一种具有防静电作用的瓷砖及其制备方法
阅读说明：本技术 一种具有防静电作用的瓷砖及其制备方法 (Ceramic tile with antistatic effect and preparation method thereof ) 是由 麦文英 汪加武 叶建明 王礼 曾亚丽 卢佩玉 于 2019-12-17 设计创作，主要内容包括：本发明涉及瓷砖领域,提供一种具有防静电作用的瓷砖及其制备方法,用于提高瓷砖的防静电效果。本发明提供的一种具有防静电作用的瓷砖,将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成,烧成温度为900~950℃,烧成时间为50~60min,得到瓷砖；所述面釉包括熔块70~80质量份,导电粉3~5质量份,高岭土10~20质量份,氧化铝3~5质量份,氧化锌5~8质量份,硅酸锆1~3质量份；所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀,湿法球磨,过筛后得到面釉浆。可以有效的防止静电引起的设备故障,保障了设备的稳定运行。(The invention relates to the field of ceramic tiles, and provides a ceramic tile with an anti-static effect and a preparation method thereof, which are used for improving the anti-static effect of the ceramic tile.A ground glaze and a surface glaze are sequentially glazed on a ceramic tile blank in a glaze pouring mode, and are sintered in a kiln at the sintering temperature of 900 ~ 950 ℃ for 50 ~ 60min to obtain the ceramic tile, wherein the surface glaze comprises 70 ~ 80 parts by mass of a frit, 3 ~ 5 parts by mass of conductive powder, 10 ~ 20 parts by mass of kaolin, 3 ~ 5 parts by mass of aluminum oxide, 5 ~ 8 parts by mass of zinc oxide and 1 ~ 3 parts by mass of zirconium silicate, and the preparation method of the surface glaze comprises the steps of uniformly mixing the frit, the conductive powder, the kaolin, the aluminum oxide, the zinc oxide and the zirconium silicate, performing wet ball milling, and sieving to obtain surface glaze slurry.)
技术领域
本发明涉及瓷砖领域，具体涉及一种具有防静电作用的瓷砖。
背景技术
在航天航空、计算机、电子产业机房及厂房设计等领域，静电的防治控制是重要内容，随着现代电子信息产业的迅速发展，对防静电技术提出了更高的要求，使用防静电材料是解决这一问题的最重要的手段。防止产生静电的措施是降低电流和流量，采用起电少的设备材料。最简单可靠的办法是用导线把设备接地，目前广泛使用的防静电地面产品有复合地板、钢地板及活动地板等。但防静电复合地板存在耐磨性差的问题；而钢地板不但重量大，钢材耗量大，同时采用贴面及PVC板成本很高。
因此，如何设计一种防静电效果较好的瓷砖是亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明解决的技术问题为提高瓷砖的防静电效果，提供一种具有防静电作用的瓷砖。
为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块70~80质量份，导电粉3~5质量份，高岭土10~20质量份，氧化铝3~5质量份，氧化锌5~8质量份，硅酸锆1~3质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
在面釉中加入导电粉，提高了瓷砖的防静电效果。
可以有效的防止静电引起的设备故障，保障了设备的稳定运行。
优选地，所述导电粉包括石墨烯50~60质量份，陶瓷微球10~20质量份，二叔基过氧化物1~3质量份，烷基胺1~3质量份，乳化剂0.5~1.5质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌60~120min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。对导电粉的配方进行了优化，可以降低瓷砖表面的点对点电阻，提高瓷砖的防静电效果。
优选地，所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨20~25质量份，乙二胺1~3质量份，尿素0.5~1.5质量份，二氯化钯0.1~0.5质量份，硼氢化钠0.01~0.05质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散2~4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为12~15h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤2~5次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散5~8h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。对石墨烯的制备方法进行优化，以充分提高导电粉的导电效果，进而进一步提高瓷砖的防静电效果。
优选地，所述氧化石墨23~25质量份，乙二胺2~3质量份，尿素1~1.5质量份，二氯化钯0.2~0.5质量份，硼氢化钠0.03~0.05质量份。
优选地，所述氧化石墨23质量份，乙二胺2质量份，尿素1质量份，二氯化钯0.2质量份，硼氢化钠0.03质量份。
优选地，所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅15~20质量份，柠檬酸3~5质量份，磷酸钾2~4质量份，磷酸钠1~4质量份，尿素1~3质量份，海藻酸钠0.1~0.5质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 8~10质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入12~15质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1200~1400℃焙烧6~8h，冷却，得到陶瓷微球。对陶瓷微球的制备方法进行优化，同一定方法制成的石墨烯复配可以更进一步的提高导电粉的效果，进而提高瓷砖的防静电效果。
优选地，所述纳米二氧化硅18~20质量份，柠檬酸4~5质量份，磷酸钾3~4质量份，磷酸钠3~4质量份，尿素2~3质量份，海藻酸钠0.2~0.5质量份。
优选地，所述纳米二氧化硅18质量份，柠檬酸4质量份，磷酸钾3质量份，磷酸钠3质量份，尿素2质量份，海藻酸钠0.2质量份。
优选地，所述焙烧温度为1250℃。
一种具有防静电作用的瓷砖，根据上述方法制备的瓷砖。
与现有技术相比，本发明具有的有益效果为：可以有效的防止静电引起的设备故障，保障了设备的稳定运行；降低了瓷砖表面的点对点电阻，有效提高了瓷砖的防静电效果。
具体实施方式
以下实施列是对本发明的进一步说明，不是对本发明的限制。
实施例1
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块75质量份，导电粉4质量份，高岭土12质量份，氧化铝4质量份，氧化锌6质量份，硅酸锆2质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉包括石墨烯55质量份，陶瓷微球15质量份，二叔基过氧化物2质量份，烷基胺2质量份，乳化剂1质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌90min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。
所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨23质量份，乙二胺2质量份，尿素1质量份，二氯化钯0.2质量份，硼氢化钠0.03质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散2~4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为13h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤3次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散6h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。
所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅18质量份，柠檬酸4质量份，磷酸钾3质量份，磷酸钠3质量份，尿素2质量份，海藻酸钠0.2质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 9质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入13质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1250℃焙烧7h，冷却，得到陶瓷微球。
在面釉中加入导电粉，提高了瓷砖的防静电效果。可以有效的防止静电引起的设备故障，保障了设备的稳定运行。对导电粉的配方进行了优化，可以降低瓷砖表面的点对点电阻，提高瓷砖的防静电效果。对石墨烯的制备方法进行优化，以充分提高导电粉的导电效果，进而进一步提高瓷砖的防静电效果。对陶瓷微球的制备方法进行优化，同一定方法制成的石墨烯复配可以更进一步的提高导电粉的效果，进而提高瓷砖的防静电效果。
实施例2
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块70质量份，导电粉3质量份，高岭土10质量份，氧化铝3质量份，氧化锌5质量份，硅酸锆1质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉包括石墨烯50质量份，陶瓷微球10质量份，二叔基过氧化物1质量份，烷基胺1质量份，乳化剂0.5质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌60min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。
所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨20质量份，乙二胺1质量份，尿素0.5质量份，二氯化钯0.1质量份，硼氢化钠0.01质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散2~4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为12h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤2次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散5h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。
所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅15质量份，柠檬酸3质量份，磷酸钾2质量份，磷酸钠1质量份，尿素1质量份，海藻酸钠0.1质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 8质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入12质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1200℃焙烧6h，冷却，得到陶瓷微球。
实施例3
一种具有防静电作用的瓷砖， 将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块80质量份，导电粉5质量份，高岭土20质量份，氧化铝5质量份，氧化锌8质量份，硅酸锆3质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨25质量份，乙二胺3质量份，尿素1.5质量份，二氯化钯0.5质量份，硼氢化钠0.05质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为15h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤5次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散8h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。
所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅20质量份，柠檬酸5质量份，磷酸钾4质量份，磷酸钠4质量份，尿素3质量份，海藻酸钠0.5质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 10质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入15质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1400℃焙烧8h，冷却，得到陶瓷微球。
实施例4
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块75质量份，导电粉4质量份，高岭土12质量份，氧化铝4质量份，氧化锌6质量份，硅酸锆2质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉包括石墨烯55质量份，陶瓷微球15质量份，二叔基过氧化物2质量份，烷基胺2质量份，乳化剂1质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌90min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。
所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨23质量份，乙二胺2质量份，尿素1质量份，二氯化钯0.2质量份，硼氢化钠0.03质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散2~4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为13h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤3次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散6h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。
所述陶瓷微球为市售陶瓷微球。
实施例5
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块75质量份，导电粉4质量份，高岭土12质量份，氧化铝4质量份，氧化锌6质量份，硅酸锆2质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉包括石墨烯55质量份，陶瓷微球15质量份，二叔基过氧化物2质量份，烷基胺2质量份，乳化剂1质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌90min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。
所述石墨烯为氧化石墨烯。
所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅18质量份，柠檬酸4质量份，磷酸钾3质量份，磷酸钠3质量份，尿素2质量份，海藻酸钠0.2质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 9质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入13质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1250℃焙烧7h，冷却，得到陶瓷微球。
实施例6
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块75质量份，导电粉4质量份，高岭土12质量份，氧化铝4质量份，氧化锌6质量份，硅酸锆2质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉包括石墨烯65质量份，陶瓷微球5质量份，二叔基过氧化物2质量份，烷基胺2质量份，乳化剂1质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌90min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。
所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨23质量份，乙二胺2质量份，尿素1质量份，二氯化钯0.2质量份，硼氢化钠0.03质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散2~4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为13h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤3次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散6h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。
所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅18质量份，柠檬酸4质量份，磷酸钾3质量份，磷酸钠3质量份，尿素2质量份，海藻酸钠0.2质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 9质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入13质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1250℃焙烧7h，冷却，得到陶瓷微球。
实施例7
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块75质量份，导电粉4质量份，高岭土12质量份，氧化铝4质量份，氧化锌6质量份，硅酸锆2质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉包括石墨烯45质量份，陶瓷微球25质量份，二叔基过氧化物2质量份，烷基胺2质量份，乳化剂1质量份；
所述导电粉的制备方法为：将石墨烯分散到去离子水中，分散完成后加入烷基胺、乳化剂高速搅拌分散后，加入陶瓷微球、二叔基过氧化物以800~1000r/min的转速搅拌90min，过滤取滤渣干燥后得到导电粉。
所述石墨烯的制备方法为：
取氧化石墨23质量份，乙二胺2质量份，尿素1质量份，二氯化钯0.2质量份，硼氢化钠0.03质量份；
将氧化石墨加入到去离子水中，超声分散2~4h，得到溶液；
向溶液中加入乙二胺，搅拌20~30min后，再加入尿素，搅拌20~30min后，在水热反应釜中进行晶化，晶化温度为150~160℃，晶化时间为13h，晶化结束后过滤，滤渣用去离子水洗涤3次，60~70℃烘干24h，得到中间产物；
将中间产物加入去离子水中，60℃超声分散6h，加入二氯化钯溶液，搅拌1h，搅拌过程中缓慢加入硼氢化钠，离心后，水洗产物，在60℃下真空干燥3h，得到石墨烯。
所述陶瓷微球的制备方法为：
取纳米二氧化硅18质量份，柠檬酸4质量份，磷酸钾3质量份，磷酸钠3质量份，尿素2质量份，海藻酸钠0.2质量份；
将纳米二氧化硅、柠檬酸、磷酸钾、磷酸钠、尿素、海藻酸钠混合后加入2倍量的去离子水，搅拌均匀后加入5倍量的泵油，司班80 9质量份，800~1000r/min搅拌1h，再加入13质量份的饱和氯化钙，继续搅拌20min，反应结束后，过滤，收集微球，用去离子水和乙醇洗涤5次后在50~60℃下烘干后，再1250℃焙烧7h，冷却，得到陶瓷微球。
对比例1
一种具有防静电作用的瓷砖，将底釉和面釉采用淋釉的方式先后施釉于瓷砖坯体；在窑内烧成，烧成温度为900~950℃，烧成时间为50~60min，得到瓷砖；
所述面釉包括熔块75质量份，导电粉4质量份，高岭土12质量份，氧化铝4质量份，氧化锌6质量份，硅酸锆2质量份；
所述面釉的制备方法为：将熔块、导电粉、高岭土、氧化铝、氧化锌、硅酸锆混合均匀，湿法球磨，过筛后得到面釉浆。
所述导电粉为市售导电粉，主要成分为半导体氧化物，为二氧化锡、三氧化二锑的1:4的混合物。
实验例
测试实施例1~7及对比例的点对点电阻如下表所示。
表1 瓷砖的点对点电阻
从表1可以看出，实施例1~3的瓷砖的点对点电阻较低，表明其防静电的效果要优于实施例4~7及对比例，表明采用一定的方法制成的石墨烯和陶瓷微球按照一定的方式复配可以显著的提高瓷砖的防静电效果。
实施例4的陶瓷微球同实施例1不同，实施例5的石墨烯的制备方法同实施例1不同，相应的点对点电阻也有所下降，因此采用一定方式制成的石墨烯和陶瓷微球的联用才可能代理瓷砖防静电的效果的提升。实施例6和7中石墨烯和陶瓷微球的投加量同实施例1不同，其防静电效果同实施例4或5没有显著的区别，表明只有按照一定的投加量加入石墨烯和陶瓷微球才可能提高瓷砖的防静电效果。
上列详细说明是针对本发明可行实施例的具体说明，以上实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明所为的等效实施或变更，均应包含于本案的专利范围中。