阅读说明：本技术 Cmos图像传感器晶圆的设计方法 (Design method of CMOS image sensor wafer ) 是由 赵立新 李�杰 侯欣楠 石金川 于 2018-06-28 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法,包括：提供设置有若干图像传感器的晶圆；所述相邻的图像传感器具有切割道,所述切割道上有用于测试的焊盘；于所述焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙；在晶圆切割工艺过程中,沿所述焊盘间隙进行切割。本发明的CMOS图像传感器晶圆的设计方法,通过在焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙,使得晶圆切割工艺过程中,沿着焊盘间隙进行切割,降低工艺难度,节省制造成本,提高产品良率。(The invention provides a design method of a CMOS image sensor wafer, which comprises the following steps: providing a wafer provided with a plurality of image sensors; the adjacent image sensors are provided with cutting channels, and bonding pads for testing are arranged on the cutting channels; setting gaps corresponding to partial areas or all areas of the cutting channels on the bonding pads; and cutting along the bonding pad gap in the wafer cutting process. According to the design method of the CMOS image sensor wafer, the gaps are arranged in the partial areas or all areas of the bonding pads corresponding to the cutting channels, so that the wafer is cut along the gaps of the bonding pads in the process of cutting the wafer, the process difficulty is reduced, the manufacturing cost is saved, and the product yield is improved.)

CMOS图像传感器晶圆的设计方法

技术领域

本发明涉及一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法。

背景技术

目前，在CMOS图像传感器制造过程中，通常在晶圆上设置有若干图像传感器，相邻的图像传感器具有切割道，切割道上有用于测试的焊盘，在晶圆切割工艺过程中，沿切割道进行切割，形成单个的图像传感器芯片。

现有技术中，主要采用传统机械切割方式切割晶圆，然而，该切割方式的成本较高，成本控制方面难有较大的缩减空间，激光隐形切割技术（激光隐切）的成本大致为传统机械切割方式的60%，然而，由于晶圆厚度大、焊盘金属硬度高等原因，激光隐切方式应用于CMOS图像传感器制造过程的工艺难度较大，产品质量难以保证。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，包括：提供设置有若干图像传感器的晶圆；所述相邻的图像传感器具有切割道，所述切割道上有用于测试的焊盘；于所述焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙；在晶圆切割工艺过程中，沿所述焊盘间隙进行切割。

优选的，通过激光隐切方式沿焊盘的中间区域切割所述晶圆。

优选的，在刻蚀焊盘的同时形成所述焊盘的间隙。

优选的，在所述刻蚀焊盘过程中，通过控制所述间隙宽度，使得间隙没有完全刻透，使得间隙两侧的金属电学连通。

优选的，所述焊盘的间隙通过版图设计来实现，并且间隙的方向和所处的切割道的方向一致。

优选的，所述间隙贯穿整个焊盘，或者，所述间隙是非连续的，中间由金属间隔开。

优选的，所述焊盘由多层金属构成，其中至少一层具有所述间隙设计。

优选的，切开所述晶圆的全部或部分厚度，晶圆进行扩膜形成单个的图像传感器芯片。

优选的，所述焊盘间隙的宽度小于焊盘测试的探针直径，保证焊盘与探针的电性连接。

本发明的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，通过在焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙，使得晶圆切割工艺过程中，沿着焊盘间隙进行切割，降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

附图说明

图1为根据本发明一个实施例的CMOS图像传感器的俯视示意图；

图2为沿图1中B-B线的剖视示意图；

图3为根据本发明一个实施例的CMOS图像传感器的局部示意图；

图4为根据本发明另一实施例的CMOS图像传感器的局部示意图；

图5为根据本发明又一实施例的CMOS图像传感器的局部示意图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，以下结合附图对本发明进行详细描述。

本发明提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，包括：提供设置有若干图像传感器的晶圆；所述相邻的图像传感器具有切割道，所述切割道上有用于测试的焊盘；于所述焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙；在晶圆切割工艺过程中，沿所述焊盘间隙进行切割。

图1为根据本发明一个实施例的CMOS图像传感器的俯视示意图，其中示出晶圆上的相邻两个图像传感器S1、S2为例，该相邻的图像传感器S1、S2具有切割道A-A，切割道A-A上有用于测试的焊盘110，于焊盘110对应于切割道A-A的区域设置间隙120，使得晶圆切割工艺过程中，沿着焊盘间隙120进行切割，该方法尤其适合通过激光隐切方式沿焊盘的中间区域切割所述晶圆，优选的，切开所述晶圆的全部或部分厚度，晶圆进行扩膜形成单个的图像传感器芯片，从而降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

其中，焊盘110的间隙120可以通过版图设计来实现，并且间隙120的方向和所处的切割道A-A的方向一致，于是，在图像传感器制造过程中，在刻蚀焊盘110的同时形成焊盘110的间隙120。

参见图2，优选的，在刻蚀焊盘110过程中，通过控制间隙120宽度W，使得间隙120没有完全刻透，使得间隙两侧的金属110电学连通，从而便于测试的顺利进行。

此外，焊盘间隙120的宽度W小于焊盘测试的探针直径，以保证焊盘110与探针的电性连接，从而便于测试的顺利进行。

优选的，所述焊盘110由多层金属构成，其中至少一层具有所述间隙120设计，以便于切割工艺的进行，从而实现降低工艺难度的目的。

在如图3所示的一个优选实施例中，于所述焊盘110对应于切割道A-A的全部区域120设置间隙，也即是说，所述间隙120贯穿整个焊盘110。

在如图4所示的另一优选实施例中，于所述焊盘210对应于切割道A-A的部分区域220设置间隙，并且，所述部分区域220是连续的。

在如图5所示的又一优选实施例中，于所述焊盘310对应于切割道A-A的部分区域320设置间隙，并且，所述部分区域320是非连续的，中间由金属间隔开。

综上所述，本发明的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，通过在焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙，使得晶圆切割工艺过程中，沿着焊盘间隙进行切割，降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。