具体实施方式

图1所示的晶片制造装置1从包含以起伏、翘曲等为代表的变形要素的晶片100去除变形要素，制造规定的厚度的晶片100。该晶片制造装置1具有：保护部件形成装置2，其在晶片100上形成保护部件；磨削装置3，其对晶片100进行磨削；以及剥离装置4，其将保护部件从晶片100剥离。保护部件形成装置2、磨削装置3以及剥离装置4按照在X方向上排列的方式配置。

并且，晶片制造装置1具有用于将晶片100从保护部件形成装置2搬送至磨削装置3的交接盒部5。交接盒部5配置在保护部件形成装置2与磨削装置3之间。

晶片100是通过未图示的线切割机从硅锭(以下简称为锭)切出的的原切割晶片。晶片100例如形成为圆板状，具有正面101和背面102。另外，在晶片100的外周形成有凹口107。

晶片100的背面102和正面101分别相当于晶片100的一个面和另一个面的一例。

保护部件形成装置2在晶片100的背面102的整个面上形成包含树脂层的保护部件。保护部件形成装置2具有第1搬送机器人21，第1搬送机器人21将具有保护部件的晶片100收纳在交接盒部5中。

交接盒部5具有呈搁板状收纳晶片100的交接盒51和载置交接盒51的盒台52。交接盒51具有用于收纳晶片100的多个搁板511。搁板511以从保护部件形成装置2侧向磨削装置3侧贯通交接盒51的方式设置，具有用于供晶片100相对于搁板511出入的保护部件形成装置2侧的第1开口512和磨削装置3侧的第2开口513。

保护部件形成装置2的第1搬送机器人21经由第1开口512将具有保护部件的晶片100收纳于交接盒51的搁板511上。

磨削装置3对晶片100的正面101和背面102进行磨削。磨削装置3具有第2搬送机器人31。第2搬送机器人31从交接盒51的搁板511经由第2开口513取出具有保护部件的晶片100，并载置于磨削装置3中的规定的位置。磨削装置3具有壳体300，在壳体300的-Y方向侧的前表面设置有对两个面已被磨削的晶片100进行收纳的装载端口301。

剥离装置4将保护部件从由磨削装置3搬送的晶片100上剥离。剥离了保护部件的晶片100经磨削装置3返回保护部件形成装置2。

以下，对作为晶片制造装置1的动作之一的用于调整保护部件的厚度的保护部件的厚度调整方法进行说明。

本实施方式所涉及的保护部件的厚度调整方法包括保护部件形成工序、厚度计算工序、计算工序、倾斜调整工序以及剥离工序。

[保护部件形成工序]

如图2所示，具有壳体200的保护部件形成装置2具有对保护部件形成装置2的各结构进行控制的第1控制部20。保护部件形成装置2例如通过第1控制部20的控制来实施保护部件形成工序。在保护部件形成工序中，使用保护部件形成装置2在晶片100的背面102的整个面上形成保护部件。

在该保护部件形成工序中，首先，第1搬送机器人21从收纳有作为原切割晶片的晶片100的盒201中取出一张晶片100而搬送到第1支承台202上。晶片检测部27检测晶片100的中心位置和朝向。然后，晶片搬送部25将晶片100从第1支承台202搬出，并交接给保持单元250。

保持单元250具有支承构造251和具有晶片保持面252的圆板状的晶片保持部253。通过该晶片保持面252对晶片100的正面101进行吸引保持。

并且，保持单元250具有在支承构造251与晶片保持部253之间对晶片保持部253的中心进行支承的连结轴254。晶片保持部253能够在被该连结轴254支承的状态下与支承构造251一起升降。

并且，保持单元250在支承构造251与晶片保持部253之间的连结轴254的周围具有作为倾斜调整机构的3个调整轴255，该倾斜调整机构用于对晶片保持面252相对于支承构造251的倾斜即晶片保持面252与膜保持面221的角度关系进行调整。

调整轴255在以晶片保持面252的中心为中心的圆周上按照相互成为等间隔的方式即每隔120度而设置。调整轴255能够使设置有各调整轴255的部分处的支承构造251与晶片保持部253之间的间隔伸缩。由此，3个调整轴255能够调整晶片保持面252与膜保持面221的角度关系。

与晶片100向保持单元250的搬送并行地，片载置单元230的夹持部232夹持由透过紫外线的透明材料形成的膜103并在Y轴方向上移动，由此将膜103从辊部211拉出。如图3所示，膜103载置于玻璃制的载台220的膜保持面221上。膜保持面221经由吸引路223而与吸引源222连通。膜保持面221使用来自吸引源222的吸引力来吸引保持膜103。

这样，保护部件形成装置2具有：载台220，其具有膜保持面221；以及保持单元250，其具有晶片保持面252。

之后，图2所示的树脂提供单元240使树脂提供喷嘴241旋转，由此将树脂提供喷嘴241的提供口243定位于载台220的上方。接着，分配器242吸取收容于树脂容器(未图示)的例如由紫外线硬化树脂构成的液态树脂，并向树脂提供喷嘴241送出。

由此，如图3所示，从树脂提供喷嘴241向被载台220吸引保持的膜103滴下规定量的液态树脂224。

图2所示的扩展单元260通过升降板264对保持单元250的支承构造251进行保持。扩展单元260通过电动机262使滚珠丝杠261转动，由此使保持单元250与升降板264一起下降。由此，如图3中箭头701所示，保持单元250下降。

伴随着保持单元250的下降，如图4所示，被晶片保持面252吸引保持的晶片100的背面102被按压在提供到被载台220的膜保持面221吸引保持的膜103上的液态树脂224上。由此，液态树脂224在晶片100的背面102的整个面上推开。

在载台220的下方具有例如作为紫外线光源(LED)的硬化单元270。硬化单元270隔着载台220朝向在晶片100的背面102上推开的液态树脂224照射紫外光271。其结果是，液态树脂244硬化，在晶片100的背面102的整个面上形成由硬化后的树脂形成的树脂层。然后，图2所示的扩展单元260使通过晶片保持面252保持着晶片100的保持单元250与升降板264一起上升。由此，晶片100从载台220分离。

之后，利用图2所示的晶片搬送部25将晶片100搬送到第2支承台203上，利用膜切割器28沿着晶片100的外形将多余的膜103切断。此时，膜103的直径比晶片100的直径稍大。

这样，如图5所示，在晶片100的背面102的整个面上形成由作为使液态树脂244硬化而得的树脂即树脂层104和膜103构成的保护部件105。在形成保护部件105之后，第1搬送机器人21将具有保护部件105的晶片100按照正面101朝上的方式经由图1所示的第1开口512收纳到交接盒51中。

在保护部件形成装置2的保护部件形成工序之后，通过磨削装置3对晶片100进行处理。

图6所示的磨削装置3具有：卡盘工作台310，其具有对晶片100进行保持的保持面311；磨削单元330，其对保持面311上所保持的晶片100进行磨削；以及磨削进给单元306，其用于将磨削单元330进行磨削进给。磨削单元330具有磨削磨轮331，该磨削磨轮331具有磨削磨具332。

并且，磨削装置3具有：旋转清洗单元350，其用于对磨削后的晶片100进行清洗；以及第2控制部36，其对磨削装置3的各结构进行控制。并且，磨削装置3具有用于对保持面311所保持的晶片100的厚度进行计算的高度计320。

并且，磨削装置3一边使用高度计320计算包含保护部件105在内的晶片100的厚度，一边利用磨削磨具332对隔着保护部件105而保持在保持面311上的晶片100进行磨削。在本实施方式的保护部件的厚度调整方法中，磨削装置3实施厚度计算工序和计算工序。

[厚度计算工序]

在厚度计算工序中，磨削装置3计算形成有保护部件105的晶片100的厚度即包含保护部件105在内的晶片100的厚度(对仅晶片100的厚度加上保护部件105的厚度而得的厚度)。另外，以下，有时将包含保护部件105在内的晶片100的厚度简称为晶片100的厚度。

在该工序中，首先，第2搬送机器人31经由第2开口513取出交接盒部5内的具有保护部件105的晶片100。第2搬送机器人31将晶片100按照正面101(参照图5)朝上的方式载置于暂放工作台32上。

然后，第1搬送单元315对晶片100的正面101进行吸引保持，并搬送至卡盘工作台310。卡盘工作台310通过保持面311对形成于晶片100的背面102的保护部件105进行吸引保持。由此，如图7所示，晶片100在正面101露出的状态下被保持在卡盘工作台310上。

然后，第2控制部36通过高度计320在以晶片100的中心为中心的圆周上的至少3个部位计算晶片100的厚度。

高度计320使第1接触件321和第2接触件322分别接触与卡盘工作台310的保持面311为同一平面的外框312和晶片100的正面101。由此，高度计320能够对卡盘工作台310的保持面311的高度和晶片100的高度进行测量。高度计320能够根据测量的保持面311的高度与晶片100的高度之差来计算晶片100的厚度。

并且，如该图7和图6所示，在卡盘工作台310的下方具有：作为旋转单元的电动机317，其使卡盘工作台310旋转；以及编码器318，其用于检测电动机317的旋转角度即卡盘工作台310的旋转角度。通过电动机317，卡盘工作台310以通过保持面311和晶片100的中心的旋转轴401为中心进行旋转。

并且，在磨削装置3的厚度计算工序中，第2控制部36一边通过电动机317使卡盘工作台310旋转，一边通过高度计320计算晶片100的厚度。

即，如图8所示，第2控制部36一边使卡盘工作台310旋转，一边使高度计320的第2接触件322依次接触以晶片100的中心即旋转轴401为中心的圆周402上的至少3个部位即第1计算位置411、第2计算位置412以及第3计算位置413。并且，此时，第2控制部36使高度计320的第1接触件321与位于各计算位置411～413的外侧的卡盘工作台310的外框312上的外框测量位置410接触。

由此，第2控制部36计算晶片100的与第1计算位置411、第2计算位置412以及第3计算位置413相关的3个厚度值。以下，将晶片100的与第1计算位置411、第2计算位置412以及第3计算位置413相关的厚度值分别称为第1厚度值T1、第2厚度值T2以及第3厚度值T3。

[计算工序]

在该计算工序中，第2控制部36将在厚度计算工序中计算的3个厚度值T1～T3中的1个作为基准值，计算该基准值与其他2个厚度值之差即厚度差ΔT。

例如，通过厚度计算工序，得到以下那样的厚度值。

第1计算位置411的第1厚度值T1：850μm

第2计算位置412的第2厚度值T2：900μm

第3计算位置413的第3厚度值T3：900μm

在该情况下，第2控制部36例如将第1厚度值T1(850μm)作为基准值，并且计算50μm作为厚度差ΔT。

在该计算工序之后，第2搬送单元316对卡盘工作台310的保持面311上的晶片100的正面101进行吸引保持，将晶片100搬送到旋转清洗单元350。

[倾斜度调整工序]

在该倾斜调整工序中，图2所示的保护部件形成装置2的第1控制部20使用通过计算工序而计算的厚度差ΔT，在接下来形成保护部件之前，对保护部件形成装置2中的载台220的膜保持面221与保持单元250的晶片保持面252之间的倾斜关系进行调整。

例如，如上述的例子所示，作为基准值的第1厚度值T1为850μm，另一方面，第2厚度值T2和第3厚度值T3为900μm，厚度差ΔT为50μm。

另外，如图9所示，图8所示的从旋转轴401到第1计算位置411、第2计算位置412以及第3计算位置413的距离即规定计算位置411～413的圆周402的半径为124.5mm。

并且，图2所示的保护部件形成装置2的保持单元250中的3个调整轴255每隔120度而位于以图10所示的晶片保持部253中的通过晶片保持面252的中心的中心轴501为中心的圆周上。而且，该圆周的半径、即中心轴501与3个调整轴255之间的距离为120mm。

并且，如图11所示那样设定作为3个计算点的第1计算位置411、第2计算位置412和第3计算位置413与3个调整轴255以及晶片100的外径之间的关系，按照与3个调整轴255对应的方式配置各计算位置411～413。在图11中，除了示出晶片100的外径以及规定计算位置411～413的圆周402之外，还示出了规定3个调整轴255的圆周502。

在该情况下，由于圆周402的半径为124.5mm，上述的厚度差ΔT为50μm，因此保护部件形成装置2的第1控制部20作出如下的判断：晶片保持面252与膜保持面221以tanθ＝50μm/124.5mm那样的角度θ从平行偏离。

并且，第1控制部20为了调整该偏移，使用与第2计算位置412和第3计算位置413对应的2个调整轴255，如图10所示，按照调整值ΔS对设置有这些调整轴255的部分处的支承构造251与晶片保持部253之间的间隔进行调整。

在上述的例子中，中心轴501与3个调整轴255之间的距离为120mm，因此ΔS为48.19μm(120mm·tanθ)。即，第1控制部20使用与第2计算位置412和第3计算位置413对应的2个调整轴255，使这些调整轴255的设置部位处的支承构造251与晶片保持部253之间的间隔延长ΔS。由此，能够提高载台220的膜保持面221与保持单元250的晶片保持面252的平行度。

[剥离工序]

在该剥离工序中，使用图12所示的剥离装置4将包含树脂层104和膜103在内的保护部件105(参照图5等)从晶片100剥离。

如图12所示，剥离装置4具有用于保持并搬送晶片100的保持单元42。保持单元42具有：保持垫421，其对晶片100进行吸引保持；臂部420，其对保持垫421进行支承；Z轴方向移动单元423，其对臂部420进行支承而使臂部420在Z轴方向上往复移动；可动板429，其对Z轴方向移动单元423进行支承；以及Y轴方向移动单元422，其使可动板429在Y轴方向上往复移动。

在剥离装置4中，首先，利用Y轴方向移动单元422和Z轴方向移动单元423将保持单元42的保持垫421移动到与剥离装置4相邻的图6所示的磨削装置3的旋转清洗单元350。然后，保持垫421对载置于旋转清洗单元350的晶片100的正面101进行吸引保持。

然后，保持单元42将晶片100以正面101成为上侧的方式载置在保持工作台441上。保持工作台441对晶片100进行吸引保持。然后，保持工作台441和外侧部分剥离单元443在多个部位(例如7个部位)仅将图5所示的晶片100的保护部件105的外侧部分从晶片100的背面102剥离。在该剥离之后，解除保持工作台441对晶片100的吸引。

接着，保持单元42通过保持垫421对保持工作台441上的晶片100进行吸引，将晶片100搬送至整体剥离单元43的上方的位置，并固定于该位置。

整体剥离单元43包括把持部431和使把持部431沿着X轴方向移动的移动部件432。把持部431对晶片100的保护部件105中的-X侧的被剥离的外侧部分进行把持。在该状态下，移动部件432使把持部431向+X侧移动。由于晶片100的位置被固定，因此通过把持着保护部件105的把持部431的移动，保护部件105从晶片100的背面102剥离。此时，引导辊452与保护部件105的下表面抵接。

被剥离的保护部件105暂时载置于暂放工作台406。暂放工作台406具有沿X轴方向延伸的多个板460。多个板460在Y轴方向上以规定的间隔排列。各板460按照比晶片100的直径长的方式延伸，在Y轴方向上具有规定的厚度。另外，暂放工作台406作为整体具有比晶片100大的载置面积。

在暂放工作台406的下方设置有将载置在暂放工作台406上的保护部件105送出到盒479的保护部件进给单元407。保护部件进给单元407具有沿Y轴方向延伸的臂470、以及臂470所具有的2个销471。销471以从暂放工作台406的板460的上表面突出的方式延伸。

当通过电动机驱动的引导致动器472使臂470在X轴方向上移动时，从暂放工作台406的板460突出的销471也在X轴方向上移动。由此，载置在临时载台406上的保护部件105落下到盒479中。

在盒479中，在对置的一条边的上端部分设置有一对光学传感器480。光学传感器480包括发光部和受光部。光学传感器480的受光部接受从发光部产生的光，根据受光部的受光量变化，检测回收到盒479中的保护部件105是否装满。

然后，在剥离装置4中，保持单元42将晶片100搬送至图6所示的磨削装置3，以正面101朝上的方式载置于该旋转清洗单元350。当将晶片100载置于旋转清洗单元350时，磨削装置3的第2搬送机器人31对晶片100进行保持，并经由第2开口513收纳于交接盒51的搁板511上。

另外，也可以是，第2搬送机器人31在旋转清洗单元350的上方待机，剥离装置4的保持单元42向第2搬送机器人31交接晶片100。

接着，图2所示的保护部件形成装置2的第1搬送机器人21经由第1开口512将晶片100从交接盒51的搁板511取出，并载置于保护部件形成装置2的第1支承台202上。之后，反复进行上述的保护部件形成工序、厚度计算工序、计算工序、倾斜度调整工序以及剥离工序，直到例如通过计算工序而计算的厚度差ΔT成为规定的值以下。

如上所述，在本实施方式中，使用磨削装置3的高度计320在至少3个部位计算包含保护部件105在内的晶片100的厚度，根据在该3个部位计算的厚度之差即厚度差来调整保护部件形成装置2中的载台220的膜保持面221与保持单元250的晶片保持面252的倾斜关系，即，能够提高膜保持面221与晶片保持面252的平行度。由此，当在保护部件形成装置2中在晶片100上形成保护部件105时，能够抑制包含保护部件105在内的晶片100的厚度不均匀。

另外，在本实施方式中，保护部件形成工序、厚度计算工序、计算工序、倾斜调整工序以及剥离工序能够以不在中途介入作业者的作业的方式实施。由此，能够使保护部件形成装置2中的膜保持面221与晶片保持面252的倾斜关系的调整自动化。因此，能够更容易地抑制包含保护部件105在内的晶片100的厚度不均匀。

另外，在本实施方式中，使通过剥离工序而剥离了保护部件105的晶片100再次返回保护部件形成装置2，反复进行保护部件形成工序、厚度计算工序、计算工序、倾斜度调整工序以及剥离工序。由此，能够提高膜保持面221与晶片保持面252的倾斜关系的调整精度。另外，由于反复使用一张晶片100，因此能够降低用于调整的成本。

另外，在本实施方式中，反复实施保护部件形成工序、厚度计算工序、计算工序、倾斜调整工序以及剥离工序。但是，这些工序也可以设定为不重复而各实施1次。在该情况下，也能够将载台220的膜保持面221与保持单元250的晶片保持面252的平行度提高到某程度。

另外，在本实施方式中，剥离工序在倾斜调整工序之后实施。也可以取而代之，在厚度计算工序之后、倾斜调整工序之前实施剥离工序，也可以与倾斜调整工序同时实施剥离工序。

另外，也可以不实施剥离工序。在该情况下，晶片制造装置1也可以不具有剥离装置4。即，在本实施方式的保护部件的厚度调整方法中，至少使用图1所示的保护部件形成装置2和磨削装置3即可。在该情况下，也能够提高载台220的膜保持面221与保持单元250的晶片保持面252的平行度。

另外，在本实施方式中，厚度计算工序中的厚度的计算部位被设定为第1计算位置411、第2计算位置412以及第3计算位置这3个部位。关于此，厚度计算工序中的厚度的计算部位可以是至少3个部位，也可以是4个部位以上。