具体实施方式

如上所述，由于电流源I_TH的电流大小通常是预先设定的，与光敏二极管PD的本征电流不一致。此外，受限于工艺影响，电流源I_TH输出的电流本身也会存在一定的波动。现有技术中，受限于电流源I_TH无法匹配光敏二极管PD的本征电流，因此，跨阻放大电路的抗共模干扰的能力较差。

在本发明实施例中，在跨阻放大单元的第二输入端处设置第二光敏二极管，且第二光敏二极管表面覆盖阻光层。第二光敏二极管在无光照情况下存在本征电流，对第一光敏二极管的本征电流进行补偿。通过设置与第一光敏二极管的光学特性相同或相近的第二光敏二极管，使得第二光敏二极管的本征电流与第一光敏二极管的本征电流接近，从而能够精确地对第一光敏二极管的本征电流进行补偿，提高跨阻放大电路的抗共模干扰的能力。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供了一种跨阻放大电路，参照图2，下面对本发明实施例提供的跨阻放大电路进行详细说明。

在本发明实施例中，跨阻放大电路可以包括第一光敏二极管PD1、第二光敏二极管PD2、第一反馈电阻R21、第二反馈电阻R22以及跨阻放大单元。

在具体实施中，第一光敏二极管PD1的阳极接地，第一光敏二极管PD1的阴极与跨阻放大单元的第一输入端耦接。

第二光敏二极管PD2的阳极接地，第二光敏二极管PD2的阴极与跨阻放大单元的第二输入端耦接。

第一反馈电阻R21的第一端与第一光敏二极管PD1的阴极、跨阻放大单元的第一输入端耦接，第一反馈电阻R21的第二端与跨阻放大单元的第一输出端V_O1耦接。通过第一反馈电阻R21，可以控制跨阻放大单元的第一输入端与第一输出端V_O1之间的电流大小。

第二反馈电阻R22的第一端与第二光敏二极管PD2的阴极、跨阻放大单元的第二输入端耦接，第二反馈电阻R22的第二端与跨阻放大单元的第二输出端V_O2耦接。通过第二反馈电阻R22，可以控制跨阻放大单元的第二输入端与第二输出端V_O2之间的电流大小。

在本发明实施例中，跨阻放大单元的第一输入端为“+”输入端，跨阻放大单元的第二输入端为“-”输入端。

在具体实施中，第二光敏二极管PD2的表面可以覆盖有阻光层。也就是说，由于第二光敏二极管PD2的表面覆盖有阻光层，即便在光照情况下，第二光敏二极管PD2也不会产生相应的光敏电流。

在实际应用中可知，在无光照的情况下，光敏二极管中有很小的饱和反向漏电流，也即暗电流，光敏二极管截止。光敏二极管的暗电流又称之为光敏二极管的本征电流。因此，当第二光敏二极管PD2的表面覆盖有阻光层时，第二光敏二极管PD2内仍存在本征电流。

在具体实施中，可以通过第二光敏二极管PD2的本征电流，对第一光敏二极管PD1的本征电流进行补偿。为精确地对第一光敏二极管PD1的本征电流进行补偿，第二光敏二极管PD2的光学特性可以与第一光敏二极管PD1的光学特性相同或相近，以使得第二光敏二极管PD2的本征电流与第一光敏二极管PD1的本征电流接近。

在本发明实施例中，可以选择同一批次同一型号的两个光敏二极管，分别作为第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2。由于第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2属于同一批次同一型号，因此，第一光敏二极管PD1的本征电流与第二光敏二极管PD2的光学特性极为接近，故第一光敏二极管PD1的本征电流与第二光敏二极管PD2的本征电流无限接近，近乎于相等。

第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2可以均设置在光敏芯片上。本发明实施例中提供的跨阻放大电路也设置光敏芯片上。第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2在光敏芯片上可以相邻设置，二者之间的距离可以小于一预设值。例如，预设值可以为100μm。

在本发明一实施中，第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2之间的距离可以在50μm左右。可以理解的是，第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2之间的距离也可以为其他数值。

在具体实施中，第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2也可以为不同批次和/或不同型号的光敏二极管。第一光敏二极管PD1与第二光敏二极管PD2在光敏芯片上所占用的面积相等或相近。此时，第一光敏二极管PD1的本征电流与第二光敏二极管PD2的本征电流之差需要小于一预设电流值，也即第一光敏二极管PD1的本征电流与第二光敏二极管PD2的本征电流之间的偏差较小。

由于第一光敏二极管PD1的本征电流与第二光敏二极管PD2的本征电流较为相近，因此，通过第二光敏二极管PD2的本征电流对第一光敏二极管PD1的本征电流进行补偿，能够有效地提高光敏芯片的抗共模干扰能力。

在具体实施中，跨阻放大单元可以包括两级放大电路，也可以包括三级放大电路。下面对本发明实施例提供的跨阻放大单元进行详细说明。

参照图3，给出了本发明实施例中的另一种跨阻放大电路的结构示意图。图3中，跨阻放大单元包括两级放大电路以及第一电流源I1，两级放大电路依次为第一级放大电路和第二级放大电路。

在本发明实施例中，第一级放大电路可以包括第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3、第一负载电阻R11以及第三负载电阻R13，第二级放大电路可以包括第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4、第二负载电阻R12、以及第四负载电阻R14，其中：

第一NMOS管MN1的栅极可以第一光敏二极管PD1的阴极耦接，第一NMOS管MN1的漏极可以与第一负载电阻R11的第一端、第二NMOS管MN2的栅极耦接，第一NMOS管MN1的源极可以与第一电流源I1的第一端耦接；

第一负载电阻R11的第二端与第二NMOS管MN2的漏极耦接；

第二NMOS管MN2的漏极与第四NMOS管MN4的漏极耦接，第二NMOS管MN2的源极与第二负载电阻R12的第一端耦接；

第二负载电阻R12的第二端接地；第二负载电阻R12的第一端还与第一输出端V_O1连耦接；

第三NMOS管MN3的栅极可以与第二光敏二极管PD2的阴极耦接，第三NMOS管MN3的漏极与第三负载电阻R13的第一端、第四NMOS管MN4的栅极耦接，第三NMOS管MN3的源极可以与第一电流源I1的第一端耦接；

第三负载电阻R13的第二端与第四NMOS管MN4的漏极耦接；

第四NMOS管MN4的源极与第四负载电阻R14的第一端耦接，第四负载电阻R14的第二端接地；第四负载电阻R14的第一端还与第二输出端V_O2耦接；

第一负载电阻R11的第二端、第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的第二端以及第四NMOS管MN4的漏极相连接。

在具体实施中，第一NMOS管MN1的栅极可以为跨阻放大单元的第一输入端，第三NMOS管MN3的栅极可以为跨阻放大单元的第二输入端。

在本发明实施例中，跨阻放大单元还可以包括第三级放大电路以及第二电流源I2。通过增加第三级放大电路，跨阻放大单元的光电转换速率会大大增加。相比于仅包括两级放大电路的跨阻放大单元，包括三级放大电路的跨阻放大单元的光电转换速率理论上可以提高一个数量级。

参照图4，给出了本发明实施例中的又一种跨阻放大电路的结构示意图。与图3相比，图4中提供的跨阻放大电路的跨阻放大单元增加了第三级放大电路以及第二电流源I2。

在本发明实施例中，第三级放大电路可以包括：第五NMOS管MN5、第五负载电阻R15、第三反馈电阻R23、第六NMOS管MN6、第六负载电阻R16以及第四反馈电阻R24，其中：

第五NMOS管MN5的栅极与第二NMOS管MN2的栅极、第二负载电阻R12的第一端耦接，第五NMOS管MN5的漏极与第五负载电阻R15的第一端、跨阻放大单元的第二输出端V_O2耦接，第五NMOS管MN5的源极与第三反馈电阻R23的第一端耦接；

第五负载电阻R15的第二端与第二NMOS管MN2的漏极、第四NMOS管MN4的漏极以及第六负载电阻R16的第二端耦接；

第三反馈电阻R23的第二端与第二电流源I2的第一端耦接；

第六NMOS管MN6的栅极与第四NMOS管MN4的栅极、第四负载电阻R14的第一端耦接，第六NMOS管MN6的漏极与第六负载电阻R16的第一端、跨阻放大单元的第一输出端V_O1耦接，第六NMOS管MN6的源极与第四反馈电阻R24的第一端耦接；

第六负载电阻R16的第二端与第四NMOS管MN4的漏极、第五负载电阻R15的第二端耦接；

第四反馈电阻R24的第二端与第二电流源I2的第一端耦接；

第二电流源I2的第二端接地。

由上可见，在本发明实施例中，在跨阻放大单元的第二输入端处设置第二光敏二极管，且第二光敏二极管表面覆盖阻光层。第二光敏二极管在无光照情况下存在本征电流，对第一光敏二极管的本征电流进行补偿。通过设置与第一光敏二极管的光学特性相同或相近的第二光敏二极管，使得第二光敏二极管的本征电流与第一光敏二极管的本征电流接近，从而能够精确地对第一光敏二极管的本征电流进行补偿，提高跨阻放大电路的抗共模干扰的能力。

本发明实施例还提供了一种光敏芯片，所述的光敏芯片可以包括上述实施例中提供的跨阻放大电路。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。