具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

图1为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管器件的结构示意图，参见图1，本实施例中的薄膜晶体管器件，包括：基板1；栅极2，设置在基板1上；绝缘层3，沉积在栅极2上；有源层，有源层包括底层有源层4和底层有源层5，其中，底层有源层4覆盖于绝缘层3上，顶层有源层5覆盖于底层有源层4上，顶层有源层5上设置有源极6和漏极7；绝缘保护层8，设于源极6和漏极7上。

在本实施例中，底层有源层4为掺杂锂(Li)元素的氧化锌铟(InZnO)；所述顶层有源层5为掺杂锂元素的氧化锌锡(SnZnO)，通过在有源层中掺杂锂元素，以置换有源层中的锌，从而降低了有源层的退火温度，提升了薄膜晶体管器件的的载流子迁移率、开关比，解决了传统薄膜晶体管器件存在的有源层退火温度高、制备条件苛刻的问题。

在其中一个实施例中，底层有源层4的厚度小于顶层有源层5的厚度。在本实施例中，可以在保证性能不降低的条件下，将部分氧化锌铟替换为氧化锌锡，可以降低退火温度，降低了制备薄膜晶体管器件的难度。

在其中一个实施例中，底层有源层4的厚度为8-12nm，顶层有源层5的厚度为35-45nm。

在本实施例中，底层有源层4采用的材料为掺杂Li元素的InZnO，厚度为8-12nm，顶层有源层5采用的材料为掺杂Li元素的SnZnO，厚度为35-45nm；通过采用掺杂了通过采用掺杂Li元素的InZnO和SnZnO制备有源层，掺杂的Li元素可以置换掉有源层中的锌，降低了有源层的载流子浓度，提高了薄膜晶体管器件的性能，此外，由于Li元素资源丰富，价格便宜，在提高金属氧化物TFT器件性能的同时还具有优良的经济效益。

在本实施例中，通过采用掺杂了Li元素的InZnO和SnZnO制备双层有源层结构，掺杂的锂元素可以置换掉有源层中的锌，降低了有源层的载流子浓度，提高了薄膜晶体管器件的性能，由于氧化锌锡的退火温度更低，有源层设置为包括顶层和底层的双层结构，具体的，顶层有源层设置为氧化锌铟，底层有源层设置为氧化锌锡，有源层在保证性能不降低的条件下，将部分氧化锌铟替换为氧化锌锡，可以降低退火温度，降低了制备薄膜晶体管器件的难度。

在其中一个实施例中，绝缘层和绝缘保护层采用的材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或者氮化硅和氧化硅的组合。

在本实施例中，氮化硅、或氧化硅、或氮化硅和氧化硅的组合的相对介电常数较大，具有较好的致密性和绝缘性，可与有源层形成较好的绝缘隔离面。

在其中一个实施例中，源极和漏极采用的材料为钼或者钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)复合结构。

在其中一个实施例中，单层的钼(Mo)作为器件的源漏极可以有效降低漏电流，但是钼为稀有金属价格较贵，耐腐蚀，难刻蚀，采用单层的钼的器件生产周期较长，成本较高，因此采用钼/铝/钼复合结构来减少钼的用量，降低了生产周期和成本。

在其中一个实施例中，栅极2为钼、铝和钼/铝/钼复合结构中的一种。

在其中一个实施例中，基板1可以为由玻璃制成的面板结构，其厚度为0.5mm-0.7mm，用于提供电极的承载和固定平台以制成金属氧化物TFT器件。

在其中一个实施例中，栅极2为金属导电极，其为薄膜结构，设置在基板1的中间，用于控制源极5和漏极6之间的电流。

在其中一个实施例中，栅极2采用的材料为Mo、Al和Mo/Al/Mo复合结构中的一种。

进一步地，栅极2采用的材料还可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或几种的堆栈组合。通过采用金属制成栅极2，使其具有导电功能。当然，还可根据具体需求采用其他材料制备栅极2，在本申请中并无限制。

在其中一个实施例中，绝缘层3沉积在栅极2上，同时将基板1覆盖，用于将栅极2与外部隔离，以防止漏电造成栅极2的电压不稳定导致TFT工作异常。其中，绝缘层3的边缘与基板1的边缘完全重合相贴。

在其中一个实施例中，底层有源层4覆盖于绝缘层3上，与绝缘层3完全重合相贴，顶层有源层5覆盖于底层有源层4上，底层有源层4和顶层有源层5共同构成了有源层，有源层用于受栅极2的电压控制生成反型层，形成栅极2与源极6、栅极2与漏极7之间的导电沟道。

在本实施例中，由于SnZnO的退火温度更低，有源层设置为包括顶层和底层的双层结构，顶层有源层设置为SnZnO，底层设置为InZnO，有源层在保证性能不降低的条件下，将部分InZnO替换为SnZnO，可以降低退火温度，降低了制备薄膜晶体管器件的难度。

进一步地，采用磁控溅射的方式依次形成掺杂锂元素的氧化锌铟和掺杂锂元素的氧化锌锡，在氧化锌铟和氧化锌锡制备完成之后，在350-450℃的退火温度以及30-60min的退火时间下对有源层进行处理，此双层有源层结构的TFT具有高的载流子迁移率、开关比以及较低的亚阈值摆幅。

在一个实施例中，顶层有源层5顶部两侧设置有源极6和漏极7，源极6和漏极7对称设置，源极6和漏极7之间不接触。源极6和漏极7均为金属导电极，薄膜结构。源极6和漏极7之间可以受栅极2与漏极6之间的电压控制导通或截止。

在一个具体应用实施例中，源极6和漏极7采用的材料为Mo/Al/Mo复合结构。Mo/Al/Mo复合结构包括两层Mo层和夹在两层Mo层之间的Al层等至少三层金属薄膜。由于单层Mo作为金属氧化物TFT器件的源极和漏极可以有效降低漏电流，但是Mo是一种稀有金属，其价格昂贵、耐腐蚀、难刻蚀，从而导致生产周期长、成本高。在其中一个具体应用实施例中，使用Mo/Al/Mo复合结构制成源极6和漏极7，通过加入Al层来有效替代一部分Mo来降低源极和漏极的生产成本缩短其生产周期。当然，还可根据具体需求采用其他材料制备源极6和漏极7，在本申请中并无限制。

进一步地，在其中一个实施例中，通过设置合适的与绝缘层3接触的Mo层的厚度，以提高导电沟道界面的平整度，降低漏电流，从而提高金属氧化物TFT器件的显示质量。其中，与绝缘层3接触的Mo层的厚度为14nm-29nm。本实施例设置的底层Mo层的厚度能够利用较小的Mo层厚度将Al与绝缘层3中的Si元素隔离。

在一个实施例中，底层有源层厚度为8-12nm，采用的材料为掺杂Li元素的InZnO，顶层厚度为35-45nm，采用的材料为掺杂Li元素的SnZnO，若底层有源层和顶层采用的材料均为掺杂Li元素的InZnO时，有源层厚度增加能使有源层的精粒尺寸增大，使得有源层表面粗糙度降低，从而使得金属氧化物TFT器件性能更好，但有源层超过一定厚度后随着厚度增加金属氧化物TFT器件的性能趋于稳定。

在其中一个实施例中，首先在形成InZnO的过程中掺杂Li元素形成底层有源层4，然后将溅射材料替换为SnZnO，同时保持Li元素的掺杂，保障TFT器件性能较好的前提下使得其有源层的厚度在一个较小的范围。

图2为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管器件的制作方法的流程示意图，结合图1和图2所示，本实施例中的TFT器件的制作方法包括步骤S201至步骤206。

S201：在基板1上制备栅极2。

在一个实施例中，首先在基板1上沉积栅极2的金属层，然后在金属层上涂布光刻胶，并利用光刻胶进行曝光和显影处理来形成栅极的位置和形状，以将栅极2设置在基板1的中间位置。

S202：在栅极2上沉积绝缘层3。

在一个实施例中，在栅极2上沉积绝缘材料，使栅极2表明形成一层薄膜保护层，即绝缘层3，使栅极2与外部隔离。在其中一个实施例中，绝缘材料为SiNx、SiOx或SiNx和SiOx的组合，由于SiOx和SiNx的相对介电常数较大，具有较好的致密性和绝缘性，用SiOx或SiNx或二者的组合制成的绝缘层3可以跟底层有源层4之间形成较好的绝缘隔离面。

S203：在绝缘层3上制备底层有源层4，其中，底层有源层4为掺杂锂元素的氧化锌铟。

在本实施例中，底层有源层4采用的材料为掺杂Li元素的InZnO，底层有源层4的厚度为8-12nm。

在一个实施例中，在绝缘层3上沉积半导体材料，通过构图工艺，在绝缘层3上形成有源层底层有源层4的形状，其中，半导体材料为掺杂Li元素的InZnO。

S204：在底层有源层4上制备顶层有源层5，其中，顶层有源层5为掺杂锂元素的氧化锌锡。

在本实施例中，在底层有源层4上制备顶层有源层5，在其中一个实施例中，底层有源层5采用的材料为掺杂Li元素的SnZnO，厚度为35-45nm。

在一个实施例中，在有源层底层有源层4上沉积半导体材料，通过构图工艺，在有源层底层有源层4上形成有源层底层有源层5的形状，其中，半导体材料为掺杂Li元素的SnZnO。

S205：在顶层有源层5上制备源极6和漏极7。

在一个实施例中，源极6和漏极7制备于顶层有源层5上方的两侧，源极6和漏极7对称设置，制备源极6和漏极7采用的工艺与制备栅极2相同，在此不再赘述，

S206：在源极6和漏极7上沉积绝缘保护层8。

在本实施例中，制作绝缘保护层8的工艺与绝缘层3相同，在此不再赘述。

在其中一个实施例中，在绝缘层上制备底层有源层，包括：采用磁控溅射的方式在绝缘层上沉积底层有源层。

在其中一个实施例中，步骤S206之后还包括：对有源层底层有源层4和底层有源层5进行退火处理。

具体地，将已制备了有源层底层有源层4和底层有源层5的基板1放入退火炉中，对有源层底层有源层4和底层有源层5进行退火处理。

在其中一个实施例中，退火处理的退火温度为350-450℃。在其中一个实施例中，退火时间为30-60分钟。本实施例设置的退火温度制作的金属氧化物TFT器件的性能为最佳。通过调整退火温度可以使底层有源层4和底层有源层5表面粗糙度减小，还可以使顶层有源层5的导电沟道处表面缺陷态密度减小，从而使金属氧化物TFT器件的迁移率、阈值电压、开关比、亚阈值摆幅均达到最佳值。

在本实施例中，双层有源层(InZnO:Li和ZnSn0：Li)相比单层有源层InZnO:Li和单层有源层InZnO:Li在更低的退火温度条件下能够获得性能相当TFT器件，InZnO:Li的退火温度在900℃左右，ZnSn0：Li的退火温度在600℃左右。

在其中一个实施例中，底层有源层4和底层有源层5的制备过程中通入氧气。本实施例中，通入的氧气流量为2SCCM-4SCCM。本实施例设置的氧气流量制作的金属氧化物TFT器件的性能为最佳。在有源层制备过程中通入一定量的氧气，减小了底层有源层4和底层有源层5的表面缺陷态密度，降低了底层有源层4和底层有源层5中的载流子浓度，从而提高了金属氧化物TFT器件的综合性能。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

本申请实施例还提供了一种显示装置，包括：显示面板；以及如上述任一项实施例所述的薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件对所述显示面板进行驱动。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。