一种新型毫米波射频同轴连接器及其连接电缆的方法

文档序号:171733 发布日期:2021-10-29 浏览:41次 >En<

阅读说明:本技术 一种新型毫米波射频同轴连接器及其连接电缆的方法 (Novel millimeter wave radio frequency coaxial connector and method for connecting cable by using same ) 是由 冯永芳 黄森 沈斌 于 2021-07-23 设计创作,主要内容包括:本发明公开了射频同轴连接器技术领域的一种新型毫米波射频同轴连接器及其连接电缆的方法。毫米波射频同轴连接器包括:外导体,所述外导体的一端设有台阶孔,所述台阶孔内设有台阶面和第一环形槽;套筒,所述套筒包括通孔,所述套筒的一个端面设有倒刺,另一个端面贴合在所述台阶面上;所述套筒的外圆周与所述台阶孔间隙配合;衬套,所述衬套的外圆周与所述台阶孔过盈配合,所述衬套包括穿线孔,所述穿线孔内设有第二环形槽;实现了射频电缆组件在毫米波频段下具有优越的弯曲性能。(The invention discloses a novel millimeter wave radio frequency coaxial connector and a method for connecting a cable by the same, and belongs to the technical field of radio frequency coaxial connectors. The millimeter wave radio frequency coaxial connector includes: the outer conductor is provided with a step hole at one end, and a step surface and a first annular groove are arranged in the step hole; the sleeve comprises a through hole, one end face of the sleeve is provided with a barb, and the other end face of the sleeve is attached to the step face; the outer circumference of the sleeve is in clearance fit with the stepped hole; the outer circumference of the bushing is in interference fit with the stepped hole, the bushing comprises a threading hole, and a second annular groove is formed in the threading hole; the radio frequency cable assembly has excellent bending performance under the millimeter wave frequency band.)

一种新型毫米波射频同轴连接器及其连接电缆的方法

技术领域

本发明属于射频同轴连接器技术领域,具体涉及一种新型毫米波射频同轴连接器及其连接电缆的方法。

背景技术

目前广泛应用的射频同轴连接器配接电缆屏蔽层的方式主要有压接和焊接两种形式,焊接形式主要应用于6GHz以上同轴电缆与射频连接器的连接,具有性能稳定,使用频率范围宽,但焊接造成的爬锡高度直接影响电缆组件的弯曲性能;而压接形式仅使用于6GHz以下的射频电缆组件,采用标准压接钳口或规定压接模进行压接,操作方便,使用广泛,但其使用频率范围低,不能满足日益提升的电缆组件性能指标要求。

发明内容

为解决现有技术中的不足,本发明提供一种新型毫米波射频同轴连接器及其连接电缆的方法,实现了射频电缆组件在毫米波频段下具有优越的弯曲性能。

为达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:

第一方面,提供一种毫米波射频同轴连接器,包括:外导体,所述外导体的一端设有台阶孔,所述台阶孔内设有台阶面和第一环形槽;套筒,所述套筒包括通孔,所述套筒的一个端面设有倒刺,另一个端面贴合在所述台阶面上;所述套筒的外圆周与所述台阶孔间隙配合;衬套,所述衬套的外圆周与所述台阶孔过盈配合,所述衬套包括穿线孔,所述穿线孔内设有第二环形槽。

进一步地,所述衬套的外圆周表面设有直纹结构。

进一步地,所述外导体的另一端安装有支撑介质,插针接触件通过所述支撑介质固定在所述外导体上。

进一步地,在所述插针接触件与所述套筒之间安装有介质垫片。

进一步地,所述外导体的外圆周上安装有挡圈,螺套通过所述挡圈安装在所述外导体上。

进一步地,在所述外导体与所述螺套之间设有O型圈。

第二方面,提供一种采用第一方面所述的毫米波射频同轴连接器连接电缆的方法,包括:将电缆穿过衬套的穿线孔,电缆的外护套与穿线孔间隙配合;将套筒的倒刺插入电缆的绝缘介质与屏蔽层之间,然后将套筒安装在外导体的台阶孔内:套筒的通孔与电缆的绝缘介质过盈配合,电缆的绝缘介质的端面与套筒贴合在台阶面上的端面齐平,并与外导体的台阶面完全接触;将衬套安装在外导体的台阶孔内:衬套的外圆周与台阶孔过盈配合,电缆的屏蔽层位于套筒和衬套之间,并保持与套筒和衬套紧密接触;对台阶孔内的第一环形槽、穿线孔内的第二环形槽进行灌封。

与现有技术相比,本发明所达到的有益效果:本发明中电缆屏蔽层与连接器采用免焊式连接方式,通过套筒和衬套的挤压方式对电缆屏蔽层进行固定,尾部借助于第一环形槽、第二环形槽采用灌封的方式保证电缆的稳定性,实现了射频电缆组件在毫米波频段下具有优越的弯曲性能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种新型毫米波射频同轴连接器的结构示意图;

图2是图1中的外导体合件的结构示意图;

图3是图1中的套筒的立体结构示意图;

图4是图1中的衬套的立体结构示意图;

图5是本发明实施例提供的一种新型毫米波射频同轴连接器连接电缆的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。

实施例一:

如图1~图5所示,一种毫米波射频同轴连接器,包括外导体合件、插针接触件2、介质垫片3、套筒4和衬套5,外导体合件包括组装在一起的螺套11、O型圈12、挡圈13、外导体14和支撑介质15,其中外导体14尾部设置有台阶孔141、台阶面142和第一环形槽143结构。

本实施例中,外导体14的一端设有台阶孔141,台阶孔141内设有台阶面142和用于灌封胶液的第一环形槽143;套筒4包括通孔42,套筒4的一个端面设有倒刺41,另一个端面贴合在台阶面142上;套筒4的外圆周与台阶孔141间隙配合;衬套5的外圆周与台阶孔141过盈配合,衬套5包括穿线孔52,穿线孔52内设有用于灌封胶液的第二环形槽53。

衬套5的外圆周表面设有沿衬套5的轴向设置直纹51结构,用于与台阶孔141过盈配合,在保证配合效果的前提下便于安装。

外导体14的另一端安装有支撑介质15,插针接触件2通过支撑介质15固定在外导体14上;在插针接触件2与套筒4之间安装有介质垫片3。套筒4通过外导体14上的台阶面142进行定位组装,衬套5通过过盈压配与外导体14上的台阶孔141进行配合。

外导体14的外圆周上安装有挡圈13,螺套11通过挡圈13安装在外导体14上。在外导体14与螺套11之间设有用于密封的O型圈12。

本实施例所述毫米波射频同轴连接器结构简单,应用方便,可实现批量生产。

实施例二:

基于实施例一所述毫米波射频同轴连接器,本实施例提供一种采用实施例一所述的毫米波射频同轴连接器连接电缆的方法,包括:将电缆6穿过衬套5的穿线孔52,电缆6的外护套与穿线孔52间隙配合;将套筒4的倒刺41插入电缆6的绝缘介质与屏蔽层61之间,然后将套筒4安装在外导体14的台阶孔141内:套筒4的通孔42与电缆6的绝缘介质过盈配合,电缆6的绝缘介质的端面与套筒4贴合在台阶面142上的端面齐平,并与外导体14的台阶面142完全接触;将衬套5安装在外导体14的台阶孔141内:衬套5的外圆周与台阶孔141过盈配合,电缆6的屏蔽层61位于套筒4和衬套5之间,并保持与套筒4和衬套5紧密接触;对台阶孔141内的第一环形槽143、穿线孔52内的第二环形槽53进行灌封。

如图5所示,介质垫片3组装于电缆6的芯线62根部,插针接触件2通过焊接方式与电缆6芯线进行连接,套筒4组装在适配电缆6的绝缘介质上,其倒刺41结构插入电缆6绝缘介质与屏蔽层61之间,中间通孔42结构与电缆6绝缘介质过盈配合,套筒4前端面与电缆6绝缘介质端面保持齐平并与外导体14的台阶面142完全接触,衬套5外圆周的直纹51结构与连接器外导体14台阶孔141过盈配合,中间穿线孔52与电缆6外护套间隙配合,电缆6屏蔽层61置于套筒4和衬套5间,通过二者之间的轴向正压力保证屏蔽层61与连接器之间的可靠接触,最后通过灌封的方式将电缆6与连接器完全固定,外导体14的第一环形槽143、衬套5的第二环形槽53结构用于固定连接器尾部灌封胶液63。

本实施例中电缆屏蔽层与连接器采用免焊式连接方式,通过套筒和衬套的挤压方式对电缆屏蔽层进行固定,尾部借助于第一环形槽、第二环形槽采用灌封的方式保证电缆的稳定性,实现了射频电缆组件在毫米波频段下具有优越的弯曲性能。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

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