具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

图1为一种示例性的显示面板的结构示意图，如图1所示，该显示面板具有显示区和围绕显示区的非显示区，显示区包括：屏下摄像头区和非屏下摄像头区，该显示面板包括：基底(图中未示出)、位于基底上且设置于屏下摄像头区和非屏下摄像头区的发光器件10、及位于基底上的电压信号线20；各个发光器件10的阴极均与电压信号线20连接。在此需要说明的是，这里的电压信号线20具体可以设置在非显示区中，以降低其对显示区中光线的遮挡。可以理解的是，在实际应用中，为了便于电压信号线20的走线，也可以将电压信号线20设置于显示区中，例如非屏下摄像头区，在此不进行限定。

以发光器件10为OLED器件为例，OLED器件可以包括相对设置的阳极和阴极、及阳极和阴极之间的发光层。OLED器件的阳极可通过贯穿平坦化层的过孔与像素电路中驱动晶体管的漏极电连接，阳极可以为ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成。发光层可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以在阳极和阴极的电场驱动下发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光层还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层。阴极覆盖发光层，阴极可以为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。

电压信号线20具体可以为VSS信号线，即直流低电压信号线，在显示面板中还设置有与VSS信号线相对应的VDD信号线，即直流高电压信号线，直流高电压信号线和直流低电压信号线之间可以形成电流，像素电路中的驱动晶体管可以在数据信号的控制下改变其开启程度，控制OLED器件阳极和阴极之间的跨压，以控制流经OLED器件中的电流的大小，实现不同亮度的显示。

图2为像素电路中驱动晶体管的IDVD特性曲线图，图3为OLED器件的IV特性曲线图，图4为图2所示的像素电路中驱动晶体管的IDVD特性曲线与图3所示的OLED器件的IV特性曲线相结合的示意图，如图2、图3和图4所示，整个显示面板需要达到400尼特(nit)的亮度时，非屏下摄像头区中驱动晶体管的电流为2.2E-8安(A)，屏下摄像头区中驱动晶体管的电流为4.0E-8A，此时，非屏下摄像头区的OLED器件的跨压为3.6伏(V)，屏下摄像头区的OLED器件的跨压为3.9V，屏下摄像头区的OLED器件的跨压要大于非屏下摄像头区的OLED器件的跨压，这样需要加大VSS信号线的电压(绝对值)，由于二者均连接同一条电压信号线，往往需要将VSS信号线上设置相对较高的电压(绝对值)，以满足OLED的正常工作，这样就增大了显示面板的功耗。并且整个显示面板在相对较高的电压下工作，影响显示面板的使用寿命。

为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种显示面板及显示装置，下面将结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的显示面板及显示装置作进一步详细描述。

图5为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图5所示，该显示面板，具有显示区和围绕显示区的非显示区，显示区包括屏下摄像头区和非屏下摄像头区，该显示面板包括：基底(图中未示出)、位于基底上设置于屏下摄像头区的第一发光器件101、位于基底上且设置于非屏下摄像头区的第二发光器件102、位于基底上的第一电压信号线201和第二电压信号线202；第一发光器件101的阴极与第一电压信号线201电连接；第二发光器件102的阴极与第二电压信号线202电连接；第一电压信号线201和第二电压信号线202的电压信号不同。

在此需要说明的是，本公开实施例中的第一电压信号线201和第二电压信号线202均为同一类型信号线，具体可以为VSS信号线，即直流低电压信号线。相应地，在显示面板中还设置有与VSS信号线相对应的VDD信号线，即直流高电压信号线。第一发光器件101和第二发光器件102的结构是相同的，均包括相对设置的阳极和阴极、及阳极与阴极之间的发光层。并且，第一发光器件101与第二发光器件102所连接的像素电路是相同的，VDD信号线可以为第一发光器件101和第二发光器件102提供直流高电压信号。第一电压信号线201和第二电压信号线202具体可以设置均在非显示区中，以降低其对显示区中光线的遮挡。可以理解的是，在实际应用中，为了便于第一电压信号线201和第二电压信号线202的走线，也可以将第一电压信号线201和第二电压信号线202设置于显示区中，例如非屏下摄像头区，在此不进行限定。

本公开实施例提供的显示面板中，屏下摄像头区的第一发光器件101的阴极与第一电压信号线201连接，非屏下摄像头区的第二发光器件102的阴极与第二电压信号线202连接，这样，第一发光器件101和第二发光器件102可以分别由第一电压信号线201和第二电压信号线202提供VSS信号，因此，可以分别独立控制第一发光器件101和第二发光器件102输入的VSS信号，具体地，可以设置第一电压信号线201的电压信号的电压绝对值大于第二电压信号线的电压信号的电压绝对值，即，将第一电压信号线201上设置相对较高的电压，将第二电压信号线202上设置相对较低的电压，不必将二者均设置为相对较高的电压，即可满足第一发光器件101和第二发光器件102正常工作，因此可以节约显示面板的能耗。并且可以避免整个显示面板在相对较高的电压下进行工作，从而可以提高显示面板的使用寿命。

在一些实施例中，显示面板还包括：第一公共阴极(图中未示出)和第二公共阴极(图中未示出)；第一发光器件101的阴极与第一公共阴极电连接，且第一公共阴极与第一电压信号线201搭接；第二发光器件102的阴极与第二公共阴极电连接，且第二公共阴极与第二电压信号线202搭接。

各个第一发光器件101的阴极可以均连接至第一公共阴极，再通过第一公共阴极与第一电压信号线201连接。首先，第一公共阴极为面状电极，其电阻较小，可以有效减小第一发光器件101的阴极与第一电压信号线201之间的连接电阻。其次，可以避免设置大量的信号连接线将第一发光器件101的阴极与第一电压信号线201连接，可以减少布线难度，节约制备成本。再者，第一公共阴极可以与第一电压信号线201搭接，第一公共阴极可以为第一电压信号线201提供较大的搭接平面，使得二者之间的连接更加牢固，避免各个第一发光器件101的阴极连直接接至第一电压信号线201造成的连接稳定性较差的问题。各个第二发光器件102的阴极可以均连接至第二公共阴极，再通过第二公共阴极与第二电压信号线202连接，其实现原理及有益效果与上述的实现原理及有益效果相同，在此不在赘述。

在一些实施例中，第一发光器件101的阴极与第一公共阴极为一体成型结构；第二发光器件102的阴极与第二公共阴极为一体成型结构。

第一发光器件101的阴极与第一公共阴极为一体成型结构，在制备过程中，可以采用蒸镀Al等金属材料形成第一发光器件101的阴极和第一公共阴极，二者可以形成一体成型结构。一方面，二者可以采用同一步骤即可形成，从而可以减少制备步骤，节约制备成本。另一方面，二者为一体成型结构，可以避免二者之间由于连接造成的连接电阻，从而有利于信号的传输，以节约能耗。第二发光器件102的阴极与第二公共阴极为一体成型结构，其实现原理及有益效果与上述的实现原理及有益效果相同，在此不在赘述。

在一些实施例中，显示面板还包括：位于基底上且设置于屏下摄像头区的第一像素电路(图中未示出)、及位于基底上且设置于非屏下摄像头区的第二像素电路(图中未示出)；第一像素电路包括：第一薄膜晶体管；第二像素电路包括：第二薄膜晶体管；第一发光器件101的阳极与第一薄膜晶体管的漏极电连接；第二发光器件102的阳极与第二薄膜晶体管的漏极电连接。

在此需要说明的是，第一像素电路通常至少包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容(也即现有的2T1C、6T1C或7T1C的像素驱动电路)等器件，为了便于与第二像素电路中的驱动晶体管区分，第一像素电路中的驱动电路定义为第一薄膜晶体管，第二像素电路中的驱动晶体管定义为第二薄膜晶体管，在本公开实施例中仅以驱动晶体管为例进行说明，其他晶体管的结构与其类似，在此不再赘述。以驱动晶体管为底栅型薄膜晶体管为例，驱动晶体管包括沿着背离基底方向依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层、层间绝缘层、源极和漏极，源极和漏极同层设置，且通过贯穿层间绝缘层的过孔分别与有源层连接。第一发光器件101的阳极可以与第一薄膜晶体管的漏极电连接，以使得驱动晶体管驱动第一发光器件101发光。同样地，第二发光器件102的阳极可以与第二薄膜晶体管的漏极电连接，以使得驱动晶体管驱动第二发光器件102发光。

在一些实施例中，显示面板还包括：位于基底上的第一导电层(图中未示出)；第一导电层包括：第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第一电压信号线和第二电压信号线。

第一导电层可以包括第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第一电压信号线和第二电压信号线，这样，第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第一电压信号线和第二电压信号线为同层设置，可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成，这样可以减少制备步骤，节约制备成本。其材料具体可以包括金属材料或者合金材料，例如由包括钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)金属材料或者包括钼(Mo)、铝(Al)及钛(Ti)中的一种或几种的合金形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)三层金属叠层等。

在一些实施例中，显示面板还包括：位于基底上的第二导电层(图中未示出)；第二导电层包括：第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第一电压信号线和第二电压信号线。

第二导电层可以包括：第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第一电压信号线和第二电压信号线，这样，第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第一电压信号线和第二电压信号线为同层设置，可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成，这样可以减少制备步骤，节约制备成本。其材料具体可以包括金属材料或者合金材料，例如由包括钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)金属材料或者包括钼(Mo)、铝(Al)及钛(Ti)中的一种或几种的合金形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)三层金属叠层等。

在一些实施例中，显示面板还包括：位于基底上沿着背离基底方向依次绝缘设置的第三导电层(图中未示出)和第四导电层(图中未示出)；第一电压信号线201包括：电连接的第一子电压信号线和第二子电压信号线；第二电压信号线202包括：电连接第三子电压信号线和第四子电压信号线；第三导电层包括：第一薄膜晶体管的栅极、第一薄膜晶体管的栅极、第一子电压信号线和第三子电压信号线；第四导电层包括：第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第二子电压信号线、第四子电压信号线。

第一电压信号线201可以为两层结构，具体可以为叠层设置的第一子电压信号线和第二子电压信号线，二者之间设置有绝缘层并通过贯穿绝缘层的过孔相互电连接，两层结构可以减少第一电压信号线201的电阻，从而有利于信号的传输，以节约能耗。同样地，第二电压信号线202也可以为两层结构，其原理与上述第一电压信号线201的原理类似，在此不再赘述。

第三导电层可以包括第一薄膜晶体管的栅极、第一薄膜晶体管的栅极、第一子电压信号线和第三子电压信号线，这样，第一薄膜晶体管的栅极、第一薄膜晶体管的栅极、第一子电压信号线和第三子电压信号线为同层设置，可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成，这样可以减少制备步骤，节约制备成本。其材料具体可以包括金属材料或者合金材料，例如由包括钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)金属材料或者包括钼(Mo)、铝(Al)及钛(Ti)中的一种或几种的合金形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)三层金属叠层等。

第四导电层可以包括第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第二子电压信号线、第四子电压信号线，这样，第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第二子电压信号线、第四子电压信号线为同层设置，可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成，这样可以减少制备步骤，节约制备成本。其材料具体可以包括金属材料或者合金材料，例如由包括钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)金属材料或者包括钼(Mo)、铝(Al)及钛(Ti)中的一种或几种的合金形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)三层金属叠层等。

在一些实施例中，显示面板还包括：位于基底上且由屏下摄像头区延伸至非屏下摄像头区的多条栅线(图中未示出)和多条数据线(图中未示出)；第一电极层还包括：栅线；第二电极层还包括：数据线。

第一薄膜晶体管的栅极、第一薄膜晶体管的栅极、第一子电压信号线、第三子电压信号线可以与栅线同层设置，可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成，这样可以减少制备步骤，节约制备成本。第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第二子电压信号线、第四子电压信号线可以与数据线同层设置，可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成，这样可以减少制备步骤，节约制备成本。

本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施例提供的显示面板。该显示装置还包括：摄像头；摄像头位于第一发光器件靠近基底的一侧，可以将摄像头集成于显示面板的底部，以实现全面屏设计。

该显示装置可以为手机、平板电脑、电子手表、运动手环、笔记本电脑等具有显示面板的电子设备。该显示装置的实现原理及其具有的技术效果可参考上述对显示母板的实现原理及技术效果的论述，在此不再赘述。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。