发热芯片的制备方法及发热芯片
阅读说明：本技术 发热芯片的制备方法及发热芯片 (Preparation method of heating chip and heating chip ) 是由 李永武 杨敏 陈占洋 于 2021-09-22 设计创作，主要内容包括：本发明实施例提出一种发热芯片的制备方法及发热芯片,发热芯片的制备方法包括在基底上进行真空镀膜,形成第一加热层；在第一加热层上进行第二次真空镀膜,形成隔断层；在隔断层上进行第三次真空镀膜,形成第二加热层；选取第一导电条和第二导电条分别与第一加热层两端电连接形成第一电路；选取第三导电条和第四导电条分别与第二加热层两端电连接形成第二电路；将第一加热层、隔断层和第二加热层封装以形成发热芯片。本发明在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构,且用隔断层分割成两个独立加热单元,既可以在预热阶段同时开启加快预热时间,也可以在加热过程中单独工作防止功率过大。(The embodiment of the invention provides a preparation method of a heating chip and the heating chip, wherein the preparation method of the heating chip comprises the steps of carrying out vacuum coating on a substrate to form a first heating layer; performing second vacuum coating on the first heating layer to form a partition layer; carrying out third vacuum coating on the partition layer to form a second heating layer; selecting a first conductive strip and a second conductive strip to be respectively and electrically connected with two ends of the first heating layer to form a first circuit; selecting a third conductive strip and a fourth conductive strip to be respectively and electrically connected with two ends of the second heating layer to form a second circuit; and packaging the first heating layer, the partition layer and the second heating layer to form the heating chip. The double-layer heating structure is formed in the preparation process of the heating chip, and the heating chip is divided into two independent heating units by the partition layer, so that the preheating time can be shortened by simultaneously starting in the preheating stage, and the heating chip can independently work in the heating process to prevent overlarge power.)
技术领域
本发明涉及发热建材技术领域，尤其涉及一种发热芯片的制备方法及发热芯片。
背景技术
目前南方没有有效的采暖措施，冬季寒冷潮湿；因此，多采用磁控技术在绝缘的基板上制备导电层或者电阻层，并通过导电条通电加热导电层或者电阻层进行供暖。但是，由于导电层完全覆盖在基板上，如果功率太小，导电层在进行加热的时候，需要预热时间很久，如果功率太大，导电层在进行加热过程中会因为功率过大产生高温，易产生火灾等危害。
发明内容
本发明实施例提供一种发热芯片的制备方法及发热芯片，以解决现有技术中的一个或者多个技术问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种发热芯片的制备方法，所述方法包括：
在基底上进行真空镀膜，形成第一加热层；
在第一加热层上进行第二次真空镀膜，形成隔断层；
在隔断层上进行第三次真空镀膜，形成第二加热层；其中，所述第一加热层、隔断层以及第二加热层的面积逐渐减小，以使所述第一加热层、隔断层以及第二加热层两端以阶梯方式堆叠；
选取第一导电条和第二导电条分别与所述第一加热层两端电连接形成第一电路；
选取第三导电条和第四导电条分别与所述第二加热层两端电连接形成第二电路；
将所述第一加热层、隔断层和第二加热层封装以形成发热芯片。
在一种较佳的实施方式中，所述第一导电条和所述第三导电条同一侧间隔设置且所述第一导电条和所述第三导电条之间的间隙为隔断层，所述第二导电条和所述第四导电条同一侧间隔设置且所述第二导电条和所述第四导电条之间的间隙为隔断层，以使所述第一电路和所述第二电路独立工作。
在一种较佳的实施方式中，所述第一加热层的厚度范围包括10nm～1000nm。
在一种较佳的实施方式中，所述第二加热层的厚度范围包括10nm～1000nm。
在一种较佳的实施方式中，所述在基底上进行真空镀膜，以形成第一加热层的步骤之前还包括：
在基底表面涂布预涂层，并将预涂层进行第一次固化；
在预涂层上涂布硬化材料，以形成硬化层，并将硬化层进行第二次固化。
在一种较佳的实施方式中，所述第一加热层和所述第二加热层包括ZnOxS(1-x)(硫掺杂氧化锌)、InOxS(1-x)(硫掺杂氧化铟)、SnxIn(1-x)O(氧化铟锡)、ZnxMg(1-x)O(镁掺杂氧化锌)、ZnxAl(1-x)O(氧化锌铝)、ATO(锑掺杂氧化锡)、FTO(氟掺杂氧化锡)、CTO(锡酸镉)、CdO(氧化镉)、FZO(氟掺杂氧化锌)、SiC(碳化硅)、NiO(氧化亚镍)、Cu2O(氧化亚铜)和SnO(一氧化锡)中的一种或多种。
在一种较佳的实施方式中，所述隔断层包括二氧化硅、环氧树脂、聚酯、聚氨酯、有机硅树脂、聚酰亚胺醇酸树脂中的一种或多种。
第二方面，本发明实施例提供了一种发热芯片，包括：
基底；
第一加热层，所述第一加热层覆盖在所述基底上；
第一导电条和第二导电条，所述第一导电条和第二导电条与所述第一加热层两端电连接，以形成第一电路；
隔断层，所述隔断层覆盖在第一导电条和第二导电条之间的所述第一加热层；
第二加热层，所述第二加热层覆盖在所述隔断层上；
第三导电条和第四导电条，所述第三导电条和所述第四导电条与所述第二加热层两端电连接，以形成第二电路。
在一种较佳的实施方式中，所述第一加热层的厚度范围包括10nm～1000nm，所述第二加热层的厚度范围包括10nm～1000nm。
在一种较佳的实施方式中，所述第一加热层和所述第二加热层包括ZnOxS(1-x)(硫掺杂氧化锌)、InOxS(1-x)(硫掺杂氧化铟)、SnxIn(1-x)O(氧化铟锡)、ZnxMg(1-x)O(镁掺杂氧化锌)、ZnxAl(1-x)O(氧化锌铝)、ATO(锑掺杂氧化锡)、FTO(氟掺杂氧化锡)、CTO(锡酸镉)、CdO(氧化镉)、FZO(氟掺杂氧化锌)、SiC(碳化硅)、NiO(氧化亚镍)、Cu2O(氧化亚铜)和SnO(一氧化锡)中的一种或多种。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：本发明在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构，且用隔断层分割成两个独立加热单元，既可以在预热阶段同时开启加快预热时间，也可以在加热过程中单独工作防止功率过大。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本发明进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本发明公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本发明范围的限制。
图1示出根据本发明实施例发热芯片的整体结构截面图。
图2示出根据本发明实施例发热芯片的整体结构俯视图。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
图1示出根据本发明实施例发热芯片的整体结构截面图。
第一方面，本发明实施例提供了一种发热芯片的制备方法，参见图1和图2所示，所述方法包括：
在基底110上进行真空镀膜，形成第一加热层100。
在第一加热层100上进行第二次真空镀膜，形成隔断层200。
在隔断层200上进行第三次真空镀膜，形成第二加热层300；其中，所述第一加热层100、隔断层200以及第二加热层300的面积逐渐减小，以使所述第一加热层100、隔断层200以及第二加热层300两端以阶梯方式堆叠。
选取第一导电条410和第二导电条420分别与所述第一加热层100两端电连接形成第一电路。
选取第三导电条430和第四导电条440分别与所述第二加热层200两端电连接形成第二电路。第一电路和第二电路是并联电路，同时开启时产生双倍的加热效果，而且互相不产生干扰。
将所述第一加热层100、隔断层200和第二加热层300封装以形成发热芯片。
本实施例在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构，且用隔断层200分割成两个独立的电路作为加热单元，既可以在预热阶段同时开启两个电路加快预热时间，也可以在加热过程中单独一个电路工作以防止功率过大。
在一种具体实施例中，参见图1和图2所示，所述第一导电条410和所述第三导电条430同一侧间隔设置且所述第一导电条410和所述第三导电条430之间的间隙为隔断层200，所述第二导电条420和所述第四导电条440同一侧间隔设置且所述第二导电条420和所述第四导电条440之间的间隙为隔断层，以使所述第一电路和所述第二电路独立工作。
在一种具体实施例中，所述第一加热层100的厚度范围包括10nm～1000nm。
在一种具体实施例中，所述第二加热层300的厚度范围包括10nm～1000nm。
在一种具体实施例中，所述在基底110上进行真空镀膜，以形成第一加热层100的步骤之前还包括：
在基底110表面涂布预涂层，并将预涂层进行第一次固化；
在预涂层上涂布硬化材料，以形成硬化层，并将硬化层进行第二次固化。
本实施例对基材110进行预涂和硬化处理，一方便减少基材110的表面粗糙度，使得镀膜过程中可以具备更好的均匀性，另一方便也可以增加基材110的硬度保证镀膜要求。
在一种具体实施例中，所述第一加热层100和所述第二加热层300包括ZnOxS(1-x)(硫掺杂氧化锌)、InOxS(1-x)(硫掺杂氧化铟)、SnxIn(1-x)O(氧化铟锡)、ZnxMg(1-x)O(镁掺杂氧化锌)、ZnxAl(1-x)O(氧化锌铝)、ATO(锑掺杂氧化锡)、FTO(氟掺杂氧化锡)、CTO(锡酸镉)、CdO(氧化镉)、FZO(氟掺杂氧化锌)、SiC(碳化硅)、NiO(氧化亚镍)、Cu2O(氧化亚铜)和SnO(一氧化锡)中的一种或多种。
在一种具体实施例中，所述隔断层200包括二氧化硅、环氧树脂、聚酯、聚氨酯、有机硅树脂、聚酰亚胺醇酸树脂中的一种或多种。
第二方面，参见图1和图2所示，本发明实施例提供了一种发热芯片，包括基底110、第一加热层100、第一导电条410和第二导电条420、隔断层200、第二加热层300、第三导电条430和第四导电条440。
所述第一加热层100覆盖在所述基底110上。
所述第一导电条410和第二导电条420与所述第一加热层100两端电连接，以形成第一电路。
所述隔断层200覆盖在第一导电条410和第二导电条420之间的所述第一加热层100。
所述第二加热层300覆盖在所述隔断层200上。
所述第三导电条430和所述第四导电条440与所述第二加热层300两端电连接，以形成第二电路。
本实施例在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构，且用隔断层200分割成两个独立的电路作为加热单元，既可以在预热阶段同时开启两个电路加快预热时间，也可以在加热过程中单独一个电路工作以防止功率过大。
在一种具体实施例中，所述第一加热层100的厚度范围包括10nm～1000nm，所述第二加热层300的厚度范围包括10nm～1000nm。
在一种具体实施例中，所述第一加热层100和所述第二加热层300包括锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锡酸镉、锡掺杂氧化铟、氧化镉、铝掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、氟掺杂氧化锌、硫掺杂氧化锌、碳化硅、氧化亚镍、氧化亚铜、一氧化锡中的一种或多种。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：本发明在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构，且用隔断层分割成两个独立加热单元，既可以在预热阶段同时开启加快预热时间，也可以在加热过程中单独工作防止功率过大。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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