阅读说明：本技术 一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法 (Non-electrical contact mu LED light-emitting and display device without external carrier injection and huge transfer and preparation method thereof ) 是由 郭太良 王堃 吴朝兴 李典伦 张永爱 周雄图 刘晔 于 2019-10-16 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法,包括一个以上的发光像素,每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触,所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。本发明中μLED晶粒与驱动电极无电学接触,因此可以简化μLED晶粒的结构,并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列,可避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用,有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本,有望增强μLED的市场竞争力。(The invention relates to a non-electrical contact, non-external carrier injection and non-bulk transfer mu LED light-emitting and display device and a preparation method thereof, comprising more than one light-emitting pixel, wherein each light-emitting pixel sequentially comprises a pixel lower electrode, a lower insulating layer, a mu LED crystal grain, an upper insulating layer and a pixel upper electrode from bottom to top; the upper insulating layer and the lower insulating layer enable the mu LED crystal grains to be free of direct electrical contact with the pixel lower electrode and the pixel upper electrode, and the mu LED crystal grains are lightened by the alternating electric field through electromagnetic coupling. The mu LED crystal grain and the driving electrode are not in electrical contact, so the structure of the mu LED crystal grain can be simplified, the mu LED crystal grain array can be arranged by adopting methods such as ink-jet printing, screen printing, spin coating, brush coating, roll coating, chemical self-assembly and the like, the use of a huge transfer process and a complex bonding process of the mu LED crystal grain and the driving array can be avoided, the manufacturing period of a mu LED device is effectively shortened, the manufacturing cost is reduced, and the market competitiveness of the mu LED is expected to be enhanced.)

一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光 与显示器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示发光器件设计领域，特别是一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法。

背景技术

在平板显示技术领域中，μLED具备有诸多优势，最显著的是其具备低功耗、高亮度、超高清晰度、高色彩饱和度、更快的响应速度、更长的使用寿命和更高的工作效率等，是一种变革型的新型显示技术，有望取代TFT液晶显示器在平板显示领域内几乎所有的应用。

当下μLED的生产工艺延续传统LED制作的方式，通过各类薄膜生长的方法在基本表面生长PN结，后将其切割为微米尺度的小型LED晶粒，通过各类机械工具将具有不同发光颜色的晶粒转移到电路基板上，且需要通过精确对准和键合实现μLED晶粒与驱动电极的精准电学接触，这个过程由于拥有巨量的μLED晶粒需要拾取、放置和键合，因此需要耗费大量的时间，效率低下。此外，传统μLED晶粒制作有N接触电极和P接触电极以便实现外部载流子的注入。然而该电极与μLED晶粒半导体层直接的接触电阻会增大器件的阈值电压且在工作过程中产生焦耳热。为了解决以上问题，提升μLED产业效率，开发、设计新型的μLED成为迫切的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提出一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法，能够避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，有望增强μLED的市场竞争力。

本发明采用以下方案实现：一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。其中交变电场的强度和极性随时间变化。其中，像素下电极与像素上电极包括其附属的连线和驱动模块。

像素电极与μLED晶粒之间无直接的电学接触，交变电场通过电磁耦合驱动μLED内部电子-空穴对的周期性震荡，形成辐射复合发光。

进一步地，所述μLED晶粒包括P型半导体层、发光层（多量子阱）以及N型半导体层，所述P型半导体层、发光层及N型半导体层堆垛形成在电场作用下能够发光的半导体结。

进一步地，所述μLED晶粒中的半导体结包括但不限于单一PN结、单一异质结、包括多个PN结的复合PN结、或者包括PN结与异质结的组合半导体结。

进一步地，所述半导体结位于μLED晶粒的表面或者内部。

进一步地，所述 P型半导体层的厚度为1nm-2.0μm，所述发光层的厚度为1nm-1.0μm，所述N型半导体层的厚度为1nm-2.5μm。

进一步地，所述μLED晶粒的尺寸在1 nm至 1000μm之间，厚度在1 nm至100μm之间。

进一步地，所述μLED晶粒通过选择不同的半导体材料发出不同颜色的光，包括红外光或紫外光。

进一步地，所述μLED晶粒通过采用复合PN结或者组合半导体结能够发出同种颜色的光或者不同混合颜色的光。

进一步地，每个像素中μLED晶粒的数量为一个或两个以上，当为两个以上时，所有μLED晶粒位于同一个水平面上，一个像素中所述像素上电极和像素下电极的尺寸均不小于所述该像素中所有μLED晶粒的尺寸之和。

进一步地，所述像素上电极、像素下电极中至少有一个是透明电极，使得所述器件可以是两侧全透明的，也可以是一侧透明另一侧不透明。

其中，透明电极的材料包括但不限于石墨烯、氧化铟锡、碳纳米管、银纳米线、铜纳米线或其组合；非透明电极的材料包括但不限于金、银、铝、铜或其组合。

进一步地，所述上绝缘层、下绝缘层在可见光范围内的光线透过率大于等于80%，其材料包括有机绝缘材料、无机绝缘材料、空气或其组合。

进一步地，所述上绝缘层、下绝缘层的厚度均在1 nm至1000μm之间。

进一步地，所述上绝缘层与下绝缘层均沉积在所述μLED晶粒的表面。或者所述上绝缘层与下绝缘层分别沉积在所述像素上电极与像素下电极的表面。

进一步地，所述的交变电场的电压波形包括但不限于正弦波、三角波、方波、脉冲或其组合。所述的交变电场的电压频率在1 Hz至1000M Hz之间。

进一步地，所述μLED发光与显示器件制作在包括玻璃、陶瓷在内的刚性材料上，或制作在包括PI在内的柔性材料上。

本发明还提供了一种基于上文所述的非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件的制作方法，具体包括以下步骤：

步骤S1：在半导体衬底表面生长能够产生红、绿、蓝三基色光源的LED薄膜结构，切割形成具有所需尺寸的μLED晶粒图形，并进行剥离，获得自支撑的μLED晶粒；

步骤S2：根据显示器尺寸及分辨率需求在基板表面制备具有红、绿、蓝三基色子像素下电极阵列、薄膜晶体管驱动阵列，及其之间的电气连线线路；

步骤S3：将红、绿、蓝μLED晶粒分别对应设置在红、绿、蓝三基色子像素下电极表面，采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与对应子像素下电极之间的非电学接触；

步骤S4：在设置有红、绿、蓝μLED晶粒的基板表面设置像素上电极及其电气连接线路，采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与所对应子像素上电极间的非电学接触；得到非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件。

通过对所述像素上电极、所述薄膜晶体管阵列施加交流驱动信号实现μLED器件的工作。

进一步地，所述基板为包括玻璃、陶瓷在内的刚性材料，或者为包括PI在内的柔性材料。

进一步地，步骤S3中，采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装或电磁自组装在内的方式分别将红、绿、蓝μLED晶粒设置在所需的位置。

进一步地，步骤S3中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与对应子像素下电极之间的非电学接触具体为：先在像素下电极阵列的表面制备绝缘层，然后在绝缘层表面设置μLED晶粒，实现μLED晶粒与像素下电极间的非电学接触。

或者，步骤S3中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与对应子像素下电极之间的非电学接触具体为：在μLED晶粒的表面包裹绝缘层，再将包裹有绝缘层的μLED晶粒制备在像素下电极表面，实现μLED晶粒与像素下电极间的非电学接触。

进一步地，步骤S4中，通过贴合或者生长的方法制备像素上电极及其电气连接线路。

进一步地，步骤S4中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与所对应子像素上电极间的非电学接触具体为：先在μLED晶粒表面沉积绝缘层，再在绝缘层表面制备像素上电极，实现μLED晶粒与像素上电极的非电学接触。

或者，步骤S4中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与所对应子像素上电极间的非电学接触具体为：先在像素上电极表面制备绝缘层，再通过贴合技术将上电极与绝缘层制作在μLED晶粒的表面，实现μLED晶粒与像素上电极的非电学接触。

与现有技术相比，本发明有以下有益效果：本发明的μLED晶粒与外部驱动电极之间无直接的电学接触，无外部载流子注入μLED晶粒，因此可以简化μLED晶粒的结构，并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列，能够避免巨量转移工艺，以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，能够增强μLED的市场竞争力。

附图说明

图1为本发明实施例的一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件中的发光像素截面示意图。

图2为本发明实施例的另一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件中的发光像素截面示意图。

图3为图1中的发光像素的一种制备过程。

图4为图1中的发光像素的另一种制备过程。

图5至图7为采用图1的发光像素的非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件的制备过程。

图5为下基板示意图。

图6为制备有μLED的下基板示意图。

图7为μLED发光与显示器件的示意图。

图中，1为下基板，101为设置于下基板表面的像素下电极，102为下绝缘层，103为设置于下基板表面的薄膜晶体管驱动阵列，103为设置于下基板表面的电极连线，2为上基板，201为设置于上基板表面的像素上电极及电极连线，202为上绝缘层，3为μLED晶粒，301为P型半导体层，302为N型半导体层，303、304均为发光层，305为P型半导体层。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。

应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

本实施例提供了一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。其中交变电场的强度和极性随时间变化。其中，像素下电极与像素上电极包括其附属的连线和驱动模块。

本实施例中，像素电极与μLED晶粒之间无直接的电学接触，交变驱动信号通过电学耦合实现对μLED晶粒的点亮。所述μLED晶粒与所述的驱动电极之间填充有绝缘材料，外部交变电场驱动μLED中电子-空穴对的周期性震荡而在发光区域形成辐射复合。

在本实施例中，所述μLED晶粒包括P型半导体层、发光层（多量子阱）以及N型半导体层，所述P型半导体层、发光层及N型半导体层堆垛形成在电场作用下能够发光的半导体结。

在本实施例中，所述μLED晶粒中的半导体结包括但不限于单一PN结、单一异质结、包括多个PN结的复合PN结、或者包括PN结与异质结的组合半导体结。

在本实施例中，所述半导体结位于μLED晶粒的表面或者内部。

在本实施例中，所述 P型半导体层的厚度为1nm-2.0μm，所述发光层的厚度为1nm-1.0μm，所述N型半导体层的厚度为1nm-2.5μm。

在本实施例中，所述μLED晶粒的尺寸在1 nm至 1000μm之间，度在1 nm至100μm之间。

在本实施例中，所述μLED晶粒通过选择不同的半导体材料发出不同颜色的光，包括红外光或紫外光。

在本实施例中，所述μLED晶粒通过采用复合PN结或者组合半导体结能够发出同种颜色的光或者不同混合颜色的光。

在本实施例中，每个像素中μLED晶粒的数量为一个或两个以上，当为两个以上时，所有μLED晶粒位于同一个水平面上，所述像素上电极和像素下电极的尺寸不小于所述所有μLED晶粒的尺寸之和。

在本实施例中，所述像素上电极、像素下电极中至少有一个是透明电极，使得所述器件可以是两侧全透明的，也可以是一侧透明另一侧不透明。

其中，透明电极的材料包括但不限于石墨烯、氧化铟锡、碳纳米管、银纳米线、铜纳米线或其组合；非透明电极的材料包括但不限于金、银、铝、铜或其组合。

在本实施例中，所述上绝缘层、下绝缘层在可见光范围内的光线透过率大于等于80%，其材料包括有机绝缘材料、无机绝缘材料、空气或其组合。

在本实施例中，所述上绝缘层、下绝缘层的厚度均在1 nm至1000μm之间。

在本实施例中，所述上绝缘层与下绝缘层均沉积在所述μLED晶粒的表面。或者所述上绝缘层与下绝缘层分别沉积在所述像素上电极与像素下电极的表面。

在本实施例中，所述的交变电场的电压波形包括但不限于正弦波、三角波、方波、脉冲或其组合。所述的交变电场的电压频率在1 Hz至1000M Hz之间。

在本实施例中，所述μLED发光与显示器件制作在包括玻璃、陶瓷在内的刚性材料上，或制作在包括PI在内的柔性材料上。

图1为本实施例中的一种单一发光单元（像素）结构，其中μLED晶粒具有p型半导体材料-多量子阱-n型半导体材料结构单一的半导体结。所述μLED3例如是通过外延方法所形成的GaN基LED，其包括：N型掺杂GaN层302，P掺杂型GaN层301和多量子阱发光层303。所述μLED3的平面尺寸为20微米×20微米。

所述像素下电极101和像素上电极201为氧化铟锡，所述像素下电极101和所述上电极的平面尺寸为60微米×60微米。

下绝缘层102厚度为100nm，该绝缘层是氧化铝。

上绝缘层202厚度为100nm，该绝缘层是氧化铝。

在像素上电极201和像素下电极101之间施加交流电信号时，μLED3可以发光。

图2为本实施例中的另一种单一发光单元（像素）结构。其中，μLED晶粒具有p型半导体材料-多量子阱-n型半导体材料-多量子阱-p型半导体材料结构的复合半导体结。所述μLED3例如是通过外延方法所形成的GaN基LED，其具有半导体对结结构，其包括：P掺杂型GaN层305，N型掺杂GaN层302，P掺杂型GaN层301，和多量子阱发光层303和304。所述μLED3的平面尺寸为20微米×20微米。

像素下电极101和像素上电极201为氧化铟锡，所述像素下电极101和所述上电极的平面尺寸为60微米×60微米。

下绝缘层102厚度为100nm，该绝缘层102是氧化铝。

上绝缘层202厚度为100nm，该绝缘层202是氧化铝。

在上电极201和下电极101之间施加交流电信号时，μLED3可以发光。

本实施例还提供了一种基于上文所述的非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件的制作方法，具体包括以下步骤：

步骤S1：在半导体衬底表面生长能够产生红、绿、蓝三基色光源的LED薄膜结构，切割形成具有所需尺寸的μLED晶粒图形，并进行剥离，获得自支撑的μLED晶粒；

步骤S2：根据显示器尺寸及分辨率需求在基板表面制备具有红、绿、蓝三基色子像素下电极阵列、薄膜晶体管驱动阵列，及其之间的电气连线线路；

步骤S3：将红、绿、蓝μLED晶粒分别对应设置在红、绿、蓝三基色子像素下电极表面，采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与对应子像素下电极之间的非电学接触；

步骤S4：在设置有红、绿、蓝μLED晶粒的基板表面设置像素上电极及其电气连接线路，采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与所对应子像素上电极间的非电学接触；得到非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件。

通过对所述像素上电极、所述薄膜晶体管阵列施加交流驱动信号实现μLED器件的工作。

在本实施例中，所述基板为包括玻璃、陶瓷在内的刚性材料，或者为包括PI在内的柔性材料。

在本实施例中，步骤S3中，采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装或电磁自组装在内的方式分别将红、绿、蓝μLED晶粒设置在所需的位置。

在本实施例中，步骤S3中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与对应子像素下电极之间的非电学接触具体为：先在像素下电极阵列的表面制备绝缘层，然后在绝缘层表面设置μLED晶粒，实现μLED晶粒与像素下电极间的非电学接触。

或者，步骤S3中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与对应子像素下电极之间的非电学接触具体为：在μLED晶粒的表面包裹绝缘层，再将包裹有绝缘层的μLED晶粒制备在像素下电极表面，实现μLED晶粒与像素下电极间的非电学接触。

在本实施例中，步骤S4中，通过贴合或者生长的方法制备像素上电极及其电气连接线路。

在本实施例中，步骤S4中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与所对应子像素上电极间的非电学接触具体为：先在μLED晶粒表面沉积绝缘层，再在绝缘层表面制备像素上电极，实现μLED晶粒与像素上电极的非电学接触。

或者，步骤S4中，所述采用绝缘层制备工艺实现μLED晶粒与所对应子像素上电极间的非电学接触具体为：先在像素上电极表面制备绝缘层，再通过贴合技术将上电极与绝缘层制作在μLED晶粒的表面，实现μLED晶粒与像素上电极的非电学接触。

如图3所示，图3为图1的制备方法，所述绝缘层102、202首先沉积在像素下电极101和像素上电极201表面，具体为：

（1）所述μLED3例如是通过外延方法所形成的GaN基LED，其包括：N型掺杂GaN层302，P掺杂型GaN层301和多重量子阱发光层303。所述μLED3的平面尺寸为20微米×20微米。

可选的，所述μLED3还可以是通过外延方法所形成的GaAs基LED。

（2）分别对图形化的下电极基板1和上电极基板2进行进行清洗和处理。所述下电极101和上电极201为氧化铟锡，所述下电极101和上电极的平面尺寸为60微米×60微米。

可选的，所述下电极101和上电极201还可以是金、银、铜和铝等金属材料。

（3）采用磁控溅射方式在所述下电极101表面沉积绝缘层102，所述绝缘层102厚度为100nm。

可选的，所述绝缘层102可以是氧化铝和氧化铪等高K介电材料；还可以采用原子层沉积等方式在所述下电极101表面沉积绝缘层102。

（4）采用磁控溅射方式在所述上电极201表面沉积绝缘层202，所述绝缘层202厚度为100nm。

可选的，所述绝缘层202可以是氧化铝和氧化铪等高K介电材料；还可以采用原子层沉积等方式在所述上电极201表面沉积绝缘层202。

（5）采用μLED阵列制备技术将μLED3转移至所述下电极基板1表面，使得所述μLED3位于所述绝缘层102表面。

可选的，μLED阵列制备技术包括有喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装、电磁自组装等。

（6）将所述上电极基板2组装在所述下电极基板1表面，使得所述μLED3位于所述绝缘层102和绝缘层202之间。当在上电极201和下电极101之间施加交流电信号时，μLED3可以发光。

如图4所示，图4为图1的另一种制备方法，所述绝缘层102、202首先沉积在μLED晶粒301和302表面，具体为：

（1）所述μLED3例如是通过外延方法所形成的GaN基LED，其包括：N型掺杂GaN层302，P掺杂型GaN层301和多重量子阱发光层303。进行剥离，获得自支撑的μLED晶粒。所述μLED3的平面尺寸为20微米×20微米。

可选的，所述μLED3还可以是通过外延方法所形成的GaAs基LED。

（2）分别对图形化的像素下电极基板1和像素上电极基板2进行进行清洗和处理。所述下电极101和上电极201为氧化铟锡，所述下电极101和上电极的平面尺寸为60微米×60微米。

可选的，所述下电极101和上电极201还可以是金、银、铜和铝等金属材料。

（3）采用原子层沉积的方式在所述μLED3的下表面沉积绝缘层102，所述绝缘层102厚度为100nm。

（4）采用原子层沉积的方式在所述μLED3的上表面沉积绝缘层202，所述绝缘层202厚度为100nm。

可选的，所述绝缘层102和绝缘层202可以是氧化铝和氧化铪等高K介电材料。

（5）采用μLED阵列制备技术将μLED3转移至所述下电极基板1表面，使得所述μLED3位于所述绝缘层102表面。

可选的，μLED阵列制备技术包括有喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装、电磁自组装等。

（7）将所述上电极基板2组装在所述下电极基板1表面，使得所述沉积有绝缘层102和绝缘层202的μLED3位于所述上电极201和下电极101之间。

图5-7为本实施例的一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件的制备方法，包括一个以上的发光像素，该方法包括：

（1）所述μLED3例如是通过外延方法所形成的GaN基LED，其包括：N型掺杂GaN层302，P掺杂型GaN层301和多重量子阱发光层303。进行剥离，获得自支撑的μLED晶粒。所述μLED3的平面尺寸为20微米×20微米。

可选的，所述μLED3还可以是通过外延方法所形成的GaAs基LED。

（2）如图5所示，采用常规的图形化ITO电极、薄膜晶体管阵列、及电极连线制备工艺在下基板1表面制备图形化ITO像素阵列101、薄膜晶体管阵列103、及其电极连线阵列104。所述ITO像素电极101尺寸为60微米×60微米。

（3）采用原子层沉积的方式在所述ITO像素阵列101表面沉积绝缘层102，所述绝缘层102厚度为100nm。

可选的，所述绝缘层102和绝缘层202可以是氧化铝和氧化铪等高K介电材料。

（4）如图6所示，采用μLED阵列制备技术将μLED3转移至所述下电极基板1表面，使得所述μLED3位于所述绝缘层102表面。

可选的，μLED阵列制备技术包括有喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装、电磁自组装等。

（5）采用原子层沉积的方式在所述上基板电极201表面沉积绝缘层202，所述绝缘层202厚度为100nm。

（6）如图7所示，组装所述上电极基板2与所述下电极基板1，使得所述μLED3位于所述绝缘层102和绝缘层202之间。在上电极201和下电极101之间施加交流电信号时，μLED3可以发光。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。