一种掺钕bgso混晶材料及其制备方法
阅读说明:本技术 一种掺钕bgso混晶材料及其制备方法 (A kind of neodymium-doped BGSO mixed crystal material and preparation method thereof ) 是由 李纳 徐军 徐晓东 宋青松 于 2019-07-11 设计创作,主要内容包括:本发明涉及一种掺钕BGSO混晶材料及其制备方法,该晶体的化学式为(Nd<Sub>x</Sub>Bi<Sub>1-x</Sub>)<Sub>4</Sub>(Ge<Sub>1-</Sub><Sub>y</Sub>Si<Sub>y</Sub>)<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>,其中x的取值范围为0.001-0.01,y的取值范围是0.05-0.5,晶胞参数为<Image he="46" wi="363" file="DDA0002126093670000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"></Image>使用纯度为5N的Nd<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,GeO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>粉末作为原料,经过充分研磨之后压制成棒,在700-850摄氏度下高温烧结22-30小时。采用微下拉生长掺钕BGSO混晶。与现有技术相比,本发明晶体材料能实现高效近红外激光输出,可应用于非线性光学研究,激光医疗和通讯等领域。(The present invention relates to a kind of neodymium-doped BGSO mixed crystal material and preparation method thereof, the chemical formula of the crystal is (Nd x Bi 1‑x ) 4 (Ge 1‑ y Si y ) 3 O 12 , wherein the value range of x is 0.001-0.01, and the value range of y is 0.05-0.5, and cell parameter is The Nd for the use of purity being 5N 2 O 3 , Bi 2 O 3 , GeO 2 And SiO 2 Powder is high temperature sintering 22-30 hours lower at 700-850 degrees Celsius by being pressed into stick after being fully ground as raw material.Neodymium-doped BGSO mixed crystal is grown using micro- drop-down.Compared with prior art, crystalline material of the present invention is able to achieve efficient near-infrared laser output, can be applied to nonlinear optics research, the fields such as laser medicine and communication.)
技术领域
本发明属于激光材料技术领域,涉及一种红外波段激光晶体及其制备方法,特别涉及一种掺钕BGSO混晶材料及其制备方法。
背景技术
近年来,激光二极管泵浦固体激光器由于其在医疗、非线性光学和科学研究中的广泛应用而得以快速发展。激光材料是固体激光器的重要组成部分。其中,钕离子掺杂的激光晶体材料由于其具有较长的荧光寿命,较大的吸收截面和发射截面已获得瓦级激光输出。比如:Nd:YCa4O(BO3)3晶体在1060nm实现斜率效率为57%,输出功率为1900mW的激光输出。Nd:YAG在1300nm实现斜率效率为35%,输出功率为200mw的激光输出。
近来,BGO单晶由于具有较低的热膨胀系数(6.3×10-6/℃)和较低的有效声子能量(400cm-1)等优点使其成为一种极具发展前景的激光基质材料。在BGO晶体中掺入少量的SiO2以取代GeO2并不会改变其结构。目前,国内外已经有很多BGSO混晶的报道。晶体主要通过提拉法,垂直布里奇曼法和微下拉法进行生长。相比于其它晶体生长方法,微下拉法具有使用原料少,生长速度快,晶体直径可调和生长周期短等优点。关于稀土离子掺杂BGSO混晶的研究主要集中在闪烁性能的研究,例如:光产额,能量分辨率及荧光衰减时间等。然而,有关Nd3+掺杂BGSO晶体的制备方法以及光谱性能的研究并没有相关报道。
发明内容
为了解决现有技术中制备BGSO混晶材料时用料多、生长速率慢及周期长等的缺陷,本发明提供了一种掺钕BGSO混晶材料,该混晶材料的化学式为(NdxBi1-x)4(Ge1-ySiy)3O12,其中x的取值范围为0.001-0.010,y的取值范围是0.05-0.5,晶胞参数为
同时,还提供了一种上述混晶材料的制备方法,采用微下拉法进行生长,该方法主要包括以下步骤:
(1)初始原料为5N纯度的Nd2O3,Bi2O3,GeO2和SiO2粉末,先选定Nd离子掺杂取代Bi离子,Si离子取代Ge离子中Nd和Si离子合适浓度之后,按照化学式(NdxBi1-x)4(Ge1-ySiy)3O12仔细计算每种原料所需的质量,并准确称量;
(2)将称量后的粉末原料放入玛瑙研钵中充分研磨使原料混合均匀,然后使用油压机压成棒状料胚,高温烧结,取出放入铂金坩埚,装入微下拉炉中进行生长;
(3)选取合适籽晶,在进行装炉过程要保证籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上;
(4)在1.2-2.5小时内升温到0.45-0.052KW并恒温0.2-0.4小时以保证坩埚内原料全部熔化,再引晶并控制拉速以使晶体稳定生长,生长结束后慢慢进行降温过程,当降至室温时,取出成品晶体。
作为改进,步骤(2)将原料研磨的时间为40min-60min。
作为改进,步骤(2)对原料高温烧结时,升温速率为75-155℃/h,并在700-850℃恒温22-30h。
作为改进,步骤(3)中当保证籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上时,采用旋转籽晶杆,籽晶摆幅不超过1mm。
作为改进,步骤(4)引晶时籽晶杆的拉速为0.25-0.65mm/min,晶体稳定生长时拉速为5-8mm/min。
作为改进,步骤(4)降温过程的时间为3-4小时。
有益效果:本发明与现有技术相比,优点为:(1)采用的微下拉法的晶体生长方法,相对于其他晶体生长方法而言,其具有使用原料少,生长速率快,生长周期短和晶体直径可调控等优点;(2)采用微下拉法生长获得晶体,能够稳定地获得直径为2mm,长度为131mm的Nd:BGSO激光晶体,且可进一步调节Nd离子和Si离子的掺杂比例获得近红外激光输出。
附图说明
图1是本发明制备的混晶材料的样品图。
图2是本发明制备的实施例1样品X射线粉末衍射图谱。
图3是本发明制备的实施例1样品微区荧光图。
图4是本发明制备的实施例1样品的沿直径所取个点的微区荧光图。
图5是本发明制备的实施例1样品在室温下的吸收光谱。
图6是本发明制备的实施例1样品的折射率图。
图7是本发明制备的实施例1样品的荧光光谱。
图8是本发明制备的实施例1样品的荧光寿命图。
具体实施方式
下面对本发明附图和具体实施例作出进一步说明。
其中坩埚内原料全部熔化话,再进行引晶,控制拉速,开始控制拉速0.25-0.65mm/min保证熔料慢慢结晶后,再增加拉速到5-8mm/min,保证晶体能够稳定生长。
实施例1:微下拉法生长(Nd0.003Bi0.997)4(Ge0.95Si0.05)3O12具体通过以下方法制备:
用5N纯度的Nd2O3,Bi2O3,GeO2和SiO2粉末作为初始原料。按照化学式(Nd0.003Bi0.997)4(Ge0.95Si0.05)3O12仔细计算每种原料所需的质量并准确称量。将粉末原料放入玛瑙研钵中充分研磨,研磨40min使原料混合均匀,然后使用油压机压成棒状料胚,对料胚进行高温烧结,升温速率为75℃/h,且在700℃下恒温30h后,取出放入铂金坩埚,装入微下拉炉中进行生长。
选取合适的籽晶,进行装炉。在装炉过程要确保籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上,旋转籽晶杆,籽晶摆幅不超过1mm,一般优选为0-0.25mm。在2小时内升温到0.045KW并恒温0.3小时以保证坩埚内原料全部熔化,再开始引晶,控制拉速0.5mm/min保证熔料慢慢结晶,再增加拉速到5mm/min时晶体可以稳定生长。生长结束后调整生长程序使炉内温度在4小时后降至室温,取出晶体。任一选取获得晶体进行实验获得数据见图1-8所示,如图2所示,晶体样品的XRD衍射峰与BGO标准卡片峰位一致,表明生长所得的晶体为纯的BGO相。通过微区荧光光谱测试可得,晶体端面Nd3+离子浓度分布均匀。在808nm处的吸收截面为0.98×10-20cm2,半高宽为17.nm。相对较大的半高宽更有利于用AlGaAs激光二极管泵浦。通过JO理论计算得到在1063nm处的截面为3.15×10-20cm2,荧光量子效率为82.7%(荧光寿命为248微妙)。以上结果表明,Nd:BGSO晶体是一种很有希望的近红外激光输出的材料。
实施例2:微下拉法生长(Nd0.005Bi0.995)4(Ge0.95Si0.05)3O12具体通过以下方法制备:
用5N纯度的Nd2O3,Bi2O3,GeO2和SiO2粉末作为初始原料,按照化学式(Nd0.005Bi0.995)4(Ge0.95Si0.05)3O12仔细计算每种原料所需的质量并准确称量。将粉末原料放入玛瑙研钵中充分研磨,研磨50min使原料混合均匀,然后使用油压机压成棒状料胚,对料胚进行高温烧结,升温速率为100℃/h,且在850℃下恒温24h后,取出放入铂金坩埚,装入微下拉炉中进行生长。
选取合适的籽晶,进行装炉。在装炉过程要确保籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上,旋转籽晶杆,籽晶摆幅不超过1mm,一般优选为0-0.2mm。在1.2小时内升温到0.05KW并恒温0.4小时以保证坩埚内原料全部熔化,再开始引晶,控制拉速0.25mm/min保证熔料慢慢结晶,再增加拉速到8mm/min时晶体可以稳定生长。生长结束后调整生长程序使炉内温度在3小时后降至室温,取出晶体。
实施例3:微下拉法生长(Nd0.007Bi0.993)4(Ge0.95Si0.05)3O12具体通过以下方法制备:
用5N纯度的Nd2O3,Bi2O3,GeO2和SiO2粉末作为初始原料,按照化学式(Nd0.007Bi0.993)4(Ge0.95Si0.05)3O12仔细计算每种原料所需的质量并准确称量。将粉末原料放入玛瑙研钵中充分研磨,研磨60min使原料混合均匀,然后使用油压机压成棒状料胚,对料胚进行高温烧结,升温速率为155℃/h,且在755℃下恒温22h后,取出放入铂金坩埚,装入微下拉炉中进行生长。
选取合适的籽晶,进行装炉。在装炉过程要确保籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上,旋转籽晶杆,籽晶摆幅不超过1mm,一般优选为0-0.15mm。在2.5小时内升温到0.052KW并恒温0.2小时以保证坩埚内原料全部熔化,再开始引晶,控制拉速0.65mm/min保证熔料慢慢结晶,再增加拉速到6.5mm/min时晶体可以稳定生长。生长结束后调整生长程序使炉内温度在3.2小时后降至室温,取出晶体。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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