阅读说明：本技术 显示面板及其制备方法 (Display panel and preparation method thereof ) 是由 黄雨田 宋辉 于 2019-08-28 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种显示面板及其制备方法,通过定量蚀刻所述第一接触区以及所述第二接触区的所述保护层,使得所述第一通孔以及所述第二通孔接触所述有源层的表面,并且所述源漏极金属层可以通过第一通孔以及所述第二通孔连接所述有源层,并没有使用HFC对所述保护层进行清洗,这有效的防止所述第一电容电极以及所述第二电容电极被HF腐蚀,从而获得稳定的TFT电性参数。(The invention provides a display panel and a preparation method thereof, wherein the protective layers of the first contact area and the second contact area are quantitatively etched, so that the first through hole and the second through hole are in contact with the surface of the active layer, the source and drain electrode metal layer can be connected with the active layer through the first through hole and the second through hole, and the protective layer is not cleaned by HFC (hybrid fiber coax), so that the first capacitor electrode and the second capacitor electrode are effectively prevented from being corroded by HF (hydrogen fluoride), and stable TFT (thin film transistor) electrical parameters are obtained.)

显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

低温多晶硅有源矩阵有机发光二极体(LTPS-AMOLED)显示器件在层间介质层(ILD)覆盖栅极(GE)台阶的位置为应力集中区，多次弯折的情况下易发生裂开，裂纹会在该位置层间介质层产生并且上下扩展，金属铝(Al)的杨氏模量为钼(Mo)的1/5左右，若将第一和第二电容电极由钛/铝/钛的叠层结构代替目前的钼，即栅极以及源漏极金属层均采用杨氏模量较小的钛/铝/钛叠层结构，可有效防止弯折时候产生破裂，提升器件弯折寿命，同时，铝的电阻率较小，仅为钼的一半，铝再结晶温度以下氢活一体化后的双栅极金属具有较低的电阻值，不仅如此，由于源漏极金属层的结构同样为钛/铝/钛，其与双栅极金属电容上下极板的接触面也将获得较小的电阻值，从而获得电性更为优良的薄膜晶体管电路。

现有技术为了防止有源层与源漏极金属层的电阻过大，使两者形成欧姆接触，需使用氢氟酸清洗机(HFC)清洗去除有源层表面与源漏极接触面的氧化硅(该层致氧化硅薄膜是第一绝缘层成膜前在HFC制程的O₃单元与多晶硅氧化形成的一层致密的氧化薄膜)。由于铝金属活泼性较强，在HFC清洗过程中，将与氟氢酸发生反应，致使栅极金属被氟氢酸腐蚀。数据结果表明，经过HFC清洗后的第一和第二电容电极金属电阻成倍数增大，导致薄膜晶体管大部分电性参数异常。

因此，急需提供一种新的显示面板，用以减少栅极的腐蚀程度，进而提高显示面板电性参数的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，通过定量蚀刻所述第一接触区以及所述第二接触区的所述保护层，使得所述第一通孔以及所述第二通孔接触所述有源层的表面，并没有使用HFC对所述保护层进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极以及所述第二电容电极被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。

为了可以达到上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：柔性基板；有源层，设于所述柔性基板上，具有第一接触区、第二接触区以及连接所述第一接触区以及所述第二接触区的功能区；保护层，设于所述有源层远离所述柔性基板的一侧；第一绝缘层，设于所述有源层以及所述柔性基板上；第一电容电极，设于所述第一绝缘层远离所述柔性基的一侧；第二绝缘层，设于所述第一电容电极以及所述第一绝缘层；第二电容电极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧；层间绝缘层，设于所述第二电容电极以及所述第二绝缘层上；源漏极金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第二绝缘层的一侧；所述层间绝缘层上具有第一通孔以及第二通孔；所述第一通孔对应所述第一接触区且贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面；所述第二通孔对应所述第二接触区且贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面。

进一步地，所述源漏极金属层包括源极以及漏级；所述源极通过所述第一通孔连接所述第一接触区；所述漏级通过所述第二通孔连接所述第二接触区。

进一步地：所述第一电容电极以及所述第二电容电极均包括：第一金属层；第二金属层，设于所述第一金属层上；第三金属层，设于所述第二金属层远离所述第一金属层上；所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；所述第二金属层的材料为金属铝。

进一步地，所述保护层的材料为氧化硅；所述保护层的厚度为40～50埃米。

进一步地，所述有源层的材料为多晶硅；所述有源层的厚度为400～410埃米。

进一步地，所述柔性基板包括：基板；第一基层，设于所述基板上；阻隔层，设于所述第一基层远离所述基板的一侧；第二基层，设于所述阻隔层远离所述第一基层的一侧；缓冲层，设于所述第二基层远离所述阻隔层的一侧；中间层，设于所述缓冲层远离所述第二基层的一侧。

进一步地，还包括：平坦化层，设于所述源漏极金属层以及所述层间绝缘层上；第一电极，设于所述平坦化层远离所述层间绝缘层的一侧；像素定义层，设于所述第一电极以及所述平坦化层上；其中，所述第一电极电性连接所述源漏极金属层，所述像素定义层具有一开槽，所述开槽暴露出所述第一电极的表面；像素限定块，设于所述像素定义层上且围绕所述开槽。

进一步地，所述第一电极连接所述源漏极金属层。

本发明还提供一种显示面板制备方法，包括：提供一柔性基板；沉积一有源层于所述柔性基板上，所述有源层具有第一接触区、第二接触区以及连接所述第一接触区以及所述第二接触区的功能区；形成一保护层于所述有源层上；沉积一第一绝缘层于所述有源层以及所述柔性基板上；沉积一第一电容电极于所述第一绝缘层上；沉积一第二绝缘层于所述第一电容电极以及所述第一绝缘层；沉积一第二电容电极于所述第二绝缘层上；沉积一层间绝缘层于所述第二电容电极以及所述第二绝缘层上；在所述第一接触区，形成一贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面的第一通孔；在所述第二接触区，形成一贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面的第二通孔；在所述第一接触区对所述第一通孔进行预清洗处理，在所述第二接触区对所述第二通孔进行预清洗处理。

进一步地，还包括依次沉积一源漏极金属层、一平坦化层、第一电极、像素定义层以及像素限定块于所述层间绝缘层上。

本发明的有益效果是：本发明提供一种显示面板及其制备方法，通过定量蚀刻所述第一接触区以及所述第二接触区的所述保护层，使得所述第一通孔以及所述第二通孔接触所述有源层的表面，并且所述源漏极金属层可以通过第一通孔以及所述第二通孔连接所述有源层，并没有使用HFC对所述保护层进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极以及所述第二电容电极被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。

图1为本发明提供的显示面板的结构示意图；

图2为本发明提供的柔性基板的结构示意图；

显示面板100；

柔性基板101；有源层102；保护层103；

第一绝缘层104；第一电容电极105；第二绝缘层106；

第二电容电极107；层间绝缘层108；平坦化层110；

源漏极金属层109；基板1011；第一基层1012；

阻隔层1013；第二基层1014；缓冲层1015；

中间层1016；漏级1092；第一电极111；

像素定义层112；像素限定块113；第一接触区1021；

第二接触区1023；功能区1022；开槽1121；

第一通孔1081；第二通孔1082；源极1091。

具体实施方式

以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。

本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

如图1所示，本发明提供一种显示面板100，包括：柔性基板101、有源层102、保护层103、第一绝缘层104、第一电容电极105、第二绝缘层106、第二电容电极107、层间绝缘层108以及源漏极金属层109。

如图2所示，所述柔性基板101包括：基板1011、第一基层1012、阻隔层1013、第二基层1014、缓冲层1015以及中间层1016。

所述第一基层1012设于所述基板1011上；所述第一基层1012的材料为聚酰亚胺。所述阻隔层1013设于所述第一基层1012远离所述基板1011的一侧。

所述第二基层1014设于所述阻隔层1013远离所述第一基层1012的一侧；所述第二基层1014的材料为聚酰亚胺。

所述缓冲层1015设于所述第二基层1014远离所述阻隔层1013的一侧。

所述中间层1016设于所述缓冲层1015远离所述第二基层1014的一侧；所述中间层1016一般用作粘接作用，并且可以保护所述柔性基板101。

如图1所示，所述有源层102设于所述柔性基板101上，所述有源层102具有第一接触区1021、第二接触区1023以及连接所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的功能区1022。

所述有源层102的材料为多晶硅；所述有源层102的厚度为400～410埃米。

所述保护层103设于所述有源层102远离所述柔性基板101的一侧；所述保护层103的材料为氧化硅；所述保护层103的厚度为40～50埃米。

所述保护层103通过O₃与多晶硅氧化形成的一层致密的氧化薄膜。

所述第一绝缘层104设于所述有源层102以及所述柔性基板101上；所述第一电容电极105设于所述第一绝缘层104远离所述柔性基板101的一侧。

所述第二绝缘层106设于所述第一电容电极105以及所述第一绝缘层104；所述第二电容电极107设于所述第二绝缘层106远离所述第一绝缘层104的一侧。

所述层间绝缘层108设于所述第二电容电极107以及第二绝缘层106上。所述层间绝缘层108上具有第一通孔1081以及第二通孔1082。

所述第一通孔1081对应所述第一接触区1021且贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面。

所述第二通孔1082对应所述第二接触区1023且贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面。

所述源漏极金属层109设于所述层间绝缘层108远离所述第二绝缘层106的一侧，所述源漏极金属层109包括源极1091以及漏级1092。

本发明通过定量蚀刻所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的所述保护层103，使得所述第一通孔1081以及所述第二通孔1082暴露所述有源层102的表面，并且所述源漏极金属层109可以通过第一通孔1081以及所述第二通孔1082连接所述有源层102，并没有使用HFC对所述保护层103进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。

所述源极1091通过所述第一通孔1081连接所述第一接触区1021；所述漏级1092通过所述第二通孔1082连接所述第二接触区1023。

所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107均包括：第一金属层、第二金属层以及第三金属层。

所述第二金属层设于所述第一金属层上；所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层上。

所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；所述第二金属层的材料为金属铝。因为Al的杨氏模量为Mo的1/5左右，所以可有效防止断裂产生，可以提升器件弯折寿命；同时，Al的电阻率较小，仅为Mo的一半，Al再结晶温度以下氢活一体化后第一电容电极105以及第二电容电极107有较低的电阻值。

所述显示面板100还包括：平坦化层110、第一电极111、像素定义层112以及像素限定块113。

所述平坦化层110设于所述源漏极金属层109以及所述层间绝缘层108上；所述第一电极111设于所述平坦化层110远离所述层间绝缘层108的一侧，所述第一电极111为阳极，其材料为氧化锡铟。所述第一电极111连接所述源漏极金属层109。

所述像素定义层112设于所述第一电极111以及所述平坦化层110上；所述像素定义层112具有一开槽1121，所述开槽1121暴露出所述第一电极111的表面。

所述像素限定块113设于所述像素定义层112上且围绕所述开槽1121。

本发明还提供一种显示面板制备方法，包括如下步骤：

S1)提供一柔性基板101；所述柔性基板101包括：基板1011、第一基层1012、阻隔层1013、第二基层1014、缓冲层1015以及中间层1016。

所述第一基层1012设于所述基板1011上；所述第一基层1012的材料为聚酰亚胺。所述阻隔层1013设于所述第一基层1012远离所述基板1011的一侧。所述第二基层1014设于所述阻隔层1013远离所述第一基层1012的一侧；所述第二基层1014的材料为聚酰亚胺。所述缓冲层1015设于所述第二基层1014远离所述阻隔层1013的一侧；所述中间层1016设于所述缓冲层1015远离所述第二基层1014的一侧；所述中间层1016一般用作粘接作用，并且可以保护所述柔性基板101。

S2)沉积一有源层102于所述柔性基板101上，所述有源层102具有第一接触区1021、第二接触区1023以及连接所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的功能区1022。

所述有源层102的材料为多晶硅；所述有源层102的厚度为400～410埃米。

S3)形成一保护层103于所述有源层102上；所述保护层103设于所述有源层102远离所述柔性基板101的一侧；所述保护层103的材料为氧化硅；所述保护层103的厚度为40～50埃米。

所述保护层103通过O₃与多晶硅氧化形成的一层致密的氧化薄膜。

S4)沉积一第一绝缘层104于所述有源层102以及所述柔性基板101上。

S5)沉积一第一电容电极105于所述第一绝缘层104上。

S6)沉积一第二绝缘层106于所述第一电容电极105以及所述第一绝缘层104。

S7)沉积一第二电容电极107于所述第二绝缘层106上。

所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107包括：第一金属层、第二金属层以及第三金属层。

所述第二金属层设于所述第一金属层上；所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层上。

所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；所述第二金属层的材料为金属铝。因为Al的杨氏模量为Mo的1/5左右，所以可有效防止断裂产生，可以提升器件弯折寿命；同时，Al的电阻率较小，仅为Mo的一半，Al再结晶温度以下氢活一体化后第一电容电极105以及第二电容电极107有较低的电阻值。

S8)沉积一层间绝缘层108于所述第二电容电极107以及第二绝缘层106上。

S9)在所述第一接触区1021，形成一贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面的第一通孔1081。

S10)在所述第二接触区1023，形成一贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面的第二通孔1082，在所述第一接触区1021对所述第一通孔1081进行预清洗处理，在所述第二接触区1023对所述第二通孔1082进行预清洗处理。所述预清洗处理的方式采用的预清洗设备清洗，作用是去除玻璃表面有机物和颗粒。

所述预清洗设备主要包括：极紫外线光刻单元(EUV UNIT)：通过紫外光的照射，产生氧自由基，使有机物健断裂,生成小分子，O与小分子反应分解成CO₂和H₂O；DE/RB单元：利用清洗剂，通过毛刷转动与基板表面的接触摩擦，来去除基板表面的颗粒和有机污染物；SWR单元：利用去离子水清洗完成颗粒去除；BJ/MJK单元：通过二流体冲洗，基板表面气泡破裂产生瞬间局部高压作用力，将基板表面的颗粒冲走；HPMJ/FR单元:超高压清洗和直水处理，去除颗粒；A/K单元：通过空气刀的干燥空气喷洒基板使之完全干燥。

S11)依次沉积一源漏极金属层109、一平坦化层110、第一电极111、像素定义层112以及像素限定块113于所述层间绝缘层108上。

本发明通过定量蚀刻所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的所述保护层103，使得所述第一通孔1081以及所述第二通孔1082接触所述有源层102的表面，并且所述源漏极金属层109可以通过第一通孔1081以及所述第二通孔1082连接所述有源层102，并没有使用HFC对所述保护层103进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。

应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。