具体实施方式

现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本发明的范围。

还将理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在该另一层或衬底上，或者也可以存在居间的层。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间的元件。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本发明的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

除非在本文中另外限定或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中清楚地限定，否则不应当以理想化的或过于正式的含义进行解释。

下文中将参考附图描述本公开的实施方式。

图1是根据本公开的实施方式的显示设备的示意性平面图。

参照图1，显示设备1显示运动图像或静止图像。显示设备1可以指提供显示屏幕的几乎所有类型的电子设备。显示设备1的示例可以包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端部、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、游戏控制台、数码相机和摄像机。

显示设备1可以包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管(ILED)显示面板、有机LED(OLED)显示面板、量子点发光二极管(QLED)显示面板、等离子体显示面板(PDP)和场发射显示(FED)面板。在下文中，显示设备1的显示面板将被描述为ILED显示面板，但是本公开不限于此。

第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3如附图中所示那样限定。具体地，第一方向DR1和第二方向DR2可以是在相同的平面内彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是垂直于包括第一方向DR1和第二方向DR2的平面的方向。第三方向DR3可以垂直于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个。第三方向DR3是指显示设备1的厚度方向。

除非另有说明，否则如本文中所使用的术语“上方”和“顶部”是指第三方向DR3(或显示设备1的显示方向)，并且如本文中所使用的术语“顶部表面”是指指向第三方向DR3的表面。此外，除非另有说明，否则如本文中所使用的术语“下方”和“底部”是指第三方向DR3的相反方向(或显示设备1的显示方向的相反方向)，并且如本文中所使用的术语“底部表面”是指指向第三方向DR3的相反方向的表面。此外，除非另有说明，否则如本文中所使用的术语“左”、“右”、“上”和“下”是指它们在平面图中的相应方向。例如，术语“左”是指第一方向DR1的相反方向，术语“右”是指第一方向DR1，术语“上”是指第二方向DR2，并且术语“下”是指第二方向DR2的相反方向。

显示设备1在平面图中可以具有矩形形状，该矩形形状在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长。显示设备1的长边和短边相遇处的拐角可以是直角，但是本公开不限于此。作为另一示例，显示设备1的长边和短边相遇处的拐角可以是圆化的。然而，显示设备1的平面形状没有特别限制并且可以变化。显示设备1可以具有不同于矩形形状的各种形状，诸如，正方形形状、多边形形状、圆形形状或具有圆化拐角的矩形形状。

显示设备1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是其中显示屏幕的区域，并且非显示区域NDA是其中不显示屏幕的区域。显示区域DA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为无效区域。

显示区域DA的形状可以依照显示设备1的形状。例如，显示区域DA在平面图中可以具有与显示设备1类似的形状，即，矩形形状，但是本公开不限于此。作为另一示例，显示区域DA可以具有与显示设备1不同的形状。显示区域DA通常可以占据显示设备1的中间部分。

显示区域DA可以包括像素PX。像素PX可以在行方向和列方向上布置。像素PX在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状，但是本公开不限于此。作为另一示例，像素PX可以具有相对于第一方向DR1或第二方向DR2倾斜的菱形形状。像素PX可以以条纹方式或方式交替布置。

非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的外围上。非显示区域NDA可以围绕整个显示区域DA或显示区域DA的部分。显示区域DA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以与显示区域DA的四个边相邻设置。非显示区域NDA可以形成显示设备1的边框。包括在显示设备1中的布线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中，或者外部设备可以安装在非显示区域NDA中。

图2是图1的显示设备的像素的示意性布局图。图3是图2的区域A的示意性放大布局图，并且示出了第一电极和第二电极、第一接触电极和第二接触电极、发光元件和第一绝缘层的相对布置。图4是根据本公开的实施方式的发光元件的示意性立体图。图5是图2的区域A的示意性放大布局图，并且示出了第一电极和第二电极、发光元件和绝缘图案(或绝缘图案层)的相对布置。图6是图1的显示设备的沿着图2的线VI-VI'截取的示意性剖视图。

参照图2至图6，显示设备1可以包括衬底SUB、设置在衬底SUB上的电路元件层CCL以及设置在电路元件层CCL上的发光元件层EML。发光元件层EML可以包括第一电极RMT1、第二电极RMT2、接触电极CTE、反射层400、发光元件ED和绝缘层。绝缘层可以包括第一绝缘层510、绝缘图案层、第二绝缘层530和第三绝缘层540。

下文中将参考图2来描述显示设备1的像素PX中的每个中的发光元件层EML中包括的层的布局。

参照图2，像素PX可以包括子像素SPXn(其中n是1至3的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发射第一颜色的光，第二子像素SPX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素SPX3可以发射第三颜色的光。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是蓝色、绿色和红色。然而，本公开不限于此。作为另一示例，子像素SPXn可以发射相同颜色的光。图2示出像素PX包括三个子像素SPXn，但是本公开不限于此。作为另一示例，像素PX可以包括多于三个子像素SPXn。

子像素SPXn中的每个可以包括第一电极RMT1和第二电极RMT2、接触电极CTE和发光元件ED。显示设备1还可以包括设置在子像素SPXn之间的堤BK。

子像素SPXn中的每个可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是发射光的区域，并且非发射区域可以是不发射光的区域。发射区域EMA可以是输出由发光元件ED发射的光的区域，并且非发射区域可以是由发光元件ED发射的光无法到达并且作为结果没有光从其发射的区域。

发射区域EMA可以包括设置有发光元件ED的区域和位于设置有发光元件ED的区域周围的区域。发射区域EMA还可以包括由发光元件ED发射的光被其它元件反射或折射并且因此被发射的区域。

子像素SPXn中的每个还可以包括设置在非发射区域中的切割区域CBA。切割区域CBA可以设置在发射区域EMA的第二方向DR2上的第一侧上。切割区域CBA可以设置在第二方向DR2上的每对相邻的子像素SPXn的发射区域EMA之间。

像素PX的子像素SPXn的发射区域EMA可以布置成在第一方向DR1上彼此间隔开。类似地，像素PX的子像素SPXn的切割区域CBA可以布置成在第一方向DR1上彼此间隔开。发射区域EMA可以布置成在第一方向DR1上彼此间隔开，切割区域CBA可以布置成在第一方向DR1上彼此间隔开，并且发射区域EMA和切割区域CBA可以在第二方向DR2上交替布置。

切割区域CBA可以是这样的区域，其中第一电极RMT1在第二方向DR2上被分成多个部分，并且第二电极RMT2在第二方向DR2上被分成多个部分。发光元件ED可以不设置在切割区域CBA中。第一电极RMT1的部分和第二电极RMT2的部分可以设置在切割区域CBA中。第一电极RMT1可以在切割区域CBA中被分成多个部分，并且第二电极RMT2可以在切割区域CBA中被分成多个部分。

第一电极RMT1和第二电极RMT2可以电连接到发光元件ED，并且可以向发光元件ED施加电信号，使得发光元件ED可以发射光。例如，第一电极RMT1和第二电极RMT2可以经由第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2电连接到发光元件ED。从电路元件层CCL施加到第一电极RMT1和第二电极RMT2的电信号可以经由接触电极CTE传输到发光元件ED。

在平面图中，堤BK可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分，并且可以以网格图案设置在显示区域DA的整个表面上。堤BK可以沿着子像素SPXn之间的边界设置，以将子像素SPXn分开。

堤BK可以设置成围绕子像素SPXn的发射区域EMA和切割区域CBA，以将子像素SPXn的发射区域EMA和切割区域CBA分开。位于在第一方向DR1上彼此相邻的子像素SPXn的发射区域EMA之间的堤BK在第一方向DR1上的宽度可以大于位于在第一方向DR1上彼此相邻的子像素SPXn的切割区域CBA之间的堤BK在第一方向DR1上的宽度。因此，子像素SPXn的切割区域CBA之间在第一方向DR1上的距离可以小于子像素SPXn的发射区域EMA之间在第一方向DR1上的距离。

于在制造显示设备1期间执行用于布置发光元件ED的喷墨印刷工艺的情况下，堤BK可以防止包括发光元件ED的墨水从一个子像素SPXn溢出到另一子像素SPXn。

如以上已经提及的，第一电极RMT1和第二电极RMT2可以电连接到发光元件ED，并且因此可以向发光元件ED传输电信号，使得发光元件ED可以发射特定波长范围的光。例如，第一电极RMT1和第二电极RMT2可以接收预定电压。在子像素SPXn中，第一电极RMT1和第二电极RMT2的至少部分之间可以形成电场，以对准发射区域EMA中的发光元件ED。

第一电极RMT1可以包括第一电极杆RMT11和从第一电极杆RMT11分支的第一电极分支RMT12。

在平面图中，第一电极杆RMT11可以设置在子像素SPXn的左侧(或第一方向DR1上的第二侧)上。第一电极杆RMT11可以在第二方向DR2上延伸。第一电极杆RMT11可以在子像素SPXn中在第二方向DR2上延伸，并且第一电极杆RMT11的两个端部可以终止于切割区域CBA中，以与在第二方向DR2上邻近的子像素SPXn的第一电极杆RMT11间隔开。布置在相同的列中的子像素SPXn的第一电极杆RMT11(即，布置在第二方向DR2上的一排子像素SPXn)可以基本上在相同的直线上。

第一电极分支RMT12可以从第一电极杆RMT11分支。第一电极分支RMT12可以从第一电极杆RMT11分支以在第一方向DR1上延伸。第一电极分支RMT12可以在第二方向DR2上并排布置。

第二电极RMT2可以包括第二电极杆RMT21和从第二电极杆RMT21分支的第二电极分支RMT22。第二电极RMT2可以设置成与第一电极RMT1间隔开。

在平面图中，第二电极杆RMT21可以设置在子像素SPXn的右侧(或第一方向DR1上的第一侧)上。第二电极杆RMT21可以设置成在第一方向DR1上与第一电极杆RMT11间隔开。第二电极杆RMT21可以在第二方向DR2上延伸。第二电极杆RMT21可以在子像素SPXn中在第二方向DR2上延伸，并且第二电极杆RMT21的两个端部可以终止于切割区域CBA中，以与在第二方向DR2上邻近的子像素SPXn的第二电极杆RMT21间隔开。布置在相同的列中的子像素SPXn的第二电极杆RMT21(即，布置在第二方向DR2上的一排子像素SPXn的第二电极杆RMT21)可以基本上在相同的直线上。

第二电极分支RMT22可以从第二电极杆RMT21分支。第二电极分支RMT22可以从第二电极杆RMT21分支以在第一方向DR1的相反方向上延伸，并且可以终止以与第一电极杆RMT11间隔开。第二电极分支RMT22的端部可以设置成与第一电极杆RMT11间隔开。第二电极分支RMT22可以在第二方向DR2上并排布置。

第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以设置在发射区域EMA中。第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以在发射区域EMA中在第二方向DR2上交替布置。第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以在第二方向DR2上(即，在平面图中，在从发射区域EMA的下侧到上侧的方向上)从发射区域EMA的下侧以第二电极分支RMT22、第一电极分支RMT12、第二电极分支RMT22和第一电极分支RMT12的顺序交替布置，但是本公开不限于此。作为另一示例，第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以在第二方向DR2上(即，在平面图中，在从发射区域EMA的下侧到上侧的方向上)从发射区域EMA的下侧以第一电极分支RMT12、第二电极分支RMT22、第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22的顺序交替布置，但是本公开不限于此。

第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以设置成在第二方向DR2上彼此间隔开。

如以上已经提及的，第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21可以在第二方向DR2上延伸。第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21可以在子像素SPXn中设置成延伸跨过堤BK的在第一方向DR1上延伸以将发射区域EMA和切割区域CBA分开的部分。第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21可以与堤BK的位于切割区域CBA和发射区域EMA之间的部分重叠，并且接触孔CT1和CT2可以形成在堤BK与第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21的重叠区域中。第一电极RMT1和第二电极RMT2可以经由接触孔CT1和CT2电连接到电路元件层CCL，以从电路元件层CCL接收电信号。

第一电极RMT1和第二电极RMT2中的每个被示出为包括一个电极杆(即，第一电极杆RMT11或第二电极杆RMT21)以及从第一电极杆RMT11或第二电极杆RMT21分支的四个电极分支(即，第一电极分支RMT12或第二电极分支RMT22)，但是本公开不限于此。作为另一示例，第一电极RMT1和第二电极RMT2中的每个可以包括多于四个电极分支RMT12或RMT22。

发光元件ED可以设置在第一电极RMT1和第二电极RMT2之间。例如，发光元件ED可以在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间设置在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间。发光元件ED可以设置在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22上，以使发光元件ED的两个端部与第一电极RMT1的第一电极分支RMT12和第二电极RMT2的第二电极分支RMT22重叠。

发光元件ED的第一端部可以电连接到第一电极RMT1，并且发光元件ED的第二端部可以电连接到第二电极RMT2。发光元件ED可以经由接触电极CTE电连接到第一电极RMT1和第二电极RMT2。

接触电极CTE可以设置在发射区域EMA中。接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以在发射区域EMA中分别与第一电极RMT1和第二电极RMT2电接触并且与发光元件ED电接触。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以将第一电极RMT1和第二电极RMT2以及发光元件ED电连接。

第一接触电极CTE1可以设置在第一电极RMT1上。第一接触电极CTE1可以在发射区域EMA中设置成在第三方向DR3上与第一电极RMT1重叠。

第一接触电极CTE1可以依照第一电极RMT1的形状。在平面图中，第一接触电极CTE1可以具有与第一电极RMT1类似的形状。第一接触电极CTE1可以设置成在第三方向DR3上完全覆盖第一电极RMT1，但是本公开不限于此。在平面图中，第一接触电极CTE1可以具有与第一电极RMT1类似的形状但具有比第一电极RMT1大的尺寸，以在第三方向DR3上完全覆盖第一电极RMT1。

第一接触电极CTE1可以包括第一接触电极杆CTE11和从第一接触电极杆CTE11分支的第一接触电极分支CTE12。

第一接触电极杆CTE11可以在第二方向DR2上延伸。第一接触电极杆CTE11可以在第二方向DR2上延伸并且可以在发射区域EMA的上部和下部两者中终止，使得第一接触电极杆CTE11的两个端部可以位于发射区域EMA内。

第一接触电极杆CTE11可以在发射区域EMA中设置在第一电极杆RMT11上。第一接触电极杆CTE11可以在第三方向DR3上与第一电极杆RMT11重叠。第一接触电极杆CTE11可以设置成在第三方向DR3上完全覆盖第一电极杆RMT11。

第一接触电极分支CTE12可以从第一接触电极杆CTE11分支。第一接触电极分支CTE12可以从第一接触电极杆CTE11分支以在第一方向DR1上延伸。第一接触电极分支CTE12可以在第二方向DR2上并排布置。

第一接触电极分支CTE12可以在发射区域EMA中设置在第一电极分支RMT12上。第一接触电极分支CTE12可以在第三方向DR3上与第一电极分支RMT12重叠。第一接触电极分支CTE12可以设置成在第三方向DR3上完全覆盖第一电极分支RMT12。

第二接触电极CTE2可以设置成与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以设置在第二电极RMT2上。第二接触电极CTE2可以在发射区域EMA中设置成在第三方向DR3上与第二电极RMT2重叠。

第二接触电极CTE2可以依照第二电极RMT2的形状。在平面图中，第二接触电极CTE2可以具有与第二电极RMT2类似的形状。第二接触电极CTE2可以设置成在第三方向DR3上完全覆盖第二电极RMT2，但是本公开不限于此。在平面图中，第二接触电极CTE2可以具有与第二电极RMT2类似的形状但具有比第二电极RMT2大的尺寸，以在第三方向DR3上完全覆盖第二电极RMT2。

第二接触电极CTE2可以包括第二接触电极杆CTE21和从第二接触电极杆CTE21分支的第二接触电极分支CTE22。

第二接触电极杆CTE21可以在第二方向DR2上延伸。第二接触电极杆CTE21可以在第二方向DR2上延伸并且可以在发射区域EMA的上部和下部两者中终止，使得第二接触电极杆CTE21的两个端部可以位于发射区域EMA内。

第二接触电极杆CTE21可以在发射区域EMA中设置在第二电极杆RMT21上。第二接触电极杆CTE21可以在第三方向DR3上与第二电极杆RMT21重叠。第二接触电极杆CTE21可以设置成在第三方向DR3上完全覆盖第二电极杆RMT21。

第二接触电极分支CTE22可以从第二接触电极杆CTE21分支。第二接触电极分支CTE22可以从第二接触电极杆CTE21分支以在第一方向DR1的相反方向上延伸。第二接触电极分支CTE22可以在第二方向DR2上并排布置。

第二接触电极分支CTE22可以在发射区域EMA中设置在第二电极分支RMT22上。第二接触电极分支CTE22可以在第三方向DR3上与第二电极分支RMT22重叠。第二接触电极分支CTE22可以设置成在第三方向DR3上完全覆盖第二电极分支RMT22。

第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以设置成彼此间隔开。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以彼此绝缘。

下文中将参考图3和图4来描述发光元件ED的形状以及在平面图中第一电极RMT1和第二电极RMT2、第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2及第一绝缘层510的相对布置。

如以上已经提及的，发光元件ED可以在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间设置在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22彼此间隔开并且彼此面对的区域中。

在一个实施方式中，发光元件ED可以是发光二极管(LED)。例如，发光元件ED可以是具有几微米或几纳米的尺寸并且包括无机材料的无机LED(ILED)。可以通过在两个电极之间形成电场来对准ILED。例如，可以在两个相对电极之间在特定方向上形成电场，并且因此可以将ILED对准并设置在两个电极之间。

参照图4，发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有棒形状、线形状或管形状。例如，发光元件ED可以具有圆柱形状或棒形状，但是本公开不限于此。在另一示例中，发光元件ED可以具有多边柱形状(诸如，规则立方体、矩形平行六面体或六边形柱的形状)，或者可以具有在一个方向上延伸但具有部分倾斜的外表面的形状。包括在发光元件ED中的半导体可以在发光元件ED延伸的方向上顺序地设置或堆叠。

发光元件ED可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号以发射特定波长范围的光。

发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、有源层33、电极层37和绝缘膜38。

第一半导体层31可以包括n型半导体。例如，在发光元件ED发射蓝光波长范围的光的情况下，第一半导体层31可以包括半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且0≤x+y≤1)。例如，半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是例如Si、Ge或Sn。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31可在发光元件ED延伸的方向上具有约1.5μm至约5μm的厚度，但是本公开不限于此。

第二半导体层32可以设置成在发光元件ED延伸的方向上与第一半导体层31间隔开。第二半导体层32可以包括p型半导体。例如，在发光元件ED发射蓝光或绿光波长范围的光的情况下，第二半导体层32可以包括半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN(其中0≤x≤1,0≤y≤1并且0≤x+y≤1)。例如，半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Se或Ba。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32可以在发光元件ED延伸的方向上具有约0.05μm至约0.10μm的厚度，但是本公开不限于此。

第一半导体层31和第二半导体层32被示出为形成为单层膜。作为另一示例，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以根据有源层33的材料而包括一个以上的层，诸如，例如包层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。

有源层33设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。有源层33可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在有源层33包括具有多量子阱结构的材料的情况下，有源层33可以具有其中交替堆叠多个量子层和多个阱层的结构。有源层33可以通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到其的电信号将电子-空穴对结合来发射光。例如，在有源层33发射蓝光波长范围的光的情况下，有源层33可以包括诸如AlInN、AlGaN或AlGaInN的材料。在一个实施方式中，有源层33可以包括AlGaInN作为其量子层和AlInN作为其阱层，并且可以发射具有中心波长范围为约450nm至约495nm的蓝光。

然而，本公开不限于此。作为另一示例，有源层33可具有其中交替堆叠具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料的结构。由有源层33发射的光的类型不限于蓝光。有源层33还可以根据需要发射红光或绿光波长范围的光，而不是蓝光。有源层33在发光元件ED延伸的方向上可具有约0.05μm至约0.10μm的厚度，但是本公开不限于此。

电极层37可以设置在第二半导体层32上。电极层37可以是欧姆接触电极，但是本公开不限于此。作为另一示例，电极层37可以是肖特基接触电极。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括Al、Ti、In、Au、Ag、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。此外，电极层37可以包括掺杂有n型或p型掺杂剂的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料，但是本公开不限于此。

绝缘膜38设置成围绕第一半导体层31和第二半导体层32、有源层33和电极层37的侧面。例如，绝缘膜38可以设置成至少围绕有源层33的侧面，并且可以在发光元件ED延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护第一半导体层31、第二半导体层32、有源层33和电极层37。例如，绝缘膜38可以形成为围绕第一半导体层31、第二半导体层32、有源层33和电极层37的侧面，并暴露发光元件ED的在长度方向上的两个端部。

绝缘膜38可具有约10nm至约1.0μm的厚度，但是本公开不限于此。绝缘膜38可具有约40nm的厚度。

绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料，诸如，例如硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)、硅氮氧化物(SiO_xN_y)、铝氮化物(AlN)或铝氧化物(Al₂O₃)。因此，绝缘膜38可以防止在有源层33被放置成与将电信号直接传输到发光元件ED的电极直接接触的情况下可能发生的任何短路。由于发光元件ED包括绝缘膜38以保护发光元件ED的外表面，因此可以防止发光元件ED的发射效率的任何降低。

发光元件ED的长度h1可在约1μm至约10μm、约2μm至约6μm或者约3μm至约5μm的范围内。发光元件ED可以具有约30nm至约700nm的直径并且可以具有约1.2至约100的纵横比。发光元件ED可以具有约500nm的直径。然而，本公开不限于此。包括在显示设备1中的不同发光元件ED可以根据它们各自的有源层33的组成而具有不同的直径。

再次参照图3，在发射区域EMA中，每个发光元件ED的在一个方向上延伸的两个端部可以分别设置在第一电极RMT1的第一电极分支RMT12和第二电极RMT2的第二电极分支RMT22上。发光元件ED可以设置成彼此间隔开，并且可以在第二方向DR2上基本上对准。例如，发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状，并且发光元件ED延伸的方向可以基本上与第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22延伸的方向形成直角。例如，第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以沿着第一方向DR1延伸，并且发光元件ED可以在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间对准以在第二方向DR2上延伸。然而，本公开不限于此示例。发光元件ED可以相对于第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22延伸的方向对角地布置。

在一个实施方式中，显示设备1的发射区域EMA可以包括单元分支。单元分支可以指在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间包括第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22的最小单元，以使发光元件ED发射光。为了能够发射光，每个发光元件ED的两个端部可以分别电连接到第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22。

可以在第二方向DR2上在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间重复地布置单元分支。单元分支中的每个可以包括分别从第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21分支的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22。为了能够发射光，每个发光元件ED可以设置在单元分支中的每个的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间。

如以上已经提及的，可以通过向第一电极RMT1和第二电极RMT2施加电信号来对准发光元件ED。例如，在显示设备1的制造期间，可以将发光元件ED喷射到第一电极RMT1和第二电极RMT2上，并且然后可以通过向第一电极RMT1和第二电极RMT2施加用于对准发光元件ED的电信号来将发光元件ED对准。一旦施加电信号，可以在第一电极RMT1和第二电极RMT2之间形成电场，并且可以通过来自电场的电力来改变发光元件ED的位置和对准方向，使得发光元件ED可以布置在第一电极RMT1和第二电极RMT2之间。第一电极RMT1和第二电极RMT2之间的距离越小，电力变得越强。因此，为了适当地对准发光元件ED，需要适当地设置单元分支中的每个的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间的距离d1、发光元件ED的长度h1以及包括在邻近的单元分支中的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间的距离d2。

在单元分支中的每个中，第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22可以布置成在第二方向DR2上彼此间隔开。为了将每个发光元件ED布置在单元分支中的每个的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22上，可以将距离d1设置为小于长度h1。距离d1可以限定为单元分支中的每个的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22的相对侧之间的距离。

为了在单元分支中(特别是在单元分支中的每个的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间，而不是在不同的单元分支之间)布置发光元件ED，可以将距离d1设置成不同于距离d2。例如，距离d2可以大于距离d1。此外，距离d2可以大于长度h1。

例如，在长度h1为约3μm至约5μm的情况下，距离d1可以小于约3μm至约5μm。此外，在长度h1为约3μm至约5μm的情况下，距离d2可为约10μm至约12μm。如果距离d1被设定为小于距离d2，则可以在单元分支中的每个的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间施加更强的电力，并且结果，可以改善发光元件ED的对准。此外，如果距离d2被设定为大于长度h1，则即使发光元件ED设置在不同的单元分支之间，但是在它们于不同的单元分支之间没有电连接的情况下，发光元件ED也可以不发射光。

图7是图6的区域B的示意性放大剖视图。

下文中将参考图5至图7来描述发光元件ED、第一电极RMT1和第二电极RMT2以及绝缘图案层的相对布置。

在一个实施方式中，显示设备1可以包括绝缘图案层，并且绝缘图案层可以包括绝缘图案520。

绝缘图案520可以彼此相距预定距离。在一个子像素SPXn的发射区域EMA中，绝缘图案520可以设置成在第二方向DR2上彼此隔开预定距离。绝缘图案520中的每个可以设置成在第三方向DR3上与至少一个发光元件ED重叠。例如，绝缘图案520中的每个可以设置成对应于(例如，一对一地对应于)一个单元分支上的至少一个发光元件ED，并且与一个单元分支上的至少一个发光元件ED重叠，但是本公开不限于此。作为另一示例，绝缘图案520中的每个可以设置成与布置在一个单元分支上的所有发光元件ED重叠。

绝缘图案520可以在发射区域EMA中设置在第一电极RMT1和第二电极RMT2上。例如，绝缘图案520可以设置在第一电极RMT1的第一电极分支RMT12和第二电极RMT2的第二电极分支RMT22上。

绝缘图案520可以包括固定部521和屏障部522。

屏障部522可以设置成在平面图中围绕它们相应的发光元件ED。在平面图中，屏障部522可以具有环形形状，该环形形状具有外径w3和内径w2，但是本公开不限于此。在平面图中，屏障部522可以具有各种其它形状中的一种或多种，诸如，正方形形状、椭圆形形状或矩形形状。

屏障部522可以在第三方向DR3上不与发光元件ED重叠。屏障部522的内径w2(其可以是最小内径)可以大于发光元件ED的长度h1。在这种情况下，屏障部522可以设置成围绕发光元件ED并且在第三方向DR3上完全暴露发光元件ED。

屏障部522可以在第三方向DR3上不与第一电极RMT1的第一电极杆RMT11或第二电极RMT2的第二电极杆RMT21重叠。屏障部522的外径w3可以小于第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间的距离。屏障部522的最大外径可以形成为小于第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间的距离，并且因此，屏障部522可以设置在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间的间隙中。

屏障部522可以设置成围绕发光元件ED，并且可以将从发光元件ED发射的光的行进方向改变为向上的方向。这将在以下参考其它附图进行描述。

固定部521可以形成为延伸跨过屏障部522。固定部521可以与屏障部522一体地形成。固定部521可以在由屏障部522暴露的发光元件ED上设置在屏障部522内，其中屏障部522在平面图中是环状的。

固定部521延伸的方向可以与第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22延伸的方向相同。固定部521可以在由屏障部522限定的空间内在第一方向DR1上延伸。固定部521延伸的方向可以与发光元件ED在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间延伸的方向垂直。

固定部521可以设置在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间。固定部521可以在第三方向DR3上不与第一电极分支RMT12或第二电极分支RMT22重叠。固定部521可以设置成暴露发光元件ED的至少部分。固定部521可以在发光元件ED上设置成暴露发光元件ED中的每个的两个端部。固定部521在第二方向DR2上的宽度w1可以小于发光元件ED的长度h1。在这种情况下，发光元件ED中的每个的两个端部可以在第三方向DR3上由固定部521暴露。

固定部521可以设置在发光元件ED的至少部分上，并且可以固定发光元件ED，使发光元件ED在显示设备1的制造期间不丢失。

绝缘图案520可以包括孔HA，其被屏障部522和固定部521围绕。孔HA可以包括第一孔HA1和第二孔HA2。第一孔HA1可以与第二孔HA2间隔开。第一孔HA1可以在第三方向DR3上暴露发光元件ED的设置在第一电极分支RMT12上的第一端部，并且第二孔HA2可以在第三方向DR3上暴露发光元件ED的设置在第二电极分支RMT22上的第二端部。

下文中将参考图2至图7来描述显示设备1的每个子像素SPXn中的截面结构。

如以上已经提及的，显示设备1可以包括衬底SUB、设置在衬底SUB上的电路元件层CCL以及设置在电路元件层CCL上的发光元件层EML。

衬底SUB可以是绝缘衬底。衬底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。衬底SUB可以是刚性衬底，或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。

驱动像素PX的电路元件层CCL可以设置在衬底SUB上。电路元件层CCL可以设置在衬底SUB和发光元件层EML之间。电路元件层CCL可以包括像素电路，诸如，驱动像素PX的开关元件。

发光元件层EML可以包括设置在电路元件层CCL上的导电层100、200和300以及也设置在电路元件层CCL上的绝缘层510、520、530和540。在一个实施方式中，发光元件层EML的导电层100、200和300可以包括第一导电层100、第二导电层200和第三导电层300。发光元件层EML的绝缘层510、520、530和540可以包括第一绝缘层510、绝缘图案层、第二绝缘层530和第三绝缘层540。

第一导电层100可以设置在电路元件层CCL上。第一导电层100可以包括第一电极RMT1和第二电极RMT2。如以上已经提及的，第一电极RMT1可以包括第一电极杆RMT11和第一电极分支RMT12，并且第二电极RMT2可以包括第二电极杆RMT21和第二电极分支RMT22。第一电极RMT1和第二电极RMT2可以在衬底SUB上设置成彼此间隔开。电路元件层CCL可以包括通孔层，但是本公开不限于此。第一导电层100可以直接设置在通孔层上，而无需堤的帮助。

第一电极RMT1和第二电极RMT2可以设置在相同的平面或层上。从衬底SUB的一个表面(或顶表面)到第一电极RMT1的顶表面的距离和从衬底SUB的一个表面(或顶表面)到第二电极RMT2的顶表面的距离可以基本上彼此相等。

第一导电层100可以包括透明导电材料。例如，第一导电层100可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。第一导电层100可以具有堆叠结构，诸如，ITO/银(Ag)/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/IZO/IZO，或者可以包括铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金。

第一绝缘层510可以设置在第一导电层100上。第一绝缘层510可以设置在电路元件层CCL的由第一导电层100暴露的部分上。第一绝缘层510可以设置成暴露第一电极RMT1和第二电极RMT2的至少部分。第一绝缘层510可以设置在衬底SUB的整个表面上，并且可以包括开口OP，开口OP暴露第一电极RMT1和第二电极RMT2的至少部分。

例如，开口OP可以在第三方向DR3上与第一电极RMT1的第一电极杆RMT11和第二电极RMT2的第二电极杆RMT21重叠。开口OP可以在第三方向DR3上不与第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22重叠。因此，第一绝缘层510可以在第三方向DR3上完全覆盖第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22，但是可以在第三方向DR3上暴露第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21的至少部分。第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21的由开口OP暴露的部分可以与第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2物理接触。

第一绝缘层510中可以形成高度差，使得第一绝缘层510的顶表面的一部分可以在第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22之间凹陷。第一绝缘层510的顶表面的一部分可以因下面的元件中的任何高度差而凹陷，但是本公开不限于此。作为另一示例，第一绝缘层510中可以不形成高度差。

第一绝缘层510可以保护第一电极RMT1和第二电极RMT2，并且可以使第一电极RMT1和第二电极RMT2彼此绝缘。此外，第一绝缘层510可以防止设置在第一绝缘层510上的发光元件ED被放置成与其它元件直接接触并被其它元件损坏。

第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料。例如，第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料，诸如，SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、Al₂O₃或AlN。

堤BK可以设置在第一绝缘层510上。堤BK的至少一部分可以从衬底SUB的顶表面突出。堤BK的突出的部分可以具有倾斜的侧表面。堤BK可以形成为具有比以下将描述的绝缘图案层的屏障部522和固定部521高的水平。如本文中使用的，术语“水平”可以被限定为从衬底SUB的一个表面(或顶表面)到每个元件的实质的顶表面的最短距离。堤BK可以防止在制造显示设备1期间执行的喷墨印刷工艺期间墨水在相邻的子像素SPXn之间溢出。堤BK可以将子像素SPXn分开，并且因此可以防止其中分散有发光元件ED的墨水跨过子像素SPXn混合在一起。

堤BK的侧表面示出为线型倾斜的，但是本公开不限于此。作为另一示例，堤BK的侧表面(或外表面)可以具有具备曲率的半圆形形状或半椭圆形形状。在一个实施方式中，堤BK可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但是本公开不限于此。

发光元件ED可以设置在第一绝缘层510上。发光元件ED可以在第一电极RMT1和第二电极RMT2之间设置在第一绝缘层510上。具体地，发光元件ED中的每个的两个端部可以设置在每个单元分支的第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22上。

发光元件ED可以包括有源层33，并且因此可以发射特定波长范围的光。显示设备1可以包括发射不同波长范围的光的发光元件ED。因此，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光，但是本公开不限于此。作为另一示例，发光元件ED可以包括有源层33，有源层33包括相同的材料并且可以发射基本上相同颜色的光。

参照图6和图7，绝缘图案520可以设置在第一绝缘层510上。如以上已经提及的，绝缘图案520可以在第一绝缘层510上图案化成彼此间隔开。绝缘图案520可以包括固定部521、屏障部522和第一区域523。固定部521、屏障部522和第一区域523可以通过相同的工艺形成。

固定部521可以设置在发光元件ED的一部分上。固定部521可以在发光元件ED上设置成不覆盖发光元件ED的两个端部。固定部521可以设置成围绕发光元件ED的外表面。因此，固定部521可以保护发光元件ED，并且同时固定发光元件ED，使发光元件ED在显示设备1的制造期间不丢失。

固定部521可以包括顶表面、底表面和侧表面。固定部521的底表面可以设置在发光元件ED的侧表面上。固定部521的顶表面可以与固定部521的底表面相对。固定部521的顶表面和底表面之间的距离可以是基本上均匀的，使得固定部521可以大致具有均匀的厚度。

在平面图中，屏障部522可以设置成围绕发光元件ED。屏障部522可以将从发光元件ED的两个端部发射的光的行进方向改变为向上的方向，该向上的方向为显示设备1的显示方向。

屏障部522可以包括顶表面、底表面和侧表面。屏障部522的底表面可以放置在第一绝缘层510的一个表面上。屏障部522的顶表面可以与屏障部522的底表面相对。屏障部522的顶表面和底表面上可以因设置在屏障部522下方的元件中任何高度差的存在而形成高度差。屏障部522的顶表面和底表面之间的距离可以是基本上均匀的，使得屏障部522可以大致具有均匀的厚度。

屏障部522的内侧表面可以面对发光元件ED的两个端部。屏障部522的内侧表面可以相对于屏障部522的底表面以预定角度θ倾斜，但是本公开不限于此。例如，角度θ可以为约75°至约85°。

如以上已经提及的，固定部521和屏障部522可以通过相同的工艺形成。固定部521和屏障部522可以具有相同的厚度。固定部521的厚度h21(即，固定部521的底表面和固定部521的顶表面之间在第三方向DR3上的平均距离)可以等于屏障部522的厚度h22(即，屏障部522的底表面和顶表面之间在第三方向DR3上的平均距离)，但是本公开不限于此。作为另一示例，厚度h21可以不同于厚度h22。

厚度h22可以大于发光元件ED的直径。在这种情况下，可以有效地防止从发光元件ED发射的光从发射区域EMA泄漏。例如，厚度h22可以为约至约

第一区域523可以在发光元件ED下方设置在第一绝缘层510中的凹陷中。可以通过用绝缘图案520中所包括的材料填充发光元件ED下方的第一绝缘层510中的凹陷来形成第一区域523。第一区域523可以在形成包括绝缘图案520的绝缘图案层的工艺中形成。

绝缘图案520可以包括无机绝缘材料。例如，绝缘图案520可以包括无机绝缘材料，诸如，SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、Al₂O₃或AlN。

第二导电层200可以设置在绝缘图案520上。第二导电层200可以包括第一接触电极CTE1。第一接触电极CTE1可以包括第一接触电极杆CTE11和第一接触电极分支CTE12。

第一接触电极杆CTE11可以设置在第一电极RMT1的第一电极杆RMT11上。第一接触电极杆CTE11可以与第一电极杆RMT11的顶表面的由第一绝缘层510的开口OP暴露的部分电接触。

第一接触电极分支CTE12可以设置在第一电极RMT1的第一电极分支RMT12上。第一接触电极分支CTE12可以在第一电极分支RMT12上设置在屏障部522、发光元件ED的第一端部和固定部521上。

第一接触电极分支CTE12可以设置成覆盖屏障部522的设置在第一电极分支RMT12上的部分的顶表面和侧表面。第一接触电极分支CTE12可以与发光元件ED的由第一孔HA1暴露的第一端部电接触。第一接触电极分支CTE12可以设置在发光元件ED的第一端部上，并且可以延伸成布置在固定部521的顶表面的至少一部分和侧表面上。

第一接触电极CTE1不仅可以与第一电极杆RMT11的由第一绝缘层510的开口OP中的一个暴露的部分电接触，而且还可以与发光元件ED的由第一孔HA1暴露的第一端部电接触。由于第一接触电极CTE1与第一电极RMT1电接触并且与发光元件ED的第一端部电接触，因此第一电极RMT1和发光元件ED可以电连接。

第二绝缘层530可以设置在第二导电层200上。例如，第二绝缘层530可以设置在第一接触电极CTE1上。第二绝缘层530可以使第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2彼此电绝缘。第二绝缘层530可以设置成覆盖第一接触电极CTE1，并且可以不设置在发光元件ED的第二端部上，使得发光元件ED可以与第二接触电极CTE2电接触。第二绝缘层530可以在固定部521的顶表面上与第一接触电极CTE1和固定部521部分地接触。第二绝缘层530的位于固定部521上的侧表面可以与固定部521的侧表面对准。

第三导电层300可以设置在第二绝缘层530上。第三导电层300可以包括第二接触电极CTE2。第二接触电极CTE2可以包括第二接触电极杆CTE21和第二接触电极分支CTE22。

第二接触电极杆CTE21可以设置在第二电极RMT2的第二电极杆RMT21上。第二接触电极杆CTE21可以与第二电极杆RMT21的顶表面的由第一绝缘层510的开口OP中的一个暴露的部分电接触。

第二接触电极分支CTE22可以设置在第二电极RMT2的第二电极分支RMT22上。第二接触电极分支CTE22可以在第二电极分支RMT22上设置在第二绝缘层530的位于固定部521上的部分、屏障部522和发光元件ED的第二端部上。

第二接触电极分支CTE22可以设置成覆盖屏障部522的设置在第二电极分支RMT22上的部分的顶表面和侧表面。第二接触电极分支CTE22可以与发光元件ED的由第二孔HA2暴露的第二端部电接触。第二接触电极分支CTE22可以设置在发光元件ED的第二端部上，并且可以延伸成布置在设置于固定部521的侧表面和顶表面上的第二绝缘层530的至少一部分上。

第二接触电极CTE2可以与第二电极杆RMT21的由第一绝缘层510的开口OP中的一个暴露的部分电接触，并且还可以与发光元件ED的由第二孔HA2暴露的第二端部电接触。由于第二接触电极CTE2与第二电极RMT2电接触并且与发光元件ED的第二端部电接触，因此第二电极RMT2和发光元件ED可以电连接。

第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以包括导电材料。例如，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以包括Al。例如，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以包括ITO、IZO、ITZO或Al。例如，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以包括透明导电材料，并且从发光元件ED发射的光可以穿过第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2朝屏障部522的侧表面行进。从发光元件ED朝屏障部522的侧表面发射的光可以被反射层400在向上的方向上反射。

反射层400可以设置在第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2上。反射层400可包括设置在第一接触电极CTE1上的第一反射层410和设置在第二接触电极CTE2上的第二反射层420。

第一反射层410可以设置在屏障部522的形成第一孔HA1的侧表面(即，内侧表面)上。第一反射层410可与第二绝缘层530的位于屏障部522的形成第一孔HA1的侧表面上的部分接触。第一反射层410可面对发光元件ED的第一端部并且可以设置成覆盖屏障部522的形成第一孔HA1的侧表面。第一反射层410可以从屏障部522的形成第一孔HA1的侧表面向外延伸，以布置在屏障部522的顶表面的至少一部分上。

第二反射层420可以设置在屏障部522的形成第二孔HA2的侧表面(即，内侧表面)上。第二反射层420可以与第二接触电极分支CTE22的位于屏障部522的形成第二孔HA2的侧表面上的部分接触。第二反射层420可以面对发光元件ED的第二端部，并且可以设置成覆盖屏障部522的形成第二孔HA2的侧表面。第二反射层420可以从屏障部522的形成第二孔HA2的侧表面向外延伸，以布置在屏障部522的顶表面的至少一部分上。

为了反射从发光元件ED发射的光，反射层400可以包括具有高反射率的材料。例如，反射层400可以包括诸如Ag或Al的材料，但是本公开不限于此。

参照图7，从发光元件ED发射的光L可以朝反射层400的位于屏障部522上的部分行进。然后，光L可以被反射层400反射，使得光L的行进方向可以改变为向上的方向，该向上的方向为显示设备1的显示方向。

再次参照图6，第三绝缘层540可以设置在衬底SUB的整个表面上。第三绝缘层540可以保护设置在衬底SUB上的元件免受外部环境的影响。第三绝缘层540可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第三绝缘层540可以包括无机绝缘材料，诸如，SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、Al₂O₃或AlN。在另一示例中，第三绝缘层540可包括有机绝缘材料，诸如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。然而，本公开不限于这些示例。

下文中将参考其它附图来描述制造显示设备1的方法。

图8至图14是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。

参照图8，准备其上设置有电路元件层CCL的衬底SUB。电路元件层CCL可以包括由导电层形成的电路元件和由绝缘层形成的电路元件。可以在衬底SUB的设置有电路元件层CCL的表面上形成第一导电层100。第一导电层100可以通过掩膜工艺形成。例如，第一导电层100可以通过与第一电极RMT1和第二电极RMT2相同的掩膜工艺形成。

用于形成第一导电层100的材料层沉积在衬底SUB的整个表面上。此后，通过在用于形成第一导电层100的材料层上施加光刻胶层并使光刻胶层经受曝光和显影来形成光刻胶图案，并且使用光刻胶图案作为蚀刻掩膜来执行蚀刻。此后，通过剥离或灰化(ashing)工艺去除光刻胶图案。由于第一导电层100可以直接形成在电路元件层CCL上，因此用于形成第一导电层100的材料层的顶表面可以基本上在单个平面上，而在其上没有任何高度差。因此，光刻胶层的厚度可以是均匀的，并且可以防止在光刻胶层的曝光和显影期间曝光量增加。结果，可以形成或调节第一导电层100的精细图案。

此后，参照图9，在第一导电层100(即，形成有第一电极RMT1和第二电极RMT2的电路元件层CCL)上形成第一绝缘层510。第一绝缘层510可以包括开口OP，开口OP暴露第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21(例如，第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21的至少部分)。第一绝缘层510可以通过在衬底SUB上放置用于形成第一绝缘层510的材料层并去除材料层的部分来形成。例如，第一绝缘层510可以通过干法蚀刻形成。此后，在第一绝缘层510上形成堤BK。

此后，参照图10，将发光元件ED设置在第一电极RMT1和第二电极RMT2之间。可以将其中分散有发光元件ED的墨水通过使用喷墨印刷设备的印刷工艺喷射到衬底SUB上。由喷墨印刷设备喷射的墨水可以沉淀在由堤BK围绕的区域中。堤BK可以防止墨水溢出到其它子像素SPXn。

此后，形成绝缘图案层。绝缘图案层可以设置在对应于发光元件ED的区域中。绝缘图案层可以通过在衬底SUB上沉积包括无机材料的绝缘材料来形成。绝缘图案层可以通过单个掩膜工艺形成并图案化。因此，可以通过单个掩膜工艺形成绝缘图案层的固定部521、屏障部522和第一区域523。

此后，参照图11至图14，在形成有绝缘图案层的衬底SUB上形成第二导电层200。第二导电层200可以包括第一接触电极CTE1，并且可以通过湿法蚀刻形成。在形成有第二导电层200的衬底SUB上形成第二绝缘层530。此后，在形成有第二绝缘层530的衬底SUB上形成第三导电层300。第三导电层300可以包括第二接触电极CTE2，并且可以通过湿法蚀刻形成。此后，在形成有第三导电层300的衬底SUB上形成反射层400。此后，在形成有反射层400的衬底SUB上形成第三绝缘层540，从而获得图6的显示设备1。

下文中将主要集中于图6的显示设备1参考其它附图来描述根据本公开的其它实施方式的显示设备。

图15是根据本公开的另一实施方式的显示设备的沿着图2的线VI-VI'截取的剖视图。图15的显示设备与图6的显示设备1的不同之处至少在于：第一接触电极CTE1_1和第二接触电极CTE2_1由相同的导电层形成。

参照图15，第二导电层200可以包括第一接触电极CTE1_1和第二接触电极CTE2_1。第一接触电极CTE1_1和第二接触电极CTE2_1可以通过相同的掩膜工艺形成并图案化。

第一接触电极CTE1_1的第一接触电极分支CTE12_1可以与发光元件ED的第一端部电接触。第一接触电极分支CTE12_1可以设置成不与固定部521重叠。第一反射层410可以直接设置在第一接触电极分支CTE12_1上。

第二接触电极CTE2_1的第二接触电极分支CTE22_1可以与发光元件ED的第二端部电接触。第二接触电极分支CTE22_1可以设置成不与固定部521重叠。第二反射层420可以直接设置在第二接触电极分支CTE22_1上。

设置在发光元件ED上的第一接触电极分支CTE12_1和第二接触电极分支CTE22_1可以通过固定部521彼此间隔开并电绝缘。

由于第一接触电极CTE1_1和第二接触电极CTE2_1通过单个掩膜工艺形成，因此可以减少所需的掩膜数量，并且可以改善工艺经济性。

图16是根据本公开的另一实施方式的显示设备的沿着图2的线VI-VI'截取的示意性剖视图。图16的显示设备与图15的显示设备的不同之处至少在于：第一接触电极CTE1_1和第二接触电极CTE2_1在固定部521的顶表面上设置成彼此间隔开。

参照图16，第一接触电极CTE1_1的第一接触电极分支CTE12_1可以设置在发光元件ED的第一端部上，并且可以从发光元件ED的第一端部延伸到固定部521，以布置在固定部521的顶表面上。

类似地，第二接触电极CTE2_1的第二接触电极分支CTE22_1可以设置在发光元件ED的第二端部上，并且可以从发光元件ED的第二端部延伸到固定部521，以布置在固定部521的顶表面上。

第一接触电极分支CTE12_1和第二接触电极分支CTE22_1的设置在固定部521的侧表面和顶表面上的部分可以在固定部521的顶表面上彼此间隔开。

图17是根据本公开的另一实施方式的显示设备的沿着图2的线VI-VI'截取的示意性剖视图。图17的显示设备与图6的显示设备1的不同之处至少在于：反射层400_1设置成完全覆盖屏障部522的顶表面和侧表面。

参照图17，反射层400_1可以包括覆盖屏障部522的顶表面和侧表面的第一反射层410_1和第二反射层420_1。

第一反射层410_1可以设置在屏障部522的形成第一孔HA1的部分上，第一孔HA1暴露发光元件ED的第一端部。第一反射层410_1可以设置成覆盖屏障部522的形成第一孔HA1的部分的所有内侧表面、顶表面和外侧表面。

第二反射层420_1可以设置在屏障部522的形成第二孔HA2的部分上，第二孔HA2暴露发光元件ED的第二端部。第二反射层420_1可以设置成覆盖屏障部522的形成第二孔HA2的部分的所有内侧表面、顶表面和外侧表面。

由于反射层400_1不仅设置在屏障部522的内侧表面上，而且还设置在屏障部522的顶表面上，因此从发光元件ED不向上行进并且被反射到屏障部522的顶表面上的光可以被设置在屏障部522的顶表面上的反射层400_1反射，并且因此可以在向上的方向上发射。

图18是根据本公开的另一实施方式的显示设备的沿着图2的线VI-VI'截取的示意性剖视图。图18的显示设备与图6的显示设备1的不同之处至少在于：第二绝缘层530_1甚至设置在屏障部522的形成第二孔HA2的部分上。

参照图18，第二绝缘层530_1可以包括第一区域531和第二区域532。第二绝缘层530_1的第一区域531可具有与图6的第二绝缘层530基本上相同的布置和结构。

第二绝缘层530_1的第二区域532可以设置在屏障部522的形成第二孔HA2的部分上。第二绝缘层530_1的第二区域532可以设置在屏障部522的形成第二孔HA2的部分的顶表面上。第二接触电极CTE2的第二接触电极分支CTE22可以与第二绝缘层530_1的第二区域532直接接触。

由于第二绝缘层530_1还设置在屏障部522的形成第二孔HA2的部分上，因此可以调节用作反射屏障部(其用于反射从发光元件ED发射的光使得光可以向上行进)的屏障部的高度。反射屏障部的高度可以是屏障部522的厚度与第二绝缘层530_1的厚度之和。由于可以增加反射屏障部的高度，所以可以减少来自发光元件ED的泄漏光的量，并且结果，可以改善图18的显示设备的亮度。

图19是根据本公开的另一实施方式的显示设备的图2的区域A的示意性放大布局图，并且示出了第一电极和第二电极、第一接触电极和第二接触电极、发光元件和第一绝缘层的相对布置。图20是图19的显示设备的沿着图19的线XX-XX'截取的示意性剖视图。

图19和图20的显示设备与图6的显示设备1的不同之处至少在于：包括在第一绝缘层510_1中的开口OP_1包括暴露第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21的至少部分的第一开口OP1和暴露第一电极分支RMT12和第二电极分支RMT22的至少部分的第二开口OP2。

参照图19和图20，第一绝缘层510_1可以包括开口OP_1，并且开口OP_1包括第一开口OP1和第二开口OP2。在平面图中，暴露第一电极RMT1的部分的第一开口OP1和第二开口OP2可以一体地形成。类似地，在平面图中，暴露第二电极RMT2的部分的第一开口OP1和第二开口OP2可以一体地形成。开口OP_1的平面形状可以依照第一电极RMT1和第二电极RMT2的平面形状。开口OP_1可以具有与第一电极RMT1和第二电极RMT2类似的平面形状，并且可以具有比第一电极RMT1和第二电极RMT2小的面积。

第一开口OP1可以设置在第一电极RMT1的第一电极杆RMT11和第二电极RMT2的第二电极杆RMT21上。第一开口OP1可具有与图6的开口OP基本上相同的形状和布置。

第二开口OP2可以从第一开口OP1分支。第二开口OP2可暴露第一电极分支RMT12的至少部分和第二电极分支RMT22的至少部分。

第一接触电极CTE1的第一接触电极杆CTE11可以与第一电极杆RMT11的顶表面的由第一开口OP1暴露的部分电接触。类似地，第二接触电极CTE2的第二接触电极杆CTE21可以与第二电极杆RMT21的顶表面的由第一开口OP1暴露的部分电接触。

第一接触电极CTE1的第一接触电极分支CTE12可以与第一电极分支RMT12的顶表面的由第二开口OP2暴露的部分电接触。类似地，第二接触电极CTE2的第二接触电极分支CTE22可以与第二电极分支RMT22的顶表面的由第二开口OP2暴露的部分电接触。

第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以与第一电极RMT1和第二电极RMT2的由第一开口OP1和第二开口OP2暴露的部分电接触。因此，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以在与第一孔HA1和第二孔HA2重叠的区域中与第一电极RMT1和第二电极RMT2电接触。

图21是根据本公开的另一实施方式的显示设备的图2的区域A的示意性放大布局图，并且示出了第一电极和第二电极、第一接触电极和第二接触电极、发光元件和绝缘图案的相对布置。图22是图21的显示设备的沿着图21的线XXII-XXII'截取的示意性剖视图。

图21和图22的显示设备与图5的显示设备1的不同之处至少在于：绝缘图案520_1设置在衬底SUB的除第一孔HA1、第二孔HA2和第三孔HA3之外的整个表面上。

参照图21和图22，绝缘图案520_1可以设置在衬底SUB的整个表面上，并且可以包括孔HA_1。孔HA_1可以包括第一孔HA1、第二孔HA2和第三孔HA3。第一孔HA1和第二孔HA2的布置和形状可以与图5的第一孔HA1和第二孔HA2的布置和形状基本上相同。

第三孔HA3可以设置成在第三方向DR3上与第一电极RMT1的第一电极杆RMT11和第二电极RMT2的第二电极杆RMT21重叠。第三孔HA3可以是用于提供第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2与第一电极RMT1和第二电极RMT2电接触的接触区域的孔。第三孔HA3可以设置成在第三方向DR3上与包括在第一绝缘层510中的开口OP重叠，并且层的形成第三孔HA3的侧表面可以与第一绝缘层510的形成开口OP的侧表面对准。

绝缘图案520_1可以包括固定部521、屏障部522_1、第一区域523和第二区域524。

屏障部522_1可以在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21之间设置成围绕发光元件ED，并且可以与固定部521一起限定第一孔HA1和第二孔HA2。第二区域524可以设置在第一电极杆RMT11和第二电极杆RMT21的外侧上。第二区域524可以与屏障部522_1一起限定第三孔HA3。

第一接触电极CTE1的第一接触电极杆CTE11可以通过第三孔HA3与第一电极杆RMT11电接触。第一接触电极杆CTE11可以覆盖第二区域524的侧表面和屏障部522_1的侧表面，并且可以进一步延伸以甚至设置在屏障部522_1的顶表面的部分上。第二接触电极CTE2的第二接触电极杆CTE21可以通过第三孔HA3与第二电极杆RMT21电接触。第二接触电极杆CTE21可以覆盖第二区域524的侧表面和屏障部522_1的侧表面，并且可以进一步延伸以甚至设置在屏障部522_1的顶表面的部分上。

图23至图25是示出在发射区域中出现缺陷的情况下可以执行的修复操作的示意性放大布局图。

参照图23，发光元件ED可以包括正常发光元件ED_G和缺陷发光元件ED_D。发射区域EMA可以包括设置有缺陷发光元件ED_D的缺陷区域DTA。例如，缺陷发光元件ED_D可以是短路的或者在制造时已经有缺陷的发光元件。

如果缺陷发光元件ED_D设置在单元分支的第一电极分支RMT12b和第二电极分支RMT22b之间，则可能出现问题。例如，在缺陷发光元件ED_D设置在单元分支的第一电极分支RMT12b和第二电极分支RMT22b之间的情况下，从第一电极RMT1通过发光元件ED流动到第二电极RMT2的电流可能不流动经过电连接到第一电极分支RMT12a和第二电极分支RMT22a的正常发光元件ED_G，但是可能流动经过缺陷发光元件ED_D。因此，正常发光元件ED_G可能不能发光。

此后，参照图24，在显示设备在单元分支中包括设置有缺陷发光元件ED_D的缺陷区域DTA的情况下，可以切割缺陷区域DTA中的第一电极分支RMT12b和第二电极分支RMT22b中的至少一个，使得没有电流在缺陷发光元件ED_D中流动。例如，可以通过切割与第一电极分支RMT12b和第二电极分支RMT22b上的切割线CL中的至少一个对应的区域来修复缺陷。切割线CL可以被激光切割。

此后，参照图25，在第一电极分支RMT12b和第二电极分支RMT22b中的至少一个被激光切割的情况下，第一电极分支RMT12b可以被切割成两个分开的部分，即，第一电极修复分支RMT12b_1和第一图案RMT12b_2。第一电极修复分支RMT12b_1和第一图案RMT12b_2之间的间隙RH可以是与第一电极分支RMT12b上的切割线CL对应的区域。

类似地，第二电极分支RMT22b可以被切割成两个分开的部分，即，第二电极修复分支RMT22b_1和第二图案RMT22b_2。第二电极修复分支RMT22b_1和第二图案RMT22b_2之间的间隙RH可以是与第二电极分支RMT22b上的切割线CL对应的区域。

在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在基本上不背离本发明的原理的情况下，可以对优选实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本发明的优选实施方式仅以一般性和描述性意义使用，而不是出于限制的目的。