具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

在显示面板的制备过程中，在将玻璃基板与面板分离后，需要在面板的上方与下方分别贴附保护膜，以保护显示面板。如背景技术中所述，贴附保护膜时容易产生气泡，进行切割开孔后会导致显示面板的显示效果降低，或者导致显示面板阻隔水氧的能力降低。

下面结合附图，对本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

本申请实施例提供了一种显示基板。参见图1和图2，所述显示基板100包括显示区101、隔离区102、周边区103及开孔104，所述隔离区102邻接所述显示区101与所述周边区103，所述周边区103环绕所述开孔104且与所述开孔104邻接；所述显示区101环绕所述开孔104。

参见图3至图9B，所述显示基板100包括衬底10，所述衬底10上形成有开孔区域111，所述开孔104在衬底10上的正投影与所述开孔区域111与重合。所述衬底10的一侧形成有隔离柱，所述隔离柱位于所述隔离区102，所述隔离区102还设有位于所述隔离柱背离所述衬底10一侧的第一无机结构。所述周边区103设有结构层，所述结构层形成于所述衬底10上，结构层30包括第一有机结构及位于第一有机结构背离所述衬底10一侧的第二无机结构，第一无机结构与第二无机结构用于封装。

本申请实施例提供的显示基板，周边区103的结构层30形成于衬底10上且包括由第一有机结构及第二无机结构，使得结构层30的厚度较大，进而使周边区103与隔离区102的段差较小，在贴附保护膜时不易产生气泡或者产生的气泡较小，可改善在切割开孔时气泡进入到与开孔104相邻的膜层之间而导致膜层剥离，进而使显示基板100阻隔水氧的性能降低的问题，有助于提升显示基板100的使用寿命；同时也可改善由于气泡进入到显示区的膜层之间而导致显示区的显示效果降低的问题。

在一个实施例中，参见图2，显示基板100还包括走线区105及内侧隔离区106，走线区105邻接显示区101与内侧隔离区106，内侧隔离区106邻接隔离区102。走线区105设有走线。内侧隔离区106设有多个内侧隔离柱61，内侧隔离柱61用于隔断有机发光材料，进一步提升显示基板100的阻隔水氧的性能。其中本申请实施例对内侧隔离柱61的数量不做限定。

在一个实施例中，所述衬底10的一侧形成有隔离柱，指的是隔离柱位于衬底10上，或者隔离柱与衬底10一体形成。图3至图9A所示的实施例中，隔离柱位于衬底10上。图9B所示的实施例中，隔离柱20与衬底10一体形成，通过在衬底10上开设凹槽来形成隔离柱20。

在一个实施例中，在所述衬底10的延伸方向上，所述隔离区102的尺寸与所述周边区103的尺寸的比值范围为1～5。在衬底10的延伸方向上，隔离区102的尺寸与周边区103的尺寸的比值例如可以是1、2、3、4或5等。

在一个实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，所述第一有机结构31的尺寸与所述第二无机结构32的尺寸的比值范围为1～3。在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一有机结构31的尺寸与第二无机结构32的尺寸的比值例如可以是1、2、3等。

在一个实施例中，在所述衬底10的延伸方向上，周边区103的尺寸范围为10μm～100μm。在衬底10的延伸方向上，周边区103的尺寸例如为10μm、30μm、50μm、70μm、100μm等。

在一个实施例中，所述结构层30的第一有机结构的透光率大于或等于90％。结构层30的第一有机结构的透光率例如为90％、92％、95％、97％、99％等。

在一个实施例中，衬底10包括柔性基体层、阻挡层及缓冲层。柔性基体层的材料可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)及PC(聚碳酸酯)中的一种或多种。在一些实施例中，如图4所示，衬底10可包括柔性基体层112、位于柔性基体层112一侧的第一阻挡层113、位于阻挡层113背离柔性基体层112一侧的柔性基体层114、位于柔性基体层114背离阻挡层113一侧的第二阻挡层、以及位于第二阻挡层背离柔性基体层114一侧的缓冲层。或者，衬底10也可仅包括柔性基体层。图4所示的实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第二阻挡层的尺寸范围为5000埃～6000埃，缓冲层的尺寸范围为3500埃～4500埃。在一些实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第二阻挡层的尺寸为5500埃，缓冲层的尺寸为4000埃。

在一个实施例中，参见图3，所述显示基板100包括位于所述显示区101的像素电路层及位于像素电路层背离衬底10一侧的发光单元60。

像素电路层包括薄膜晶体管70和电容82。薄膜晶体管70包括有源层71、栅电极72、源电极73和漏电极74。源电极73与漏电极74分别包括第四金属层731、位于所述第四金属层731背离所述衬底10一侧的第五金属层732、及位于所述第五金属层732背离所述衬底10一侧的第六金属层733。电容82包括第一极板821及位于第一极板821背离衬底10一侧的第二极板822。第一极板821与栅电极72可同层设置。

发光单元60包括位于所述像素电路层背离衬底10一侧的第一电极层59、位于所述第一电极层59背离所述衬底10一侧的有机发光材料层57、及位于所述有机发光材料层57背离所述衬底10一侧的第二电极层58。第一电极层59可以是阳极，第二电极层58可以是阴极。

显示基板100还可包括栅极绝缘层51、电容绝缘层52、层间介质层53、钝化层54、平坦化层55、像素限定层56及封装层81。

栅极绝缘层51位于有源层71与栅电极72之间，电容绝缘层52位于栅电极72与第二极板822之间，层间介质层53位于第二极板822背离衬底10的一侧。栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53上设有穿透栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53的通孔，源电极73及漏电极74分别通过通孔与有源层71电连接。

栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53至少位于显示区101与隔离区102。栅极绝缘层51也可位于周边区103，或者栅极绝缘层51与电容绝缘层52可位于周边区103，或者栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53位于周边区103。栅极绝缘层51位于周边区103，电容绝缘层52及层间介质层53未设置在周边区103时，或者栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53均未设置在周边区103时，周边区103的无机层较少，有助于在进行切割开孔时减小产生的裂纹，减小裂纹延伸至显示区101的几率，可提升显示基板100的良率。

钝化层54位于显示区101，钝化层54位于层间介质层53背离衬底10的一侧。平坦化层55位于显示区101，平坦化层55位于钝化层54背离衬底10的一侧。平坦化层55与钝化层54上设有穿透平坦化层55与钝化层54的接触孔，第一电极层59位于平坦化层55背离衬底10的一侧，第一电极层59通过接触孔与漏极74电连接。

像素限定层56位于显示区101，像素限定层56位于第一电极层59背离衬底10的一侧，像素限定层56上设有像素开口，像素开口暴露部分第一电极层59，有机发光材料层57部分位于像素开口内。

封装层81包括第一无机材料层811、位于第一无机材料层811背离衬底10一侧的有机材料层812及位于有机材料层812背离衬底10一侧的第二无机材料813。第一无机材料层811位于第二电极层58背离衬底10的一侧。第一无机材料层811位于显示区101、隔离区102及周边区103，有机材料层812至少部分位于显示区101，第二无机材料层813至少部分位于显示区101、隔离区102及周边区103。在与所述衬底的延伸方向垂直的方向上，第一无机材料层811的尺寸及第二无机材料层813的尺寸分别小于有机材料层812的尺寸。

在一个实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一无机材料层811与第二无机材料层813的尺寸范围为0.5μm～2μm。在一些实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一无机材料层811的尺寸为1.0μm，第二无机材料层813的尺寸为0.7μm。

在一个实施例中，所述隔离区102设有至少两圈围绕所述周边区103设置的所述隔离柱20。参见图4至图9，所述隔离区102还设有钝化保护层27，所述钝化保护层27与靠近所述周边区103的隔离柱20搭接。钝化保护层27可提升隔离区102阻隔水氧的能力，改善封装失效的问题。靠近所述周边区103的隔离柱20指的是与周边区103距离最近的隔离柱。图示实施例中，隔离区102设有四圈环绕周边区103设置的隔离柱20。在其他实施例中，隔离区102中隔离柱20的数量可不同于四个，例如可以是五个、七个等。

在一个实施例中，在衬底10的延伸方向上，相邻两个隔离柱20之间的距离范围为8μm～10μm。一个示例性实施例中，相邻两个隔离柱20之间的距离为9.2μm。

在一个实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，钝化保护层27的尺寸范围为2000埃～3000埃。一个示例性实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，钝化保护层27的尺寸为2500埃。

在一个实施例中，钝化保护层27与位于显示区101的钝化层54的材料相同。钝化保护层27与钝化层54的材料为无机材料，例如为氧化硅、氮化硅等。

进一步地，钝化保护层27与钝化层54在一次构图工艺中形成。如此设置，钝化保护层27与钝化层54在同一工艺步骤中形成，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，所述钝化保护层27包覆靠近所述周边区103的隔离柱20的至少部分顶壁及侧壁，且覆盖靠近所述周边区103的隔离柱20与所述周边区103之间的区域。

在一个实施例中，所述隔离区102还设有第二有机结构25，所述第二有机结构25与所述钝化保护层27搭接。第二有机结构25的设置有助于提升靠近周边区103的隔离柱20与周边区103之间的区域的高度，减小该区域与隔离柱20之间的段差，从而有助于避免贴附保护膜时在该区域产生气泡。

在一个实施例中，所述隔离区102还设有位于所述隔离柱20背离所述衬底10一侧的有机发光结构26及位于有机发光结构26背离衬底10一侧的电极材料291，第一无机结构24位于所述电极材料291背离所述衬底10一侧。有机发光结构26位于第二有机结构25背离衬底10的一侧时，所述第一无机结构24与电极材料291接触。第二有机结构25位于电极材料291与第一无机结构24之间时，电极材料291与第一无机结构24均接触。第一无机结构24可防止空气中的水氧入侵。

其中，有机发光结构26与显示区101的有机发光材料层57在同一工艺步骤中形成。有机发光结构26与有机发光材料层57包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层与空穴传输层中的至少一层。第一无机结构24包括第一无机膜241及位于所述第一无机膜241背离衬底10一侧的第二无机膜242。第一无机膜241为第一无机材料层811位于隔离区102的一部分，第二无机膜242为第二无材料层813位于隔离区102的一部分。

在一个实施例中，所述隔离区102至少存在一个位置，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，所述第二有机结构25的尺寸小于所述第一无机结构24的尺寸。

在一个实施例中，所述隔离区102还设有挡墙，所述挡墙位于所述隔离柱20靠近所述显示区101的一侧。隔离区102的挡墙可包括第一挡墙22及位于第一挡墙22远离显示区101一侧的第二挡墙23，第一挡墙22和第二挡墙23位于层间介质层53背离衬底10的一侧。第一挡墙22背离衬底10一侧的表面到衬底10的距离小于第二挡墙23背离衬底10一侧的表面到衬底10的距离。第二挡墙23包括形成于层间介质层53背离衬底10一侧的第三隔垫部231及位于第三隔垫部231背离衬底10一侧的第四隔垫部232。

在一个实施例中，第三隔垫部231与平坦化层55材料相同。进一步地，第三隔垫部231与平坦化层55在一次构图工艺中形成。如此，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，第四隔垫部232、第一挡墙22及像素限定层56材料相同。进一步地，第四隔垫部232、第一挡墙22及像素限定层56在一次构图工艺中形成。如此，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，有机发光结构26与电极材料291在隔离柱20的侧壁处均断开。也即是，有机发光结构26与电极材料291在隔离柱20的侧壁处不连续。有机发光结构26在隔离柱20的侧壁处不连续，截断了空气中的水氧顺着有机发光材料进入显示区101的通路，避免空气中的水氧通过有机发光结构26进入到显示区101。

在一个实施例中，有机发光结构26与电极材料291在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处不断开。图中所示的实施例中，有机发光结构26包括位于第一挡墙22背离衬底10的一侧的有机发光材料、位于第二挡墙23背离衬底10的一侧的有机发光材料、位于第一挡墙22的侧壁与第二挡墙23的侧壁的有机发光材料、位于第一挡墙22与第二挡墙23之间的区域的有机发光材料、位于第二挡墙23与靠近第二挡墙23的隔离柱20之间的有机发光材料、以及相邻两个隔离柱之间的区域的有机发光材料。也即是，有机发光结构26在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处连续。电极材料291在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处连续。在其他实施例中，有机发光结构26与电极材料291在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处可断开。一般来说，第一挡墙22与第二挡墙23的坡度较小时，有机发光结构26与电极材料291在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处可不断开；第一挡墙22与第二挡墙23的坡度较大时，有机发光结构26与电极材料291在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处可断开。

在一个实施例中，所述隔离柱20包括形成于所述衬底10一侧的第一膜层211、位于所述第一膜层211背离所述衬底10一侧的第二膜层212、位于所述第二膜层212背离所述衬底10一侧的第一金属层213、位于第一金属层213背离所述衬底10一侧的第二金属层214及位于第二金属层214背离所述衬底10一侧的第三金属层215。

所述第二金属层214在所述衬底10上的正投影的外边界位于所述第一金属层213与所述第三金属层215在所述衬底10上的正投影的外边界内侧，以在所述隔离柱20的侧壁形成凹槽。所述第一膜层211环绕所述开孔104，所述第一金属层213与所述第三金属层215在所述衬底10上的正投影位于所述第一膜层211在所述衬底10上的正投影中。所述第二膜层212环绕所述开孔104，所述第一金属层213与所述第三金属层215在所述衬底10上的正投影均位于所述第二膜层212在所述衬底10上的正投影中。位于隔离区102的有机发光材料在隔离柱20的凹槽处断开，使得有机发光结构26在隔离柱20的侧壁处不连续，截断了空气中的水氧顺着有机发光材料进入显示区的通路，避免空气中的水氧通过有机发光结构26进入到显示区101，有助于提升显示基板100的使用寿命。第一膜层211与第二膜层212用于增大隔离柱20的高度，还能缓解在切割开孔过程中衬底10产生裂纹。

进一步地，所述第一膜层211、所述第一极板821及所述栅电极72同层设置，所述第二膜层212与所述第二极板822同层设置。如此，第一膜层211、第一极板821与栅电极72可在同一构图工艺中形成，第二膜层212与第二极板822可在同一构图工艺中形成，有助于简化制备工艺。

所述漏电极74与所述源电极73均包括第四金属层731、位于所述第四金属层731背离所述衬底10一侧的第五金属层732、及位于所述第五金属层732背离所述衬底10一侧的第六金属层733；所述第一金属层213和所述第四金属层731同层设置，所述第二金属层214和所述第五金属层732同层设置，所述第三金属层215和所述第六金属层733同层设置。所述第一金属层213与所述第三金属层215的材料可为钛，所述第二金属层214的材料可为铝。

在一个实施例中，在衬底10的延伸方向上，隔离柱20的尺寸范围为3μm～9μm。一个示例性实施例中，在衬底10的延伸方向上，隔离柱20的第三金属层215的尺寸为4.8μm。

在一个实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一金属层213、第二金属层214及第三金属层215的尺寸之和的范围为5000埃～7000埃。一个示例性实施例中，在与所述衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一金属层213、第二金属层214及第三金属层215的尺寸之和为6550埃，其中，第一金属层213的尺寸为550埃，第二金属层214的尺寸为5500埃，第三金属层215的尺寸为550埃。在一个实施例中，所述结构层30还包括位于所述衬底10上的有机发光材料32及电极结构35。其中，第一有机结构31与第二无机结构33绝缘。所述有机发光材料32位于所述第一有机结构31背离所述衬底10的一侧，所述电极结构35位于所述有机发光材料32背离所述衬底10的一侧，所述第二无机结构33位于所述电极结构35背离所述衬底10的一侧；或者，所述电极结构35位于所述有机发光材料32背离所述衬底10的一侧，所述第一有机结构31位于所述电极结构35背离所述衬底10的一侧，所述第二无机结构33位于所述第一有机结构31背离所述衬底10的一侧。结构层30包括四种不同的材料，更有助于降低周边区103与隔离区102的段差。有机发光材料32包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层与空穴传输层中的至少一层。

在一个实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一有机结构31的尺寸范围为2μm～4μm。一个示例性实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一有机结构31的尺寸可为2.35μm。在一个实施例中，电极结构35、电极材料291及第二电极层58同层设置，在同一工艺步骤中形成。

在一个实施例中，位于显示区101的有机发光材料层57、位于隔离区102的有机发光结构26及结构层30的有机发光材料32同层设置，在同一工艺步骤中形成。

在一个实施例中，所述第一有机结构31环绕所述开孔且连续不间断。如此设置，在贴附保护膜时，周边区103各个区域与隔离区102的段差均较小，更有助于避免贴附保护膜时产生气泡。

在另一个实施例中，所述第一有机结构31环绕所述开孔104存在间隔。如此，第一有机结构31可减小贴附保护膜时产生的气泡的大小，有利于在后续脱泡处理过程中将气泡脱除。

在一个实施例中，所述第一有机结构31与所述平坦化层55材料相同。

进一步地，参见图3和图5，所述有机发光材料32位于所述第一有机结构31背离所述衬底10的一侧，所述第一有机结构31与所述平坦化层55在一次构图工艺中形成。如此，第一有机结构31与平坦化层55可在同一工艺步骤中形成，有助于简化制备工艺。在其他实施例中，第一有机结构31与平坦化层55也可不在同一工艺步骤中形成。

在另一个实施例中，所述第一有机结构31与所述像素限定层56材料相同。

进一步地，参见图6和图7，所述有机发光材料32位于所述第一有机结构31背离所述衬底10的一侧，所述第一有机结构31与所述像素限定层56在一次构图工艺中形成。如此，第一有机结构31与像素限定层56可在同一工艺步骤中形成，有助于简化制备工艺。在其他实施例中，第一有机结构31与像素限定层56也可不在同一工艺步骤中形成。

在再一个实施例中，参见图8和图9，第一有机结构31位于有机发光材料32背离衬底10的一侧。第一有机结构31可通过单独的工艺步骤形成，便于控制第一有机结构31的高度，更有助于减小周边区103与隔离区102的段差。第一有机结构31可与平坦化层55或像素限定层56材料相同，也可以与有机发光材料层57的材料相同。

在一个实施例中，所述隔离区102的第二有机结构25与所述第一有机结构31连续且同层设置。第二有机结构25与第一有机结构31可在一次构图工艺中形成。如此设置，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，隔离柱20位于衬底10上，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一有机结构31的尺寸大于第二有机结构25的尺寸。进一步地，沿开孔104指向显示区101的方向上，第一有机结构31的尺寸逐渐降低，第二有机结构25的尺寸逐渐降低，且第一有机结构31的最小尺寸大于第二有机结构25的最大尺寸。如此设置，更有利于减小隔离区102邻接周边区103的区域与周边区103的段差、以及切割开孔前位于开孔104中的膜层与周边区103的段差。在其他实施例中，隔离柱20与衬底10一体形成时，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一有机结构31的尺寸小于第二有机结构25的尺寸。

在一个实施例中，所述第二无机结构33包括第三无机膜331及位于所述第三无机膜331上的第四无机膜332；所述第三无机膜331与所述第一无机膜241同层设置；所述第四无机膜332与所述第二无机膜242同层设置。第三无机膜331为第一无机材料层811位于周边区103的部分，第四无机膜332为第二无机材料层813位于周边区103的部分。

在一个实施例中，所述开孔104暴露所述结构层30的各膜层的侧壁。也即是，开孔104暴露结构层30的第一有机结构31的侧壁、有机发光材料32的侧壁及第二无机结构33的侧壁。

在一个实施例中，所述结构层30的各膜层的侧壁齐平。也即是结构层30的第一有机结构31的侧壁、有机发光材料32的侧壁及第二无机结构33的侧壁齐平。结构层30为切割开孔过程中留下的膜层，因此结构层30的各膜层的侧壁齐平。

在一个实施例中，所述结构层30背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离与位于所述隔离柱20上方的所述第一无机结构24背离所述衬底10的表面到所述衬底10的最大距离的差值范围为[-1μm，1μm]。如此设置，周边区103与隔离区102的段差较小，更有助于避免在贴附保护膜时产生气泡或减小产生的气泡的体积。所述结构层30背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离与所述第一无机结构24背离所述衬底10的表面到所述衬底10的最大距离的差值例如可以是-1μm、-0.8μm、-0.5μm、-0.2μm、0μm、0.2μm、0.5μm、0.7μm、1.0μm等。

在一些实施例中，所述结构层30背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离与所述第一无机结构24背离所述衬底10的表面到所述衬底10的最大距离的差值为零，也即是结构层30背离所述衬底10的表面与第一无机结构24背离所述衬底10的表面齐平。如此，在贴附保护膜时周边区103几乎不会产生气泡，更有助于改善显示基板的封装性能及显示效果。

图3至图9所示的实施例中显示基板的薄膜晶体管包括单层信号走线，在其他实施例中，显示基板的薄膜晶体管可包括双层信号走线，其中隔离柱可与任一层信号走线同步形成。

图3至图9所示的实施例中隔离柱与薄膜晶体管的信号走线同时形成，在其他实施例中，隔离柱也可与其他膜层同步形成。参见图9A，隔离柱20’包括平坦化材料层55’及位于平坦化材料层55’背离衬底10一侧的材料层27’。平坦化材料层55’与材料层27’的刻蚀选择比不同，相邻隔离柱20’之间形成有贯穿材料层27’及部分平化材料层55’的隔离槽51’，隔离槽51’的槽口在所述衬底的正投影位于所述隔离槽51’在所述衬底的正投影的内部，也即是隔离柱20’的侧壁形成凹陷结构，从而有机发光材料26’与电极材料291’在隔离柱20’的侧壁断开。第一无机结构24’的第一无机膜241’及第二无机膜242’在隔离柱20’的侧壁处不断开。材料层27’的材料可与显示区中钝化层的材料相同，材料层27’通过额外的工艺步骤形成。或者，材料层27’可与显示区中第一电极层同时形成。

在一个实施例中，位于周边区103的结构层30’包括第一有机结构31’、有机发光材料32’、电极结构35’及第二无机结构33’，第二无机结构33’包括第三无机膜331’及位于第三无机膜331’背离衬底一侧的第四无机膜332’。其中，第一无机膜241’与第三无机膜331’可同层设置，第二无机膜242’与第四无机膜332’可同层设置。

图示实施例中，有机发光材料32’位于第一有机结构31’背离衬底的一侧，电极结构35’位于有机发光材料32’背离衬底的一侧，第二无机结构33’位于电极结构35’背离衬底的一侧。其中，第一有机结构31’可与显示区的平坦化层在一次构图工艺中形成，或者与显示区的像素限定层在一次构图工艺中形成。在其他实施例中，第一有机结构31’也可位于电极结构35’与第二无机结构33’之间。

本申请实施例还提供了一种显示基板。显示基板包括显示区、隔离区、周边区及开孔，所述隔离区邻接所述显示区与所述周边区，所述周边区环绕所述开孔且与所述开孔邻接；所述显示区环绕所述开孔。所述衬底的一侧形成有隔离柱，所述隔离柱位于所述隔离区。参见图9C，隔离柱20位于衬底10上，在其他实施例中，隔离柱20也可与衬底10一体形成。周边区103设有位于衬底10上的结构层30，结构层30包括第二无机结构33和第一有机结构31，第一有机结构31位于第二无机结构33背离衬底10的一侧。第一有机结构31与第二无机结构33均绝缘。

本申请实施例提供的显示基板，周边区103的结构层30形成于衬底10上且包括由第一有机结构31及第二无机结构33，使得结构层30的厚度较大，进而使周边区103与隔离区102的段差较小，在贴附保护膜时不易产生气泡或者产生的气泡较小，可改善在切割开孔时气泡进入到与开孔104相邻的膜层之间而导致膜层剥离，进而使显示基板100阻隔水氧的性能降低的问题，有助于提升显示基板100的使用寿命；同时也可改善由于气泡进入到显示区的膜层之间而导致显示区的显示效果降低的问题。

在一个实施例中，所述显示基板还包括位于显示区、隔离区102及周边区103的有机平坦结构，所述有机平坦结构用于平坦化位于所述有机平坦结构背离衬底10一侧的触控模组和/或滤光模组。有机平坦结构与所述第一有机结构31为一体结构。

在一个实施例中，第一有机结构31与有机平坦结构可在一个工艺步骤中形成。或者，第一有机结构31与有机平坦结构可在不同的工艺步骤中形成。

图9C所示的显示基板中的其他结构与图1至图9B中的显示基板相类似，图1至图9B中的显示基板的相关描述中与图9C所示的显示基板的结构不冲突的描述，均适用于图9C所示的显示基板，相关介绍参见图1至图9B中的显示基板的相关描述，在此不再进行赘述。本申请实施例还提供了一种显示装置，参见图9D或9E，显示装置包括如图9C所示的显示基板100及功能模组，功能模组包括触控模组200及滤光模组300。功能模组位于显示基板100背离衬底的一侧。图9D及9E所示的实施例中，功能模组包括触控模组200及滤光模组300。在其他实施例中，功能模组也可仅包括触控模组200及滤光模组300中的一个。

在一个实施例中，功能模组包括触控模组200，触控模组200为外挂式触控模组，则所述显示装置还包括位于触控模组200显示基板100一侧的第一粘胶层210；和/或，功能模组包括滤光模组300，所述滤光模组300为偏光片，所述显示装置还包括位于滤光模组200靠近显示基板100一侧的第二粘胶层220。

图9D所示的实施例中，触控模组200位于滤光模组300背离显示基板100的一侧，第一粘胶层210用于将触控模组200与滤光模组300粘结在一起，第二粘胶层310用于将滤光模组300与显示基板100粘结在一起。图9E所示的实施例中，滤光模组300位于触控模组200背离显示基板100的一侧，第一粘胶层210用于将触控模组200与显示基板100粘结在一起，第二粘胶层310用于将滤光模组300与触控模组200粘结在一起。

在其他实施例中，触控模组200为柔性金属触控结构，显示装置不包括第一粘胶层210。滤光模组300为彩色滤光片，显示装置不包括第二粘胶层310。

本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。下面通过显示基板的制备过程进行介绍。本申请实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后可称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

所述显示基板包括显示区、隔离区、周边区、切割区及开孔区，所述隔离区邻接所述显示区与所述周边区，所述切割区邻接所述周边区与所述开孔区，所述显示区环绕所述开孔区。参见图10，所述显示基板的制备方法包括如下步骤110至步骤150。

在步骤110中，提供衬底。

在一个实施例中，衬底可包括柔性基体层、阻挡层及缓冲层。在一些实施例中，衬底包括柔性基体层、位于柔性基体层一侧的阻挡层及位于阻挡层背离柔性基体层一侧的缓冲层。在其他实施例中，衬底10可仅包括柔性基体层，或者衬底10可包括第一柔性基体层、位于第一柔性基体层一侧的第一阻挡层、位于第一阻挡层背离第一柔性基体层一侧的第二柔性基体层、位于第二柔性基体层背离第一阻挡层一侧的第二阻挡层及位于第二阻挡层背离第一阻挡层一侧的缓冲层。

在步骤120中，在所述衬底上形成位于所述隔离区的隔离柱及位于所述显示区的薄膜晶体管和电容。

通过步骤120可得到如图11所示的第一中间结构。如图11所示，显示基板包括显示区101、隔离区102、周边区103、切割区1041和开孔区1042。

在一个实施例中，形成位于所述隔离区102的隔离柱20的步骤，包括：

在所述衬底10的一侧形成环绕所述开孔区1042的第一膜层211；在所述第一膜层211背离所述衬底10的一侧形成环绕所述开孔区1042的第二膜层212；在所述第二膜层212背离所述衬底10的一侧依次形成第一金属层213、第二金属层214及第三金属层215；所述第二金属层214在所述衬底10上的正投影的外边界位于所述第一金属层213与所述第三金属层215在所述衬底10上的正投影的外边界内侧；所述第一金属层213与所述第三金属层215在所述衬底10上的正投影分别位于所述第一膜层211在所述衬底10上的正投影及所述第二膜层212在所述衬底10上的正投影中。

在一个实施例中，形成所述隔离柱20的步骤，包括：形成至少两圈围绕所述周边区103设置的所述隔离柱20。通过形成至少两圈隔离柱20，更有助于防止空气中的水氧通过有机发光材料进入到显示区101。图示实施例中，形成四圈围绕周边区103设置的隔离柱20。在其他实施例中，形成的隔离柱20的数量可不同于四圈，例如可以是五圈、七圈等。

在一个实施例中，形成位于所述显示区的所薄膜晶体管及电容的步骤，包括：在所述衬底10的一侧形成所述薄膜晶体管70的栅电极72及所述电容82的第一极板821；在所述第一极板821背离所述衬底10的一侧形成所述电容82的第二极板822；在所述栅电极72背离所述衬底10的一侧形成所述薄膜晶体管70的源电极73与漏电极74。

在一个实施例中，所述在所述栅电极背离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源电极与漏电极的步骤，包括：在所述栅电极72背离所述衬底10的一侧形成第四金属层731、位于第四金属层731背离衬底10一侧的第五金属层732及位于第五金属层732背离衬底10一侧的第六金属层733。

在一个实施例中，所述在所述衬底10的一侧形成环绕所述开孔区1042的第一膜层211的步骤、与所述在所述衬底10的一侧形成所述薄膜晶体管70的栅电极72及所述电容82的第一极板821的步骤同步进行。如此设置，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，所述在所述第一膜层211背离所述衬底10的一侧形成环绕所述开孔区1042的第二膜层212的步骤、与所述在所述第一极板821背离所述衬底10的一侧形成所述电容82的第二极板822的步骤同步进行。如此设置，有助于简化制备工艺。

在一个实施例中，所述在所述第二膜层212背离所述衬底10的一侧形成第一金属层213、位于所述第一金属层213背离衬底10一侧的第二金属层214及位于所述第二金属层214背离衬底10一侧的第三金属层215的步骤、与所述在所述栅电极72背离所述衬底10的一侧形成第四金属层731、在第四金属层731背离衬底10的一侧形成第五金属层732及在第五金属层732背离衬底10的一侧形成第六金属层733的步骤同步进行。也即是，第一金属层213与第四金属层731材料相同且位于同一层，第二金属层214与第五金属层732材料相同且位于同一层，第三金属层215与第六金属层733材料相同且位于同一层。如此设置，有助于简化制备工艺。第四金属层731与第一金属层213的材料可为金属钛，第五金属层732与第二金属层214的材料可为金属铝，第六金属层733与第三金属层215的材料可为金属钛。

在一示例性实施方式中，在所述衬底上形成位于所述隔离区的隔离柱及位于所述显示区的薄膜晶体管和电容的过程可以包括如下步骤：

在衬底10上沉积有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成位于显示区101的有源层71。

随后，依次沉积栅极绝缘层51和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的栅电极72和第一极板821、以及位于隔离区102的第一膜层211。

随后，依次沉积电容绝缘层52和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第二极板822、以及位于隔离区102的第二膜层212。第二极板822与第一极板821位置相对应。

随后，依次沉积层间介质层53，并对栅极绝缘层51、电容绝缘层52和层间介质层53进行刻蚀，在显示区101形成穿透栅极绝缘层51、电容绝缘层52和层间介质层53的通孔，有源层71上对应形成有多个通孔。

随后，依次沉积第三金属薄膜、第四金属薄膜和第五金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜、第四金属薄膜和第五金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的源电极73和漏电极74、以及位于隔离区102的第一金属层213、第二金属层214及第三金属层215，源电极73及漏电极74分别通过通孔与有源层71电连接。

在步骤130中，形成中间层、位于所述隔离区的结构膜层、位于所述周边区与所述切割区的结构材料层、位于所述显示区的发光单元及位于所述开孔区的挡墙结构。

其中，所述结构材料层至少包括第一有机结构，所述第一有机结构的材料为绝缘材料。

通过步骤130可得到如图12、图14或图16所示的第二中间结构。

在一个实施例中，形成位于隔离区的结构膜层的步骤包括：在所述隔离区102形成有机发光结构26；在所述隔离区102形成位于所述有机发光结构26背离所述衬底10一侧的电极材料291。

在一个实施例中，形成所述中间层的步骤包括：形成位于所述薄膜晶体管70背离所述衬底10一侧的钝化保护材料；在显示区101形成位于所述钝化保护材料背离所述衬底10一侧的平坦化层55。

在一些实施例中，形成位于所述薄膜晶体管70背离所述衬底10一侧的钝化保护材料的步骤，包括：在所述薄膜晶体管70背离所述衬底10一侧同时形成位于所述显示区101的钝化层54及位于所述隔离区102的钝化保护层27，位于所述隔离区102的钝化保护层27包覆靠近所述周边区103的隔离柱20的至少部分顶壁及侧壁，且覆盖靠近所述周边区103的隔离柱20与所述周边区103之间的区域。

在一个实施例中，形成位于所述显示区101的发光单元60的步骤，包括：在所述显示区101形成位于所述平坦化层55背离衬底10一侧的第一电极层59；在所述显示区101形成位于所述第一电极层59背离所述衬底10一侧的像素限定层56，所述像素限定层56设有多个像素开口；形成位于所述显示区的有机发光材料层57；在所述显示区101形成位于所述有机发光材料层57背离所述衬底10一侧的第二电极层58。

在一个实施例中，步骤130还包括：形成位于隔离区102的挡墙，挡墙位于隔离柱20靠近显示区101的一侧。

在一些实施例中，形成位于隔离区102的挡墙的步骤，包括：形成靠近所述显示区101的第一挡墙22和远离所述显示区101的第二挡墙23，所述第二挡墙23背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离大于所述第一挡墙22背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离。

在一些实施例中，所述形成靠近所述显示区101的第一挡墙22和远离所述显示区101的第二挡墙23，包括：在所述隔离柱20与所述显示区101之间形成第三隔垫部231；同时在所述第三隔垫部231所述衬底10的一侧形成第四隔垫部232及在所述第三隔垫部231与显示区101之间形成第二挡墙23。

在一个实施例中，步骤130还包括：在所述隔离区102形成与所述钝化保护层27搭接的第二有机结构25。在一个实施例中，参见图12至图15所示，形成位于所述周边区103与所述切割区1041的结构材料层34的步骤，包括：在所述周边区103与所述切割区1041形成第一有机结构31；在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述第一有机结构31背离所述衬底10一侧的有机发光材料32，在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述有机发光材料32背离所述衬底10一侧的电极结构35。

在一些实施例中，所述在所述隔离区102形成有机发光结构26的步骤、在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述第一有机结构31背离所述衬底10一侧的有机发光材料32的步骤、与所述形成位于所述显示区101的有机发光材料层57的步骤同步进行。

在另一个实施例中，参见图16和图17，形成位于所述周边区103与所述切割区1041的结构材料层34的步骤，包括：在所述周边区103与所述切割区1041形成有机发光材料32；在所述周边区103与所述切割区1041形成位于有机发光材料32背离衬底10一侧的电极结构35；在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述电极结构35背离所述衬底10一侧的第一有机结构31。

在一些实施例中，所述在所述隔离区102形成有机发光结构26的步骤、所述在所述周边区103与所述切割区1041形成有机发光材料32的步骤、与所述形成位于所述显示区101的有机发光材料层57的步骤同步进行。

在一个实施例中，形成位于所述开孔区1042的挡墙结构的步骤，包括：形成靠近所述切割区1041的第一挡墙结构41和远离所述切割区的第二挡墙结构42，所述第二挡墙结构42背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离小于所述第一挡墙结构41背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离。

在一个实施例中，所述形成靠近所述切割区1041的第一挡墙结构41和远离所述切割区1041的第二挡墙结构42，包括：在所述开孔区1042形成第一隔垫部411；同时在所述第一隔垫部411背离所述衬底10的一侧形成第二隔垫部412及在所述第一隔垫部411远离所述切割区1041的一侧形成第二挡墙结构42。

在一个实施例中，所述在所述开孔区1042形成第一隔垫部411的步骤、与所述形成位于所述钝化保护材料背离所述衬底10一侧的平坦化层55的步骤同步进行；所述同时在所述第一隔垫部411背离所述衬底10的一侧形成第二隔垫部412及在所述第一隔垫部411远离所述切割区1041的一侧形成第二挡墙结构42的步骤、与所述在所述显示区101形成位于所述第一电极层59背离所述衬底10一侧的像素限定层56的步骤同步进行。

在一个实施例中，所述在所述隔离柱20与所述显示区101之间形成第三隔垫部231的步骤、与所述形成位于所述钝化保护材料背离所述衬底10一侧的平坦化层55的步骤同步进行；所述同时在所述第三隔垫部231所述衬底10的一侧形成第四隔垫部232及在所述第三隔垫部231与显示区101之间形成第二挡墙结构22的步骤、与所述在所述显示区101形成位于所述第一电极层59背离所述衬底10一侧的像素限定层56的步骤同步进行。

在一些实施例中，形成所述第二有机结构25的步骤与形成所述第一有机结构31的步骤同步进行。

在一个实施例中，在与衬底10的延伸方向垂直的方向上，第一有机结构31位于切割区1041中的部分的尺寸大于第一有机结构31位于周边区103中的部分的尺寸，第一有机结构31位于周边区103中的部分的尺寸大于第二有机结构25的尺寸，且沿开孔区1042指向显示区101的方向，第一有机结构31的尺寸逐渐降低，第二有机结构25的尺寸逐渐降低，且第一有机结构31的最小尺寸大于第二有机结构25的最大尺寸。如此设置，可使得切割区1041与开孔区1042的段差、及周边区103与隔离区102的段差均较小，更有助于使得贴膜过程中产生不易产生气泡或产生的气泡较小。

在一个实施例中，所述在所述隔离区102形成位于所述有机发光结构26背离所述衬底10一侧的电极材料291的步骤、所述在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述有机发光材料32背离所述衬底10一侧的电极结构35的步骤、与所述在所述显示区101形成位于所述有机发光材料层57背离所述衬底10一侧的第二电极层58的步骤同步进行。

在一些实施例中，如图12和图13所示，有机发光材料32位于第一有机结构31背离所述衬底10一侧，所述在显示区101形成位于所述钝化保护材料背离所述衬底10一侧的平坦化层55的步骤、与所述在所述周边区103与所述切割区1041形成第一有机结构31的步骤同步进行。如此设置，有助于简化制备工艺。

在一示例性实施例中，在显示区101形成位于所述钝化保护材料背离所述衬底10一侧的平坦化层55的步骤、与所述在所述周边区103与所述切割区1041形成第一有机结构31的步骤同步进行时，步骤130可以包括如下步骤：

在源电极73及漏电极74上沉积钝化材料薄膜，通过构图工艺对钝化材料薄膜进行构图，形成位于显示区101的钝化层54及位于隔离区的钝化保护层27。为了在切割开孔的过程中减少裂纹的产生，避免裂纹延伸至显示区101，构图工艺过程中将位于切割区1041和外围区103的钝化材料薄膜进行刻蚀的过程中，可能会同时刻蚀层间介质层53、电容绝缘层52及栅极绝缘层51中的一个膜层或多个膜层。如图13所示，对钝化材料薄膜进行构图后，切割区1041与外围区103中的层间介质层53和电容绝缘层52被刻蚀掉，栅极绝缘层51保留。在其他实施例中，切割区1041与外围区103中的层间介质层53、电容绝缘层52及栅极绝缘层51均被刻蚀掉。或者，切割区1041与外围区103中仅层间介质层53被刻蚀掉，电容绝缘层52与栅极绝缘层51保留。

随后，沉积平坦化薄膜，通过构图工艺对平坦化薄膜进行构图，形成位于显示区101的平坦化层、位于隔离区102的第三隔垫部231、位于隔离区102的第二有机结构25、位于周边区103与切割区1041的第一有机结构31、以及位于开孔区1042的第一隔垫部411。

随后，对平坦化层55与钝化层54进行刻蚀，形成穿透平坦化层55与钝化层54的接触孔，接触孔与漏电极74对应。

随后，沉积第六金属薄膜，通过构图工艺对第六金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第一电极层59，第一电极层通过接触孔与漏电极74电连接。

随后，沉积像素限定薄膜，通过构图工艺对像素限定薄膜进行构图，形成位于显示区的像素限定层、位于隔离区的第二挡墙23与第四隔垫部232、位于开孔区1042的第二隔垫部412与第二挡墙结构42。

随后，沉积有机发光材料薄膜，形成位于隔离区102的有机发光结构26、位于周边区103与切割区1041的有机发光材料32、位于开孔区1042的有机发光材料43、以及位于显示区101的有机发光材料层57。位于隔离区102的有机发光结构26包括位于第一挡墙22与第二挡墙23顶壁及侧壁的有机发光材料、位于第三金属层215顶壁的有机发光材料及位于相邻第一金属层213之间的有机发光材料。位于开孔区1042的有机发光材料包括位于第一挡墙结构41与第二挡墙结构42顶壁及侧壁的有机发光材料、以及位于第一挡墙结构41与第二挡墙结构42之间的有机发光材料。在其他实施例中，有机发光结构26可在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处断开。位于开孔区1042的有机发光材料可在第一挡墙结构41与第二挡墙结构42的侧壁处断开。

随后，沉积第七金属薄膜，通过构图工艺对第七金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第二电极层58、位于隔离区102的电极材料291、位于周边区103与切割区1041的电极结构35、及位于开孔区1042的电极材料292。

在另一些实施例中，如图14和图15所示，有机发光材料32位于第一有机结构31背离所述衬底10一侧，所述在所述显示区101形成位于所述第一电极层59背离所述衬底10一侧的像素限定层56的步骤、与所述在所述周边区103与所述切割区1041形成第一有机结构31的步骤同步进行。如此设置，有助于简化制备工艺。

在一个示例性实施例中，在所述显示区101形成位于所述第一电极层59背离所述衬底10一侧的像素限定层56的步骤、与所述在所述周边区103与所述切割区1041形成第一有机结构31的步骤同步进行时，步骤130可以包括如下过程：

在源电极73及漏电极74上沉积钝化材料薄膜，通过构图工艺对钝化材料薄膜进行构图，形成位于显示区101的钝化层54及位于隔离区102的钝化保护层27。为了在切割开孔的过程中减少裂纹的产生，避免裂纹延伸至显示区101，构图工艺过程中将切割区1041和外围区103的钝化材料薄膜进行刻蚀。对钝化材料薄膜进行刻蚀时，可能会同时刻蚀到层间介质层53、电容绝缘层52及栅极绝缘层51中的一个膜层或多个膜层。如图15所示，对钝化材料薄膜进行构图后，切割区1041和外围区103中的层间介质层53和电容绝缘层52被刻蚀掉，栅极绝缘层51保留。在其他实施例中，切割区1041与外围区103中的层间介质层53、电容绝缘层52及栅极绝缘层51均可被刻蚀掉。或者，切割区1041与外围区103中仅层间介质层53被刻蚀掉，电容绝缘层52与栅极绝缘层51保留。

随后，沉积平坦化薄膜，通过构图工艺对平坦化薄膜进行构图，形成位于显示区101的平坦化层、位于隔离区的第三隔垫部231、以及位于开孔区1042的第一隔垫部411。

随后，对平坦化层55与钝化层54进行刻蚀，形成穿透平坦化层55与钝化层54的接触孔，接触孔与漏电极74对应。

随后，沉积第六金属薄膜，通过构图工艺对第六金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第一电极层59，第一电极层59通过接触孔与漏电极74电连接。

随后，沉积像素限定薄膜，通过构图工艺对像素限定薄膜进行构图，形成位于显示区101的像素限定层56、位于隔离区102的第二挡墙23与第四隔垫部232、位于隔离区102的第二有机结构25、位于周边区103与切割区1041的第一有机结构31、位于开孔区1042的第二隔垫部412与第二挡墙结构42。

随后，沉积有机发光材料薄膜，形成位于隔离区102的有机发光结构26、位于周边区103与切割区1041的有机发光材料32、位于开孔区1042的有机发光材料43、以及位于显示区的有机发光材料层57。位于隔离区的有机发光结构26包括位于第一挡墙22与第二挡墙23顶壁及侧壁的有机发光材料、位于第三金属层顶壁的有机发光材料及位于相邻第一金属层之间的有机发光材料。位于开孔区1042的有机发光材料43包括位于第一挡墙结构41与第二挡墙结构42顶壁及侧壁的有机发光材料、以及位于第一挡墙结构41与第二挡墙结构42之间的有机发光材料。在其他实施例中，有机发光结构26可在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处断开。位于开孔区1042的有机发光材料可在第一挡墙结构41与第二挡墙结构42的侧壁处断开。

随后，沉积第七金属薄膜，通过构图工艺对第七金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第二电极层58、位于隔离区的电极材料291、位于周边区103与切割区1041的电极结构35、及位于开孔区1042的电极材料292。

在再一个实施例中，如图16和图17所示，第一有机结构31形成于所述电极结构35背离所述衬底10一侧。所述在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述有机发光材料32背离所述衬底10一侧的第一有机结构31的步骤、在所述显示区101形成位于所述有机发光材料层57背离所述衬底10一侧的第二电极层58的步骤之后进行。

在一个示例性实施例中，在所述周边区103与所述切割区1041形成位于所述有机发光材料32背离所述衬底10一侧的第一有机结构31的步骤、在所述显示区101形成位于所述有机发光材料层57背离所述衬底10一侧的第二电极层58的步骤之后进行时，步骤130可以包括如下过程：

在源电极73及漏电极74上沉积钝化材料薄膜，通过构图工艺对钝化材料薄膜进行构图，形成位于显示区101的钝化层54及位于隔离区102的钝化保护层27。为了在切割开孔的过程中减少裂纹的产生，避免裂纹延伸至显示区101，构图工艺过程中将切割区1041和外围区103的钝化材料薄膜进行刻蚀。对钝化材料薄膜进行刻蚀时，可能会同时刻蚀到层间介质层53、电容绝缘层52及栅极绝缘层51中的一个膜层或多个膜层。如图17所示，对钝化材料薄膜进行构图后，切割区1041和外围区103中的层间介质层53和电容绝缘层52被刻蚀掉，栅极绝缘层51保留。在其他实施例中，切割区1041与外围区103中的层间介质层53、电容绝缘层52及栅极绝缘层51均可被刻蚀掉。或者，切割区1041与外围区103中仅层间介质层53被刻蚀掉，电容绝缘层52与栅极绝缘层51保留。

随后，沉积平坦化薄膜，通过构图工艺对平坦化薄膜进行构图，形成位于显示区101的平坦化层55、位于隔离区102的第三隔垫部231、以及位于开孔区1042的第一隔垫部411。

随后，对平坦化层55与钝化层54进行刻蚀，形成穿透平坦化层55与钝化层54的接触孔，接触孔与漏电极74对应。

随后，沉积第六金属薄膜，通过构图工艺对第六金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第一电极层59，第一电极层59通过接触孔与漏电极74电连接。

随后，沉积像素限定薄膜，通过构图工艺对像素限定薄膜进行构图，形成位于显示区101的像素限定层56、位于隔离区102的第二挡墙23与第四隔垫部232、位于开孔区1042的第二隔垫部412与第二挡墙结构42。

随后，沉积有机发光材料薄膜，形成位于隔离区102的有机发光结构26、位于周边区103与切割区1041的有机发光材料32、位于开孔区1042的有机发光材料43、以及位于显示区的有机发光材料层57。位于隔离区102的有机发光结构26包括位于第一挡墙22与第二挡墙23顶壁及侧壁的有机发光材料、位于第三金属层215顶壁的有机发光材料及位于相邻第一金属层213之间的有机发光材料。位于开孔区1042的有机发光材料43包括位于第一挡墙结构41与第二挡墙结构42顶壁及侧壁的有机发光材料、以及位于第一挡墙结构41与第二挡墙结构42之间的有机发光材料。在其他实施例中，有机发光结构26可在第一挡墙22与第二挡墙23的侧壁处断开。位于开孔区1042的有机发光材料可在第一挡墙结构41与第二挡墙结构42的侧壁处断开。

随后，沉积第七金属薄膜，通过构图工艺对第七金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的第二电极层58、位于隔离区的电极材料291、位于周边区103与切割区1041的电极结构35、及位于开孔区1042的电极材料292。

随后，沉积有机材料薄膜，通过构图工艺对有机材料薄膜进行构图，形成位于隔离区102的第二有机结构25及位于周边区103与切割区1041的第一有机结构31。在一个实施例中，所述结构材料层34背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离与所述隔离柱20背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离的差值范围为[-1μm，1μm]。如此，在后续步骤形成封装层后，周边区103及切割区1041与隔离区102的段差较小，从而在贴附保护膜的过程中不易产生气泡。

在步骤140中，形成位于所述显示区、所述隔离区、所述周边区、所述切割区及所述开孔区的封装层。

通过步骤140可得到如图18、图19或图20所示的第三中间结构。

在一个实施例中，形成位于所述显示区、所述隔离区、所述周边区、所述切割区及所述开孔区的封装层81的步骤140，包括如下过程：

首先，形成位于所述显示区101、所述隔离区102、所述周边区103、所述切割区1041及所述开孔区1042的第一无机材料层811。参见图18和图19，有机发光结构26位于第二有机结构25背离衬底10的一侧，所述第一无机材料层811与所述电极材料291接触。参见图20，第二有机结构25位于电极材料291与第一无机结构811之间，所述第一无机材料层811与所述电极材料291及所述第二有机结构25均接触；

其次，在所述第一无机材料层811背离所述衬底10的一侧形成有机材料层812，所述有机材料层812位于所述显示区101；

再次，在所述有机材料层812背离所述衬底10的一侧形成位于所述显示区101、所述隔离区102、所述周边区103、所述切割区1041及所述开孔区1042的第二无机材料层813。

所述结构材料层34背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离与所述隔离柱20背离所述衬底10的表面到所述衬底10的距离的差值范围为[-1μm，1μm]时，形成封装层81后，第二无机材料层813位于隔离区20上方的部分到衬底10的距离、与第二无机材料层813位于周边区103和切割区1041的部分到衬底10的距离的差值范围为[-1μm，1μm]。如此可避免在贴保护膜的过程中切割区1041及周边区103形成气泡。

在步骤150中，在所述切割区进行切割，以使所述切割区与所述开孔区的膜层被切割掉而形成开孔。

通过步骤150可得到如图3、或图6或图8所示的显示基板。

在一个实施例中，可采用激光对切割区1041的膜层进行切割，切割区1041的膜层被切割掉后，开孔区1042的膜层也随切割区1041中的膜层脱落，从而切割区1041与开孔区1042形成开孔104。

在一个实施例中，在衬底10的延伸方向上，周边区103与切割区1041的尺寸之和与隔离区102的尺寸的比值范围为1～3。在衬底10的延伸方向上，周边区103与切割区1041的尺寸之和与隔离区102的尺寸的比值例如可为1、1.5、2、2.5、3等。

对于制备方法实施例而言，由于其基本对应于产品的实施例，所以相关细节及有益效果的描述参见产品实施例的部分说明即可，不再进行赘述。

本申请实施例提供的显示基板的制备方法，在周边区103形成的结构材料层至少包括第一有机结构，结构材料层可减小周边区103与隔离区102的段差，在贴附保护膜时不易产生气泡或者产生的气泡较小，有助于避免在切割开孔时气泡进入到与开孔相邻的膜层之间导致膜层剥离，而导致显示基板100阻隔水氧的性能降低，可提升显示基板100的使用寿命；同时也可改善由于气泡进入到显示区的膜层之间而导致显示区的显示效果降低。

本申请实施例所示的剖视图中未体现图2所示的内侧隔离柱61的结构，实际中显示区101与隔离区102之间设置有至少一个内侧隔离柱61。

本申请实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例所述的显示基板100。

所述显示面板还可包括位于显示基板背离衬底一侧的玻璃盖板。

本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。显示装置还可包括外壳，显示面板可嵌入在外壳中。

本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。