以包括与第一电极RME1_2和一组发光元件的第一端接触的第一接触电极CNE1_2、与电极接触部分EP和另一组发光元件的第二端接触的第二接触电极CNE2_2以及与不同组的发光元件的第二端和第一端接触的第三接触电极CNE3_2。

例如，在第一类型子像素PXA中，第一接触电极CNE1_2可以通过第一开口OP1接触第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S，并且接触第三发光元件ED_C的第一端。第二接触电极CNE2_2可以通过第二开口OP2接触电极接触部分EP，并且可以接触第一发光元件ED_A的第二端。第一电源电压可以通过第二接触电极CNE2_2被传输到第一发光元件ED_A的第二端，并且第二电源电压可以通过第一接触电极CNE1_2被传输到第三发光元件ED_C的第一端。

第三接触电极CNE3_2可以接触第一发光元件ED_A的第一端和第三发光元件ED_C的第二端。第三接触电极CNE3_2可以包括被布置在第一电极RME1_2的电极主干部分RM_S上的部分以及被布置在第二电极RME2_2的第二电极延伸部分RM_E2上的部分，并且进一步包括连接它们的连接部分。第三接触电极CNE3_2可以不直接接触每个电极RME1_2或RME2_2，而是可以仅接触发光元件ED。分别被施加到第二接触电极CNE2_2和第一接触电极CNE1_2的第一电源电压和第二电源电压可以流过第三接触电极CNE3_2，并且被布置在每个子像素PXn中的发光元件ED_A或ED_B与ED_C或ED_D可以彼此串联连接。

根据当前实施例，由于被布置在每个子像素PXn中的发光元件ED串联连接，因此可以增加每单位面积发射的光量，并且可以提高亮度和发光效率。另外，由于每个电极RME1_2或RME2_2的电极延伸部分RM_E1和RM_E2交错，因此布置有发光元件ED_A或ED_B与ED_C或ED_D的区域也可以交错。由于电极延伸部分RM_E1和RM_E2的交错设置，因此第一发光元件ED_A的第一端和第三发光元件ED_C的第二端可以被布置成面对同一方向，并且第三接触电极CNE3_2可以接触不同的发光元件ED_A或ED_B以及ED_C或ED_D的末端，而不与电极主干部分RM_S交叉。在根据该实施例的显示装置10中，可以如当前实施例中那样设计每个电极RME1_2或RME2_2的结构，以在每个子像素PXn中串联连接多个发光元件ED，并且最小化由连接发光元件ED的接触电极所浪费的空间。即，在每个子像素PXn中不需要用于串联连接的接触电极或由于接触电极而需要的空间，并且可以在每个发射区域EMA中充分确保未布置有发光元件ED的区域。

图15是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图15，在根据该实施例的显示装置10中，第一电极RME1_3包括第一电极主干部分RM_S1、多个第一电极面对部分RM_F1以及将第一电极面对部分RM_F1连接到第一电极主干部分RM_S1的多个电极连接部分RM_B。第二电极RME2_3包括第二电极主干部分RM_S2、多个第二电极面对部分RM_F2以及连接到第二电极面对部分RM_S2但与第二电极主干部分RM_S2分离的多个电极分离部分RM_D。当前实施例在每个电极RME1_3或RME2_3的形状上类似于图10的实施例，但是与图12的实施例中一样，每个电极RME1_3或RME2_3可以包括多个电极面对部分RM_F1或RM_F2以及多个电极连接部分RM_B或多个电极分离部分RM_D。因此，每个子像素PXn可以包括多个发光元件ED_A或ED_B以及ED_C或ED_D，并且发光元件ED_A或ED_B以及ED_C或ED_D可以通过第三接触电极CNE3_3串联连接。当前实施例可以通过图10的实施例和图12的实施例的组合得出。在下文中，将省略任何多余的描述，并且将主要描述差异。

第一电极RME1_3包括第一电极主干部分RM_S1、第一电极面对部分RM_F1以及连接第一电极主干部分RM_S1和第一电极面对部分RM_F1的电极连接部分RM_B。第一电极面对部分RM_F1可以与第二电极RME2_3的第二电极主干部分RM_S2间隔开。

第二电极RME2_3可以包括第二电极主干部分RM_S2、第二电极面对部分RM_F2以及与第二电极主干部分RM_S2分离的电极分离部分RM_D。第二电极面对部分RM_F2可以与第一电极RME1_3的第一电极主干部分RM_S1间隔开。

被布置在第一类型子像素PXA中的第二电极面对部分RM_F2可以与电极接触部分EP连接并成一体。被布置在第二类型子像素PXB中的第二电极主干部分RM_S2也可以与电极接触部分EP连接并成一体。电极接触部分EP可以电连接到第一晶体管T1，以接收第一电源电压，并且第一电源电压可以被传输到第二电极面对部分RM_F2或第二电极主干部分RM_S2。由于第二电极主干部分RM_S2在切割区域CBA的切割部分CB中被分开，因此被施加到电极接触部分EP的第一电源电压可以不被传输到另一子像素PXn。

第一类型发光元件ED1的第一发光元件ED_A和第三发光元件ED_C具有被布置在第一电极主干部分RM_S1上的第一端以及被布置在第二电极面对部分RM_F2上的第二端。第二类型发光元件ED2的第二发光元件ED_B和第四发光元件ED_D具有被布置在第一电极面对部分RM_F1上的第一端以及被布置在第二电极主干部分RM_S2上的第二端。

第一接触电极CNE1_3可以被布置在第一电极主干部分RM_S1上，以接触第三发光元件ED_C的第一端，并通过第一开口OP1接触第一电极主干部分RM_S1。第一接触电极CNE1_3可以被布置在第一电极面对部分RM_F1上，以接触第四发光元件ED_D的第一端，并通过第一开口OP1接触第一电极面对部分RM_F1。第二接触电极CNE2_3可以被布置在第二电极面对部分RM_F2上，以接触第一发光元件ED_A的第二端，并通过第二开口OP2接触第二电极面对部分RM_F2。第二接触电极CNE2_3可以被布置在第二电极主干部分RM_S2上，以接触第二发光元件ED_B的第二端，并通过第二开口OP2接触第二电极主干部分RM_S2。

第二电源电压可以通过第一电极RME1_3被施加到第一接触电极CNE1_3，并且第一电源电压可以通过与电极接触部分EP连接或成一体的第二电极主干部分RM_S2或第二电极面对部分RM_F2被施加到第二接触电极CNE2_3。

第三接触电极CNE3_3可以接触第一发光元件ED_A的第一端和第三发光元件ED_C的第二端。第三接触电极CNE3_3可以接触第二发光元件ED_B的第一端和第四发光元件ED_D的第二端。第三接触电极CNE3_3可以被布置在被布置于第一类型子像素PXA中的第二电极面对部分RM_F2上，并且可以通过第三开口OP3接触第二电极面对部分RM_F2。第二电极面对部分RM_F2可以与第二电极主干部分RM_S2分离，并且因此可以处于浮置状态。然而，由于第二电极面对部分RM_F2连接到第三接触电极CNE3_3，因此当第一类型子像素PXA发光时，第二电极面对部分RM_F2可以不浮置。相反，可以将预定电压施加到第二电极面对部分RM_F2。其他细节与以上描述的那些细节基本上相同。

图16是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图16，在显示装置10中，每个电极RME_4(RME1_4或RME2_4)可以进一步包括更多的电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3，并且每个子像素PXn可以包括更多的发光元件ED和更多的接触电极CNE1_4、CNE2_4、CNE3_4和CNE4_4。当前实施例与图12的实施例的不同之处在于，电极RME1_4或RME2_4进一步包括第三电极延伸部分RM_E3。在下文中，将省略任何多余的描述，并且将描述添加的第三电极延伸部分RM_E3、第四接触电极CNE4_4以及第五发光元件ED_E和第六发光元件ED_F。

第三电极延伸部分RM_E3与第一电极延伸部分RM_E1以基本上相同的形状布置。在平面图中，第一电极延伸部分RM_E1、第二电极延伸部分RM_E2和第三电极延伸部分RM_E3可以沿着电极主干部分RM_S延伸的方向顺序地布置，但是可以在第二方向DR2上交错。即，第一电极延伸部分RM_E1和第三电极延伸部分RM_E3可以朝向第一方向DR1的第一侧突出，并且第二电极延伸部分RM_E2可以朝向第一方向DR1的第二侧突出。

多个第一堤BNL1可以被布置成与每个子像素PXn的电极主干部分RM_S重叠或与电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3的突出侧重叠。与电极主干部分RM_S重叠的第一堤BNL1可以在第二方向DR2上具有比与电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3的突出侧重叠的第一堤BNL1大的长度。

在第一类型子像素PXA中，第二电极RME2_4的第三电极延伸部分RM_E3与第一电极RME1_4的电极主干部分RM_S间隔开，并且第五发光元件ED_E被布置在它们上。第五发光元件ED_E的第一端被布置在第一电极RME1_4的电极主干部分RM_S上，并且第二端被布置在第二电极RME2_4的第三电极延伸部分RM_E3上。在第二类型子像素PXB中，第一电极RME1_4的第三电极延伸部分RM_E3与第二电极RME2_4的电极主干部分RM_S间隔开，并且第六发光元件ED_F被布置在它们上。第六发光元件ED_F的第一端被布置在第一电极RME1_4的第三电极延伸部分RM_E3上，并且第二端被布置在第二电极RME2_4的电极主干部分RM_S上。

第一接触电极CNE1_4被布置在第一电极RME1_4的电极主干部分RM_S或第三电极延伸部分RM_E3上。第一接触电极CNE1_4可以接触第五发光元件ED_E的第一端，并通过第一开口OP1接触第一电极RME1_4的电极主干部分RM_S。第一接触电极CNE1_4可以接触第六发光元件ED_F的第一端，并通过第一开口OP1接触第一电极RME1_4的第三电极延伸部分RM_E3。

第二接触电极CNE2_4被布置在第二电极RME2_4的电极主干部分RM_S或第一电极延伸部分RM_E1上。第二接触电极CNE2_4可以接触第一发光元件ED_A的第二端，并通过第二开口OP2接触电极接触部分EP。第二接触电极CNE2_4可以接触第二发光元件ED_B的第二端，并通过第二开口OP2接触电极接触部分EP。

第三接触电极CNE3_4可以被布置在第一电极RME1_4的电极主干部分RM_S和第二电极RME2_4的第二电极延伸部分RM_E2之上，或者可以被布置在第一电极RME1_4的第一电极延伸部分RM_E1和第二电极RME2_4的电极主干部分RM_S之上。第三接触电极CNE3_4被布置成接触第一发光元件ED_A的第一端和第三发光元件ED_C的第二端。第三接触电极CNE3_4被布置成接触第二发光元件ED_B的第一端和第四发光元件ED_D的第二端。

第四接触电极CNE4_4可以被布置在第一电极RME1_4的电极主干部分RM_S和第二电极RME2_4的第三电极延伸部分RM_E3之上，或者可以被布置在第二电极RME2_4的电极主干部分RM_S和第一电极RME1_4的第二电极延伸部分RM_E2之上。第四接触电极CNE4_4被布置成接触第三发光元件ED_C的第一端和第五发光元件ED_E的第二端。第四接触电极CNE4_4被布置成接触第四发光元件ED_D的第一端和第六发光元件ED_F的第二端。

在根据该实施例的显示装置10中，由于每个电极RME1_4或RME2_4进一步包括第三电极延伸部分RM_E3，因此发光元件ED可以以3串联结构布置在每个子像素PXn中。可以进一步提高显示装置10的每单位面积的亮度。

图17是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图17，根据该实施例的显示装置10与图16的实施例的不同之处在于，第二电极RME2_5包括与第二电极主干部分RM_S2分离的多个电极图案RM_P1、RM_P2和RM_P3。当前实施例与图16的实施例的相同之处在于，第一电极RME1_5包括第一电极主干部分RM_S1和多个电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3，但是与图16的实施例的不同之处在于，第二电极RME2_5具有与图15的实施例的形状相似的形状。在下文中，将省略任何多余的描述，并且将描述第二电极RME2_5。

第二电极RME2_5包括第二电极主干部分RM_S2以及与第二电极主干部分RM_S2分离的电极图案RM_P1、RM_P2和RM_P3。第二电极主干部分RM_S2被布置在第二类型子像素PXB中，以在第二方向DR2上延伸，但是在切割区域CBA的切割部分CB中分开。第二电极主干部分RM_S2可以连接到电极接触部分EP，但是被施加到电极接触部分EP的第一电源电压可以不被传输到另一子像素PXn。

第二电极RME2_5的第一电极图案RM_P1和第三电极图案RM_P3与第二电极主干部分RM_S2的一侧分离，并且被布置在位于第一方向DR1的第一侧的另一子像素PXn之上。第二电极RME2_5的第二电极图案RM_P2与第二电极主干部分RM_S2的另一侧分离，并且被布置在位于第一方向DR1的第二侧的另一子像素PXn之上。在第二子像素PX2的情况下，第一电极图案RM_P1和第三电极图案RM_P3可以被布置在第三子像素PX3中，并且第二电极图案RM_P2可以被布置在第一子像素PX1中。电极图案RM_P1、RM_P2和RM_P3中的每一个可以与第一电极RME1_5的第一电极主干部分RM_S1间隔开。然而，第二电极RME2_5的第一电极图案RM_P1可以与被布置在第一类型子像素PXA中的电极接触部分EP连接或成一体，以接收第一电源电压。

第一类型子像素PXA的第五发光元件ED_E具有被布置在第一电极RME1_5的第一电极主干部分RM_S1上的第一端以及被布置在第二电极RME2_5的第三电极图案RM_P3上的第二端。第二类型子像素PXB的第六发光元件ED_F具有被布置在第一电极RME1_5的第三电极延伸部分RM_E3上的第一端以及被布置在第二电极RME2_5的第二电极主干部分RM_S2上的第二端。

第一接触电极CNE1_5被布置在第一电极RME1_5的第一电极主干部分RM_S1或第三电极延伸部分RM_E3上。第二接触电极CNE2_5被布置在第二电极RME2_5的第二电极主干部分RM_S2或第一电极图案RM_P1上。

第三接触电极CNE3_5可以被布置在第一电极RME1_5的第一电极主干部分RM_S1和第二电极RME2_5的第二电极图案RM_P2之上，或者可以被布置在第一电极RME1_5的第一电极延伸部分RM_E1和第二电极RME2_5的第二电极主干部分RM_S2之上。第四接触电极CNE4_5可以被布置在第一电极RME1_5的第一电极主干部分RM_S1和第二电极RME2_5的第三电极图案RM_P3之上，或者可以被布置在第二电极RME2_5的第二电极主干部分RM_S2和第一电极RME1_5的第二电极延伸部分RM_E2之上。

接触电极与发光元件ED之间的接触关系与图16的实施例的接触关系基本上相同。

在包括电极主干部分RM_S以及连接到电极主干部分RM_S的电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3或电极图案RM_P1、RM_P2和RM_P3的显示装置10中，被布置在每个子像素PXn中的电极RME1_5或RME2_5的部分可以彼此交错。当每个电极RME1_5或RME2_5与图16的实施例中的一样包括电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3时，电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3可以在相反的方向上突出，并且第一电极RME1_5和第二电极RME2_5中的每一个的电极延伸部分RM_E1、RM_E2和RM_E3在平面图中可以彼此交错。每个电极RME的结构可以被设计成使得在子像素PXn的每单位面积布置更多的发光元件ED和更多的接触电极CNE。根据该实施例的显示装置10可以被设计成使得第一电极RME1和第二电极RME2中的每一个的电极主干部分RM_S被布置在一个子像素PXn中，并且相对于子像素PXn的面积布置更多的发光元件ED和更多的接触电极CNE。

图18是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图18，在根据该实施例的显示装置10中，第一电极RME1_6和第二电极RME2_6的相应电极主干部分RM_S1和RM_S2可以被布置在同一子像素PXn中。第一电极RME1_6和第二电极RME2_6可以包括电极延伸部分RM_E1、RM_E2、RM_E3和RM_E4。电极延伸部分RM_E1、RM_E2、RM_E3和RM_E4中的一些可以被布置在对应的子像素PXn中，并且其他延伸部分可以被布置于在第一方向DR1上相邻的另一子像素PXn中。当前实施例与其他实施例的不同之处在于，随着电极RME1_6和RME2_6的结构和设置的改变，发光元件ED和接触电极的设置也改变。在下文中，将省略任何多余的描述，并且将基于第一电极RME1_6和第二电极RME2_6的结构来描述发光元件ED与接触电极之间的设置关系。

第一电极RME1_6的第一电极主干部分RM_S1和第二电极RME2_6的第二电极主干部分RM_S2可以被布置在每个子像素PXn中，以在第二方向DR2上延伸。第一电极主干部分RM_S1和第二电极主干部分RM_S2可以被布置在发射区域EMA和切割区域CBA之上。第一电极主干部分RM_S1和第二电极主干部分RM_S2可以在第一方向DR1上彼此间隔开。电极延伸部分RM_E1、RM_E2、RM_E3和RM_E4中的一些可以被布置在第一电极主干部分RM_S1与第二电极主干部分RM_S2之间，并且发光元件ED可以被布置在电极延伸部分RM_E1、RM_E2、RM_E3和RM_E4与电极主干部分RM_S1和RM_S2之间。

第一电极主干部分RM_S1可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压布线VL2，并且第二电极主干部分RM_S2可以以浮置状态被布置而不连接到其下方的电路层。第一电极主干部分RM_S1可以不连接到其下方的电路层。

第一电极RME1_6的第一电极延伸部分RM_E1从第一电极主干部分RM_S1的在第一方向DR1上的第一侧突出，并且被布置在第一电极主干部分RM_S1与第二电极主干部分RM_S2之间。第一电极RME1_6的第二电极延伸部分RM_E2从第一电极主干部分RM_S1的在第一方向DR1上的第二侧突出，并且被布置在第一电极主干部分RM_S1与被布置在另一子像素PXn中的第二电极主干部分RM_S2之间。第二电极延伸部分RM_E2可以被布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上。第一电极延伸部分RM_E1和第二电极延伸部分RM_E2可以以交错的方式突出，以便在第二方向DR2上彼此不重叠。

第二电极RME2_6的第三电极延伸部分RM_E3从第二电极主干部分RM_S2的在第一方向DR1上的第二侧突出，并且被布置在第一电极主干部分RM_S1与第二电极主干部分RM_S2之间。第三电极延伸部分RM_E3可以在第二方向DR2上与第一电极延伸部分RM_E1间隔开。第二电极RME2_6的第四电极延伸部分RM_E4从第二电极主干部分RM_S2的在第一方向DR1上的第一侧突出，并且被布置在第二电极主干部分RM_S2与被布置在另一子像素PXn中的第一电极主干部分RM_S1之间。第四电极延伸部分RM_E4可以被布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上。第三电极延伸部分RM_E3和第四电极延伸部分RM_E4可以以交错的方式突出，以便在第二方向DR2上彼此不重叠。

在第一方向DR1上，第一电极延伸部分RM_E1和第三电极延伸部分RM_E3的宽度可以小于第二电极延伸部分RM_E2和第四电极延伸部分RM_E4的宽度。另外，第一电极延伸部分RM_E1和第四电极延伸部分RM_E4可以在第一方向DR1上彼此交错。

第一电极延伸部分RM_E1与第二电极主干部分RM_S2可以彼此间隔开，第二电极延伸部分RM_E2与第二电极主干部分RM_S2可以彼此间隔开，并且发光元件ED可以被布置在它们之间。另外，第三电极延伸部分RM_E3与第一电极主干部分RM_S1可以彼此间隔开，第四电极延伸部分RM_E4与第一电极主干部分RM_S1可以彼此间隔开，并且发光元件ED可以被布置在它们之间。

与第一电极主干部分RM_S1和第二电极延伸部分RM_E2中的每一个间隔开的电极接触部分EP被布置在每个子像素PXn中。电极接触部分EP的位置与以上描述的相同。

发光元件ED具有被布置在第一电极RME1_6上的第一端以及被布置在第二电极RME2_6上的第二端。例如，发光元件ED的第一端可以被布置在第一电极主干部分RM_S1、第一电极延伸部分RM_E1或第二电极延伸部分RM_E2上，并且第二端可以被布置在第二电极主干部分RM_S2、第三电极延伸部分RM_E3或第四电极延伸部分RM_E4上。

第一发光元件ED_A被布置在第一电极主干部分RM_S1和第四电极延伸部分RM_E4上。第二发光元件ED_B被布置在第一电极延伸部分RM_E1和第二电极主干部分RM_S2上，第三发光元件ED_C被布置在第一电极主干部分RM_S1和第三电极延伸部分RM_E3上，并且第四发光元件ED_D被布置在第二电极延伸部分RM_E2和第二电极主干部分RM_S2上。

第一接触电极CNE1_6可以被布置在第一电极延伸部分RM_E1上，以接触第二发光元件ED_B的第一端。另外，第一接触电极CNE1_6可以通过第一开口OP1直接接触第一电极延伸部分RM_E1，并且将通过第一电极RME1_6接收的第二电源电压传输到第二发光元件ED_B。

第二接触电极CNE2_6可以被布置在第四电极延伸部分RM_E4上，以接触第一发光元件ED_A的第二端。另外，第二接触电极CNE2_6可以通过第二开口OP2直接接触电极接触部分EP，并且将通过电极接触部分EP接收的第一电源电压传输到第一发光元件ED_A。

第三接触电极CNE3_6可以被布置在第一电极主干部分RM_S1和第三电极延伸部分RM_E3之上，并且可以接触第一发光元件ED_A的第一端和第三发光元件ED_C的第二端。第四接触电极CNE4_6可以被布置在第一电极主干部分RM_S1和第二电极主干部分RM_S2之上，并且可以接触第三发光元件ED_C的第一端和第四发光元件ED_D的第二端。第四接触电极CNE4_6可以绕过第三接触电极CNE3_6的被布置在第三电极延伸部分RM_E3上的部分，以围绕该部分。第五接触电极CNE5_6可以被布置在第二电极延伸部分RM_E2和第二电极主干部分RM_S2之上，并且可以接触第四发光元件ED_D的第一端和第二发光元件ED_B的第二端。

第一发光元件ED_A、第二发光元件ED_B、第三发光元件ED_C和第四发光元件ED_D可以通过接触电极CNE1_6、CNE2_6、CNE3_6、CNE4_6和CNE5_6彼此连接。包括电极RME1_6和RME2_6以及接触电极CNE1_6、CNE2_6、CNE3_6、CNE4_6和CNE5_6的显示装置10在每个子像素PXn中可以具有4串联结构。

图19是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图19，在显示装置10中，第二电极RME2_7的第二电极主干部分RM_S2可以在切割区域CBA的切割部分CB中分开，并且第二电极RME2_7可以包括第一电极图案RM_P1，该第一电极图案RM_P1与第二电极主干部分RM_S2分离并且被布置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上。当前实施例与图18的实施例的不同之处在于，第二电极RME2_7的第四电极延伸部分RM_E4被与第二电极主干部分RM_S2分离的第一电极图案RM_P1代替。第一电极RME1_7、多个接触电极CNE1_7、CNE2_7、CNE3_7、CNE4_7和CNE5_7以及发光元件ED的设置与图18的实施例的设置基本上相同。因此，将省略任何多余的描述，并且下面将描述第二电极RME2_7的结构。

第二电极RME2_7的第一电极图案RM_P1可以与被布置在每个子像素PXn中的电极接触部分EP成一体。可以通过电极接触部分EP将第一电源电压施加到第一电极图案RM_P1。第二接触电极CNE2_7可以被布置在第一电极图案RM_P1上，以通过第二开口OP2直接接触第一电极图案RM_P1。被施加到第一电极图案RM_P1的第一电源电压可以通过第二接触电极CNE2_7被传输到第一发光元件ED_A的第二端。

由于第二电极主干部分RM_S2在切割区域CBA的切割部分CB和发射区域EMA的切割部分CB中分开，因此电信号可以不直接从电路层传输。然而，第三接触电极CNE3_7的被布置在第三电极延伸部分RM_E3上的部分可以通过第三开口OP3直接接触第三电极延伸部分RM_E3，并且流过第三接触电极CNE3_7的电信号可以被传输到第二电极主干部分RM_S2。在当前实施例中，用于驱动发光元件ED的第一电源电压和第二电源电压可以分别流过第二电极RME2_7和第一电极RME1_7。因此，与图18的实施例中不同，每个子像素PXn中的每个电极可以不以浮置状态被布置。

图20是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图20，显示装置10在每个电极RME1_8或RME2_8的结构上与图18的实施例相同，但是，被布置在每个子像素PXn中的接触电极CNE1_8、CNE2_8和CNE3_8可以同时接触不同的发光元件ED。被布置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以部分地彼此串联或并联连接。当前实施例与图18的实施例的不同之处在于，通过改变接触电极CNE1_8、CNE2_8和CNE3_8的结构和设置，发光元件ED中的一些并联连接。

第一电极RME1_8的第一电极延伸部分RM_E1和第二电极RME2_8的第四电极延伸部分RM_E4可以在第一方向DR1上并排布置。

发光元件ED包括第一发光元件ED_A，第一发光元件ED_A的第一端被布置在第一电极延伸部分RM_E1上或第一电极主干部分RM_S1的与第一电极延伸部分RM_E1相反的一侧上。第一发光元件ED_A中的一些第一发光元件ED_A的第二端被布置在第四电极延伸部分RM_E4上，并且其他第一发光元件ED_A的第二端被布置在第二电极主干部分RM_S2上。另外，发光元件ED包括第二发光元件ED_B，第二发光元件ED_B的第二端被布置在第三电极延伸部分RM_E3上或第二电极主干部分RM_S2的与第三电极延伸部分RM_E3相反的一侧上。第二发光元件ED_B中的一些第二发光元件ED_B的第一端被布置在第一电极主干部分RM_S1上，并且其他第二发光元件ED_B的第一端被布置在第二电极延伸部分RM_E2上。

第一接触电极CNE1_8可以被布置在第一电极主干部分RM_S1或第二电极延伸部分RM_E2上，以接触第二发光元件ED_B的第一端。第一接触电极CNE1_8可以通过第一开口OP1直接接触第一电极主干部分RM_S1或第二电极延伸部分RM_E2。被施加到第一电极RME1_8的第二电源电压可以通过第一接触电极CNE1_8被传输到第二发光元件ED_B的第一端。

第二接触电极CNE2_8可以被布置在第二电极主干部分RM_S2和第四电极延伸部分RM_E4之上，并且可以接触第一发光元件ED_A的第二端。第二接触电极CNE2_8可以被布置在电极接触部分EP上，并且可以通过第二开口OP2接触电极接触部分EP。被施加到电极接触部分EP的第一电源电压可以通过第二接触电极CNE2_8被传输到第一发光元件ED_A的第二端。

第三接触电极CNE3_8可以被布置在第一电极主干部分RM_S1、第一电极延伸部分RM_E1、第三电极延伸部分RM_E3和第二电极主干部分RM_S2之上，并且可以接触第一发光元件ED_A的第一端和第二发光元件ED_B的第二端。

由于第一发光元件ED_A和第二发光元件ED_B通过第三接触电极CNE3_8连接，因此它们可以彼此串联连接。第一发光元件ED_A中的一些第一发光元件ED_A的第二端可以被布置在第二电极主干部分RM_S2或第四电极延伸部分RM_E4上，但是可以同时接触第二接触电极CNE2_8。第二发光元件ED_B中的一些第二发光元件ED_B的第一端可以被布置在第一电极主干部分RM_S1或第二电极延伸部分RM_E2上，但是可以同时接触第一接触电极CNE1_8。因此，可以通过第一电极RME1_8施加第二电源电压。因此，第一发光元件ED_A可以彼此并联连接，并且第二发光元件ED_B可以彼此并联连接。在根据该实施例的显示装置10中，通过改变电极RME1_8和RME2_8以及接触电极CNE1_8、CNE2_8和CNE3_8的结构，发光元件ED可以以2串联2并联的结构连接。

图21是根据实施例的显示装置10的像素的平面图。

参照图21，在每个电极RME1_9或RME2_9的结构上，显示装置10与图19的实施例相同，但是在被布置于每个子像素PXn中的接触电极CNE1_9、CNE2_9和CNE3_9的设置上，可以与图20的实施例相同。即，图21的显示装置10与图19的实施例的不同之处在于，通过改变接触电极CNE1_9、CNE2_9和CNE3_9的结构和设置，一些发光元件ED并联连接。图21的实施例与图20的实施例也不同，不同之处在于，第二电极RME2_9的第四电极延伸部分RM_E4与第二电极主干部分RM_S2分离并且被布置为第一电极图案RM_P1，并且第二接触电极CNE2_9通过第三开口OP3接触第二电极主干部分RM_S2和第一电极图案RM_P1中的每一个。其他细节与以上描述的那些细节相同。

在根据实施例的显示装置中，一个电极被布置在相邻的子像素之上。因此，可以减少被布置在显示装置的整个显示区域之上的电极线的数量，从而防止布线之间的潜在短路。

在显示装置中，可以使发射区域最大化，并且可以将发光元件串联连接。在根据实施例的显示装置中，即使最小化每个子像素的单位面积，也可以优化每个子像素的发光效率。因此，可以实现超高分辨率的显示装置。

可以对示例实施例进行许多变化和修改，而不脱离权利要求所限定的范围。