像素结构
阅读说明：本技术 像素结构 (Pixel structure ) 是由 方翼铭 于 2020-08-05 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种像素结构,其利用一共享电极设置于一像素电极的上方,该共享电极设置一第一狭缝,该第一狭缝具有一第一边缘及一第二边缘,该第一边缘与该第二边缘之间具有一第一宽度,该像素电极具有一第一像素边缘位于该第一边缘与该第二边缘之间,该第二边缘与该第一像素边缘之间具有一第二宽度,以该第一宽度大于等于该第二宽度,提升像素结构的光线穿透度。(The invention provides a pixel structure, which is arranged above a pixel electrode by utilizing a shared electrode, wherein the shared electrode is provided with a first slit, the first slit is provided with a first edge and a second edge, a first width is arranged between the first edge and the second edge, the pixel electrode is provided with a first pixel edge positioned between the first edge and the second edge, a second width is arranged between the second edge and the first pixel edge, and the light penetration degree of the pixel structure is improved by using the first width to be more than or equal to the second width.)
技术领域
本发明是关于一种像素结构，尤其指一种提升光线穿透度的面板像素结构。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，常简称为TFT-LCD)是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象质量，薄膜晶体管液晶显示器被统称为LCD，是一种主动式矩阵LCD，常被应用在电视、平面显示器及投影机上。
薄膜晶体管液晶显示器面板可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。当电流通过晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，藉以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定像素的明暗状态。此外，上层玻璃因与彩色滤光片贴合，形成每个像素各包含红蓝绿三颜色，这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了面板上的影像画面，薄膜晶体管液晶显示器面板使用的包含多种，其中使用边缘电场切换(FFS,Fringe Field Switching)广视角技术的产品越来越多，于未来的开发也将越趋于频繁。
边缘电场切换(FFS,Fringe Field Switching)广视角技术，又名为边界电场切换广视角技术，该广视角技术是由横向电场效应(IPS,In Plane Switching)显示技术延伸而来，其具有低耗电、高透光率、高亮度、反应快速、无色偏、高色彩还原性等特性；边缘电场切换广视角技术与传统的显示技术相比，具有驱动电压低、可视角角度较大、反应速度快、亮度较高等，与横向电场效应显示技术比较，边缘电场切换广视角技术较为省电，且具有穿透率、分辨率较高等优点。
然而，习知技术于改善边缘电场切换(FFS)广视角技术显示器在像素电极对应电极狭缝的位置上未有过较为详细以及整体的研究，但在先前的设计概念虽然有疑虑但无此项规范，故在面板光学上因出光不均产生的光斑问题(Mura)所产生的穿透度不足，其持续的影响面板厂商终端产品的效能表现以及信赖性，因此面板产业界急需一种可提升光线穿透度的面板像素结构设计。
有鉴于上述习知技术的问题，本发明提供一种像素结构，其将像素电极的边缘设置于共用电极的狭缝内侧，该狭缝具有第一宽度，该像素电极的边缘与该狭缝的边缘具有第二宽度，该第一宽度大于等于该第二宽度，以此结构提供提升光线穿透度的设计。
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发明内容
】本发明的一目的在于提供一种像素结构，其将像素电极的边缘设置于共用电极的狭缝内侧，该共用电极的狭缝具有第一宽度，而该像素电极的边缘与该狭缝的边缘具有第二宽度，其中该第一宽度大于等于该第二宽度，以此结构提升光线穿透度。
为达到上述所指称的各目的与功效，本发明提供一种像素结构，其包含：一基板、一第一数据线、一第二数据线、一像素电极以及一共用电极，该第一数据线设置于该基板的一表面上，该第二数据线对应该第一数据线设置于该基板的该表面上，该像素电极设置于该基板的该表面上，并位于该第一数据线与该第二数据线之间，该共用电极设置于该像素电极的一上方，该共用电极设置一第一狭缝，该第一狭缝位于该第一数据线的一侧；其中，该第一狭缝具有靠近该第一数据线的一第一边缘及远离该第一数据线的一第二边缘，且该第一边缘与该第二边缘之间具有一第一宽度，该像素电极具有一第一像素边缘位于该第一边缘与该第二边缘之间，该第二边缘与该第一像素边缘之间具有一第二宽度，该第一宽度大于等于该第二宽度；利用此结构减少面板，因制程偏移或设上的误差所产生的穿透率下降的问题。
本发明的一实施例中，其中该第二宽度除以该第一宽度的百分比大于等于45％并小于等于100％。
本发明的一实施例中，其中该第一宽度大于等于2μm，且小于等于8μm。
本发明的一实施例中，其中该共用电极更设置一第二狭缝，该第二狭缝设置于该第一狭缝与该第二数据线之间。
本发明的一实施例中，其中该第二狭缝具有靠近该第二数据线的一第三边缘及远离该第二数据线的一第四边缘，且该第三边缘与该第四边缘之间具有一第三宽度，该像素电极具有一第二像素边缘位于该第三边缘与该第四边缘之间，该第四边缘至该第二像素边缘之间具有一第四宽度，该第三宽度大于等于该第四宽度。
本发明的一实施例中，其中该第四宽度除以该第三宽度的百分比大于等于45％并小于等于100％。
本发明的一实施例中，其中该共用电极更设置至少一中间狭缝，该至少一中间狭缝设置于该第一狭缝与该第二狭缝之间。
本发明的一实施例中，其中该第三宽度大于等于2μm，且小于等于8μm。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种像素结构，其将像素电极的边缘设置于共用电极的狭缝内侧，该共用电极的狭缝具有第一宽度，而该像素电极的边缘与该狭缝的边缘具有第二宽度，其中该第一宽度大于等于该第二宽度，以此结构提升光线穿透度。
为达到上述所指称的各目的与功效，本发明提供一种像素结构，其包含：一基板、一第一数据线、一第二数据线、一像素电极以及一共用电极，该第一数据线设置于该基板的一表面上，该第二数据线对应该第一数据线设置于该基板的该表面上，该像素电极设置于该基板的该表面上，并位于该第一数据线与该第二数据线之间，该共用电极设置于该像素电极的一上方，该共用电极设置一第一狭缝，该第一狭缝位于该第一数据线的一侧；其中，该第一狭缝具有靠近该第一数据线的一第一边缘及远离该第一数据线的一第二边缘，且该第一边缘与该第二边缘之间具有一第一宽度，该像素电极具有一第一像素边缘位于该第一边缘与该第二边缘之间，该第二边缘与该第一像素边缘之间具有一第二宽度，该第一宽度大于等于该第二宽度；利用此结构减少面板，因制程偏移或设上的误差所产生的穿透率下降的问题。
本发明的一实施例中，其中该第二宽度除以该第一宽度的百分比大于等于45％并小于等于100％。
本发明的一实施例中，其中该第一宽度大于等于2μm，且小于等于8μm。
本发明的一实施例中，其中该共用电极更设置一第二狭缝，该第二狭缝设置于该第一狭缝与该第二数据线之间。
本发明的一实施例中，其中该第二狭缝具有靠近该第二数据线的一第三边缘及远离该第二数据线的一第四边缘，且该第三边缘与该第四边缘之间具有一第三宽度，该像素电极具有一第二像素边缘位于该第三边缘与该第四边缘之间，该第四边缘至该第二像素边缘之间具有一第四宽度，该第三宽度大于等于该第四宽度。
本发明的一实施例中，其中该第四宽度除以该第三宽度的百分比大于等于45％并小于等于100％。
本发明的一实施例中，其中该共用电极更设置至少一中间狭缝，该至少一中间狭缝设置于该第一狭缝与该第二狭缝之间。
本发明的一实施例中，其中该第三宽度大于等于2μm，且小于等于8μm。
附图说明
图1：其为本发明的实施例的结构示意图；
图2：其为本发明的实施例的第一狭缝结构放大示意图；
图3：其为本发明的实施例的宽度与穿透度变化示意图；
图4：其为本发明的实施例的其他结构示意图；以及
图5：其为本发明的实施例的第二狭缝结构放大示意图。
【图号对照说明】
1 像素结构
10 基板
12 表面
20 第一数据线
30 第二数据线
40 像素电极
402 第一像素边缘
404 第二像素边缘
50 共用电极
52 第一狭缝
522 第一边缘
524 第二边缘
54 第二狭缝
542 第三边缘
544 第四边缘
56 中间狭缝
W1 第一宽度
W2 第二宽度
W3 第三宽度
W4 第四宽度
具体实施方式
为了使本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：
本发明提供一种像素结构，其将一像素电极的一第一像素边缘设置于一共用电极的一第一狭缝内侧，该第一狭缝具有一第一宽度，该第一像素边缘与该第一狭缝的边缘具有一第二宽度，该第一宽度大于等于该第二宽度，以此结构解决习知面板光线穿透度不足的问题。
请参阅图1，其为本发明的实施例的结构示意图，如图所示，其为一种像素结构1，其包含一基板10、一第一数据线20、一第二数据线30、一像素电极40以及一共用电极50；其中，该基板10的一表面12上设置该第一数据线20、该第二数据线30及该像素电极40，其更可将该第一数据线20、该第二数据线30、一像素电极40以及一共用电极50，复数设置并间隔排列，以形成整体面板结构；于本实施例中，该像素结构1为边缘电场切换(FFS)的显示面板。
再次参阅图1，如图所示，本实施例中，该第一数据线20设置于该基板10的该表面12上，该第二数据线30对应该第一数据线20的位置设置于该基板10的该表面12上，使其二者互相对称，该像素电极40设置于该基板10的该表面12上，并位于该第一数据线20与该第二数据线30之间，而该共用电极50设置于该像素电极40的一上方，该共用电极50设置一第一狭缝52对应该像素电极40的位置，该第一狭缝52位于该第一数据线20的一侧，其为该共用电极50最靠近该第一数据线20的狭缝，该第一狭缝52具有靠近该第一数据线20的一第一边缘522及远离该第一数据线20的一第二边缘524，即该第二边缘524相较该第一边缘522靠近该第二数据线30。
再次参阅图1及图2，图2为本发明的实施例的第一狭缝结构放大示意图，如图所示，于本实施例中，该第一边缘522与该第二边缘524之间具有一第一宽度W1，而该像素电极40靠近该第一数据线20的一侧具有一第一像素边缘402，该第一像素边缘402位于该第一边缘522与该第二边缘524之间，该第二边缘524与该第一像素边缘402之间具有一第二宽度W2，习知的显示面板因为制成过程中会有该像素电极40或该共用电极50，于制程中偏移，产生面板于显示上有所瑕疵，因此为了防止该像素电极40或该共用电极50的位置偏移，而影响面板于显示质量，本实施例更定义该第一宽度W1大于等于该第二宽度W2；其中，该第一狭缝52的该第一宽度W1可为大于等于2μm，且小于等于8μm。
请参阅图3，其为本发明的实施例的宽度与穿透度变化示意图，如图所示，习知的显示面板因为制成过程中会有该像素电极40或该共用电极50，于制程中偏移，产生面板于显示上有所瑕疵，因此为了防止该像素电极40或该共用电极50的位置偏移，而影响面板于显示质量，本实施例，更定义该像素电极40与该共用电极50的边缘关系，为取得有效数据以及信息，本实施例以3μm的该第一宽度W1做为标准进行分析，如图3所示，该像素电极40于该第一狭缝52的光线穿透率为T％，而该第二宽度W2除以该第一宽度W1的百分比为S％，即式(一)：如图所示，当S％于45％时，其穿透率T％约为93％，达到人眼难以分辨差异的光线穿透率，而当S％于100％时，穿透率T％开始些微下降并呈现趋缓，由此可知于一实施例中，该第二宽度W2除以该第一宽度W1的百分比大于等于45％并小于等于100％时，其可达到较佳的功效，再参阅图示，当S％于70％时，其穿透率T％可达到接近100％，因此于另一实施例中，该第二宽度W2除以该第一宽度W1的百分比大于等于70％并小于等于100％，其可达到更佳的功效。
本实施例将该像素电极40的该第一像素边缘402设置于该共用电极50设置的该第一狭缝52两边缘之间，使该第一狭缝52具有的该第一宽度W1，该第一像素边缘402与该第一狭缝52的该第二边缘524具有该第二宽度W2，以该第一宽度W1大于等于该第二宽度W2，提升光线穿透度，以及减少出光不均的问题，从而提升面板的显示质量。
请参阅图4，其为本发明的实施例的其他结构示意图，如图所示，本实施例基于上述实施例的结构，更于该共用电极50设置一第二狭缝54，该第二狭缝54设置于该第一狭缝52与该第二数据线30之间，该第二狭缝54位于该第二数据线30的一侧，其为该共用电极50最靠近该第二数据线30的狭缝，该第二狭缝54具有靠近该第二数据线30的一第三边缘542及远离该第二数据线30的一第四边缘544，即该第三边缘544相较该第四边缘542靠近该第一数据线20。
再次参阅图4及图5，图5为本发明的实施例的第二狭缝结构放大示意图，如图所示，于本实施例中，该第三边缘542与该第四边缘544之间具有一第三宽度W3，而该像素电极40靠近该第二数据线30的一侧具有一第二像素边缘404，该第二像素边缘404位于该第三边缘542与该第四边缘544之间，该第四边缘544与该第二像素边缘404之间具有一第四宽度W4，与该第一狭缝52及该像素电极40的关系相同，该第二狭缝54的该第三宽度W3大于等于该第四宽度W4；于本实施例中，该第三宽度W3可为大于等于2μm，且小于等于8μm。
接续上述，于本实施例中，该第三宽度W3与该第四宽度W4的关系与上述该第一狭缝52的实施例对应，其为该第三宽度W3对应该第一宽度W1，该第四宽度W4对应该第二宽度W2，如图3所示，该第四宽度W4除以该第三宽度W3的百分比为S％，即式(二)：该第二狭缝54与该第二像素边缘404的宽度及光线穿透率的关系，与上述该第一狭缝52的实施例相同，故不再赘述。
接续上述，于本实施例中，该第一狭缝52的该第一宽度W1与该第二狭缝54的该第三宽度W3可相同或相异，例如该第一宽度W1为3μm，该第三宽度W3为4μm，或该第一宽度W1与该第三宽度W3皆为5μm，本发明不在此限制。
接续上述，于本实施例中，该共用电极50更设置至少一中间狭缝56，该至少一中间狭缝56设置于该第一狭缝52与该第二狭缝54之间，该至少一中间狭缝56可随面板的设计增加其数目，本实施例以一个中间狭缝56为举例，本发明不在此限制；其中，本实施例的该至少一中间狭缝56为光线从该像素电极40穿过该共用电极50的主要区域，即该像素结构1的主要光线穿透来源。
综上所述，本发明根据未来使用边缘电场切换(FFS,Fringe Field Switching)广视角技术的产品越来越多，市场普及越趋于平凡，分辨率也不断加大，因此于面板的设计中，针对后续边缘电场切换广视角技术的产品定义更为详细的设计规范，用以避免工厂制程偏移或是设计上所造成的穿透下降的问题，即本发明提供的一种像素结构，其将像素电极的边缘设置于共用电极包含的靠近数据线的狭缝内侧，以定义该共用电极的狭缝具有的第一宽度，与该像素电极的边缘与该狭缝的边缘具有的第二宽度提升光线穿透度，解决习知面板因出光不均(Mura)而产生光线穿透度不足的问题。
上文仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。
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