具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种有机电致发光化合物，具有式Ⅰ所示结构：

其中，X选自O、S、NR₁、BR₂、CR₃R₄或SiR₅R₆；

Y选自N或CR₇，优选CR₇；

L选自单键、取代或非取代的芳香基团；

R₁～R₇独立的选自H，取代或非取代的芳香基团或杂芳基。

本发明可选的，所述取代的芳香基团、杂芳基的取代基独立的选自单环芳基、单环杂芳基、多环芳基、多环杂芳基或芳胺基。进一步的，选自苯基、C2～C5的单环杂芳基、C6～C20的多环芳基、C6～C20的多环杂芳基或C6～C20的芳胺基。更进一步的，选自苯基、联苯基、萘基、芘基、菲基、荧蒽基、基、蒽基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、咔唑基、苯胺基、二苯胺基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、咪唑基或吡咯基。

本发明可选的，所述L选自单键、取代或非取代的单环芳基或由2～5个苯基稠合形成的多环芳基。进一步的，选自单键、取代或非取代的苯基、联苯基、萘基、芘基、菲基、荧蒽基、基或蒽基。

本发明可选的，所述R₁～R₇独立的选自H，取代或非取代的单环芳基、含有1～3个N原子的单环杂芳基、由2～5个苯基稠合形成的多环芳基或由1～3个苯基和1～2个含1～3个N原子的单环杂芳基稠合形成的多环杂芳基。进一步的，选自H，取代或非取代的苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、荧蒽基、基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、咪唑基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基或喹喔啉基。

本发明可选的，所述有机电致发光化合物具有以下式01～式40所示结构中任一结构：

本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括至少一层发光层，所述发光层中含有至少一种上述有机电致发光化合物。

本发明提供的有机发光器件包括依次层叠的基板、ITO阳极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、电子阻挡层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、阴极(镁银电极，镁银质量比为1:9)和盖帽层(CPL)。

本发明可选的，所述有机发光器件的阳极材料可选自金属-铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金；如金属氧化物-氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；如导电性聚合物-聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等，除以上有助于空穴注入材料及其组合，还包括已知的适合做阳极的材料。

本发明可选的，所述有机发光器件的阴极材料可选自金属-铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金；如多层金属材料-LiF/Al、LiO₂/Al、BaF₂/Al等；除以上有助于电子注入的材料及其组合，还包括已知的适合做阴极的材料。

本发明可选的，所述有机光电装置，如有机发光器件中的有机薄膜层至少有一层发光层(EML)，还可以包含其他功能层，包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)。

本发明可选的，所述有机发光器件按照以下方法制备：

在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极，在阳极上形成有机薄层，在有机薄层上形成阴极。

本发明可选的，形成有机薄层可采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。

本发明提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

在本发明中，有机发光器件(OLED器件)可以用在显示装置中，其中有机发光显示装置可以是手机显示屏、电脑显示屏、电视显示屏、智能手表显示屏、智能汽车显示面板、VR或AR头盔显示屏、各种智能设备的显示屏等。

示例性地，本发明提供的具有如式I所示的有机化合物核心结构可以通过如下合成路线制备得到：

其中，Y具有与式I相同的限定范围。

下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1化合物M1

该有机化合物M1的制备方法包括如下步骤：

将化合物M1-1(4mmol)和二(三苯基膦)二氯化钯Pd(PPh₃)₂Cl₂(0.17mmol)加入三口烧瓶中，用300mL N,N-二甲基甲酰胺(DMF)搅拌溶解，氮气保护，室温下，缓慢滴加液溴(2mmol)滴毕，反应液室温搅拌2h，抽滤，滤饼用乙醇重结晶，得到固体即中间体M1-2。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(1)得到的M1-2(12mmol)，化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/无水乙醇EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将四(三苯基膦)钯Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到最终产物M1。

有机化合物M1的元素分析结果：分子式C₄₇H₃₂NOP，理论值：C,85.83；H,4.90；N,2.13；O,2.43；P,4.71；测试值：C,85.83；H,4.90；N,2.13；O,2.43；P,4.71。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为657.74，测试值为657.76。

实施例2化合物M2

该有机化合物M2的制备方法包括如下步骤：

在250mL圆底烧瓶中，将M1-2(12mmol，制备方法同实施例1)，化合物P2(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物M2-1。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(2)得到的中间产物M2-1(12mmol)、化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H2O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24小时得到的中间体冷却到室温，加入水中，然后通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，然后用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到目标产物M2。

有机化合物M2的元素分析结果：分子式C₅₃H₃₆NOP，理论值：C 86.75；H 4.94；N1.91；O 2.18；P 4.22；测试值：C 86.75；H 4.94；N 1.91；O 2.18；P 4.22。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为733.25，测试值为733.26。

实施例3化合物M3

该有机化合物M3的制备方法包括如下步骤：

在250mL圆底烧瓶中，将M1-2(12mmol，制备方法同实施例1)，化合物P3(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物M3-1。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(2)得到的中间产物M3-1(12mmol)、化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H2O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24小时得到的中间体冷却到室温，加入水中，然后通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，然后用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到目标产物M3。

有机化合物M3的元素分析结果：分子式C₅₇H₃₈NOP，理论值：C,87.33；H,4.89；N,1.79；O,2.04；P,3.95；测试值：C,87.33；H,4.88；N,1.79；O,2.04；P,3.95。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为783.27，测试值为783.25。

实施例4化合物M4

该有机化合物M4的制备方法包括如下步骤：

在250mL圆底烧瓶中，将M1-2(12mmol，制备方法同实施例1)，化合物P4(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物M4-1。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(2)得到的中间产物M4-1(12mmol)、化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H2O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24小时得到的中间体冷却到室温，加入水中，然后通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，然后用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到目标产物M4。

有机化合物M4的元素分析结果：分子式C₆₅H₄₃N₂OP，理论值：C,86.84；H,4.82；N,3.12；O,1.78；P,3.45；测试值：C,87.33；H,4.88；N,1.79；O,2.04；P,3.95。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为899.02，测试值为899.03。

实施例5化合物M5

该有机化合物M5的制备方法包括如下步骤：

在250mL圆底烧瓶中，将M1-2(12mmol，制备方法同实施例1)，化合物P5(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物M5-1。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(2)得到的中间产物M5-1(12mmol)、化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H2O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24小时得到的中间体冷却到室温，加入水中，然后通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，然后用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到目标产物M5。

有机化合物M5的元素分析结果：分子式C₅₉H₄₀NOP，理论值：C,87.49；H,4.98；N,1.73；O,1.98；P,3.82；测试值：C,87.49；H,4.98；N,1.73；O,1.98；P,3.82。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为809.28，测试值为809.29。

实施例6化合物M6

该有机化合物M6的制备方法包括如下步骤：

在250mL圆底烧瓶中，将M1-2(12mmol，制备方法同实施例1)，化合物P6(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物M6-1。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(2)得到的中间产物M6-1(12mmol)、化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H2O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24小时得到的中间体冷却到室温，加入水中，然后通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，然后用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到目标产物M6。

有机化合物M6的元素分析结果：分子式C₇₁H₄₇N₂OP，理论值：C,87.45；H,4.86；N,2.87；O,1.64；P,3.18；测试值：C,87.45；H,4.86；N,2.87；O,1.64；P,3.18。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为974.34，测试值为974.36。

实施例7化合物M7

该有机化合物M7的制备方法包括如下步骤：

在250mL圆底烧瓶中，将M1-2(12mmol，制备方法同实施例1)，化合物P7(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H₂O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24h得到的中间体，冷却到室温，加入水中，通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，再用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物M7-1。

在250mL圆底烧瓶中，将步骤(2)得到的中间产物M7-1(12mmol)、化合物P1(12mmol)和Na₂CO₃(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH/H2O(75/25/50，mL)溶剂中，形成混合溶液，然后将Pd(PPh₃)₄(0.48mmol)加入到上述混合溶液中，在氮气气氛下进行回流反应24小时得到的中间体冷却到室温，加入水中，然后通过硅藻土垫过滤，同时用二氯甲烷萃取，然后用水洗涤，并采用无水硫酸镁干燥，过滤和蒸发后，用硅胶柱层析纯化粗产物得到目标产物M7。

有机化合物M7的元素分析结果：分子式C₅₈H₃₉N₂OP，理论值：C,85.91；H,4.85；N,3.45；O,1.97；P,3.82；测试值：C,85.91；H,4.84；N,3.45；O,1.97；P,3.82。

通过液相质谱联用分析得到其相对分子质量：理论值为810.28，测试值为810.26。

运用密度泛函理论(DFT)，针对本发明提供的有机化合物，通过Guassian09程序包(Guassian Inc.)在B3LYP/6-31G(d)计算水平下，优化并计算得到了分子前线轨道HOMO和LUMO的分布情况和能级，同时基于含时密度泛函理论(TD-DFT)模拟计算了化合物分子的单线态能级E_S和三线态能级E_T，结果如表1所示。

表1有机化合物高斯模拟计算结果

根据表1的计算结果可知，本发明提供的有机化合物，HOMO和LUMO之间的重叠程度较低，单线态能级E_S和三线态能级E_T比较高，适合作为OLED发光材料。

应用例1

本应用例提供一种OLED器件，如图1所示，图1为本发明提供的有机发光器件的结构示意图，包括依次层叠的基板1，阳极2、第一空穴传输层3、第二空穴传输层4、发光层5、第一电子传输层6、第二电子传输层7、阴极8与盖帽层9。其中氧化铟锡(ITO)阳极15nm、第一空穴传输层10nm、第二空穴传输层95nm、发光层30nm、第一电子传输层35nm、第二电子传输层5nm、阴极15nm(镁银电极，镁银质量比为1:9)、盖帽层(CPL)100nm。

OLED器件的制备步骤如下：

(1)将玻璃基板切成50mm×50mm×0.7mm的大小，分别在异丙醇和去离子水中超声处理30min，然后暴露在臭氧下清洁10min；将所得的具有ITO阳极的玻璃基板安装到真空沉积设备上；

(2)在真空度为2×10-6Pa下，在ITO阳极层上真空蒸镀化合物HAT-CN，厚度为10nm，作为第一空穴传输层3；

(3)在第一空穴传输层3上真空蒸镀化合物TAPC作为第二空穴传输层4，厚度为95nm；

(4)在第二空穴传输层4上真空蒸镀发光层5，采用本发明提供的有机化合物M1作为主体材料，Ir(piq)₂(acac)作为掺杂材料，M1和Ir(piq)₂(acac)的质量比为19:1，厚度为30nm；

(5)在发光层上真空蒸镀化合物BCP作为第一电子传输层6，厚度为35nm；

(6)在第一电子传输层6上真空蒸镀化合物Alq3作为第二电子传输层7，厚度为5nm；

(7)在第二电子传输层7上真空蒸镀镁银电极作为阴极8，Mg和Ag质量比为1:9，厚度为15nm；

(8)在阴极8上真空蒸镀高折射率的化合物CBP，厚度为100nm，作为阴极覆盖层(盖帽层)9使用。

所述OLED器件中用到的化合物结构如下：

应用例2～7

将应用例1中步骤(4)中的有机化合物M1分别替换为等量的化合物M2、M3、M4、M5、M6或M7，其他原料及制备步骤同应用例1。

对比例1

一种OLED器件，其制备步骤与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的有机化合物M1用等量的对比化合物M100替换；其它原料及制备步骤均相同。

OLED器件的性能评价：

用Keithley 2365A数字纳伏表测试OLED器件在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到OLED器件在不同电压下的电流密度；用Konicaminolta CS-2000分光辐射亮度计测试OLED器件在不同电压下的亮度和辐射能流密度；根据OLED器件在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度下(10mA/cm2)的工作启亮电压和电流效率(Cd/A)，Von为亮度1Cd/m2下的启亮电压；通过测量OLED器件的亮度达到初始亮度的95％时的时间而获得寿命LT95(在50mA/cm²测试条件下)；具体数据如表2所示。

表2

由以上实施例以及对比例可以看出，相对于对比例的器件，使用本发明所述有机化合物的OLED器件启亮电压＜3.89V，具有更低的启亮电压，启亮电压约下降4％，因此可以有效降低器件的功耗；使用本发明所述有机化合物的OLED器件具有更高的电流效率，部分实施例的CE达到43.7～45.8Cd/A，相比于对比例能够提升8％左右；使用本发明所述有机化合物的OLED器件具有更长的寿命，部分实施例的LT95寿命达到145h以上，相比于对比例的器件寿命延长了8％左右。

综上所述，本发明提供的有机化合物有优异的载流子传输性能、电子迁移率与空穴迁移率的平衡以及稳定性，其作为发光层主体材料，能够显著提升器件的发光效率，延长器件的工作寿命，降低启亮电压(驱动电压)和能耗，是一种性能优异的主体材料。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。