阅读说明：本技术 制造图像传感器的方法 (Method of manufacturing image sensor ) 是由 北村阳介 于 2019-10-10 设计创作，主要内容包括：本公开涉及制造图像传感器的方法。提供了一种制造图像传感器的方法,所述方法包括：提供衬底,衬底中包括感光单元阵列；在衬底上形成第一材料层,该第一材料层包括与感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与第一部分相邻的第二部分；去除第一材料层的第二部分,以在第一材料层中形成多个沟槽；形成第二材料层,所述第二材料层覆盖在第一材料层的第一部分上并且覆盖多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；形成金属层,所述金属层覆盖在第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分,以保留多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；去除所述第一材料层的第一部分,以形成多个第一开口。(The present disclosure relates to a method of manufacturing an image sensor. There is provided a method of manufacturing an image sensor, the method including: providing a substrate, wherein the substrate comprises a photosensitive unit array; forming a first material layer on a substrate, the first material layer including a first portion disposed corresponding to the array of photosensitive cells and a second portion adjacent to the first portion; removing the second portion of the first material layer to form a plurality of trenches in the first material layer; forming a second material layer overlying the first portion of the first material layer and overlying sidewalls and a bottom of each of the plurality of trenches; forming a metal layer covering the second material layer and filling each of the plurality of trenches; removing a portion of the metal layer and a portion of the second material layer to leave the second material layer and the metal layer in each of a plurality of trenches; removing a first portion of the first material layer to form a plurality of first openings.)

制造图像传感器的方法

技术领域

本公开整体地涉及成像领域，并且更具体地来说，涉及制造图像传感的方法。

背景技术

许多现代电子设备涉及使用图像传感器的电子装置，例如，单反相机、普通数码相机、摄像机、手机、汽车电子等等。可由互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或电荷耦合装置(CCD)技术来制造常规图像传感器。典型的图像传感器的操作如下:光入射在微透镜上，微透镜通过滤光器将光聚焦到感光单元上。感光单元将光转换为与入射光的强度成比例的电信号。在图像传感器中，感光单元***号被耦合到放大及读出电路(例如CMOS晶体管)以基于感光单元中所捕获的光来产生图像。

标准的IC制造工艺能够使用前照式(“FSI”)的图像传感器和背照式(“BSI”)的图像传感器。在FSI图像传感器中，金属层安置在微透镜与感光单元之间。在制造使用FSI技术的图像传感器期间，因此产生穿过金属层的通道用于光从微透镜行进到感光单元。然而，在FSI图像传感器中，穿过该通道到达感光单元的光会衰减，从而导致感光单元的量子效率降低，并导致图像传感器的敏感度下降。此外，光在FSI图像传感器中的不同材料之间的界面处的内反射可以引起后发射，其继而可从金属层的底部侧离开而反射到邻近感光单元内，从而导致光学串扰。

在使用BSI的图像传感器中，金属层、多晶硅层、扩散层位于衬底的一侧上且感光单元暴露于来自衬底另一侧的光。因此，不需要产生穿过金属堆叠抵达感光单元的路径。然而，BSI图像传感器在各像素单元之间也可能会存在串扰。

因此，本领域中一直存在对具有改善的像素单元隔离的图像传感器的需求。

发明内容

本公开的目的之一是提供一种制造图像传感器和电子装置的方法。

根据本公开的一方面，提供了一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中包括感光单元阵列；在所述衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包括与所述感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与所述第一部分相邻的第二部分；去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽；形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在所述第一材料层的第一部分上并且覆盖所述多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；形成金属层，所述金属层覆盖在所述第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

根据本公开的另一个方面，提供了一种制造电子装置的方法，所述方法包括使用如上所述的方法来制造图像传感器。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的流程图；

图2-图11分别示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的各个步骤处的示意性截面图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些示例性实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的结构及方法是以示例性的方式示出，来说明本公开中的结构和方法的不同示例性实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本公开的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以示出具体组件的细节。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

参考半导体层和/或区域描述本发明的一些示例性实施例，其特征化为具有例如n型或p型的导电类型，这涉及该层和/或区域中的多数载流子浓度。因此，n型材料具有负电荷电子的多数平衡浓度，而p型材料具有正电荷空穴的多数平衡浓度。可用“+”或“-”(如n+、n-、p+、p-、n++、n--、p++、p--或类似物)指定一些材料以指示对比于另一层或区域的相对较大(“+”)或较小(“-”)浓度的多数载流子。然而，此符号并不暗示在层或区域中存在多数或少数载流子的特定浓度。除非相反地明确规定，否则术语“载体浓度”或“掺杂物浓度”在指代层、膜或区域时，旨在意指此类层、膜或区域的平均浓度。

尽管器件在本文中被解释为某些n型区和某些p型区，但本领域的普通技术人员应当理解，考虑到任何必要的电位极性反转、晶体管类型和/或电流方向反转等，导电类型可被反转并且也是按照说明书的描述可行的。

BSI图像传感器的一个挑战是相邻的像素单元之间的串扰。随着BSI图像传感器变得越来越小，相邻的像素单元之间的距离变得越来越小，从而增大了串扰的可能性。串扰可能降低图像传感器的性能、增加噪声以及减少图像传感器产生的信号。因此，本领域中一直存在对具有减小的串扰的图像传感器的需求。

在BSI图像传感器中，通常通过在滤色器阵列中的滤色器之间设置滤色器隔离(CFI)结构来提高各像素单元接收光的均匀性以及防止光学串扰。通常，通过设置遮光栅格作为CFI结构来防止不同像素单元之间的光的串扰，遮光栅格一般由具有不透光特性的金属形成，这样的遮光栅格也可以称为金属栅格。但是这种金属栅格工艺一直存在一些问题。随着器件的缩小，金属栅格所占的面积会影响像素单元的有效面积，因此希望金属栅格所占的面积小，做成细高的形式，即，希望提高金属栅格的纵横比。此外，希望提供高纵横比的CFI结构以提高像素单元的灵敏度，即低反射性/高灵敏性。但这成为了工艺上的挑战。在一方面，金属栅格的蚀刻的残留缺陷，会影响像素单元的透光率，使得成像不均匀，从而影响图像传感器的性能。在另外一方面，随着纵横比增大，金属栅格的蚀刻变得更加困难，并且金属栅格容易出现倒塌现象。具体来说，常规的CFI工艺在光刻和蚀刻方面都具有困难。在光刻方面，形成窄且厚的抗蚀剂图案以覆盖要形成CFI结构的金属层是困难的。而在蚀刻时，在形成高纵横比的金属栅格时，会出现金属栅格两头宽中间窄(bowing)的形状，这样也会使形成金属栅格的工艺变得困难。

因此，本领域中一直存在对具有改善的金属栅格的需求。鉴于以上情况，本发明提供了一种技术，该技术通过金属填充工艺来实现高纵横比的CFI结构。

图1示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的流程图。图2-图11分别示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的各个步骤处的示意性截面图。将根据图1中的流程图并参考图2至图11中的截面图来描述根据一个或多个实施例的制造图像传感器的方法的一个示例。

在一个实施例中，首先提供衬底10，该衬底10包括感光单元阵列100(图1中的步骤S101)。

如图2中所示，衬底10可以是硅衬底或者其它半导体材料。可以使用砷化镓、锗、碳化硅、砷化铟或磷化铟或合金半导体，诸如，碳化硅锗、磷化铟镓、砷化铟镓等。衬底10通常可以是半导体材料的晶圆。在其它实施例中，衬底10可以被提供为在绝缘体上的外延层，诸如“SOI”层。半导体材料的晶圆可以接合或堆叠，并且衬底10可以是这些层之一。衬底10通常通过晶圆研磨方法减薄，诸如，化学机械抛光(“CMP”)、机械晶圆研磨或半导体蚀刻。

感光单元阵列100形成在衬底10中。图2至图11示出了感光单元阵列100中包括三个感光单元的示意性截面图，但是本领域技术人员理解，图像传感器可以包括更多个感光单元以及其它元件。这些感光单元阵列中的感光单元通常布置为行和列。感光单元阵列100中的感光单元例如是光电二极管。例如，光电二极管可以包括衬底10内的具有第一掺杂类型(例如，n型掺杂)的对应的第一区域(未示出)，和衬底10内的第一区域上面的具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型(例如，p型掺杂)的对应的第二区域(未示出)。该第一区域和第二区域形成pn结。在光电二极管中，响应于以特定波长和能量入射的光子在pn结中产生电子空穴对，并且积累来自入射在该光电二极管上的光子的电荷(例如，电子)。并且，当传输晶体管(未示出)接通时，积累在光电二极管中的电荷被取出。

此外，感光单元阵列100中的感光单元之间可以设置DTI结构(未示出)。DTI结构从衬底10的表面延伸到衬底10内的位置以将相邻的感光单元电和/或光学隔离。通过使用蚀刻工艺在衬底10内形成深沟槽，之后用材料填充形成的深沟槽来形成DTI结构。可以用电介质层材料，诸如氧化物材料填充深沟槽来形成DTI结构，其中电介质层材料可以高介电常数材料。也可以通过用电介质材料覆盖深沟槽的侧壁及底面然后用金属材料填充深沟槽来形成DTI结构，从而DTI结构可以进行电隔离并防止光学串扰。DTI结构设置在感光单元阵列100中的相邻的感光单元之间并且围绕感光单元。此外，衬底10中还包括用于各像素单元的诸如传输晶体管、选择晶体管、放大晶体管、复位晶体管等的其它像素晶体管(未示出)。

除了在此描述的示例性结构之外，衬底10还可以包括其它器件，包括在衬底10的另一部分中形成的有源晶体管、二极管、电容器、电阻器、存储器单元、模拟器件、过滤器、收发器等。而且，在形成本发明所述的图像传感器之后，封装材料可以设置在衬底上方，以形成完整微电子组件，诸如，集成电路、太阳能电池、处理器等。

此外，衬底10还可以包括附加层(未示出)，附加层中包括后段制程(BEOL)金属化堆叠件。BEOL金属化堆叠件可以包括堆叠在层间介电层内的多个金属化层。BEOL金属化堆叠件的一个或多个接触件从金属化层延伸至像素传感器。此外，BEOL金属化堆叠件的一个或多个通孔在金属化层之间延伸以互连金属化层。金属互连线可以是铝、铝/硅/铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、多晶硅、金属硅化物或其结合的金属，其中的金属硅化物可以包括硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化铂、硅化铒、硅化钯或其结合。

接下来，在衬底10上形成第一材料层101，该第一材料层101包括与感光单元阵列100对应地设置的第一部分101’以及与第一部分101’相邻的第二部分101”(图1中的步骤S102)。

在一个实施例中，如图3中所示，可以通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、溅射、蒸发等方法形成第一材料层101。

第一材料层101也可以被称为虚设层，其用于限定要形成金属栅格的沟槽和要形成滤色器阵列的第一开口。第一材料层101可以由SiN层形成。在一个示例中，第一材料层101的厚度可以是200nm～500nm。

在一个示例中，在形成第一材料层101之前，可以在衬底10上形成第三材料层102。第三材料层102可以被配置为相对于第一材料层101具有蚀刻选择性，以在后续步骤中形成多个沟槽和多个第一开口时用作蚀刻停止层。在一个示例中，可以通过化学气相沉积形成第三材料层102，并且第三材料层102可以由SiO₂形成。在一个示例中，第三材料层102的厚度可以是10nm～50nm。

在一个示例中，在形成第一材料层101之前，可以在衬底10上形成抗反射层(ARC)103。可以通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、溅射、蒸发等方法形成ARC103。ARC 103沿着衬底10的表面布置在衬底10上方。ARC 103可以是氮化硅(SiN)层、氧化钽(TaO)层或者氧氮化硅(SiON)层，ARC 103也可以是其它抗反射涂层。在一个具体示例中，ARC 103可以由SiN形成，并且其厚度可以是30nm～80nm。

接下来，去除第一材料层101的第二部分101”，以在第一材料层101中形成多个沟槽105(图1中的步骤S103)。

在一个实施例中，如图4中所示，通过例如光刻工艺，在第一材料层101上形成抗蚀剂图案104。该抗蚀剂图案104暴露第一材料层101的第二部分101”并且覆盖第一材料层101的第一部分101’。以上光刻工艺例如包括涂覆抗蚀剂层、软烘、曝光、曝光后烘烤、显影以形成抗蚀剂图案104等步骤。

随后，如图5中所示，通过干法蚀刻等方法，去除被抗蚀剂图案104暴露的第一材料层101的第二部分101”并且保留被抗蚀剂图案104覆盖的第一材料层101的第一部分101’。由此形成具有高纵横比的多个沟槽105。之后，去除抗蚀剂图案104。

接下来，形成第二材料层106，该第二材料层106覆盖在第一材料层101的第一部分101’上并且覆盖多个沟槽105中的各沟槽的侧壁和底部(图1中的步骤S104)。

如图6中所示，可以通过化学气相沉积(CVD)等方法沉积第二材料层106，该第二材料层106沉积在第一材料层101的第一部分101’的表面和侧壁并且沉积在多个沟槽105的底部。第二材料层106可以被配置为相对于第一材料层101具有蚀刻选择性。在一个示例中，第二材料层106可以由SiO₂形成，并且其厚度可以是5nm～100nm。第二材料层106也可以被称为衬垫层，其用于将后续步骤中形成的金属栅格与后续步骤中形成的滤色器阵列隔离。

接下来，形成金属层107，该金属层107覆盖在第二材料层106上并填充多个沟槽105中的各沟槽(图1中的步骤S105)。

在一个实施例中，如图7中所示，例如，可以通过溅射、蒸发、镀敷等方法形成金属层107，使得金属层107在第二材料层106上并填充多个沟槽105中的各沟槽。

金属层107可以由钨形成。钨可以填充在沟槽105中。金属层107也可以由铝或铜形成。在一个示例中，金属层107的厚度可以是50nm～200nm。在一个示例中，如图7中所示，在沟槽105的宽度确定的情况下，填充在多个沟槽105中的金属层107的宽度可以由第二材料层106的厚度来控制。

接下来，去除金属层107的一部分和第二材料层106的一部分，以保留多个沟槽105中的各沟槽中的第二材料层106和金属层107(图1中的步骤S106)。

在一个实施例中，如图8中所示，例如，通过化学机械抛光(CMP)工艺或者毯式蚀刻，去除覆盖在第一材料层101的第一部分101’上的多余的第二材料层106和金属层107，并且保留多个沟槽105中的第二材料层106和金属层107。保留在多个沟槽105中的金属层也可以被称为金属栅格或CFI结构。该CFI结构的宽度可以由第二材料层106的厚度来控制。也就是说，如果第二材料层106的厚度较厚，则CFI结构的宽度将较窄；并且如果第二材料层106的厚度较薄，则CFI结构的宽度将较宽。

接下来，去除第一材料层101的第一部分101’，以形成多个第一开口108(图1中的步骤S107)。

随着工艺的发展，图像传感器的尺寸变得越来越小，并且栅格的宽度也越来越小，因此在使用光刻工艺用抗蚀剂图案覆盖沟槽105中保留的第二材料层106和金属层107并且暴露第一材料层101的第一部分101’以去除第一材料层101的第一部分101’的情况下，需要具有足够精度的曝光技术来进行对准。此外，由于第一材料层101的厚度相对较厚，因此在使用光刻工艺去除第一材料层101的第一部分101’的过程中，需要形成足够厚且窄的抗蚀剂图案以覆盖保留在沟槽105中的第二材料层106和金属层107，这对抗蚀剂层的充分曝光也存在挑战。因此，在优选实施例中，如图9中所示，不通过光刻工艺，而是利用第一材料层101与第二材料层106的蚀刻选择性，通过选择适当的蚀刻条件(即第一材料层101的蚀刻速率大于第二材料层106的蚀刻速率)，通过湿法蚀刻去除第一材料层101的第一部分101’。

通过该实施例，由于不使用光刻工艺而直接对第一材料层101的第一材料层101’进行湿法蚀刻，因此减少了工艺步骤。此外，不使用光刻工艺而直接对第一材料层101的第一部分101’进行湿法蚀刻降低了对曝光技术和装置的要求，从而减小了工艺难度。

此外，在一个实施例中，由于第一材料层101和第三材料层102被配置为具有蚀刻选择性，因此，在一个示例中，通过湿法蚀刻，通过采用对第一材料层101相对于第三材料层102具有蚀刻选择性的蚀刻条件(即第一材料层101的蚀刻速率大于第三材料层102的蚀刻速率)执行蚀刻工艺。通过该蚀刻工艺，第三材料层102作为形成多个第一开口108的蚀刻停止层。由此形成暴露出第三材料层102的表面的一部分的多个第一开口108。

接下来，在一个实施例中，如图10中所示，在多个第一开口108中形成滤色器阵列109。滤色器阵列109可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，当然，滤色器阵列109根据需要可以具有其它颜色的滤色器并且按照需要可以具有其它任何合适的排列方式。可以通过多步光刻步骤来形成不同颜色的滤色器。滤色器阵列109可以包括着色或染色的材料，诸如丙烯酸。例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或丙二醇单硬脂酸酯(“PGMS”)是合适的材料，可以利用它们增加颜料或染料来形成滤色器。然而，还可以使用其它材料。

滤色器阵列109的上表面可能低于、高于或等于作为金属栅格的金属层107的上表面。因此，在形成滤色器阵列109之后，可以通过形成平坦化层、对平坦化层进行化学机械抛光等步骤来对滤色器阵列109的上表面进行平坦化。

接下来，在一个实施例中，如图11中所示，在滤色器阵列109上形成微透镜阵列110。微透镜阵列110可以由透明的有机材料、无机化合物材料制成，并且具有凸形上表面。微透镜阵列110可以集中在感光单元阵列100的中心或略有偏移。微透镜阵列110可以形成在感光单元阵列100的顶部(假设该顶部是入射光首先到达的位置)以对应于感光单元阵列100中的光电二极管。微透镜阵列110可以用来增大光聚集力，从而提高图像质量。

以这种方式，制造了根据一个或多个实施例的图像传感器。通过这样制造的CFI结构，可以进一步减轻或消除对相邻感光单元的光线串扰，还可以将更多的光汇集到目标感光单元。如此，还可以提高目标感光单元的进光量，从而提高了成像质量。此外，通过金属填充工艺来形成金属栅格CFI结构，可以克服在使用光刻和蚀刻工艺形成金属栅格中存在的问题，由此可以实现高纵横比的金属栅格CFI结构。

在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的示例性实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其他取向上操作。

如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。

如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪声以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。

另外，前面的描述可能提及了被“连接”或“耦接”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦接”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦接”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。

另外，仅仅为了参考的目的，还可以在本文中使用“第一”、“第二”等类似术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。

还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。

在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。

本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的示例性实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其他各种示例性实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。

另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例：

项目1.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底中包括感光单元阵列；

在所述衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包括与所述感光单元阵列对应地设置的第一部分以及与所述第一部分相邻的第二部分；

去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽；

形成第二材料层，所述第二材料层覆盖在所述第一材料层的第一部分上并且覆盖所述多个沟槽中的各沟槽的侧壁和底部；

形成金属层，所述金属层覆盖在所述第二材料层上并填充所述多个沟槽中的各沟槽；

去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层；

去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

项目2.根据项目1所述的方法，其中，通过干法蚀刻去除所述第一材料层的第二部分，以在所述第一材料层中形成多个沟槽。

项目3.根据项目1所述的方法，其中，通过化学机械抛光方法去除所述金属层的一部分和所述第二材料层的一部分，以保留所述多个沟槽中的各沟槽中的所述第二材料层和所述金属层。

项目4.根据项目1所述的方法，其中，所述第一材料层和所述第二材料层被配置为具有蚀刻选择性，其中通过湿法蚀刻去除所述第一材料层的第一部分，以形成多个第一开口。

项目5.根据项目1所述的方法，其中，所述方法还包括在形成所述第一材料层之前，在所述衬底上形成第三材料层，所述第三材料层被配置为相对于所述第一材料层具有蚀刻选择性并且作为形成所述多个沟槽的蚀刻停止层。

项目6.根据项目4所述的方法，其中，所述第一材料层由SiN形成，以及所述第二材料层由SiO₂形成。

项目7.根据项目5所述的方法，其中，所述第三材料层由SiO₂形成。

项目8.根据项目1所述的方法，其中，所述金属层由钨、铝或铜中的任一种形成。

项目9.根据项目1所述的方法，其中，所述方法还包括在形成所述第一材料层之前，在所述衬底上形成抗反射层。

项目10.一种制造电子装置的方法，所述方法包括使用项目1至9中任一项所述的方法来制造图像传感器。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定示例性实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各示例性实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对示例性实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。