一种铁磁性碳化硅晶体及其制备方法
阅读说明：本技术 一种铁磁性碳化硅晶体及其制备方法 (Ferromagnetic silicon carbide crystal and preparation method thereof ) 是由 张宁 石志强 姜彦鹏 高超 杨晓俐 李博 刘鹏飞 于 2021-07-26 设计创作，主要内容包括：本申请公开了一种铁磁性碳化硅晶体及其制备方法,属于半导体材料领域。该铁磁性的碳化硅晶体中具有P型掺杂离子和空穴,所述P型掺杂离子与空穴的浓度比为1：3-10,以使得所述碳化硅晶体为具有铁磁性的P型碳化硅晶体。该碳化硅晶体在经过磁场后能够在室温下达到较高的饱和磁化强度,以满足常温对半导体碳化硅晶体中的铁磁性强度需求。(The application discloses a ferromagnetic silicon carbide crystal and a preparation method thereof, belonging to the field of semiconductor materials. The ferromagnetic silicon carbide crystal contains P-type doped ions and holes, and the concentration ratio of the P-type doped ions to the holes is 1: 3-10, so that the silicon carbide crystal is a P-type silicon carbide crystal with ferromagnetism. The silicon carbide crystal can reach higher saturation magnetization intensity at room temperature after passing through a magnetic field so as to meet the requirement of ferromagnetism intensity in the semiconductor silicon carbide crystal at room temperature.)
技术领域
本申请涉及一种铁磁性碳化硅晶体及其制备方法，属于半导体材料领域。
背景技术
半导体器件主要利用电子的电荷属性进行信息的处理与传输，而信息存储功能则是利用铁磁性，即电子的自旋属性实现的。随着信息技术的不断发展，处理与传输速度的快速提升，现有半导体集成电路难以满足人们的需求。如果能将电子的电荷与自旋属性相结合，无疑将产生巨大的技术突破。基于将这一理想变为现实，自旋电子学应运而生。
SiC作为一种性能优异的第三代半导体，其在高频、高功率器件等领域具有良好的应用前景。若能在SiC晶体中实现铁磁性转变，获得SiC基的稀磁半导体将具有重要的科研价值。
d0铁磁性是指在d轨道和f轨道没有不成对电子的情况下，材料(如石墨、CaB6和Hf02等)具有铁磁性和大于室温居里温度的一种性能。一直以来，铁磁性都是Fe、Co、Ni等不成对d电子元素和稀土等不成对f电子元素所专有的性能。晶格或键缺陷的存在导致了杂带出现，并产生自旋极化。电子自发或受缺陷影响进入“杂带”，产生自旋不对称，从而产生d0铁磁性。
碳化硅晶体相比与碳化硅粉料很难具有高的铁磁性，近年来众多科研人员通过离子注入的方式将很多铁磁性原子注入碳化硅晶体中，得到在低温或高温下具有铁磁特性的碳化硅晶体，且得到的碳化硅晶体的铁磁性弱不明显。铁磁性如何通过掺杂调控碳化硅晶体的铁磁特性及提高碳化硅室温下的铁磁特性成为重要命题。
发明内容
为了解决上述问题，提供了一种铁磁性碳化硅晶体及其制备方法，该碳化硅晶体的饱和磁化强度高，进一步地在室温下的饱和磁化强度高。该碳化硅晶体在经过磁场后能够在室温下保持很高的饱和磁化强度，以满足常温对半导体碳化硅晶体中的铁磁性强度需求。
根据本申请的一个方面，提供了一种铁磁性碳化硅晶体，所述碳化硅晶体中具有P型掺杂离子和空穴，所述P型掺杂离子与空穴的浓度比为1：3-10，以使得所述碳化硅晶体为具有铁磁性的P型碳化硅晶体。其中的浓度比为数量比，如单位重量中的数量，或单位体积中的数量。
可选地，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度不低于0.05emu/g。优选地，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度大于0.07emu/g。更优选地，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度大于0.08emu/g。更优选地，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度大于0.085emu/g。
可选地，所述碳化硅晶体在室温下的剩余极化强度不大于0.01emu/g，优选小于0.008emu/g，更优选小于0.005emu/g。
可选地，所述碳化硅晶体的饱和磁化强度和的剩余极化强度是经过不低于4000Oe的磁场强度处理不超过1s，磁饱和后的结果。饱和磁化强度经过处理后的数值高；剩余磁化强度小证明能量损耗越小，碳化硅晶体制得的器件的磁电转化效率高。
可选地，所述P型掺杂离子选自第三主族元素或过渡元素中化合价及原子半径适配中的至少一种。优选地，所述P型掺杂剂选自B、Al、Ga、In、Tl、Fe、Co、Ni和Ti中的至少一种。
可选地，所述P型掺杂离子的浓度为2.03×1020cm-3-5.6×1023cm-3。
可选地，所述碳化硅晶体的电阻率为0.0183Ω·cm-1-0.2238Ω·cm-1，所述P型掺杂离子浓度为2.03×1020cm-3～1.68×1022cm-3，空穴的浓度为6.09×1020cm-3～1.78×1023cm-3。
可选地，所述P型掺杂离子为铝离子，所述铝离子与所述空穴的浓度比为1:3-6。
可选地，所述碳化硅晶体的电阻率为0.4Ω·cm-1-3Ω·cm-1，所述铝离子掺杂浓度为5×1017cm-3～6.5×1017cm-3，空穴的浓度为9.26×1018cm-3。
优选地，所述碳化硅晶体的电阻率为0.485-2.306Ω·cm-1，Al原子掺杂浓度为5.8×1017cm-3，空穴的浓度为2.32×1021cm-3。
优选地，所述碳化硅晶体经过不低于4000Oe的磁场强度处理不超过1s后，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度达到0.085emu/g，剩余极化强度不大于0.01emu/g。
优选地，所述P型掺杂离子为铝离子，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度大于0.07emu/g。更优选地，所述P型掺杂离子为铝离子，所述碳化硅晶体在室温下的饱和磁化强度大于0.08emu/g。
优选地，所述P型掺杂离子为铝离子，剩余极化强度小于0.008emu/g，更优选地，小于0.004emu/g。
可选地，所述碳化硅晶体经过不低于4000Oe的磁场强度处理不超过1s后，所述碳化硅晶体在室温下的剩余磁化强度不低于0.2×10-4emu/g。具体的，所述碳化硅晶体经过14Oe的磁场强度处理不超过1s后，所述碳化硅晶体在室温下的剩余磁化强度为0.2×10- 4emu/g；所述碳化硅晶体经过16Oe的磁场强度处理不超过1s后，所述碳化硅晶体在室温下的剩余磁化强度1.3×10-4emu/g；所述碳化硅晶体经过47Oe的磁场强度处理不超过1s后，所述碳化硅晶体在室温下的剩余磁化强度3.6×10-4emu/g。
可选地，所述P型掺杂离子为铝离子，所述碳化硅晶体的电阻率为0.0113Ω·cm-1-0.0328Ω·cm-1，所述铝离子掺杂浓度为5×1019cm-3～6.5×1020cm-3，空穴的浓度为9.26×1019cm-3。
优选地，所述P型掺杂离子为铝离子，所述碳化硅晶体的电阻率为0.02Ω·cm-1-0.0215Ω·cm-1，Al原子掺杂浓度为5.8×1020cm-3，空穴的浓度为2.32×1021cm-3。
可选地，所述碳化硅晶体中的螺位错密度小于100cm-2，基平面位错密度小于50cm-2，总位错密度小于1000cm-2。进一步地，所述碳化硅晶体中的螺位错密度小于50cm-2，基平面位错密度小于20cm-2，总位错密度小于100cm-2。更进一步地，所述碳化硅晶体中的螺位错密度小于10cm-2，基平面位错密度小于5cm-2，总位错密度小于20cm-2。
可选地，所述碳化硅晶体的厚度为10-40mm，晶体内剪切应力为2-6Mpa。可选地，自晶体边缘到晶体中心的应力线性变化，例如，自晶体边缘到晶体中心的应力自6Mpa线性变化至2Mpa。进一步地，所述碳化硅晶体的厚度为10-30mm，晶体内剪切应力为3-5Mpa。
可选地，P型掺杂剂的沸点低于碳化硅的沸点。
本申请中，“室温”，是指25℃±2℃。
根据本申请的又一个方面，提供了一种所述的铁磁性碳化硅晶体的制备方法，其包括下述步骤：
1)组装步骤：在原料腔内放置一个或多个碳化硅晶片，所述碳化硅晶片将所述原料腔分隔成若干个子原料腔，所述若干个子原料腔沿着靠近籽晶的方向排布，所述子原料腔内装填包含P型掺杂剂的原料，沿着靠近籽晶方向所述子原料腔内的P型掺杂剂的量增大；
2)长晶：使用步骤1)的装置进行长晶，制得粗碳化硅晶体；
3)调控空穴：将所述粗碳化硅晶体，采用快速降温或在长晶时掺入少量氮气制得目标数量的空穴，即制得所述的铁磁性碳化硅晶体。
优选地，P型掺杂剂的沸点低于碳化硅原料的沸点。碳化硅原料包括碳化硅粉料和碳化硅多晶。
具体的，P型掺杂剂本身具有相对较低的升华温度点，将碳化硅晶片放置于籽晶和原料(包括掺杂剂)之间，一方面通过碳化硅晶片调控升华气氛均匀性，原料包裹使得掺杂剂能更均匀高效的进入生长的铁磁性碳化硅晶体中；另一方面碳化硅晶片熔点相对包括掺杂剂的原料来说较高，通过分层次放置掺杂剂配合高温区位置的移动，实现缓控灵活获得所述铁磁性碳化硅晶体。
具体的，原料除含有掺杂剂之外还可以具有碳化硅粉料和/或碳化硅多晶，优选原料为掺杂剂和碳化硅粉料。
作为一种实施方式，所述步骤2)的长晶步骤包括下述工序：
a.真空除杂：将组装的长晶室装炉后，对炉体真空除杂；
b.形核：向炉体内通入氩气和/或氦气，使炉体快速升压至不低于500mbar，升压结束后，将温度升至形核点2200℃±20℃，稳定时间不低于1.5h；
c.生长及引入缺陷：将炉体内压力降至不低于30mbar，并在2300℃±70℃下稳定生长不低于50h，即制得粗碳化硅晶体。
可选地，在步骤a和步骤b之间还包括步骤a2.继续升温：将炉体温度升至1600℃，进行形核前准备。
以图1所示的3片碳化硅晶片的实施方式为了说明本申请的铁磁性碳化硅晶体的制备方法，但不限于3片碳化硅晶片。
作为一种实施方式，铁磁性碳化硅晶体的制备方法包括下述步骤：
1)组装步骤：采用中频感应加热方式进行长晶，加热之前将坩埚装配好，具体装配为采取分层装料方式，将沸点(分解点)为2200℃的Al4C3在上、中碳化硅晶片之间放置0.3g，中、下层之间放置0.6g；上碳化硅晶片、中碳化硅晶片、下碳化硅晶片的厚度依次为500μm、450μm、400μm；
2)长晶：
a.真空除杂：将炉膛真空抽至10-6mbar以下，然后通入高纯惰性气体至300-500mbar，重复此过程2-3次，最终将炉膛抽真空至10-6mbar以下；
b.形核：高温区在上片区域：升压至800mbar，温度控制在2200℃±20℃，预热软化籽晶生长面，稳定时间为2h；
c.生长及引入缺陷：
c1高温区在中片区域：温度控制在2250℃±20℃，上片及碳化硅原料分解，生长压力为500mbar，稳定时间为5h；
c2高温区在下片区域：温度控制在2300℃±20℃，生长压力为100mbar，稳定生长50h，生长结束后，关掉中频电源；
3)调控空穴：采取气体制冷方式快速降温，保留生长过程刚刚结束后的原始状态即拥有较多空穴，空穴与掺杂原子共同作用为碳化硅晶体具有铁磁性做出贡献。
具体的，步骤c1中，少剂量掺杂剂伴随分解组分经过一系列反应到达籽晶生长表面实现均匀掺杂。步骤c2中，控制较低的生长压力和较高的温度以满足原料分解至下片位置较大的驱动力；虽然步骤c2的压力较低和温度较高，但是碳化硅晶片同时作为原料，则Al4C3向上驱动力占比较低，能够实现在较高的温度下实现缓控掺杂。由于掺杂剂分解温度低于原料的分解温度，故轴向上掺杂试剂含量由少到多，通过生长温度曲线进行缓控释放。高温区初始位置位于上层碳化硅晶片位置，高温区通过移动坩埚与线圈位置调整，可以进一步提高制备的碳化硅晶体中掺杂的P型掺杂剂的均匀性。
作为一种实施方式，所述步骤3)的调控空穴步骤包括：生长结束粗碳化硅晶片温度降至目标温度1200-1300℃，向炉体的晶体生长室内通入低温惰性气体，此时具有较高温度的粗碳化硅晶体在冷气气氛下引入点缺陷，即制得所述的铁磁性碳化硅晶体。具体的，例如将粗碳化硅晶片自然冷却2h降至目标温度1200-1300℃；低温惰性气体的温度小于-5℃，优选-30℃。
可选地所述步骤3)的调控空穴步骤包括：在生长过程中通入少量氮气，引入浅能级能带结构增加空穴的浓度。作为一种实施方式，在步骤b形核结束后进入生长阶段引入缺陷步骤中，氮气作为气相组分，通入浓度为99.999％的氮气，流量为4sccm/min，通入时间为50-60h。氮原子进入晶格结构中，形成0.1eV的浅能级能带结构，与此同时原子尺寸的差异带来空穴数量的增加，调控晶体的铁磁性能。
该制备方法中的碳化硅晶片和原料的布置方式能够将掺杂剂均匀高效的掺杂进入铁磁性碳化硅晶体内。当长晶温度升至大于P型掺杂剂的熔点低于碳化硅熔点的范围时，P型掺杂剂气化均匀分布在子原料腔内；若子原料腔内的原料为碳化硅粉与P型掺杂剂混合，P型掺杂剂均匀的分散在碳化硅粉中和均匀渗透进入碳化硅晶片中；若子原料腔内只有P型掺杂剂则P型掺杂剂升华并渗透进入上方的碳化硅晶片均匀分散。再提高长晶温度至碳化硅衬底的升华温度，则均匀掺杂P型掺杂剂的原料碳化硅晶片和/或碳化硅粉升华至籽晶表面进行长晶。
本申请中的，原料腔内安装的碳化硅晶片可以为碳化硅单晶片或碳化硅多晶片，碳化硅晶片作为原料的一部分高温升华至原料腔内的顶部的籽晶表面进行长晶。
本申请中的碳化硅晶体的载流子浓度与空穴浓度相等，即测得载流子浓度即可知空穴浓度。
本申请的有益效果包括但不限于：
1.根据本申请的铁磁性碳化硅晶体，其为具有铁磁性的P型半导体碳化硅晶体，碳化硅晶体在经过磁场后能够在室温下达到较高的饱和磁化强度，以满足常温对半导体碳化硅晶体中的铁磁性强度需求
2.根据本申请的铁磁性碳化硅晶体，具有较小的剩余磁化强度，剩余磁化强度小证明能量损耗越小，碳化硅晶体制得的器件的磁电转化效率高。
3.根据本申请的铁磁性碳化硅晶体，其螺位错密度、基平面位错密度和总位错密度小。
4.根据本申请的铁磁性碳化硅晶体，其面型质量高，应力均匀。
5.根据本申请的铁磁性碳化硅晶体的制备方法，制得碳化硅晶体中掺杂的P型元素均匀。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本申请实施例涉及的组装的长晶室的示意图。
图2为本申请实施例1制备的铁磁性碳化硅晶体1#的磁化曲线。
图3为本申请实施例1制备的铁磁性碳化硅晶体1#的表面形态分析。
图4为本申请实施例1制备的铁磁性碳化硅晶体1#的XRD测试图。
图5为本申请实施例1制备的铁磁性碳化硅晶体1#的电阻率测试分布图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明，本申请的实施例中的原料和催化剂均通过商业途径购买。
本申请的实施例中分析方法如下：
利用Quantμm Design公司生产的综合性测量系统(PPMS)进行低温、强场条件下样品的电学、磁学、比热等性质的分析；
利用二次离子质谱分析(SIMS)进行晶体表面化学元素，其精度高达ppm量级的分析；
利用英国ACCENT公司生产的HL5500PC型号Hall测量仪进行电学性质的分析；
利用美国Bruke公司生产的Mulrμmode 8型号进行亚纳米尺度范围内样品表面形态的测试分析。
参考图1，坩埚1形成的原料腔内放置一个或多个碳化硅晶片2，碳化硅晶片1将原料腔分隔成若干个子原料腔，若干个子原料腔沿着靠近籽晶的方向排布，子原料腔内装填包含P型掺杂剂3的原料。在未示出的结构中，坩埚的顶部如坩埚盖下方安装籽晶，以使得升华的原料在籽晶表面进行长晶。
具体的，如图1所示坩埚1中放置上、中、下3个碳化硅晶片2，下碳化硅晶片可以直接放置在坩埚底壁上，碳化硅晶片与坩埚底壁之间不形成子原料腔，3个碳化硅晶片将原料腔分隔成2个子原料腔；或者下碳化硅晶片与坩埚底部之间形成一个子原料腔，3个碳化硅晶片将原料腔分隔成3个子原料腔。
实施例1
以图1所示的3片碳化硅晶片的实施方式为了说明本申请的铁磁性碳化硅晶体的制备方法，但不限于3片碳化硅晶片。
作为一种实施方式，铁磁性碳化硅晶体的制备方法包括下述步骤：
1)组装步骤：采用中频感应加热方式进行长晶，加热之前将坩埚装配好，具体装配为采取分层装料方式，将沸点(分解点)为2200℃的Al4C3在上、中碳化硅晶片之间放置0.3g，中、下层之间放置0.6g；上碳化硅晶片、中碳化硅晶片、下碳化硅晶片的厚度依次为500μm、450μm、400μm；
2)长晶：
a.真空除杂：将炉膛真空抽至10-6mbar以下，然后通入高纯惰性气体至300-500mbar，重复此过程2-3次，最终将炉膛抽真空至10-6mbar以下；
b.形核：高温区在上片区域：升压至800mbar，温度控制在2200℃±20℃，预热软化籽晶生长面，稳定时间为2h；
c.生长及引入缺陷：
c1高温区在中片区域：温度控制在2250℃±20℃，上片及碳化硅原料分解，生长压力为500mbar，稳定时间为5h；
c2高温区在下片区域：温度控制在2300℃±20℃，生长压力为100mbar，稳定生长50h，生长结束后，关掉中频电源，制得粗化硅晶体；
3)调控空穴：将粗碳化硅晶体自然冷却2h后，向炉体的晶体生长室内通入-30℃氩气降温至室温，即制得铁磁性碳化硅晶体1#。
通过快速降温的方式引入目标浓度的空穴，从而使得空穴与掺杂原子铝共同控制碳化硅晶体的铁磁性。
实施例2
本实施例与实施例1不同之处在于，调节原料中Al4C3的浓度分别测试制得的碳化硅晶体中掺杂的铝离子和产生的空穴的浓度不同，分别制得铁磁性碳化硅晶体2#-5#，对比铁磁性碳化硅晶体D1#-D2#，具体的见表1。
分别测试制得铁磁性碳化硅晶体1#-5#和对比铁磁性碳化硅晶体D1#-D2#的：磁化曲线(可判断是否为铁磁性，饱和磁化强度值)，SIMS测试铝离子浓度，Hall测试的载流子浓度，电阻率及其分布，和XRD。
以铁磁性碳化硅晶体1#的测试结果为例，进行说明本申请的铁磁性碳化硅晶体的性能：
图2为铁磁性碳化硅晶体1#的磁化曲线，由图2可知在室温下经过磁化后，其饱和磁化强度可达到0.085emu/g，撤去磁场后，磁畴迅速反转，剩余磁化强度为0.005emu/g。磁电转化效率非常高效，达到99.6％，可实现将半导体与磁性特性的充分结合；
图3为铁磁性碳化硅晶体1#的表面形貌测试所得位错腐蚀图，由图3可知，其位错缺陷总数为382个，TSD为16，TED为321，BPD为44，表现出超高品质；
图4为铁磁性碳化硅晶体1#的XRD测试图，由图4可知其半峰宽0.006，体现出良好的结晶质量，证明掺杂元素完全进入碳化硅晶体中；和
图5为铁磁性碳化硅晶体1#的电阻率测试分布图，由图5可知整体电阻率集中在0.0269-0.0428Ω·cm，除小面部分外，其余部分电阻拥有较高的一致性，在电学性能上体现出掺杂元素分布的均匀性。
表1
由表1可知1#晶体通过均匀调控掺杂技术，将掺杂浓度与空穴浓度之比控制在1:4比例，其具有室温下最高的饱和磁化强度0.085emu/g，剩余极化强度0.005emu/g，同时具有良好的电学性能。将半导体与自旋电子结合在一起，为进一步开发新型多功能集成电路奠定基础。
实施例3
本实施例制备铁磁性碳化硅晶体的方法与实施例1的不同之处在于：
3)调控空穴：在步骤c2生长20h后，开启氮气阀门控制流量为4sccm/min，均匀通入生长腔室30h直到长晶过程结束，即制得铁磁性碳化硅晶体6#。
由于氮气掺杂引入与碳化硅原子直径的差距从而进入空穴，引入空穴与掺杂原子共同作用为碳化硅晶体具有铁磁性做出贡献。
实施例4
本实施例制备铁磁性碳化硅晶体的方法与实施例1的不同之处在于：
将掺杂剂碳化铝替换成过渡金属碳化物：碳化钛，碳化钛沸点为1600℃，即制得铁磁性碳化硅晶体7#。
实施例5
以图1所示的3片碳化硅晶片的实施方式为了说明本申请的铁磁性碳化硅晶体的制备方法，但不限于3片碳化硅晶片。
铁磁性碳化硅晶体的制备方法包括下述步骤：
1)组装步骤：在原料腔内放置三个碳化硅晶片，碳化硅晶片将原料腔分隔成两个子原料腔，两个子原料腔沿着靠近籽晶的方向排布，子原料腔内装填碳化铝和碳化硅粉的原料，沿着靠近籽晶方向子原料腔内的碳化铝含量增大；
2)长晶：使用步骤1)的装置进行长晶，长晶步骤包括下述工序：
a.真空除杂：将组装的长晶室装炉后，对炉体真空升温；
a2.继续升温：将炉体温度升至1600℃，进行形核前准备；
b.形核：向炉体内通入惰性气体(优选氩气和氦气)，使炉体快速升压至700mbar，升压结束后，将温度升至形核点2200℃，稳定10h；
c.生长及引入缺陷：将炉体内压力降至30mbar，并在2300℃下稳定生长100h，即制得粗碳化硅晶体。
3)调控空穴：将粗碳化硅晶体，采用快速降温将粗碳化硅晶体自然冷却2h后，向炉体的晶体生长室内通入-30℃氩气降温至室温，即制得铁磁性碳化硅晶体8#。
对比例3
本实施例制备铁磁性碳化硅晶体的方法与实施例1的不同之处在于：
不进行步骤3)调控空穴的步骤，即制得铁磁性碳化硅晶体D3#。
掺杂过程中由于Al原子半径的差异导致晶体生长过程引发Si空位和C空位，为碳化硅晶体具有铁磁性做出贡献。
实施例6
分别测试制得铁磁性碳化硅晶体6#-8#和对比铁磁性碳化硅晶体D3#的：磁化曲线(可判断是否为铁磁性，饱和磁化强度值)，SIMS测试铝离子浓度，Hall测试的载流子浓度，电阻率及其分布，和XRD，部分测试结果如表2所示。
表2
由表2可知，铁磁性碳化硅晶体6#和1#引入的空穴的方式不同，但都可以实现铁磁性；铁磁性碳化硅晶体7#为使用其他金属Ti也可以实现碳化硅晶体的铁磁性；不调节线圈来改变制备过程中的温度场，制得的铁磁性碳化硅晶体8#的电阻率均匀性少差；不引入单独引入空穴制得的碳化晶体无铁磁性。
以上所述，仅为本申请的实施例而已，本申请的保护范围并不受这些具体实施例的限制，而是由本申请的权利要求书来确定。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的技术思想和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
- 上一篇：一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇：一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法