具体实施方式

通过下面参照附图详细描述的实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现本公开内容的优点和特征的方法应当变得清楚。然而，本公开内容不限于以下描述的实施方式，并且可以以各种不同的修改来体现。提供实施方式仅是为了使本领域技术人员能够完全理解本公开内容的范围，并且本公开内容仅由权利要求的范围来限定。

在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的图形、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例性的并且不限于本公开内容中示出的内容。在整个公开内容中，相同的附图标记指代相同的元件。此外，在描述本公开内容时，当确定公知技术的详细描述可能不必要地使本公开内容的要点模糊时，将省略对公知技术的详细描述。除非本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语与术语“仅”一起使用，否则这些术语旨在允许添加其他元件。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用均可以包括复数。即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。

为了描述位置关系，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“上”、“之上”、“之下”、“靠近”等时，除非在表达中使用术语“紧接地”或“直接地”，否则一个或更多个部分可以插入在这两个部分之间。当元件或层被设置在另一元件或层“上”时，该元件被直接设置在另一元件或层上，或者被设置在另一元件或层上(在该元件与另一元件或层之间还具有另外的元件)。应当注意，当一个部件被描述为“连接”、“耦接”或“接合”到另一部件时，即使所述一个部件可以直接“连接”、“耦接”或“接合”到另一部件，另外的部件也可以“连接”、“耦接”或“接合”在这两个部件之间。

尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用来描述各种部件，但是部件不受术语的限制。术语仅用于区分一个部件和另一部件。因此，在本公开内容的技术范围内，以下描述的第一部件可以是第二部件。

为了便于描述，示出了在附图中所示的每个构造的尺寸和厚度，并且本公开内容不必限于所示出的构造的尺寸和厚度。

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。

图1是根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的构思图，图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板的示意性截面视图，以及图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示区域中的像素布置的视图。

参照图1，显示面板100的前表面可以被配置成显示区域。显示区域可以包括第一区域DA和第二区域CA。第一区域DA和第二区域CA都可以输出图像但是分辨率可能不同。例如，在第二区域CA中设置的多个第二像素的分辨率可能低于在第一区域DA中设置的多个第一像素的分辨率。可以将足够量的光注入到第二区域CA中设置的传感器41和42中，注入量与第二区域CA中设置的多个第二像素中降低的分辨率一样多。然而，本公开内容不限于此，并且只要第二区域CA可以具有足够的透光率或者适当的噪声补偿算法可以被实现，第一区域DA的分辨率与第二区域CA的分辨率就可以相同。

第二区域CA可以是其中设置了传感器41和42的区域。第二区域CA是与各种传感器交叠的区域，因此第二区域CA的面积可以小于输出大部分图像的第一区域DA的面积。传感器41和42可以包括图像传感器、接近度传感器、照度传感器、姿势传感器、运动传感器、指纹识别传感器和生物传感器中的至少一个。作为示例，第一传感器41可以是照度传感器，以及第二传感器42可以是被配置成捕获图像或视频的图像传感器，但是本公开内容不必限于此。

第二区域CA可以设置在光需要入射到的部分处。例如，第二区域CA可以设置在显示区域的左上侧或右上侧，以及也可以整个设置在显示区域的上端。第二区域CA的宽度可以被不同地修改。然而，本公开内容不必限于此，并且第二区域CA可以设置在显示区域的中央部分处或者设置在显示区域的下端。在下面的描述中，第一区域DA可以被描述为显示区域，以及第二区域CA可以被描述为成像区域。

参照图2和图3，显示区域DA和成像区域CA可以包括像素阵列，在该像素阵列中可以设置向其写入像素数据的像素。为了确保成像区域CA的透光率，成像区域CA的每单位面积的像素数(每英寸的像素(PPI))可以小于显示区域DA的PPI。

显示区域DA的像素阵列可以包括其中设置了具有高PPI的多个像素的像素区域(第一像素区域)。成像区域CA的像素阵列可以包括如下像素区域(第二像素区域)：在该像素区域中，具有相对低PPI的多个像素组通过由透光区域彼此间隔开而被设置。在成像区域CA中，外部光可以通过具有高透光率的透光区域透射通过显示面板100，并且可以被放置在显示面板100下方的传感器接收。

由于显示区域DA和成像区域CA两者都包括像素，因此可以在显示区域DA和成像区域CA上再现输入图像。

显示区域DA和成像区域CA的像素中的每个像素可以包括具有不同颜色的子像素以实现图像的颜色。子像素可以包括红色子像素(下文中称为“R子像素”)、绿色子像素(下文中称为“G子像素”)和蓝色子像素(下文中称为“B子像素”)。尽管没有在附图中示出，但是像素中的每个像素还可以包括白色子像素(下文中称为“W子像素”)。子像素中的每个子像素可以包括像素电路和发光元件(有机发光二极管：OLED)。

成像区域CA可以包括像素和设置在显示面板100的屏幕下方的相机模块。成像区域CA的像素可以通过以显示模式写入输入图像的像素数据来显示输入图像。

相机模块可以在图像捕获模式下捕获外部图像以输出图片或视频图像数据。相机模块的透镜可以面对成像区域CA。外部光通过成像区域CA入射到相机模块的透镜30上，并且透镜30可以将光聚集到附图中省略的图像传感器。相机模块可以在图像捕获模式下捕获外部图像以输出图片或视频图像数据。

为了确保透光率，由于从成像区域CA移除了像素，因此可以应用用于对成像区域CA中的像素的亮度和颜色坐标进行补偿的图像质量补偿算法。

在本公开内容的实施方式中，低分辨率像素可以设置在成像区域CA中。因此，屏幕的显示区域没有由于相机模块而被限制，从而可以实现全屏显示。

参照图3，显示区域DA可以包括以矩阵形式布置的像素PIX1和PIX2。像素PIX1和PIX2中的每一个可以被实现为其中三种原色的R子像素、G子像素和B子像素形成一个像素的实型(real-type)像素。像素PIX1和PIX2中的每一个还可以包括附图中省略的W子像素。另外，两个子像素可以使用子像素渲染算法形成一个像素。例如，第一像素PIX1可以包括R子像素和G子像素，以及第二像素PIX2可以包括B子像素和G子像素。像素PIX1和PIX2中的每个像素中的不充分的颜色表示可以用相邻像素之间的对应颜色数据的平均值来补偿。

图4是示出根据本公开内容的一个实施方式的成像区域的像素和透光区域的视图，以及图5是图4的部分A的放大视图。

参照图4和图5，可以在多个第二像素之间设置多个透光区域AG。具体地，成像区域CA可以包括彼此以预定距离D1间隔开的像素组PG以及各自均设置在相邻像素组PG之间的透光区域AG。外部光可以通过透光区域AG而被接收到相机模块的透镜。像素组PG可以被设置为在像素区域中彼此间隔开。

透光区域AG可以包括具有高透光率的透明介质而没有金属，使得光可以以最小的光损耗入射。透光区域AG可以由透明绝缘材料制成，而不包括金属线或像素。随着透光区域AG变大，成像区域CA的透光率可以变高。

像素组PG中的每个像素组可以包括一个或两个像素。像素组中的每个像素可以包括两个子像素至四个子像素。例如，像素组中的第一像素可以包括R子像素、G子像素和B子像素或者包括两个子像素，以及还可以包括W子像素。

透光区域AG之间的距离D3可以小于像素组PG之间的间距D1。子像素之间的间隔D2可以小于像素组PG之间的间距D1。

透光区域AG的形状被示出为圆形，但是本公开内容不限于此。例如，透光区域AG可以被设计成各种形状，诸如圆形、椭圆形、多边形等。

可以从透光区域AG去除所有的金属电极材料。因此，像素的线TS可以设置在透光区域AG的外部。因此，光可以有效地通过透光区域入射。然而，本公开内容不必限于此，并且金属电极材料可以保留在透光区域AG的一部分中。

图6是示出成像区域的显示面板的结构的示意图，以及图7是图6的修改示例。

参照图6，显示面板可以包括设置在基板10上的电路层12以及设置在电路层12上的发光元件层14。偏振板18可以设置在发光元件层14上，以及盖玻璃20可以设置在偏振板18上。

显示面板100具有在X轴方向上的宽度、在Y轴方向上的长度以及在Z轴方向上的厚度。显示面板100可以包括设置在基板10上的电路层12和设置在电路层12上的发光元件层14。偏振板18可以设置在发光元件层14上，以及盖玻璃20可以设置在偏振板18上。

电路层12可以包括连接至诸如数据线、栅极线、电源线等的线的像素电路和连接至栅极线的栅极驱动单元等。电路层12可以包括电路元件，诸如被实现为薄膜晶体管(TFT)的晶体管、电容器等。电路层12的线和电路元件可以通过多个绝缘层、其间具有绝缘层的两个或更多个彼此间隔开的金属层以及包括半导体材料的有源层来实现。

发光元件层14可以包括由像素电路驱动的发光元件。发光元件可以被实现为OLED。OLED可以包括在阳极与阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL，但是本公开内容不限于此。当将电压施加到OLED的阳极和阴极时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子移动到发光层EML以产生激子，并且因此，可见光从发光层EML发射。发光元件层14还可以包括设置在像素上的滤色器阵列，该滤色器阵列可以选择性地透射红色波长、绿色波长和蓝色波长。

发光元件层14可以被保护膜覆盖，并且保护膜可以被封装层覆盖。保护膜和封装层可以具有其中有机膜和无机膜交替堆叠的结构。无机膜可以阻挡水分或氧气的渗透。有机膜可以使无机膜的表面平坦化。当将有机膜和无机膜堆叠成多个层时，由于与单层相比，水分或氧气的移动路径在长度上增加，所以可以有效地阻挡影响发光元件层14的水分/氧气的渗透。

偏振板18可以粘附到封装层。偏振板18可以改善显示装置的户外可视性。偏振板18可以减少来自显示面板100的表面的光反射并且阻挡从电路层12的金属反射的光，从而改善像素的亮度。偏振板18可以被实现为将线性偏振板和相位延迟膜粘合到其上的偏振板18，或者可以被实现为圆形偏振板18。

在偏振板18中，透光图案18d可以形成在与透光区域AG对应的区域中。基于具有555nm的波长的绿光，由PI制成的基板的透光率约为70％至80％，以及阴极的透光率约为80％至90％。另一方面，偏振板18的透光率相对非常低，低至40％。因此，为了有效地增加透光区域中的透光率，需要增加偏振板18的透光率。

根据实施方式的偏振板18具有形成在透光区域AG上方以提高透光率的透光图案18d。形成有透光图案18d的区域的透光率可以高于偏振板中的其余区域的透光率。另外，形成有透光图案的区域的透光率在偏振板中可能最高。因此，在透光区域中引入到相机模块中的光的量增加，从而改善了相机性能。

偏振板18的透光图案18d可以通过去除偏振板18的一部分来形成，以及也可以通过分解构成偏振板18的化合物来形成。也就是说，透光图案18d可以具有能够增加常规偏振板18的透光率的各种结构。

参照图7，在透光区域AG中，偏振板18可以具有第一透光图案18d，以及阴极CAT可以具有第二透光图案。第二透光图案可以是形成在透光区域中的开口H1。由于阴极的透光率是80％至90％，因此透光区域AG的透光率可以由于开口H1而进一步增加。

在阴极CAT中形成开口H1的方法没有被特别限制。作为示例，在形成阴极之后，可以使用蚀刻工艺在阴极中形成开口H1，或者可以使用红外(IR)激光器在基板10的下部处去除阴极。

可以在阴极CAT上形成平坦化层PCL，并且可以在平坦化层PCL上设置触摸传感器TOE。此处，在透光区域AG中，触摸传感器的感测电极和线可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或金属网的透明材料制成，从而增加透光率。

图8a和图8b是示出偏振板的各种结构的视图，以及图9是示出偏振板的吸收光谱的图。

偏振板18可以包括第一保护层18a、第二保护层18c以及设置在第一保护层18a与第二保护层18c之间的偏振器18b。

偏振器18b可以包括二色性材料。二色性材料可以包括碘和有机染料中的至少一种。有机染料可以包括基于偶氮的颜料、基于二苯乙烯的颜料、基于吡唑啉酮的颜料、基于三苯甲烷的颜料、基于喹啉的颜料、基于恶嗪的颜料、基于噻嗪的颜料、基于蒽醌的颜料等，但是本公开内容不必限于此。

偏振器18b在垂直于拉伸方向的方向上具有透射轴。碘分子和染料分子表现出二色性，并且因此偏振器18b可以具有吸收在拉伸方向上振动的光以及透射在垂直于拉伸方向的方向上振动的光的功能。

偏振器18b可以相对于透射轴方向具有较弱的机械强度。另外，由于热量或水分，偏振器18b可能收缩或使偏振功能减弱。第一保护层18a和第二保护层18c被配置成在不改变通过偏振器18b透射的光的特性的情况下保护偏振器18b，并且可以使用例如三乙酰基纤维素(TAC)形成。TAC具有高的透光率和相对低的双折射性并且容易通过表面修改而亲水化，因此TAC容易被堆叠在偏振器18b上。

参照图8b，偏振板18还可以包括设置在偏振器18b的上部和下部上的各种功能层18d、18e、18f和18g。作为示例，功能层18d、18e、18f和18g可以包括压敏粘合剂(PSA)、四分之一波片(QWP)和硬涂层(HC)。然而，与偏振器18b相比，构成偏振板18的大多数层具有相对高的透光率。因此，为了增加透光区域AG的透光率，最重要的是控制偏振器18b的透光率。

参照图9，偏振板18的偏振器18b由碘化合物形成，并且第一碘化合物(I₂)在约450nm处具有最大吸收峰，以及第二碘化合物(KI₅)在约610nm处具有最大吸收峰。在偏振器18b的吸收光谱中，第一碘化合物(I₂)和第二碘化合物(KI₅)具有相对高的吸收峰，因此需要降低其吸收峰。

图10是示出根据一个实施方式的在偏振板上形成第一透光图案的过程的视图，图11是示出形成有第一透光图案的偏振板的吸收光谱的图，图12是第一透光图案的平面视图，以及图13是示出根据另一实施方式的在偏振板上形成第一透光图案的结构的视图。

如图10中所示，当使用具有高吸收率的波长范围内的激光照射碘化合物时，碘化合物可以被分解并且可以形成第一透光图案18d。也就是说，碘分子之间的键合被破坏，并且分离的碘分子被升华，因此可以通过脱色形成第一透光图案18d。

作为示例，当照射具有532nm的波长的第一激光LB时，第一碘化合物(I₂)和第二碘化合物(KI₅)可以通过吸收第一激光而被分解。激光照射装置101可以在移动通过多个透光区域的同时发射第一激光，以在每个透光区域上形成第一透光图案18d。

利用这样的构造，可以照射单波长激光以同时分解第一碘化合物(I₂)和第二碘化合物(KI₅)，从而提高操作速度。由于在成像区域中存在大量的透光区域，因此有必要形成大量的第一透光图案。

参照图11，可以看出，第一碘化合物的光吸收峰和第二碘化合物的光吸收峰在光吸收系数Ac上变得非常低。

然而，本公开内容不必限于此，并且当照射具有450nm的波长的第二激光时，第一碘化合物(I₂)可以通过吸收大部分激光而被分解。此外，当照射具有610nm的波长的第三激光时，第二碘化合物(KI₅)可以通过吸收大部分激光而被分解。第二激光和第三激光的照射可以重复多次。

下面的表1示出了在蓝色波长范围、绿色波长范围和红色波长范围内，在形成第一透光图案18d之前测量偏振板的透光率的结果和在形成第一透光图案18d之后测量透光率的结果。J&C Tech的Hazemeter(JCH-300S)被用作测量设备。

通过测量结果可以看出，在蓝色波长范围内，透光率提高了8％，以及在绿色波长范围内，透光率提高了15％。另外，在红色波长区域中，透光率提高了16％。因此，可以确认偏振板18的透光率由于第一透光图案18d而提高。另一方面，可以确认在IR范围内透光率几乎没有变化。

[表1]

在这种情况下，当调节照射激光的波长范围时，也可以将蓝色波长范围、绿色波长范围和红色波长范围内的透光率调节成均匀的。当蓝色的透光率相对低于绿色和红色的透光率时，可以进一步将蓝色波长范围的激光照射到偏振器。结果，吸收对应波长范围内的光的碘化合物被部分地分解以提高蓝光透射率。因此，可以改善颜色均匀性。参照图12，偏振板18的第一透光图案18d的尺寸可以对应于透光区域AG的尺寸。作为示例，第一透光图案18d和透光区域AG中的每一个的尺寸(宽度、长度或直径)可以在5μm至200μm的范围内。当第一透光图案的尺寸小于5μm时，提高透光率的效果可能不明显。当第一透光图案的尺寸大于200μm时，存在从外部可以观察到第一透光图案的问题。

第一透光图案18d的形状没有被具体限制。作为示例，第一透光图案18d可以具有矩形形状或圆形形状。另外，第一透光图案18d可以具有各种形状。也就是说，第一透光图案18d的形状可以与透光区域AG的形状相同。

参照图13，偏振板18的第一透光图案18d可以包括多个开口。也就是说，第一透光图案18d也可以通过部分地去除偏振器18b而形成。部分地去除偏振器18b的方法没有被具体限制。作为示例，可以使用半导体蚀刻工艺以及还可以使用激光蚀刻工艺来部分地去除偏振器18b。

例如，在偏振器18b中，可以拉伸基于聚乙烯醇(PVA)的树脂膜，并且可以将树脂膜浸入碘和有机染料中以在拉伸方向上布置碘分子和染料分子。

可以通过在已经完成拉伸工艺的偏振器18b中形成多个开口来形成第一透光图案18d。在偏振器18b上形成第二保护层18c的过程中，可以将第二保护层18c的一部分插入多个第一透光图案18d中以形成突出部18c-1。

图14是详细示出根据本公开内容的一个实施方式的显示面板中的像素区域的截面结构的截面视图，以及图15示出了根据本公开内容的一个实施方式的像素区域和透光区域的截面结构。

显示面板100的截面结构不限于图14中的截面结构。在图14中，“TFT”表示像素电路的驱动元件DT。

参照图14，电路层、发光元件层等可以堆叠在像素区域PIX中的基板PI1和PI2上。基板PI1和PI2可以包括第一PI基板PI1和第二PI基板PI2。可以在第一PI基板PI1与第二PI基板PI2之间形成无机膜IPD。无机膜IPD可以阻挡水分的渗透。

第一缓冲层BUF1可以形成在第二PI基板PI2上。可以在第一缓冲层BUF1上形成第一金属层，以及可以在第一金属层上形成第二缓冲层BUF2。

可以通过光刻工艺对第一金属层进行图案化。第一金属层可以包括遮光图案BSM。遮光图案BSM可以阻挡外部光，使得光没有照射到TFT的有源层，从而防止生成像素区域中形成的TFT的光电流。

当遮光图案BSM由如下金属形成时，遮光图案BSM还可以用作被配置成在激光烧蚀工艺中阻挡激光束LB的遮光层LS，所述金属与要从成像区域CA去除的金属层(例如，阴极)相比，具有在激光烧蚀工艺中使用的激光波长的低吸收系数。

第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2中的每一个可以由无机绝缘材料制成，并且可以由一个或更多个绝缘层形成。

有源层ACT可以由沉积在第二缓冲层BUF2上的半导体材料制成，并且可以通过光刻工艺来图案化。有源层ACT可以包括像素电路的TFT中的每一个的有源图案和栅极驱动单元的TFT中的每一个的有源图案。可以通过离子掺杂来将有源层ACT的一部分金属化。金属化部分可以用作跨接图案(jumper pattern)，该跨接图案在像素电路的一些节点处连接金属层以连接像素电路的部件。

栅极绝缘层GI可以形成在第二缓冲层BUF2上以便覆盖有源层ACT。栅极绝缘层GI可以由无机绝缘材料制成。

第二金属层可以形成在栅极绝缘层GI上。可以通过光刻工艺来使第二金属层图案化。第二金属层可以包括栅极线、栅电极图案GATE、存储电容器Cst1的下电极、连接第一金属层的图案和第三金属层的图案的跨接图案等。

第一层间绝缘层ILD1可以形成在栅极绝缘层GI上以便覆盖第二金属层。第三金属层可以形成在第一层间绝缘层ILD1上，以及第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第三金属层。可以通过光刻工艺将第三金属层图案化。第三金属层可以包括金属图案TM，诸如存储电容器Cst1的上电极。第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2各自均可以包括无机绝缘材料。

可以在第二层间绝缘层ILD2上形成第四金属层，以及可以在第四金属层上堆叠无机绝缘层PAS1和第一平坦化层PLN1。可以在第一平坦化层PLN1上形成第五金属层。

第四金属层的一些图案可以通过穿过第一平坦化层PLN1和无机绝缘层PAS1的接触孔连接到第三金属层。第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2各自均可以由使其表面平坦的有机绝缘材料制成。

第四金属层可以包括TFT的第一电极和第二电极，该TFT的第一电极和第二电极通过穿过第二层间绝缘层ILD2的接触孔连接到TFT的有源图案。可以使用第四金属层的图案SD1或第五金属层的图案SD2来实现数据线DL和电源线PL1、PL2和PL3。

可以在第二平坦化层PLN2上形成作为发光元件OLED的第一电极层的阳极AND。阳极AND可以通过穿过第二平坦化层PLN2的接触孔连接到用作开关元件或驱动元件的TFT的电极。阳极AND可以由透明的电极材料或半透明的电极材料制成。

像素限定膜BNK可以覆盖发光元件OLED的阳极AND。像素限定膜BNK可以形成为限定发光区域(或开口区域)的图案，光通过该发光区域(或开口区域)从每个像素传到外部。间隔物SPC可以形成在像素限定膜BNK上。像素限定膜BNK和间隔物SPC可以用相同的有机绝缘材料集成。间隔物SPC可以确保精细金属掩模(FMM)与阳极AND之间的间隙，使得FMM在有机化合物EL的沉积过程中不与阳极AND接触。

可以在每个像素的由像素限定膜BNK限定的发光区域中形成有机化合物EL。作为发光元件OLED的第二电极层的阴极CAT可以形成在显示面板100的整个表面上，以便覆盖像素限定膜BNK、间隔物SPC和有机化合物EL。阴极CAT可以连接到由其下面的金属层中的任何一个形成的VSS线PL3。盖层CPL可以覆盖阴极CAT。盖层CPL可以由无机绝缘材料制成，以阻挡空气的渗透和施加在盖层CPL上的有机绝缘材料的释气(out-gassing)，以保护阴极CAT。无机绝缘层PAS2可以覆盖盖层CPL，以及平坦化层PCL可以形成在无机绝缘层PAS2上。平坦化层PCL可以包括有机绝缘材料。封装层的无机绝缘层PAS3可以形成在平坦化层PCL上。

偏振板18可以设置在无机绝缘层PAS3上，以提高显示装置的户外可视性。偏振板18可以减少从显示面板100的表面反射的光并且阻挡从电路层12的金属反射的光，从而改善像素的亮度。

参照图15，在透光区域AG中，第一透光图案18d可以形成在偏振板18中。第一透光图案18d可以通过使用激光使偏振器18b变色而形成，或者第一透光图案18d可以通过部分地去除偏振器18b而形成。

在透光区域AG中，可以在阴极CAT中形成开口H1。可以通过在像素限定膜BNK上形成阴极CAT并且然后一次对阴极CAT和像素限定膜BNK进行蚀刻来形成开口H1。因此，可以在像素限定膜BNK中形成第一凹槽RC1，并且可以在第一凹槽RC1上形成阴极CAT的开口H1。然而，本公开内容不必限于此，并且阴极CAT可以设置在第二平坦化层PLN2上而无需在透光区域AG上形成像素限定膜。

根据实施方式，在透光区域AG中，在偏振板18中形成第一透光图案18d，以及在阴极中形成开口H1，从而可以提高透光率。因此，可以将足够量的光引入到相机模块400中，从而可以改善相机性能。另外，可以减少成像的图像数据的噪声。

图16是图15的第一修改示例，以及图17是图15的第二修改示例。

参照图16，穿过电路层的缓冲层和多个绝缘层中的至少一层的第二凹槽RC2可以形成在透光区域AG中。另外，第一平坦化层PLN1可以包括插入到第二凹槽RC2中的突出部。利用该构造，可以省略多个层的界面，从而可以提高透光区域AG的透光率。

参照图17，第三凹槽RC3可以形成在其上形成有多个绝缘层的基板PI1和PI2的第一表面(上表面)中，以及第三凹槽RC3可以连接至第二凹槽RC2。也就是说，在形成无机绝缘膜ILD2和PAS1之后形成第二凹槽RC2的过程中，凹槽可以形成至第二PI基板PI2。另外，凹槽也可以根据需要通过无机膜IPD形成至第二PI基板PI2的部分区域。

图18至图21示出了根据本公开内容的又一实施方式的显示区域和成像区域的截面结构。

即使在用于改善图15至图17中描述的成像区域CA中的透光率的结构中，也存在由于基板PI1和PI2本身具有低的透光率而难以确保相机的图像质量的情况。特别地，当将有色聚酰亚胺(PI)用于基板时，由于蓝光的透射率低，所以频繁地发生这样的问题。另一方面，当将透明的聚酰亚胺用于基板时，透射率被提高，但是存在耐久性的问题，因此，难以将透明的聚酰亚胺应用于批量生产过程。因此，本发明人设计了在使用更适合于该过程的有色聚酰亚胺(例如，黄色PI)的同时没有透光率问题的基板结构。可以通过在与第二区域CA对应的位置中提供具有比其余部分更高的透光率的高透射区域来实现上述结构。在如图15至图17中使用双层聚酰亚胺基板的情况下，可以在第一PI基板PI1和/或第二PI基板PI2中设置高透射区域。在这种情况下，高透射区域可以被设置成与成像区域CA的全部或一部分对应。可以通过去除成像区域CA的基板的部分区域并且使用具有高透射率的材料填充去除的空间的过程来形成高透射区域。可以从具有高的蓝光透射率并且保持与其他区域的颜色平衡的材料中选择填充材料。

图18至图21中所示的显示面板可以包括：基板，该基板具有第一区域DA和第二区域CA，在第一区域DA中设置有第一像素，在第二区域CA中设置有第二像素和设置在第二像素之间的透光区域AG；以及偏振板18，该偏振板具有透光图案18d，该透光图案18d设置在透光区域AG上方并且具有比其余区域的透光率高的透光率。第二区域CA可以与相机模块400交叠，并且设置在第二区域CA中的第二像素的分辨率可以低于设置在第一区域DA中的第一像素的分辨率。

基板可以包括第一基板PI1、第二基板PI2以及设置在第一基板PI1与第二基板PI2之间的无机膜IPD。此时，第一像素和第二像素设置在第二基板PI2上。高透射区域可以包括设置在第一基板PI1中的第一高透射区域和设置在第二基板PI2中的第二高透射区域中的至少一个。

设置在基板中的高透射区域可以被定位为与偏振板18的透光图案18d对应。在这种情况下，高透射区域可以形成为与透光图案18d基本相同的形状和相同的面积，但不限于此，并且可以根据需要以不同的形状和不同的面积来实现。偏振板18可以包括第一保护层、第二保护层以及设置在第一保护层与第二保护层之间的偏振器18b，并且透光图案18d可以形成在偏振器18b中。透光图案18d可以包括形成在偏振器18b中的开口，并且此处，第一保护层可以包括插入到开口中的突出部。透光区域可以包括在偏振器18b中形成的变色区域，并且该变色区域可以是偏振器18b的碘化合物被分解的区域。

图18示出了设置在第一基板PI1中的第一高透射区域1810。在图18的实施方式中，第一高透射区域1810可以是其中第一基板PI1被去除并填充有透明树脂的区域。可以通过以下过程形成第一高透射区域1810：从母基板分离基板PI1和PI2的过程；修整第一基板PI1的特定区域的过程；以及使用透明树脂填充通过修整过程从其去除了第一基板的空间的过程。

图19a和图19b示出了设置在第一基板PI1中的第一高透射区域1910a和1910b以及设置在第二基板PI2中的第二高透射区域1920a和1920b。第一高透射区域1910a和1910b可以以与图18的第一高透射区域1810相同的方式进行设置。第二高透射区域1920a和1920b可以是其中第二基板PI2被去除并填充有透明有机材料或透明无机材料的区域。

第二高透射区域1920a和1920b可以通过蚀刻第二基板PI2的特定区域的过程以及使用有机膜和/或无机膜填充修整的空间的过程来形成。有机材料或无机材料可以是与作为构成第一像素或第二像素的层的第一缓冲层BUF1、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2等的材料相同的材料，或者可以是单独的材料。

第一高透射区域1910a和1910b以及第二高透射区域1920a和1920b各自可以具有渐缩(tapered)的截面。在这种情况下，如图19a中所示，第一高透射区域1910a和第二高透射区域1920a的截面可以具有在彼此相反的方向上相对的形状。也就是说，第一高透射区域1910a可以具有正向减缩形状，而第二高透射区域1920a可以具有反向减缩形状，反之亦然。替选地，如图19b中所示，第一高透射区域1910b和第二高透射区域1920b可以具有相同的截面形状。也就是说，第一高透射区域1910b和第二高透射区域1920b都可以具有反向减缩形状或正向减缩形状。特别地，此处，在如图19b所示的截面视图中，第一高透射区域1910b的侧面可以与第二高透射区域1920b的侧面共线。可以通过一次蚀刻第一高透射区域1910b和第二高透射区域1920b中的全部，然后依次使用第一高透射区域填充材料、无机膜IPD和第二高透射区域填充材料填充蚀刻的空间来形成这样的形状。

图20示出了设置在第一基板PI1中的第一高透射区域2010和设置在第二基板PI2中的第二高透射区域2020。第二高透射区域2020可以设置在第二区域CA中与透光区域AG对应的位置处。也就是说，可以在第二区域CA中设置多个第二高透射区域2020。

图21示出了还包括设置在第二区域CA中的抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4的实施方式。设置抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4以允许外部光容易地进入面板的内部并且减少由于来自面板的光的反射而产生的重相(ghost image)。抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4可以减少面板的界面反射。此外，抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4可以选择性地透射/反射可见范围内的光以减少雾度(haze)和/或漫射光。

抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4可以选择性地将以特定角度入射的光朝向相机模块400透射。雾度可以通过D.T/T.T(其中，D.T：漫透射率，以及T.T：总透射率)来计算，这意味着当漫射(或散射)的光入射到相机上时存在大量的雾。因此，作为用于减少D.T分量的一个实施方式，抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4可以被设计成：相对于380nm至780nm的波长范围内的直射光，透射以10°或更小的角度差入射的光，并且反射以10°或更大的角度差入射的光。

抗反射层可以设置在偏振板18的上部AR1、偏振板18的下部AR2、层间绝缘层ILD1和ILD2的上部AR3以及基板的下部AR4中的至少一个上。可以仅在与第一高透射区域2110和/或第二高透射区域2120交叠的位置中选择性地将抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4图案化。抗反射层AR1、AR2、AR3和AR4可以由MgF₂、CeF₂、ZrO₂、SiO₂、TiO₂和Al₂O₃中的任何一种或更多种制成。

本公开内容的实施方式可以提供安装了光学装置但没有对显示区域造成任何损失的显示装置。更具体地，本公开内容的实施方式可以增加成像区域中的透光率。因此，在本公开内容的实施方式中，可以减少捕获的图像数据的噪声，从而可以提高相机性能。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，可以改善美学和功能。根据本公开内容的实施方式的效果不受以上例示的内容的限制，并且在本说明书中包括更多种效果。

尽管上面已经参照附图详细描述了本公开内容的实施方式，但是本公开内容不必限于这些实施方式，并且可以在不偏离本公开内容的技术精神的情况下进行各种改变和修改。因此，本文公开的实施方式应被认为是描述性的而不是对本公开内容的技术精神的限制，并且本公开内容的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此接合或彼此结合并且可以由本领域技术人员以各种方式在技术上互锁和操作，并且示例性实施方式可以被彼此独立或彼此关联地执行。

本公开内容的范围应当由所附权利要求书以及这些权利要求书所赋予的等效物的全部范围来解释。