阅读说明：本技术 可变存储容量的单次可编程存储器 (The single programmable memory of varying storage capacity ) 是由 苗英豪 王富中 于 2018-05-24 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种可变存储容量的单次可编程存储器,包括：多个存储单元和多个地址位；控制电路,用于根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系。本发明的可变存储容量的单次可编程存储器,通过控制电路根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系,在烧录良率未知或较低时,配置较多的备选存储单元以达到多次烧录提高芯片良率的目的,在烧录良率较高时,配置较少的备选存储单元以避免不必要的浪费,提高存储容量,节省芯片面积,降低制造成本,增强芯片适用性。(The present invention provides a kind of single programmable memory of varying storage capacity, comprising: multiple storage units and multiple address bits；Control circuit, for the corresponding relationship according to burning yield configurable address bit and storage unit.The single programmable memory of varying storage capacity of the invention, by control circuit according to the corresponding relationship of burning yield configurable address bit and storage unit, when burning yield is unknown or lower, more candidate storage unit is configured to achieve the purpose that multiple burning improves chip yield and configure less candidate storage unit when burning yield is higher to avoid unnecessary waste, improve memory capacity, chip area is saved, manufacturing cost is reduced, enhances chip applicability.)

可变存储容量的单次可编程存储器

技术领域

本发明涉及一种可变存储容量的单次可编程存储器。

背景技术

在芯片制造过程中，由于机台参数、温度分布等各种因素的影响，会导致芯片之间会有不同程度的参数漂移，如振荡器的频率、参考电压或电流值与设计值存在偏差。这将导致芯片在应用过程中出现非一致性问题，从而影响产品良率，如摄像头模组导致的摄像效果偏差，不同液晶面板的驱动电压差异等，因此，需要对芯片特定参数进行修正，并将修正的值存入寄存器，在芯片上电后读取并校正这些参数，从而改善一致性问题，提高产品良率。这种功能通常使用OTP（One Time Programming）存储器，即单次可编程存储器来实现。

由于OTP存储器的烧录过程通常为破坏性的，例如电介质击穿型（包括熔丝型和反熔丝型）OTP存储器，其烧录成功率同样影响芯片良率。

图1为一常用介质击穿型的OTP存储器结构，MOS管A作为存储单元，在一定时间下对其栅极加一烧录电压VPP，使其发生击穿对存储单元写“1”，未烧录的存储单元为“0”，通过选择开关管M0控制对存储单元的读与写。

为了提高烧录成功率，通常对同一地址增加备用存储单元，这种做法在有限的芯片面积下牺牲了OTP存储器的存储容量，冗余的存储单元还会占用较大的芯片面积，增加成本。

图2为一带备用OTP存储器的电路结构，该电路结构包括多个OTP存储器，当某个OTP存储器中的某个存储单元烧录不成功时，会通过控制信号选择备用OTP存储器中的备用存储单元，直到该地址烧录成功。该结构总的存储容量为一单个OTP存储器的容量，却需占用较大的芯片面积。

图3为另一常用做法，即在同一OTP存储器中，针对同一地址配置多个存储单元A，当某个存储单元A烧录不成功时，会选择备用存储单元A，直到该地址烧录成功。在OTP烧录良率较低时，可以通过选择对不同的存储单元A烧录来达到多次烧录提高芯片良率的目的，然而在OTP烧录良率较高时，较多的备选存储单元造成了不必要的浪费。

另外，OTP存储器的烧录和读取时间以及烧录电压都与工艺参数紧密相关，芯片更新换代的过程中需要根据OTP存储器的存储地址容量、面积、备用存储单元数量与芯片良率之间作出折中选择。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可变存储容量的单次可编程存储器，灵活配置存储容量，保证芯片良率，节省芯片面积，降低制造成本，增强芯片适用性。

基于以上考虑，本发明提供一种可变存储容量的单次可编程存储器，包括：多个存储单元和多个地址位；控制电路，用于根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系。

优选的，每个存储单元包括至少两个可烧录子单元。

优选的，当烧录良率高于预设阈值，控制电路配置为一个地址位对应一个存储单元。

优选的，当烧录良率未知或低于预设阈值，控制电路配置为一个地址位对应至少两个存储单元。

优选的，所述单次可编程存储器为电介质击穿型单次可编程存储器。

优选的，所述电介质击穿型单次可编程存储器包括熔丝型单次可编程存储器和反熔丝型单次可编程存储器。

本发明的可变存储容量的单次可编程存储器，通过控制电路根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系，在烧录良率未知或较低时，配置较多的备选存储单元以达到多次烧录提高芯片良率的目的，在烧录良率较高时，配置较少的备选存储单元以避免不必要的浪费，提高存储容量，节省芯片面积，降低制造成本，增强芯片适用性。

附图说明

通过说明书附图以及随后与说明书附图一起用于说明本发明某些原理的

具体实施方式

，本发明所具有的其它特征和优点将变得清楚或得以更为具体地阐明。

图1为现有电介质击穿型OTP存储器的结构示意图；

图2为现有带备用OTP存储器的电路结构示意图；

图3为现有带备用存储单元的OTP存储器的结构示意图；

图4为根据本发明一个实施例的可变存储容量的OTP存储器的结构示意图。

具体实施方式

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

图4示出根据本发明一个实施例的可变存储容量的OTP存储器，该OTP存储器包括多个存储单元和多个地址位。只需配置较少的备选存储单元，就足以保证较高的芯片良率

在图4所示的优选实施例中，该OTP存储器包括八个存储单元A，B，C…H，每个存储单元包括两个可烧录子单元，例如，存储单元A包括两个可烧录子单元A0，A1；存储单元B包括两个可烧录子单元B0，B1；…。本领域技术人员可以理解，本发明的OTP存储器还可以包括其他数量的存储单元，每个存储单元还可以包括其他数量的可烧录子单元。优选的，每个存储单元包括至少两个可烧录子单元。

在图4所示的优选实施例中，该OTP存储器包括两种地址位组合。组合1包括八个地址位000，001，010，011，100，101，110，111，用于实现8bits存储容量。组合2包括对组合1中的八个地址位进行合并形成的四个新地址位000’，001’，010’，011’， 用于实现4bits存储容量，其中，地址位000’对应于组合1中的000和100，地址位001’对应于组合1中的001和101…组合1与组合2的地址位的对应关系不仅限于此，在此仅作为示例而非限制。本领域技术人员可以理解，本发明的OTP存储器还可以包括其他数量的地址位组合，每种地址位组合还可以包括其他数量的地址位。

此外，本发明的OTP存储器还包括控制电路，用于根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系。

当OTP烧录良率较低，例如低于预设阈值时，或者初次流片烧录良率未知时，控制电路发出控制信号，选择地址位组合2，此时存储容量为4bits。于是，四个地址位分别对应八个存储单元，即配置为一个地址位对应两个存储单元。例如，地址位000’对应于存储单元A和E，地址位001’对应于存储单元B和F…由于每个存储单元包括两个可烧录子单元，因此每个地址位最多可进行四次烧录。也就是说，在烧录良率未知或偏低时，能够通过对每个地址位配置较多的备选存储单元，以达到多次烧录提高芯片良率的目的。

当OTP烧录良率较高，例如高于预设阈值时，控制电路发出控制信号，选择地址位组合1，此时存储容量为8bits。于是，八个地址位分别对应八个存储单元，即配置为一个地址位对应一个存储单元。例如，地址位000对应于存储单元A，地址位001对应于存储单元B…由于每个存储单元包括两个可烧录子单元，因此每个地址位最多可进行两次烧录，当烧录良率较高时，每个地址位只需配置较少的备选存储单元，就足以保证较高的芯片良率，同时避免了不必要的浪费，提高了存储容量，节省了芯片面积，降低了制造成本，增强了芯片适用性。

可见，本发明通过控制电路实现对OTP地址位和存储单元的合理分配与控制，实现了一种可变存储容量的OTP存储器结构。在烧录良率未知或偏低时，能够提供较多的备选存储单元进行多次烧录以保证芯片良率，在烧录良率较高时，只需配置较少的备选存储单元就足以保证芯片良率，同时可以灵活的增大OTP存储容量，从而提供更多的寄存器校准位，以适应不同的芯片应用环境。

优选的，所述单次可编程存储器为电介质击穿型单次可编程存储器。

优选的，所述电介质击穿型单次可编程存储器包括熔丝型单次可编程存储器和反熔丝型单次可编程存储器。

本发明的可变存储容量的单次可编程存储器，通过控制电路根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系，在烧录良率未知或较低时，配置较多的备选存储单元以达到多次烧录提高芯片良率的目的，在烧录良率较高时，配置较少的备选存储单元以避免不必要的浪费，提高存储容量，节省芯片面积，降低制造成本，增强芯片适用性。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论如何来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明显的，“包括”一词不排除其他元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。装置权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。