阅读说明：本技术 一种含有苯偶酰的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 (compound containing benzil and application thereof in organic electroluminescent device ) 是由 蔡啸 张兆超 李崇 张小庆 于 2018-05-31 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种含苯偶酰的化合物及其在有机电致发光器件上的应用,该化合物含有苯偶酰结构,具有很强的刚性,连接咔唑衍生物长支链结构后,具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点；本发明化合物具有双极性,支链为给电子基团,由于基团给电子能力强弱不同,因此,材料的HOMO能级有所不同,可作为不同功能层材料使用；另外,本发明化合物具有高的三线态能级,可有效阻挡能量损失、并利于能量传递。因此,本发明化合物作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后,器件的电流效率,功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时,对于器件寿命提升非常明显。(The invention discloses a benzil-containing compound and application thereof in an organic electroluminescent device, wherein the benzil-containing compound contains a benzil structure and has strong rigidity, and after being connected with a carbazole derivative long branched chain structure, the benzil-containing compound has the characteristics of difficult crystallization and aggregation among molecules and good film forming property; the compound has a bipolar property, the branched chain is an electron-donating group, and because the electron-donating capability of the group is different, the HOMO energy levels of the material are different, and the material can be used as materials of different functional layers; in addition, the compound has high triplet state energy level, can effectively block energy loss and is beneficial to energy transfer. Therefore, after the compound is used as an organic electroluminescent functional layer material to be applied to an OLED device, the current efficiency, the power efficiency and the external quantum efficiency of the device are greatly improved; meanwhile, the service life of the device is obviously prolonged.)

一种含有苯偶酰的化合物及其在有机电致发光器件上的应用

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有苯偶酰基团的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。

背景技术

有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。

当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。对于OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能OLED的功能材料。应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。

构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现，也可能完全迥异。因此，针对当前OLED器件的产业应用要求，以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合，具有高性能的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明提供了一种含有苯偶酰的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。本发明化合物含有苯偶酰结构，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，应用于OLED器件制作后，可有效提高器件的发光效率和OLED器件的使用寿命。

本发明的技术方案如下：

一种含有苯偶酰的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：

通式(1)中，所述Ar₁、Ar₂分别独立的表示为单键、取代或未取代的C_6-60亚芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5～60元亚杂芳基中的一种；所述杂原子为氮、氧或硫；Ar₁与Ar₂相同或不同；

所述R₁表示为通式(2)或通式(3)所示结构：

所述R₂表示为氢原子、通式(4)或通式(5)所示结构：

通式(3)、通式(5)中，所述X₁、X₂分别独立的表示-O-、-S-、-C(R₉)(R₁₀)-或-N(R₁₁)-；

通式(2)～通式(5)中，所述R₃、R₄、R₅、R₆分别独立的表示为氢原子、通式(6)、通式(7)或通式(8)所示结构；R₃、R₄、R₅、R₆相同或不同，且R₃、R₄不同时为氢原子，R₅、R₆不同时为氢原子；

通式(6)、通式(7)中，所述X₃、X₄分别独立的表示为-O-、-S-、-C(R₁₂)(R₁₃)-或-N(R₁₄)-；通式(8)中，所述R₇、R₈分别独立的表示为取代或未取代的C_6-60芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5-60元杂芳基中的一种；所述杂原子为氮、氧或硫；

所述R₉～R₁₁、R₁₂～R₁₄分别独立的表示为C_1-20直链或支链烷基、C_6-30芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5～30元杂芳基中的一种；所述取代基为卤素、氰基、C_1-10烷基或C_6-20芳基；

通式(6)、通式(7)通过C_L1-C_L2键、C_L2-C_L3键、C_L3-C_L4键、C_L4-C_L5键、C_L’1-C_L’2键、C_L'2-C_L’3键C_L’3-C_L’4键或C_L’4-C_L’5与通式(2)～通式(5)所示结构并环连接。

优选方案，所述通式(7)与通式(3)通过C_L4-C_L5键或C_L’4-C_L’5键连接，X₁与X₃的位置重叠，只取X₁或者X₃；所述通式(7)与通式(5)通过C_L4-C_L5键或C_L’4-C_L’5键连接，X₂与X₃的位置重叠，只取X₂或者X₃。

优选方案，所述化合物结构如通式(Ⅳ-1)、通式(Ⅳ-2)或通式(Ⅳ-3)所示：

优选方案，所述化合物结构如通式(Ⅴ-1)、通式(Ⅴ-2)、通式(Ⅴ-3)、通式(Ⅴ-4)、通式(Ⅴ-5)或通式(Ⅴ-6)所示：

其中，X₅、X₆分别独立的表示为-O-、-S-、-C(R₁₅)(R₁₆)-或-N(R₁₇)-；R₁₅～R₁₇分别独立的表示为C_1-20直链或支链烷基、C_6-30芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5～30元杂芳基中的一种。

优选方案，所述化合物结构如通式(Ⅵ-1)、通式(Ⅵ-2)、通式(Ⅵ-3)、通式(Ⅵ-4)、通式(Ⅵ-5)或通式(Ⅵ-6)所示：

其中，X₅表示为-O-、-S-、-C(R₁₅)(R₁₆)-或-N(R₁₇)-；R₁₅～R₁₇分别独立的表示为C_1-20直链或支链烷基、C_6-30芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5～30元杂芳基中的一种。

优选方案，所述化合物结构如通式(Ⅶ-1)、通式(Ⅶ-2)、通式(Ⅶ-3)、通式(Ⅶ-4)、通式(Ⅶ-5)或通式(Ⅶ-6)所示：

进一步优选，通式(1)中，所述Ar₁、Ar₂分别独立的表示为单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基或亚吡啶基中的一种。

当R₄或R₆为通式(6)时，其与通式(2)或通式(4)连接的方式可分为以下六种：

1、通式(6)与通式(2)或通式(4)通过L’₁-L’₂键合的方式(a)或(a’)2、通式(6)与通式(2)或通式(4)通过L’₂-L’₃键合的方式可为(b)或(b’)

3、通式(6)与通式(2)或通式(4)通过L’₃-L’₄键合的方式可为(c)或(c’)4、通式(6)与通式(2)通过L’₁-L’₂键合的方式，通式(6)与通式(4)通过L’₂-L’₃键合的方式可为(d)(d’)(d”)或(d”’)5、通式(6)与通式(2)通过L’₁-L’₂键合的方式，通式(6)与通式(4)通过L’₃-L’₄键合的方式可为(e)(e’)(e”)或(e”’)6、R₄与通式(6)与通式(2)通过L’₂-L’₃键合的方式，R₆与通式(6)与通式(4)通过L’₃-L’₄键合的方式可为(f)(f’)(f”)(f””)

优选方案，本发明的化合物为式(B-1)的化合物：

式(B-1)中，R₃、R₅为氢原子，Ar₁、Ar₂具有如下表1所列的含义，并且R₄为R₆为

表1

化合物7-12，其依次具有与化合物1-6相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

化合物13-24，其依次具有与化合物1-12相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为(代表与其他部分连接，以下相同)；

化合物25-36，其依次具有与化合物1-12相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物37-48，其依次具有与化合物1-12相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物49-60，其依次具有与化合物1-12相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物61-120，其依次具有与化合物1-60相同的结构，不同之处在于X₃为苯基取代氮原子，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物121-180，其依次具有与化合物1-60相同的结构，不同之处在于X₃为O，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物181-240，其依次具有与化合物1-60相同的结构，不同之处在于X₃为S，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物241-300，其依次具有与化合物1-60相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆由原来的变换成其中X₃为O，且X₄为O，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物301-360，其依次具有与化合物1-60相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆由原来的变换成其中X₃为O，且X₄为C(CH₃)₂，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物361-420，其依次具有与化合物1-60相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆由原来的变换成其中X₃为O，且X₄为N-苯基，并且R₈通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

优选方案，本发明的化合物为式(B-2)的化合物：

其中，R₃、R₅为氢原子，R4、R6为进一步地，为其他具体含义如表2所示：

表2

化合物427-432，其依次具有与化合物421-426相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

化合物433-444，其依次具有与化合物421-432相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为(代表与其他部分连接，以下相同)；

化合物445-456，其依次具有与化合物421-432相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物457-468，其依次具有与化合物421-432相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物469-480，其依次具有与化合物421-432相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物481-540，其依次具有与化合物421-480相同的结构，不同之处在于R4、R6的结构为

化合物541-600，其依次具有与化合物421-480相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆的结构为

化合物601-660，其依次具有与化合物421-480相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆的结构为

化合物661-720，其依次具有与化合物421-480相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆的结构为

在另一个的实施方案中，本发明的化合物为通式(B-3)所示的化合物；

其中，R₃、R₅为氢原子，Ar₁、Ar₂具有如下表3所列的含义，并且R₄为通式R₆为

表3

化合物727-732，其依次具有与化合物721-726相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

化合物733-744，其依次具有与化合物721-732相同的结构，不同之处在于X₁、X₂均为氧原子；

化合物745-756，其依次具有与化合物721-732相同的结构，不同之处在于X₁、X₂均为硫原子；

化合物757-792，其依次具有与化合物721-756相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为(代表与其他部分连接，以下相同)；

化合物793-828，其依次具有与化合物721-756相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物829-864，其依次具有与化合物721-756相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物865-900，其依次具有与化合物721-756相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物901-1080，其依次具有与化合物721-900相同的结构，不同之处在于X₃为苯基取代氮原子，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物1081-1260，其依次具有与化合物721-900相同的结构，不同之处在于X₃为O，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物1261-1440，其依次具有与化合物721-900相同的结构，不同之处在于X₃为S，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物1441-1620，其依次具有与化合物721-900相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆由原来的变换成其中X₃为O，且X₄为O，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物1621-1800，其依次具有与化合物721-900相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆由原来的变换成其中X₃为O，且X₄为C(CH₃)₂，并且R₄、R₆通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

化合物1801-1980，其依次具有与化合物721-900相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆由原来的变换成其中X₃为O，且X₄为N-苯基，并且R₈通过L’1-L’2、L’2-L’3、L’3-L’4的键合方式分别如上述所述的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)或(f)；

优选方案，本发明的化合物为通式(B-4)的化合物；

其中，R₃、R₅为氢原子，R₄、R₆为进一步地为其他具体含义如表4所示：

表4

化合物1987-1992，其依次具有与化合物1981-1986相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

化合物1993-2004，其依次具有与化合物1981-1992相同的结构，不同之处在于X₁、X₂均为氧原子；

化合物2005-2016，其依次具有与化合物1981-1992相同的结构，不同之处在于X₁、X₂均为硫原子；

化合物2017-2052，其依次具有与化合物1981-2016相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为(代表与其他部分连接，以下相同)；

化合物2053-2088，其依次具有与化合物1981-2016相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物2089-2124，其依次具有与化合物1981-2016相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物2125-2160，其依次具有与化合物1981-2016相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂均表示为

化合物2161-2340，其依次具有与化合物1981-2160相同的结构，不同之处在于R4、R6的结构为

化合物2341-2520，其依次具有与化合物1981-2160相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆的结构为

化合物2521-2700，其依次具有与化合物1981-2160相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆的结构为

化合物2701-2880，其依次具有与化合物1981-2160相同的结构，不同之处在于，R₄、R₆的结构为

优选方案，本发明的化合物为通式(B-5)的化合物，

其中，Ar₁、Ar₂具有如下表5所列的含义，并且R₃、R₄、R₅、R₆均为

表5

化合物2887-2892，其依次具有与化合物2881-2886相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

化合物2893-2904，其依次具有与化合物2881-2892相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为(代表与其他部分连接，以下相同)；

化合物2905-2916，其依次具有与化合物2881-2892相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物2917-2928，其依次具有与化合物2881-2892相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物2929-2940，其依次具有与化合物2881-2892相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

优选方案，本发明的化合物为通式(B-6)的化合物，

其中，Ar₁、Ar₂具有如下表6所列的含义，并且R₃、R₄、R₅、R₆均为

表6

化合物2947-2952，其依次具有与化合物2941-2946相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

化合物2953-2964，其依次具有与化合物2941-2952相同的结构，不同之处在于X₁、X₂均为氧原子；

化合物2965-2976，其依次具有与化合物2941-2952相同的结构，不同之处在于X₁、X₂均为硫原子；

化合物2977-3012，其依次具有与化合物2941-2976相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为(代表与其他部分连接，以下相同)；

化合物3013-3048，其依次具有与化合物2941-2976相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物3049-3084，其依次具有与化合物2941-2976相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

化合物3085-3120，其依次具有与化合物2941-2976相同的结构，不同之处在于Ar₁、Ar₂表示为

优选方案，本发明的化合物为通式(B-7)的化合物，

其中，R₃、R₅为氢原子，Ar₁、Ar₂具有如下表7所列的含义，并且当R₄为与通式(3)的C_L’4-C_L’5键连接，R₆为与通式(5)的C_L’4-C_L’5键连接时，X₁与X₃的位置重叠，只取X₁或者X₃；X₂与X₃的位置重叠，只取X₂或者X₃。

表7

注：代表与其他部分连接。

化合物3141-3160，其依次具有与化合物3121-3140相同的结构，不同之处在于Ar₁的连接位点为K2，Ar₂的连接位点为K’2；

进一步优选，所述化合物的具体结构为：

中的任一种。

一种所述含有苯偶酰的化合物的制备方法，所述化合物的制备方法涉及如下两种情况：

(1)当Ar₁、Ar₂表示为单键时，反应方程式为：

上述反应方程式的具体反应过程为：

1)将原料A和H-R₁用甲苯溶解，其中，所述原料A与H-R₁的摩尔比为1:1.0～1.5；

2)向步骤1)中的反应体系中加入Pd₂(dba)₃、三叔丁基膦和叔丁醇钠，得混合溶液；所述Pd₂(dba)₃与原料A的摩尔比为0.005～0.01:1，所述三叔丁基膦与原料A的摩尔比为0.005～0.02:1，所述叔丁醇钠与原料A的摩尔比为1.5～3.0:1；

3)在惰性气体的保护下，将步骤2)得到的混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到中间体M；

4)将中间体M和H-R₂用甲苯溶解；所述中间体M与H-R₂的摩尔比为1:1.0～1.5；

5)向步骤4)的反应体系中加入Pd₂(dba)₃、三叔丁基膦和叔丁醇钠，得混合溶液；所述Pd₂(dba)₃与中间体M的摩尔比为0.005～0.01:1，所述三叔丁基膦与中间体M的摩尔比为0.005～0.02:1，所述叔丁醇钠与中间体M的摩尔比为1.5～3.0:1；

6)在惰性气体的保护下，将步骤5)得到的混合溶液于95～110℃的温度条件下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标化合物；

(2)当Ar₁、Ar₂不表示为单键时，反应方程式为：

上述反应方程式的具体反应过程为：

1)以原料A和硼酸酯化合物为原料，甲苯溶解，所述甲苯用量为每克原料A使用30-50ml甲苯；所述原料A与硼酸酯化合物的摩尔比为1:1.0～1.5；

2)向步骤1)的反应体系中加入Pd(PPh₃)₄和碳酸钠，得到混合溶液；所述Pd(PPh₃)₄与原料A的摩尔比为0.005～0.01:1，所述碳酸钠与原料A的摩尔比为1.5～3.0:1；

3)在氮气保护下，将步骤2)得到的混合溶液于95～110℃反应10～24小时，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液进行减压旋蒸，过中性硅胶柱，得到中间体N；

4)以中间体N和硼酸酯化合物为原料，甲苯溶解，所述甲苯用量为每克中间体N使用30-50ml甲苯；所述中间体N与硼酸化合物的摩尔比为1:1.0～1.5；

5)向步骤4)的反应体系中加入Pd(PPh₃)₄和碳酸钠，得到混合溶液；所述Pd(PPh₃)₄与中间体N的摩尔比为0.005～0.01:1，所述碳酸钠与中间体N的摩尔比为1.5～3.0:1；

6)在氮气保护下，将步骤5)所得混合溶液于95～110℃反应10～24小时，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液进行减压旋蒸，过中性硅胶柱，得到目标化合物。

一种含有所述含苯偶酰化合物的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有所述含苯偶酰的化合物。

所述含有苯偶酰的化合物作为发光层的主体材料，用于制作有机电致发光器件。

所述含有苯偶酰的化合物作为发光层的掺杂材料，用于制作有机电致发光器件。

本发明有益的技术效果在于：

本发明化合物以苯偶酰为骨架，连接咔唑衍生物长支链结构，由于支链基团给电子能力强弱不同，使化合物整体结构的HOMO能级可自由调整，HOMO能级浅的化合物可作为空穴传输/电子阻挡材料使用；HOMO能级深的材料可作为偏空穴型发光层主体材料使用。

本发明化合物与专利CN105176520B公开的《一种基于4,4’-取代苯偶酰核的发光和主体材料的制备与应用》中的有机化合物相比，本发明化合物中，与苯偶酰相连接的两个芳基基团的分子直径更大，分子量也有所增加；两个支链在立体空间可自由旋转，并且两个支链基团具有很强刚性；因为支链基团的直径有所增大，所以两个支链基团和母核之间会有更大的旋转角度，导致分子间会拉开距离，不易形成π-π堆积，聚集结晶，具有良好的成膜性；支链基团分子量的增加，有助于提高材料的玻璃化温度及热稳定性，所以，与对比文件相比，本发明化合物应用于OLED器件时，可保持材料成膜后的膜层稳定性，提高OLED器件的使用寿命。

另外，本发明化合物具有高的三线态能级，可有效阻挡能量损失、并利于能量传递。因此，本发明所述化合物作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。

附图说明

图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；

其中，1为透明基板层，2为ITO阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为空穴阻挡/电子传输层，8为电子注入层，9为阴极反射电极层。

图2为本发明制备的器件和对比器件在不同温度下测量的效率曲线图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。

下面所用Ar₁、Ar₂、R₁、R₂、R₇、R₈等符号的含义与说明书发明内容部分的相同。

当Ar₁、Ar₂不表示为单键时，中间体硼酸化合物的合成：

(1)氮气氛围下，称取R₁-H和Br-Ar₁-Cl溶解于甲苯中，再将Pd₂(dba)₃和三叔丁基膦加入，搅拌混合物，再加入叔丁醇钠，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃下，加热回流10～24h，反应结束后，冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到中间体R₁-Ar₁-Cl；其中，所述Pd₂(dba)₃与R₁-H的摩尔比为(0.005～0.01):1，所述三叔丁基膦与R₁-H的摩尔比为(0.005～0.02):1，所述叔丁醇钠与R₁-H的摩尔比为(1.5～3.0):1；

(2)氮气氛围下，称取中间体R₁-Ar₁-Cl溶解于四氢呋喃(THF)中，再将双(频哪醇根基)二硼、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)以及乙酸钾加入，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液于反应温度70-90℃下加热回流5-10小时；反应结束后，加水冷却且将混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所获得的残余物过硅胶柱分离纯化，得到中间体其中，所述Pd(dppf)₂Cl₂与R₁-Ar₁-Cl的摩尔比为(0.005～0.01):1，所述乙酸钾与R₁-H的摩尔比为(1.5～3.0):1；

当Ar₁、Ar₂表示为单键时，中间体H-R₁或H-R₂的合成：

氮气氛围下，称取原料B和原料C溶解于甲苯中，再将Pd₂(dba)₃和三叔丁基膦加入，搅拌混合物，再加入叔丁醇钠，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃下，加热回流10～24h，反应结束后，冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到中间体D；其中，所述原料B与原料C的摩尔比为0.005～0.01:1，所述三叔丁基膦与原料B的摩尔比为0.005～0.02:1，所述叔丁醇钠与原料B的摩尔比为1.5～3.0:1；

以中间体D6合成为例：

(1)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.02mol原料B1，0.024mol原料E1即对氯溴苯，0.04mol叔丁醇钠，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基磷，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，柱层析得到中间体F1，HPLC纯度99.1％，收率75.8％；

(2)在250mL三口瓶中，通入氮气，加入0.02mol中间体F1溶解于150ml四氢呋喃中，再将0.024mol双(频哪醇根基)二硼、0.0002mol(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)以及0.05mol乙酸钾加入，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液于反应温度80℃下，加热回流5小时；反应结束后，冷却并加入100ml水、且将混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所获得的残余物过硅胶柱分离纯化，得到中间体D6；HPLC纯度99.3％，收率90.1％。

元素分析结构(分子式C₃₃H₃₂BNO₂)：理论值C,81.65；H,6.64；B,2.23；N,2.89；O,6.59；测试值：C,81.68；H,6.65；B,2.21；N,2.88；O,6.58。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为485.25，实测值为485.61。

以中间体D10合成为例：

在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol原料B2，0.02mol原料C2，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.03mol叔丁醇钠，5×10^-5molPd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无原料B2剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度98.9％，收率57.8％；

元素分析结构(分子式C₃₀H₂₀N₂O)：理论值C,84.88；H,4.75；N,6.60；O,3.77；测试值：C,84.87；H,4.76；N,6.61；O,3.76。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为424.16，实测值为424.25。

以中间体D6的合成方法制备中间体D，具体结构如表8所示。

表8

实施例1：化合物1的合成：

在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol原料A1，0.024mol原料D1，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.06mol叔丁醇钠，1×10^-4molPd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无原料A1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.3％，收率55.7％；

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₂)：理论值C,87.02；H,5.22；N,3.62；O,4.14；测试值：C,87.05；H,5.19；N,3.63；O,4.13。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为772.31，实测值为772.43。

实施例2：化合物5的合成：

1)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol原料A1，0.012mol原料D1，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.03mol叔丁醇钠，5×10^-5molPd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无原料A1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到中间体M1，HPLC纯度98.6％，收率68.2％；

2)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体M1，0.012mol原料D2，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.03mol叔丁醇钠，5×10^-5molPd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无中间体M1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.5％，收率60.5％；

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₂)：理论值C,87.02；H,5.22；N,3.62；O,4.14；测试值：C,87.04；H,5.20；N,3.64；O,4.12。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为772.31，实测值为772.44。

实施例3：化合物7的合成：

化合物7的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料A2替换原料A1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₂)：理论值C,87.02；H,5.22；N,3.62；O,4.14；测试值：C,87.03；H,5.21；N,3.63；O,4.13。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为772.31，实测值为772.42。

实施例4：化合物13的合成：

在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol原料A1，0.024mol原料D4，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.06mol碳酸钠，1×10^-4molPd(PPh₃)₄，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无原料A1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度98.7％，收率56.5％；

元素分析结构(分子式C₆₈H₄₈N₂O₂)：理论值C,88.28；H,5.23；N,3.03；O,3.46；测试值：C,88.26；H,5.24；N,3.04；O,3.46。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为924.37，实测值为924.43。

实施例5：化合物17的合成：

1)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol原料A1，0.012mol原料D4，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.03mol碳酸钠，5×10^-5molPd(PPh₃)₄，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无原料A1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到中间体M2，HPLC纯度98.8％，收率67.6％；

2)在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体M2，0.012mol原料D5，150ml甲苯搅拌混合，然后加入0.03mol碳酸钠，5×10^-5molPd(PPh₃)₄，加热至110℃，回流反应24小时，取样点板，显示无中间体M1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09MPa，85℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度99.1％，收率53.6％；

元素分析结构(分子式C₆₈H₄₈N₂O₂)：理论值C,88.28；H,5.23；N,3.03；O,3.46；测试值：C,88.27；H,5.24；N,3.05；O,3.44。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为924.37，实测值为924.43。

实施例6：化合物19的合成：

化合物30的制备方法同实施例4，不同之处在于用原料A2替换原料A1。

元素分析结构(分子式C₆₈H₄₈N₂O₂)：理论值C,88.28；H,5.23；N,3.03；O,3.46；测试值：C,88.27；H,5.24；N,3.05；O,3.44。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为924.37，实测值为924.43。

实施例7：化合物61的合成：

化合物61的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D7替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₆₂H₃₈N₄O₂)：理论值C,85.50；H,4.40；N,6.43；O,3.67；测试值：C,85.52；H,4.39；N,6.44；O,3.65。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为870.30，实测值为870.41。

实施例8：化合物125的合成：

化合物125的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D8替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₀H₂₈N₂O₄)：理论值C,83.32；H,3.92；N,3.89；O,8.88；测试值：C,83.33；H,3.93；N,3.88；O,8.86。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为720.20，实测值为720.34。

实施例9：化合物302的合成：

化合物302的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D9替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₄)：理论值C,83.56；H,5.01；N,3.48；O,7.95；测试值：C,83.57；H,5.04；N,3.49。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为804.30，实测值为804.38。

实施例10：化合物422的合成：

化合物422的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体D10替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₆₂H₄₂N₄O₂)：理论值C,85.10；H,4.84；N,6.40；O,3.66；测试值：C,85.13；H,4.85；N,6.38；O,3.64。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为874.33，实测值为874.43。

实施例11：化合物482的合成：

化合物482的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D11替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₇₄H₄₆N₄O₄)：理论值C,84.23；H,4.39；N,5.31；O,6.06；测试值：C,84.24；H,4.38；N,5.33；O,6.05。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为1054.35，实测值为1054.45。

实施例12：化合物721的合成：

化合物721的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D12替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₆₂H₅₂N₂O₂)：理论值C,86.88；H,6.12；N,3.27；O,3.73；测试值：C,86.87；H,6.15；N,3.25；O,3.73。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为856.40，实测值为856.54。

实施例13：化合物733的合成：

化合物733的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D13替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₄)：理论值C,83.56；H,5.01；N,3.48；O,7.95；测试值：C,83.57；H,5.03；N,3.47；O,7.93。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为804.30，实测值为804.45。

实施例14：化合物739的合成：

化合物739的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料A2替换原料A1，原料D13替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₄)：理论值C,83.56；H,5.01；N,3.48；O,7.95；测试值：C,83.57；H,5.02；N,3.46；O,7.95。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为804.30，实测值为804.45。

实施例15：化合物1082的合成：

化合物1082的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D15替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₄)：理论值C,83.56；H,5.01；N,3.48；O,7.95；测试值：C,83.55；H,5.03；N,3.45；O,7.97。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为804.30，实测值为804.41。

实施例16：化合物1088的合成：

化合物1088的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料A2替换原料A1，原料D15替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₀N₂O₄)：理论值C,83.56；H,5.01；N,3.48；O,7.95；测试值：C,83.55；H,5.04；N,3.47；O,7.94。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为804.30，实测值为804.43。

实施例17：化合物1622的合成：

化合物1622的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D17替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₆₂H₅₂N₂O₄)：理论值C,83.76；H,5.90；N,3.15；O,7.20；测试值：C,83.75；H,5.93；N,3.16；O,7.16。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为888.39，实测值为888.47。

实施例18：化合物1660的合成：

化合物1660的制备方法同实施例4，不同之处在于用中间体D18替换原料D4。

元素分析结构(分子式C₇₄H₆₀N₂O₄)：理论值C,85.36；H,5.81；N,2.69；O,6.15；测试值：C,85.35；H,5.83；N,2.67；O,6.15。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为1040.46，实测值为1040.54。

实施例19：化合物2881的合成：

化合物2881的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D19替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₄H₃₂N₂O₂)：理论值C,87.55；H,4.35；N,3.78；O,4.32；测试值：C,87.53；H,4.33；N,3.80；O,4.34。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为740.25，实测值为740.34。

实施例20：化合物3121的合成：

化合物3121的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料D20替换原料D1。

元素分析结构(分子式C₅₆H₄₂N₄O₂)：理论值C,83.77；H,5.27；N,6.98；O,3.98；测试值：C,83.75；H,5.29；N,6.96；O,4.00。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为802.33，实测值为802.39。

本有机化合物在发光器件中使用，具有高的玻璃转化温度(Tg)和三线态能级(T1)，合适的HOMO、LUMO能级，可作为发光层主体材料使用，也可作为发光层掺杂材料使用。对本发明实施例制备的化合物及现有材料分别进行热性能、T1能级以及HOMO能级测试，结果如表9所示。

表9

注：三线态能级T1是由日立的F4600荧光光谱仪测试，材料的测试条件为2*10^-5的甲苯溶液；玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC，德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；最高占据分子轨道HOMO能级及最低占据分子轨道LUMO能级是由光电子发射谱仪(AC-2型PESA)测试，测试为大气环境。

由上表数据可知，对比目前应用的CBP材料，本发明制备的有机化合物具有高的玻璃转化温度，可提高材料膜相态稳定性，进一步提高器件使用寿命；本发明材料和现有应用材料具有合适的HOMO能级以及更高的三线态能级(T1)，可以阻挡发光层能量损失，从而提升器件发光效率。因此，本发明含有苯偶酰的有机材料在应用于OLED器件的不同功能层后，可有效提高器件的发光效率及使用寿命。

以下通过器件实施例1～20和器件比较例1详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明所述器件实施例2～20、器件比较例1与器件实施例1相比所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件实施例2～11对器件中的发光层主体材料做了变换；器件实施例12～20对器件发光层中的掺杂材料材料做了变换，各实施例所得器件的性能测试结果如表10所示。

器件实施例1：

如图1所示，一种电致发光器件，其制备步骤包括：

a)清洗透明基板层1上的ITO阳极层2，分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；

b)在ITO阳极层2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料HAT-CN，厚度为10nm，这层作为空穴注入层3；

c)在空穴注入层3上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴传输材料NPB，厚度为60nm，该层为空穴传输层4；

d)在空穴传输层4上，通过真空蒸镀方式蒸镀电子阻挡材料TPAC，厚度为20nm，该层为电子阻挡层5；

e)在电子阻挡层5之上蒸镀发光层6，主体材料为本发明实施例制备的化合物1，掺杂材料为GD-1，化合物1和GD-1的质量比为100:5，厚度为30nm；

f)在发光层6之上，通过真空蒸镀方式蒸镀电子传输材料TPBI，厚度为40nm，这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层7使用；

g)在空穴阻挡/电子传输层7之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为1nm，该层为电子注入层8；

h)在电子注入层8之上，真空蒸镀阴极Al(100nm)，该层为阴极反射电极层9；

按照上述步骤完成电致发光器件的制作后，测量器件的驱动电压，电流效率，其结果见表3所示。相关材料的分子结构式如下所示：

器件实施例2：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物5和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例3：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物7和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例4：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物125和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例5：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物302和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例6：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物733和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例7：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物739和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例8：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物1082和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例9：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物1088和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例10：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物2881和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例11：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：本发明实施例制备的化合物3121和GD-1按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例12：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物13按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例13：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物17按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例14：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物19按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例15：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物61按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例16：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物422按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例17：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物482按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例18：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物721按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例19：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物1622按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例20：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和化合物1660按重量比100:5混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件比较例1：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：60nm，材料：NPB)/电子阻挡层5(厚度：20nm，材料：TAPC)/发光层6(厚度：40nm，材料：CBP和GD-1按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层7(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层8(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。所得电致发光器件的检测数据见表10所示。

表10

由表10的结果可以看出，本发明制备的有机化合物可应用于OLED发光器件制作，并且与器件比较例1相比，无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观，特别是器件的使用寿命获得较大的提升。进一步的本发明材料制备的OLED器件在高温下能够保持长寿命，将器件实施例1～20和器件比较例1在85℃进行高温驱动寿命测试，所得结果如表11所示。

表11

从表11的数据可知，器件实施例1～20为本发明材料和已知材料搭配的器件结构，和器件比较例1相比，高温下，本发明提供的OLED器件具有很好的驱动寿命。

通过进一步的实验研究，发现本发明材料制备的OLED器件在低温下工作时效率也比较稳定，将器件实施例5、8、14和器件比较例1在-10～80℃区间进行效率测试，所得结果如表12和图2所示。

表12

从表12的数据可知，器件实施例5、8、14为本发明材料和已知材料搭配的器件结构，和器件比较例1相比，不仅低温效率高，而且在温度升高过程中，效率平稳升高。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。