一种高集成度变频通道组件
阅读说明：本技术 一种高集成度变频通道组件 (High-integration-level frequency conversion channel assembly ) 是由 章圣长 黄科 余正冬 马明凯 郭宏展 于 2021-03-17 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种高集成度变频通道组件,属于射频收发技术领域,其特征在于：包括射频芯片、支撑腔体和微波多层PCB板,微波多层PCB板包括变频接收通道和变频发射通道,微波多层PCB板中内置有高本振功分网络和低本振功分网络,信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道提供本振信号,微波多层PCB板上设置有垂直过渡孔,垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板,向变频发射通道发射激励信号,激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔,再经功率分配后输出。本发明具有高集成度、小尺寸、低剖面、易加工和装配的特点,适用性强。(The invention discloses a high-integration frequency conversion channel component, which belongs to the technical field of radio frequency transceiving and is characterized in that: the microwave multilayer PCB comprises a radio frequency chip, a support cavity and a microwave multilayer PCB, wherein the microwave multilayer PCB comprises a frequency conversion receiving channel and a frequency conversion transmitting channel, a high local oscillation power distribution network and a low local oscillation power distribution network are arranged in the microwave multilayer PCB, signals are divided by the high local oscillation power distribution network and the low local oscillation power distribution network in sequence and then provide local oscillation signals for the frequency conversion transmitting channel, vertical transition holes are formed in the microwave multilayer PCB, the vertical transition holes penetrate through the microwave multilayer PCB and transmit excitation signals to the frequency conversion transmitting channel, the excitation signals are subjected to up-conversion, filtering and amplification and then pass through the vertical transition holes, and the excitation signals are output after power distribution. The invention has the characteristics of high integration level, small size, low profile, easy processing and assembly and strong applicability.)
技术领域
本发明涉及到射频收发技术领域，尤其涉及一种高集成度变频通道组件。
背景技术
近年来雷达、通信和电子对抗类电子设备向轻量化和小型化发展，对内部器件或模块实现高集成化及小型化提出新的需求。多通道变频通道作为这类电子设备核心部分，其高集成度、小型化和轻量化设计具有十分重要的意义。目前在微波集成电路技术、微波多层板设计加工和微组装工艺方面技术不断发展，推动了多通道变频通道的集成化、小型化和轻量化研究设计向前发展。
目前变频通道设计大多基于微组装技术，采用集成微波芯片和微波双面板或低温共烧陶瓷基板安装于金属腔体上组成通信链路的方式实现，该方式使多通道变频通道模块面积变大，厚度变厚，不能满足集成化、小型化和轻量化要求。
公开号为CN 206673954U，公开日为2017年11月24日的中国专利文献公开了一种基于微波数字复合基板技术的多芯片射频收发装置，其特征在于，包括：微波数字复合基板、变频模块、低噪声放大模块和滤波模块，
其中，所述变频模块、低噪声放大模块和滤波模块装焊至所述微波数字复合基板的表面上，其中，所述变频模块包括：切换开关、上变频器和下变频器，所述切换开关接入一路本振信号，并选择性的送至所述上变频器或所述下变频器，其中所述低噪声放大模块与所述滤波模块连接，所述滤波模块与所述下变频器连接组成接收支路，所述下变频器与所述滤波模块连接，所述滤波模块与所述低噪声放大模块连接组成发射支路。
该专利文献公开的基于微波数字复合基板技术的多芯片射频收发装置，虽然具有重量轻、体积小、可靠性高、灵活可扩充的优点。但是，集成度欠佳，不具备低剖面、易加工和装配的特点。
发明内容
本发明为了克服上述现有技术的缺陷，提供一种高集成度变频通道组件，本发明具有高集成度、小尺寸、低剖面、易加工和装配的特点，适用性强。
本发明通过下述技术方案实现：
一种高集成度变频通道组件，其特征在于：包括射频芯片、支撑腔体和微波多层PCB板，所述微波多层PCB板的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器，所述射频芯片通过导电胶粘接于微波多层PCB板的顶层，所述微波多层PCB板的底层通过导电胶粘接在支撑腔体上，微波多层PCB板的顶层上安装有盖板，所述微波多层PCB板包括变频接收通道和变频发射通道，所述微波多层PCB板中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道提供本振信号，微波多层PCB板上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板，向变频发射通道发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
所述微波多层PCB板从上到下依次包括连接在一起的射频信号层、电源控制线层、高本振信号层、低本振信号层和激励信号层。
所述变频发射通道包括一条公共支路和与公共支路连接的四条分支链路，公共支路用于完成激励信号上变频、滤波和放大，分支链路用于将发射信号功率分配至射频象限一输出、射频象限二输出、射频象限三输出和射频象限四输出。
所述公共支路包括第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器以及第一两路功分器、第二两路功分器和第三两路功分器，其中第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器和第一两路功分器依次串接，第一两路功分器分别与第二两路功分器和第三两路功分器连接。
所述四条分支链路均包括射频TR芯片和与射频TR芯片连接的射频数字步进衰减器，第二两路功分器分别与射频象限一输出和射频象限二输出的射频TR芯片连接，第三两路功分器分别与射频象限三输出和射频象限四输出的射频TR芯片连接。
所述公共支路布置在微波多层PCB板的中心处，公共支路完成激励信号上变频、滤波和放大后再经垂直过渡孔到达微波多层PCB板的背面，经功率分配后输出至发射端口。
所述变频接收通道包括射频数字步进衰减器、射频TR芯片、射频镜频滤波器、第一混频器、带通滤波器、第二混频器、第一中频低通滤波器、第一中频放大器、中频温补衰减器、第二中频放大器、第二中频低通滤波器和射频二倍频器，射频数字步进衰减器、射频TR芯片、射频镜频滤波器、第一混频器、带通滤波器、第二混频器、第一中频低通滤波器、第一中频放大器、中频温补衰减器、第二中频放大器和第二中频低通滤波器依次连接，射频二倍频器与第一混频器连接。
所述变频接收通道呈旋转对称布置在微波多层PCB板上。
所述射频TR芯片包括接收低噪放、射频开关和发射驱动放大器，射频开关的一端与接收低噪放连接，射频开关的另一端与发射驱动放大器连接。
本发明所述PCB板是指印制电路板。
本发明的有益效果主要表现在以下方面：
1、本发明，微波多层PCB板的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器，所述射频芯片通过导电胶粘接于微波多层PCB板的顶层，所述微波多层PCB板的底层通过导电胶粘接在支撑腔体上，微波多层PCB板的顶层上安装有盖板，所述微波多层PCB板包括变频接收通道和变频发射通道，所述微波多层PCB板中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道提供本振信号，微波多层PCB板上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板，向变频发射通道发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出，由于同时变频接收通道和变频发射通道对幅相一致性和通道隔离有较高要求，使得变频通道小型化和集成化难度增大，本发明通过采用微波多层PCB板，将供电线、控制信号线、跳频高本振信号、固定低本振信号、射频接收信号和射频发射信号进行分层隔离设计，所有信号集中在一个微波多层PCB板上走线，提高了变频通道集成度，射频信号、跳频高本振信号和固定低本振信号通过垂直过渡孔传输，不仅保证了射频信号传输的连续性，而且避免了传统设计使用射频玻璃绝缘子带来体积增大的问题；较现有技术而言，具有高集成度、小尺寸、低剖面、易加工和装配的特点，适用性强。
2、本发明，得益于微波集成芯片的发展，变频通道中所使用的器件均选用裸芯片，避免了封装器件占用面积过大的问题，提高了空间利用率。
3、本发明，基于微组装工艺，将裸芯片使用导电胶粘接于微波多层PCB板的顶层，微波多层PCB板的基板选用与硅热膨胀系数相近的材料，能够有效避免两种材料因热膨胀系数差距过大导致芯片拉裂的问题。
4、本发明，整个高集成度变频通道组件的总厚度小于8mm，微波多层PCB板的顶层和底层之间空气腔高度为4mm，支撑腔体的厚度为1.8mm，使得剖面厚度小，重量轻。
5、本发明，变频接收通道呈旋转对称布置在微波多层PCB板上，采用这种特定布局方式，能够保证变频接收通道间布局的一致性，进而保障幅相一致性。
6、本发明，通过将裸芯片微组装和微波多层PCB板有机结合在一起，为多通道变频通道的小型化和集成化设计奠定了基础。
附图说明
下面将结合说明书附图和
具体实施方式
对本发明作进一步的具体说明，其中：
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明微波多层PCB板的结构示意图；
图3为本发明微波多层PCB板的剖面图；
图4为本发明微波多层PCB板的层状图；
图5为本发明公共支路中第一中频放大器连接至第二射频带通滤波器的结构示意图；
图6为本发明分支链路连接至公共支路中第二射频带通滤波器的结构示意图；
图7为本发明变频接收通道中射频数字步进衰减器连接至第一中频低通滤波器的结构示意图；
图8为本发明变频接收通道中第一中频低通滤波器连接至第二中频低通滤波器的结构示意图；
图9为本发明射频TR芯片的结构示意图；
图中标记：1、射频芯片，2、支撑腔体，3、微波多层PCB板，4、表贴高频连接器，5、盖板，6、变频接收通道，7、变频发射通道，8、发射端口。
具体实施方式
实施例1
参见图1-图3，一种高集成度变频通道组件，包括射频芯片1、支撑腔体2和微波多层PCB板3，所述微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出，由于同时变频接收通道6和变频发射通道7对幅相一致性和通道隔离有较高要求，使得变频通道小型化和集成化难度增大，本发明通过采用微波多层PCB板3，将供电线、控制信号线、跳频高本振信号、固定低本振信号、射频接收信号和射频发射信号进行分层隔离设计，所有信号集中在一个微波多层PCB板3上走线，提高了变频通道集成度，射频信号、跳频高本振信号和固定低本振信号通过垂直过渡孔传输，不仅保证了射频信号传输的连续性，而且避免了传统设计使用射频玻璃绝缘子带来体积增大的问题；较现有技术而言，具有高集成度、小尺寸、低剖面、易加工和装配的特点，适用性强。
实施例2
参见图1-图4，一种高集成度变频通道组件，包括射频芯片1、支撑腔体2和微波多层PCB板3，所述微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
所述微波多层PCB板3从上到下依次包括连接在一起的射频信号层、电源控制线层、高本振信号层、低本振信号层和激励信号层。
得益于微波集成芯片的发展，变频通道中所使用的器件均选用裸芯片，避免了封装器件占用面积过大的问题，提高了空间利用率。
实施例3
参见图1-图6，一种高集成度变频通道组件，包括射频芯片1、支撑腔体2和微波多层PCB板3，所述微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
所述微波多层PCB板3从上到下依次包括连接在一起的射频信号层、电源控制线层、高本振信号层、低本振信号层和激励信号层。
所述变频发射通道7包括一条公共支路和与公共支路连接的四条分支链路，公共支路用于完成激励信号上变频、滤波和放大，分支链路用于将发射信号功率分配至射频象限一输出、射频象限二输出、射频象限三输出和射频象限四输出。
所述公共支路包括第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器以及第一两路功分器、第二两路功分器和第三两路功分器，其中第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器和第一两路功分器依次串接，第一两路功分器分别与第二两路功分器和第三两路功分器连接。
所述四条分支链路均包括射频TR芯片和与射频TR芯片连接的射频数字步进衰减器，第二两路功分器分别与射频象限一输出和射频象限二输出的射频TR芯片连接，第三两路功分器分别与射频象限三输出和射频象限四输出的射频TR芯片连接。
基于微组装工艺，将裸芯片使用导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，微波多层PCB板3的基板选用与硅热膨胀系数相近的材料，能够有效避免两种材料因热膨胀系数差距过大导致芯片拉裂的问题。
实施例4
参见图1-图6，一种高集成度变频通道组件，包括射频芯片1、支撑腔体2和微波多层PCB板3，所述微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
所述微波多层PCB板3从上到下依次包括连接在一起的射频信号层、电源控制线层、高本振信号层、低本振信号层和激励信号层。
所述变频发射通道7包括一条公共支路和与公共支路连接的四条分支链路，公共支路用于完成激励信号上变频、滤波和放大，分支链路用于将发射信号功率分配至射频象限一输出、射频象限二输出、射频象限三输出和射频象限四输出。
所述公共支路包括第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器以及第一两路功分器、第二两路功分器和第三两路功分器，其中第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器和第一两路功分器依次串接，第一两路功分器分别与第二两路功分器和第三两路功分器连接。
所述四条分支链路均包括射频TR芯片和与射频TR芯片连接的射频数字步进衰减器，第二两路功分器分别与射频象限一输出和射频象限二输出的射频TR芯片连接，第三两路功分器分别与射频象限三输出和射频象限四输出的射频TR芯片连接。
所述公共支路布置在微波多层PCB板3的中心处，公共支路完成激励信号上变频、滤波和放大后再经垂直过渡孔到达微波多层PCB板3的背面，经功率分配后输出至发射端口8。
整个高集成度变频通道组件的总厚度小于8mm，微波多层PCB板3的顶层和底层之间空气腔高度为4mm，支撑腔体2的厚度为1.8mm，使得剖面厚度小，重量轻。
实施例5
参见图1-图8，一种高集成度变频通道组件，包括射频芯片1、支撑腔体2和微波多层PCB板3，所述微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
所述微波多层PCB板3从上到下依次包括连接在一起的射频信号层、电源控制线层、高本振信号层、低本振信号层和激励信号层。
所述变频发射通道7包括一条公共支路和与公共支路连接的四条分支链路，公共支路用于完成激励信号上变频、滤波和放大，分支链路用于将发射信号功率分配至射频象限一输出、射频象限二输出、射频象限三输出和射频象限四输出。
所述公共支路包括第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器以及第一两路功分器、第二两路功分器和第三两路功分器，其中第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器和第一两路功分器依次串接，第一两路功分器分别与第二两路功分器和第三两路功分器连接。
所述四条分支链路均包括射频TR芯片和与射频TR芯片连接的射频数字步进衰减器，第二两路功分器分别与射频象限一输出和射频象限二输出的射频TR芯片连接，第三两路功分器分别与射频象限三输出和射频象限四输出的射频TR芯片连接。
所述公共支路布置在微波多层PCB板3的中心处，公共支路完成激励信号上变频、滤波和放大后再经垂直过渡孔到达微波多层PCB板3的背面，经功率分配后输出至发射端口8。
所述变频接收通道6包括射频数字步进衰减器、射频TR芯片、射频镜频滤波器、第一混频器、带通滤波器、第二混频器、第一中频低通滤波器、第一中频放大器、中频温补衰减器、第二中频放大器、第二中频低通滤波器和射频二倍频器，射频数字步进衰减器、射频TR芯片、射频镜频滤波器、第一混频器、带通滤波器、第二混频器、第一中频低通滤波器、第一中频放大器、中频温补衰减器、第二中频放大器和第二中频低通滤波器依次连接，射频二倍频器与第一混频器连接。
变频接收通道6呈旋转对称布置在微波多层PCB板3上，采用这种特定布局方式，能够保证变频接收通道6间布局的一致性，进而保障幅相一致性。
实施例6
参见图1-图9，一种高集成度变频通道组件，包括射频芯片1、支撑腔体2和微波多层PCB板3，所述微波多层PCB板3的顶层和底层均通过导电胶粘接有表贴高频连接器4，所述射频芯片1通过导电胶粘接于微波多层PCB板3的顶层，所述微波多层PCB板3的底层通过导电胶粘接在支撑腔体2上，微波多层PCB板3的顶层上安装有盖板5，所述微波多层PCB板3包括变频接收通道6和变频发射通道7，所述微波多层PCB板3中内置有高本振功分网络和低本振功分网络，信号依次经高本振功分网络和低本振功分网络功分后为变频发射通道7提供本振信号，微波多层PCB板3上设置有垂直过渡孔，垂直过渡孔贯穿微波多层PCB板3，向变频发射通道7发射激励信号，激励信号经上变频、滤波和放大后通过垂直过渡孔，再经功率分配后输出。
所述微波多层PCB板3从上到下依次包括连接在一起的射频信号层、电源控制线层、高本振信号层、低本振信号层和激励信号层。
所述变频发射通道7包括一条公共支路和与公共支路连接的四条分支链路，公共支路用于完成激励信号上变频、滤波和放大，分支链路用于将发射信号功率分配至射频象限一输出、射频象限二输出、射频象限三输出和射频象限四输出。
所述公共支路包括第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器以及第一两路功分器、第二两路功分器和第三两路功分器，其中第一中频放大器、第一带通滤波器、第二中频放大器、混频器、第一射频放大器、第一射频带通滤波器、第二射频放大器、第二射频带通滤波器和第一两路功分器依次串接，第一两路功分器分别与第二两路功分器和第三两路功分器连接。
所述四条分支链路均包括射频TR芯片和与射频TR芯片连接的射频数字步进衰减器，第二两路功分器分别与射频象限一输出和射频象限二输出的射频TR芯片连接，第三两路功分器分别与射频象限三输出和射频象限四输出的射频TR芯片连接。
所述公共支路布置在微波多层PCB板3的中心处，公共支路完成激励信号上变频、滤波和放大后再经垂直过渡孔到达微波多层PCB板3的背面，经功率分配后输出至发射端口8。
所述变频接收通道6包括射频数字步进衰减器、射频TR芯片、射频镜频滤波器、第一混频器、带通滤波器、第二混频器、第一中频低通滤波器、第一中频放大器、中频温补衰减器、第二中频放大器、第二中频低通滤波器和射频二倍频器，射频数字步进衰减器、射频TR芯片、射频镜频滤波器、第一混频器、带通滤波器、第二混频器、第一中频低通滤波器、第一中频放大器、中频温补衰减器、第二中频放大器和第二中频低通滤波器依次连接，射频二倍频器与第一混频器连接。
所述变频接收通道6呈旋转对称布置在微波多层PCB板3上。
所述射频TR芯片包括接收低噪放、射频开关和发射驱动放大器，射频开关的一端与接收低噪放连接，射频开关的另一端与发射驱动放大器连接。
通过将裸芯片微组装和微波多层PCB板3有机结合在一起，为多通道变频通道的小型化和集成化设计奠定了基础。