阅读说明：本技术 薄晶片分离方法及其装置 (Thin wafer separation method and apparatus ) 是由 石敦智 黄良印 于 2019-08-30 设计创作，主要内容包括：一种薄晶片分离装置,其具有：一座体单元；一负压单元,耦接座体单元；以及一刮刀单元,设于座体单元的顶端；其中,刮刀单元相对于座体单元升降,并且刮刀单元由座体单元的两侧端朝向座体单元的中央往复运动。薄晶片分离装置将贴附于膜体的薄晶片的两端予以撑高,再将位于薄晶片底端的膜体予以去除,以此使得薄晶片与膜体二者相互分离时,薄晶片能够保持其完整性,进而避免薄晶片产生毁损或断裂。一种薄晶片分离方法亦被同时揭露。(A thin wafer separating apparatus, comprising: a base unit; a negative pressure unit coupled to the seat unit; the scraper unit is arranged at the top end of the seat body unit; the scraper unit is lifted relative to the base unit, and the scraper unit reciprocates from two side ends of the base unit to the center of the base unit. The thin wafer separating device is used for supporting two ends of the thin wafer attached to the film body, and then removing the film body positioned at the bottom end of the thin wafer, so that the thin wafer can keep the integrity when the thin wafer and the film body are separated from each other, and further the thin wafer is prevented from being damaged or broken. A thin wafer separation method is also disclosed.)

薄晶片分离方法及其装置

技术领域

本发明涉及一种薄晶片分离方法及其装置，尤指一种能够将薄晶片与膜体二者相互分离的方法与其装置。

背景技术

现今的移动电话、数字相机或芯片卡等各种电子产品于轻薄化与多样化的需求下，各厂商持续开发出多功能基体电路与大容量内存。然而多功能基体电路或大容量内存的体积也需因应现有趋势，朝向轻薄短小的方向发展。

该趋势或该需求使基体电路的封装技术面临极大的挑战，为此晶片薄型化已俨然成为各厂商发展的趋势。薄型化晶片亦被称为薄晶片。

然而现有的晶片加工方式是将数个晶片黏附于一膜体，在将这些晶片移至下一制程。若欲将晶片与膜体相互分离时，一顶针由膜体的底端向上顶出，通过一向上的推抵力量，以使晶片与膜体相互分离。

上述加工方式应用于一般具有相当厚度的晶片，其顶针顶出方式无法适用上述薄晶片，因其无法承受顶针的向上推抵力量，而使薄晶片产生毁损或断裂的情况，故各厂商无不思考如何于薄晶片与膜体相互分离时，薄晶片不会毁损或断裂的装置或方式。

因此，如何解决上述现有技术存在的不足，便成为本发明所要研究解决的课题。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄晶片分离方法及其装置。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种薄晶片分离方法，其步骤包括：

一膜体，贴附有至少一薄晶片，该膜体相对于所述薄晶片的两端的位置被一上升的刮刀单元所撑高；以及

所述刮刀单元由所述薄晶片的两端朝向薄晶片的中央移动，以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除，而使所述薄晶片与所述膜体相互分离。

上述技术方案中的有关内容解释如下：

1．上述方案中，贴附有所述薄晶片的所述膜***于一支撑座的上方，该支撑座设于一盖体的顶端，一负压单元提供一负压气体给所述盖体的顶端，以将所述膜体吸附于盖体的顶端。

2．上述方案中，所述刮刀单元由所述支撑座的两端朝向支撑座的中央移动，以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除；若所述薄晶片与所述膜体相互分离，刮刀单元由所述支撑座的中央回复至一最初位置，并且于回到该最初位置后，所述刮刀单元下降。

3．上述方案中，所述刮刀单元具有二刮刀，这些刮刀由所述支撑座的两端朝向支撑座的中央移动，其一所述刮刀维持原位置，另一所述刮刀下降至一位置，以此使得所述薄晶片与所述膜体相互分离。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种薄晶片分离装置，其包含有：

一座体单元；

一负压单元，耦接所述座体单元；以及

一刮刀单元，设于所述座体单元的顶端；

其中，所述刮刀单元相对于所述座体单元升降，并且刮刀单元由该座体单元的两侧朝向座体单元的中央往复运动。

上述技术方案中的有关内容解释如下：

1．上述方案中，所述座体单元具有一下座、一上座与一支撑座，所述下座设于所述负压单元之间，所述上座设于下座的顶端，所述支撑座设于上座的顶端，所述刮刀单元设于支撑座的两端。

2．上述方案中，更具有一连杆，该连杆的一端耦接一驱动单元；所述座体单元进一步具有一连杆座，该连杆座耦接所述负压单元，该连杆座具有一连杆孔，以供所述连杆的另一端贯穿；所述薄晶片分离装置更具有一盖体，该盖体盖覆所述连杆座、所述负压单元、所述下座、所述上座、所述支撑座与所述刮刀单元，盖体的顶端供所述支撑座容置。

3．上述方案中，所述驱动单元为一凸轮总成或一马达单元或一齿轮箱总成或一油压缸总成或一汽压缸总成。

4．上述方案中，所述座体单元更具有一负压座，该负压座设于所述负压单元之间，该负压座与所述连杆的另一端耦接；所述下座耦接负压座的顶端。

5．上述方案中，所述负压单元为二负压管，该二负压管耦接一负压装置；负压座的两端分别具有一凹槽，以供二负压管容置；所述下座具有二下孔，各下孔供各负压管的一端贯穿；所述上座更具有二上孔，各上孔供各负压管的一端贯穿；所述盖体的顶端具有数个相通的负压槽，负压槽耦接负压管的一端。

6．上述方案中，所述下座的底端具有一容槽，下座顶端具有一动力槽，该动力槽的底端具有一动力孔，该动力孔使动力槽与容槽相通；所述容槽中具有一动力单元，该动力单元的一端由所述动力孔延伸至所述动力槽；动力槽中具有一连动单元，该连动单元分别耦接所述刮刀单元与所述动力单元延伸至所述动力槽的一端。

7．上述方案中，所述动力单元为一马达；所述刮刀单元具有二刮刀；所述连动单元为两相互啮合的齿条，各齿条耦接与其对应的刮刀，以及耦接所述动力单元延伸至所述动力槽的一端。

8．上述方案中，所述支撑座具有至少一导孔，所述刮刀单元的一端由所述导孔延伸至所述下座；所述盖体的顶端具有一座孔，该座孔供所述支撑座延伸至其中，盖体的顶端更具有数个相通的负压槽，这些负压槽耦接所述负压单元。

9．上述方案中，所述支撑座供一具有薄晶片的膜体设置，该膜体相对于所述薄晶片两端的位置被上升的所述刮刀单元所撑高，这些刮刀由所述支撑座的两端朝向所述支撑座的中央移动，其一刮刀维持原位置，另一刮刀下降至一位置，以此使得所述薄晶片与所述膜体相互分离。

本发明的工作原理及优点如下：

本发明一种薄晶片分离装置，其具有：一座体单元；一负压单元，耦接座体单元；以及一刮刀单元，设于座体单元的顶端；其中，刮刀单元相对于座体单元升降，并且刮刀单元由座体单元的两侧端朝向座体单元的中央往复运动。薄晶片分离装置将贴附于膜体的薄晶片的两端予以撑高，再将位于薄晶片底端的膜体予以去除，以此使得薄晶片与膜体二者相互分离时，薄晶片能够保持其完整性，进而避免薄晶片产生毁损或断裂。一种薄晶片分离方法亦被同时揭露。

附图说明

附图1为本发明薄晶片分离装置的立体示意图；

附图2为本发明薄晶片分离装置的立体分解示意图；

附图3为本发明薄晶片分离装置的另一立体分解示意图；

附图4为本发明薄晶片分离装置与一驱动单元的示意图；

附图5为本发明刮刀单元撑起一具有薄晶片的膜体的动作示意图；

附图6为本发明刮刀单元将膜体由薄晶片处刮除的动作示意图；

附图7为本发明刮刀单元将膜体由薄晶片处刮除的另一动作示意图。

以上附图中：10．连杆；11．连杆座；110．连杆孔；12．负压单元；120．负压管；13．负压座；14．下座；140．容槽；141．动力槽；142．动力孔；143．下孔；15．动力单元；16．上座；160．上孔；17．支撑座；170．导孔；18．刮刀单元；180．刮刀；19．连动单元；190．齿条；20．盖体；200．座孔；201．负压槽；30．驱动单元；40．薄晶片；41．膜体。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

实施例：以下将以图式及详细叙述对本案进行清楚说明，任何本领域技术人员在了解本案的实施例后，当可由本案所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本案的精神与范围。

本文的用语只为描述特定实施例，而无意为本案的限制。单数形式如“一”、“这”、“此”、“本”以及“该”，如本文所用，同样也包含复数形式。

关于本文中所使用的“连接”或“定位”，均可指二或多个组件或装置相互直接作实体接触，或是相互间接作实体接触，亦可指二或多个组件或装置相互操作或动作。

关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。

关于本文中所使用的用词（terms），除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在本案内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本案的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本案之描述上额外的引导。

关于本文中所使用的“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等，均为方向性用词，在本案中仅为说明各结构之间位置关系，并非用以限定本案保护反应及实际实施时的具体方向。

参见附图1~3所示，本发明一种薄晶片分离装置，其包含有一连杆10、一连杆座11、一负压单元12、一负压座13、一下座14、一动力单元15、一上座16、一支撑座17、一刮刀单元18、一连动单元19与一盖体20。连杆座11、负压座13、下座14、上座16与支撑座17能够视为一座体单元。

请配合参考图4所示，连杆10的一端耦接一驱动单元30，驱动单元30能够为一凸轮总成、一马达单元、一齿轮箱总成、一油压缸总成或一汽压缸总成。连杆10的另一端穿过连杆座11。

连杆座11具有一连杆孔110，以供连杆10的另端贯穿。

负压单元12设于连杆座10的顶端，负压单元12为二负压管120，该二负压管120耦接一负压装置，该负压装置为一抽气马达。

负压座13设于负压单元12之间，负压座13与连杆10的另一端耦接。负压座13的两端分别具有一凹槽130，以供负压管120容置。

下座14耦接负压座13的顶端，下座14的底端具有一容槽140，下座14顶端具有一动力槽141，动力槽141的底端具有一动力孔142。动力孔142使动力槽141与容槽140相通。下座14更具有二下孔143，各下孔143供各负压管120的一端贯穿。

动力单元15设于容槽140中，动力单元15的一端由动力孔141延伸至动力槽141。动力单元15为一马达。

上座16设于下座14的顶端。上座16更具有二上孔160，各上孔160供各负压压管120的一端贯穿。

支撑座17设于上座17的顶端，支撑座17具有至少一导孔170。

刮刀单元18具有二刮刀180，二刮刀180分别设于支撑座17的两端，各刮刀180的一端穿过导孔170延伸至动力槽141。

连动单元19设于动力槽141，连动单元19为两相互啮合的齿条190。各齿条190耦接与其对应的刮刀180。二齿条190更耦接动力单元15延伸至动力槽141的一端。

盖体20盖覆连杆10的一端、连杆座11、负压单元12、负压座13、下座14、动力单元15、上座16、支撑座17、刮刀单元18与连动单元19。盖体20的顶端具有一座孔200，座孔200供支撑座17延伸至其中。盖体20的顶端更具有数个相通的负压槽201，负压槽201耦接负压管120的一端。

如图1、2、5所示，若一膜体41贴附有至少一薄晶片40，该膜体41设于盖体20的顶端。负压单元12提供一负压，该负压分布于负压槽201，以吸附膜体41。前述的贴附有薄晶片40的膜体41位于支撑座17的上方。

请配合参考图4、5、6所示，当驱动单元30驱动连杆10，以使刮刀单元18上升时，二刮刀180撑起贴附有薄晶片40的膜体41。动力单元15驱动连动单元19，以使刮刀180由支撑座17的两端，并被导孔170所引导，而朝向支撑座17的中央移动，于刮刀180朝向支撑座17的中央移动过程中，以将膜体41由薄晶片40的底端予以刮除，而使薄晶片41与膜体40相互分离。

若薄晶片40与膜体41已相互分离，动力单元15驱动刮刀180回到支撑座17的两端。驱动单元30回复至最初位置，以使刮刀180下降，而能够再次进行下次刮除膜体41的动作。

本发明一种薄晶片分离方法，其步骤包含有：

请配合参考图1与5所示，一膜体41贴附有至少一薄晶片40。膜体41放置于盖体20的顶端，负压单元12提供一负压气体给盖体20的顶端，以将膜体41吸附于盖体20的顶端。

贴附有薄晶片40的膜体41位于一支撑座17的上方，支撑座17设于盖体20的顶端。

如图5与6所示，一刮刀单元18上升，以将贴附有薄晶片40的膜体41的两端予以撑起，刮刀单元18由支撑座17的两端朝向支撑座17的中央移动，以将膜体41由薄晶片40的底端予以刮除，而使薄晶片40与膜体41相互分离。

请再配合参考图6所示，当刮刀单元18由支撑座17的两端朝向支撑座17的中央移动时，位于薄晶片40底端的膜体41开始由薄晶片40的端部朝向其中央垂落，即膜体41由薄晶片40的端部朝向其中央开始分离。

请配合图7与图2所示，当刮刀单元18位于支撑座17中央时候，二刮刀180的其一刮刀180可维持原位置，另一刮刀180可下降至一位置，以此使得薄晶片40与膜体41相互分离。

若薄晶片40与膜体41相互分离，刮刀单元18由支撑座17的中央回复至最初位置，并且于回到最初位置后，刮刀单元18下降。

综合上述，本发明先将贴附于膜体41的薄晶片40设于支撑座17的顶端，刮刀单元18将薄晶片40予以撑高，而后刮刀单元18由薄晶片40的两端朝向薄晶片40的中央移动，以将位于薄晶片40底端的膜体41予以刮除，通过本发明的方法与其装置，当薄晶片40与膜体41二者相互分离时，薄晶片40能够保持其完整性。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。