一种含有杂原子取代芴的杂环化合物及其应用
阅读说明：本技术 一种含有杂原子取代芴的杂环化合物及其应用 (Heterocyclic compound containing heteroatom substituted fluorene and application thereof ) 是由 高威 代文朋 张磊 冉佺 翟露 匡立莲 于 2021-01-05 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种含有杂原子取代芴的杂环化合物,具有式Ⅰ所示结构。本发明以含杂原子的取代芴作为母核,制备的杂环化合物,具有更高的折射率及光提取效率,可以有效提高有机光电装置的发光效率,进而提升了OLED器件寿命,尤其有利于提升OLED器件中蓝光器件的效率。同时本发明化合物中含有的N取代杂芴具有更高的热稳定性、光稳定性和化学稳定性,有利于进一步改善OLED器件的寿命。同时本发明化合物中含有的N取代杂芴与阴极银具有良好的界面结合力,与位于覆盖层之上的薄膜封装层也具有良好的结合力。在柔性OLED器件中,由于界面结合力强,有效地避免了折叠动作所引起的界面剥离的不良现象,有利于实现更长的OLED器件寿命。(The invention provides a heterocyclic compound containing heteroatom substituted fluorene, which has a structure shown in a formula I. The heterocyclic compound prepared by using the heteroatom-containing substituted fluorene as the mother nucleus has higher refractive index and light extraction efficiency, can effectively improve the luminous efficiency of the organic photoelectric device, further prolongs the service life of the OLED device, and is particularly beneficial to improving the efficiency of a blue light device in the OLED device. Meanwhile, the N-substituted heterofluorene contained in the compound has higher thermal stability, light stability and chemical stability, and is beneficial to further improving the service life of an OLED device. Meanwhile, the N-substituted heterofluorene contained in the compound has good interface binding force with cathode silver and also has good binding force with a thin film packaging layer positioned on a covering layer. In the flexible OLED device, the bad phenomenon of interface peeling caused by folding action is effectively avoided due to strong interface bonding force, and the longer service life of the OLED device is favorably realized.)
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料技术领域，尤其涉及一种含有杂原子取代芴的杂环化合物及其应用。
背景技术
根据有机发光层发出光线的方向，OLED显示器可以分为底发射OLED显示器和顶发射OLED显示器。在底发射OLED显示器中，光线朝向基板发出，反射电极形成在有机发光层上，透明电极形成在有机发光层下。如果OLED显示器是有源矩阵的OLED显示器，其中形成的薄膜晶体管部分不透射光线，所以发光面积减小。另一方面，在顶发射OLED显示器中，透明电极形成在有机发光层上，反射电极形成在有机发光层下，所以光线向基板相反方向发出，从而增加了光线透射面积而改善了亮度。
为了提升发光效率，在基底出光表面形成如褶皱、光子晶体、微透镜陈列(MLA)和在低折射率半反半透电极上添加高折射率表面覆盖层等结构是几种较为常用的方法。前两种结构会影响OLED的辐射光谱角度分布，第三种结构制作工艺复杂，而使用表面覆盖层工艺简单，发光效率提高较为显著，尤为人们关注。
表面覆盖层材料分为无机材料和有机材料两大类。
在蒸镀法制备OLED组件时，为了形成覆盖层，需要使用精细度高的金属掩膜的方案，但金属掩膜存在由热带来的形变会导致定位精度变羌的问题。即，ZnSe的熔点高至1100℃以上(Appl.Phys.Lett.,2003,82,466)，精细度高的掩膜无法蒸镀在准确的位置。同时，无机物大多蒸镀温度高，不适合使用精细度高的掩膜。基于溅射法的无机物成膜方法也会对发光器件造成损伤，因此无法使用以无机物作为构成材料的覆盖层。
针对目前OLED器件光取出效率低的现状，需要在器件结构中增加一层CPL层，即光提取材料，根据光学吸收、折射原理，此表面覆盖层材料的折射率应该越高越好。
目前的CPL材料主要为空穴传输层材料和电子传输型材料。折射率并不能满足日益提升的市场需求，光取出效果不够好，同时蓝色、绿色以及红色各自的波长区域所测定的折射率之差较大，因此蓝色、绿色以及红色的各发光器件中的所有光无法同时获得高的光提取效率。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种含有杂原子取代芴的杂环化合物及其应用，所述杂环化合物作为CPL材料，具有较高的折射率。
为达到上述目的，本发明提供了一种含有杂原子取代芴的杂环化合物，具有式Ⅰ所示结构：
其中，Y1选自O或S；
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8独立的选自CRx1或N，且至少一个为N原子；
X9、X10、X11、X12、X13、X14、X15、X16、X17、X18、X19、X20、X21、X22、X23、X24独立的选自CR1或N；
当X1-X8中存在多个CRx1时，所述Rx1可以是相同或不同的；所述Rx1独立地选自氢、氘、氚、卤素基团、腈基、氰基、硝基、羟基、羰基、酯基、羧基、酰亚胺基、酰胺基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C3-C20环烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的膦基、取代或未取代的磺酰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C6-C30芳基、以及取代或未取代的C3-C30杂芳基，或者相邻的基团可以彼此结合而形成环；
Y2、Y3独立的选自O、S或NR2；
Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的芳基或杂芳基；
R1选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基或C3-C30杂芳基。
本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，在所述阴极上覆盖有CPL层，所述CPL层含有至少一种上述杂环化合物。
本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括空穴传输层；所述空穴传输层中含有至少一种上述杂环化合物。
本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子传输层；所述电子传输层中含有至少一种上述杂环化合物。
本发明以含有杂原子的取代芴作为母核，制备的杂环化合物，具有更高的折射率以及光提取效率，可以有效提高有机光电装置的发光效率。本发明化合物具有N原子取代的杂芴结构，具有更高的极化率和更小的分子体积，在各个波长下都具有更高的折射率，在作为覆盖层材料应用于顶发射OLED器件时，实现了更高地光取出效率，提高了OLED器件发光效率，进而提升了OLED器件寿命，尤其有利于提升OLED器件中蓝光器件的效率，在一定程度上延长蓝光器件的寿命。
同时本发明化合物中含有的N取代杂芴具有更高的热稳定性、光稳定性和化学稳定性，有利于进一步改善OLED器件的寿命。
同时本发明化合物中含有的N取代杂芴与阴极银具有良好的界面结合力，与位于覆盖层之上的薄膜封装层也具有良好的结合力。在柔性OLED器件中，由于界面结合力强，有效地避免了折叠动作所引起的界面剥离的不良现象，有利于实现更长的OLED器件寿命。
具体实施方式
本发明提供了一种含有杂原子取代芴的杂环化合物，具有式Ⅰ所示结构：
其中，Y1选自O或S；
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8独立的选自CRx1或N，且至少一个为N原子；
X9、X10、X11、X12、X13、X14、X15、X16、X17、X18、X19、X20、X21、X22、X23、X24独立的选自CR1或N；
当X1-X8中存在多个CRx1时，所述Rx1可以是相同或不同的；所述Rx1独立地选自氢、氘、氚、卤素基团、腈基、氰基、硝基、羟基、羰基、酯基、羧基、酰亚胺基、酰胺基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C3-C20环烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的膦基、取代或未取代的磺酰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C6-C30芳基、以及取代或未取代的C3-C30杂芳基，或者相邻的基团可以彼此结合而形成环；
Y2、Y3独立的选自O、S或NR2；
Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的芳基或杂芳基；
R1、R2独立的选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基或C3-C30杂芳基。
本发明可选的，所述Ar1、Ar2独立的选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、吡咯基、吡喃基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
本发明可选的，所述Ar1、Ar2独立的选自以下任一结构：
其中，#表示连接位置。
本发明可选的，所述Y2、Y3独立的选自O、S或NR2，其中，所述R2选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、吡咯基、吡喃基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述结构中，X9、X10、X11、X12、X13、X14、X15、X16独立的选自CR1或N，且至少一个为N。
R1选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基或C3-C30杂芳基。
可选的，所述X9、X10、X11、X12、X13、X14、X15、X16独立的选自CR1或N，且任选的1～3个为N。
R1选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基或C3-C30杂芳基。
本发明可选的，所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述结构中，X17、X18、X19、X20、X21、X22、X23、X24独立的选自CR1或N，且至少一个为N。
R1选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基或C3-C30杂芳基。
可选的，所述X17、X18、X19、X20、X21、X22、X23、X24独立的选自CR1或N，且任选的1～3个为N。
R1选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基或C3-C30杂芳基。
本发明可选的，所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自：
本发明可选的，所述X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8中的任意1～6个为N原子。
本发明可选的，所述X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8中的任意1～4个为N原子。
本发明可选的，所述X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8中的任意1～3个为N原子。
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物中，
所述选自以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物具有以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物具有以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物，具有以下任一结构：
本发明可选的，所述杂环化合物，具有以下任一结构：
本发明可选的，所述的杂环化合物，具有以下任一结构：
本发明可选的，所述的杂环化合物，具有以下任一结构：
本发明提供了上述含有杂原子取代芴的杂环化合物的制备方法，将式A和式B所示结构进行缩合反应。
此时，控制式A化合物和式B化合物摩尔比为1:2左右，制备得到式A左右取代基团相同的化合物，即式Ⅰ-a所示结构：
当制备式A左右取代基团不相同的化合物时，即式Ⅰ所示化合物，将式A所示化合物依次与式B、式C所示化合物进行反应即可。可选的，控制式B所示化合物、式C所示化合物的加入量为1个当量左右。
本发明中，对式B、式C的加入顺序并无限定。
本发明可选的，在进行缩合反应时，反应体系中加入缚酸剂。
本发明可选的，所述缚酸剂为NaH。
本发明提供的上述含有杂原子取代芴的杂环化合物可用于有机光电器件的CPL层、空穴传输层或电子传输层或光学辅助层。
本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，在所述阴极上覆盖有CPL层，所述CPL层含有至少一种上述杂环化合物。
本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括空穴传输层；所述空穴传输层中含有至少一种上述杂环化合物。
本发明提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子传输层；所述电子传输层中含有至少一种上述杂环化合物。
本发明提供的有机发光器件可以为本领域技术人员熟知的有机发光器件，本发明可选的，所述有机发光器件包括基板、ITO阳极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、电子阻挡层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、阴极(镁银电极，镁银质量比为1:9)和盖帽层(CPL)。
本发明可选的，所述有机发光器件的阳极材料可选自金属-铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金；如金属氧化物-氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；如导电性聚合物-聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等，除以上有助于空穴注入材料及其组合，还包括已知的适合做阳极的材料。
本发明可选的，所述有机发光器件的阴极材料可选自金属-铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金；如多层金属材料-LiF/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等；除以上有助于电子注入的材料及其组合，还包括已知的适合做阴极的材料。
本发明可选的，所述有机光电装置，如有机发光器件中的有机薄膜层至少有一层发光层(EML)，还可以包含其他功能层，包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和光学辅助层中的一种或多种。
本发明可选的，所述有机发光器件按照以下方法制备：
在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极，在阳极上形成有机薄层，在有机薄层上形成阴极。
本发明可选的，形成有机薄层可采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。
本发明还提供了一种显示装置，包括如上文所述的显示面板。
在本发明中，有机发光器件(OLED器件)可以用在显示装置中，其中有机发光显示装置可以是手机显示屏、电脑显示屏、电视显示屏、智能手表显示屏、智能汽车显示面板、VR或AR头盔显示屏、各种智能设备的显示屏等。
下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
将S2(7mmol)、S1(3.5mmol)、NaH(17.5mmol)与二甲基甲酰胺(100mL)在250ml圆底烧瓶中混合。然后，在氮气流下室温搅拌混合物12小时。然后，减压蒸馏并去除有机溶剂，然后通过柱色谱处理，分离并获得固体M075(2.45mmol，收率76％)。
MALDI-TOF MS：C47H29N3O3，m/z计算值：683.2；测试值：683.5。
元素分析计算值：C,82.56；H,4.28；N,6.15；O,7.02；测试值C,82.60；H,4.30；N,6.12；O,6.99。
实施例2
参考实施例1合成化合物M008。
MALDI-TOF MS：C55H33N3O3，m/z计算值：783.2；测试值：783.6。
元素分析计算值：C,84.27；H,4.24；N,5.36；O,6.12；测试值C,84.32；H,4.25；N,5.33；O,6.09。
实施例3
参考实施例1合成化合物M018。
MALDI-TOF MS：C59H37N3O3，m/z计算值：835.3；测试值：835.6。
元素分析计算值：C,84.77；H,4.46；N,5.03；O,5.74；测试值:C,84.80；H,4.48；N,5.00；O,5.72。
实施例4
参考实施例1合成化合物M075。
MALDI-TOF MS：C46H28N4O3，m/z计算值：684.2；测试值：684.5。
元素分析计算值：C,80.69；H,4.12；N,8.18；O,7.01；测试值C,80.73；H,4.15；N,8.15；O,6.97。
实施例5
参考实施例1合成化合物M085。
MALDI-TOF MS：C54H32N4O3，m/z计算值：784.2；测试值：784.5。
元素分析计算值：C,82.64；H,4.11；N,7.14；O,6.12；测试值C,82.68；H,4.13；N,7.11；O,6.09。
实施例6
参考实施例1合成化合物M100。
MALDI-TOF MS：C62H36N4O3，m/z计算值：884.3；测试值：884.6。
元素分析计算值：C,84.15；H,4.10；N,6.33；O,5.42；测试值:C,84.19；H,4.12；N,6.30；O,5.39。
实施例7
参考实施例1合成化合物M106。
MALDI-TOF MS：C62H36N4O3，m/z计算值：884.3；测试值：884.7。
元素分析计算值：C,84.15；H,4.10；N,6.33；O,5.42；测试值:C,84.18；H,4.13；N,6.30；O,5.39。
实施例8
参考实施例1合成化合物M327
MALDI-TOF MS：C45H27N5O2S，m/z计算值：701.2；测试值：701.5。
元素分析计算值：C,77.02；H,3.88；N,9.98；O,4.56；S,4.57；测试值:C,77.05；H,3.91；N,9.96；O,4.54；S,4.55。
实施例9
参考实施例1合成化合物M393
MALDI-TOF MS：C52H30N6O3，m/z计算值：786.2；测试值：786.4。
元素分析计算值：C,79.38；H,3.84；N,10.68；O,6.10；测试值:C,79.42；H,3.86；N,10.65；O,6.07。
实施例10
参考实施例1合成化合物M479
MALDI-TOF MS：C51H29N7O3，m/z计算值：787.2；测试值：787.5。
元素分析计算值：C,77.75；H,3.71；N,12.45；O,6.09；测试值:C,77.79；H,3.73；N,12.42；O,6.06。
实施例11
参考实施例1合成化合物M492
MALDI-TOF MS：C53H31N5O3，m/z计算值：785.2；测试值：785.3。
元素分析计算值：C,81.00；H,3.98；N,8.91；O,6.11；测试值:C,81.03；H,4.01；N,8.88；O,6.08。
应用例1
本应用例提供一种OLED器件，所述OLED器件依次包括：玻璃基板、氧化铟锡(ITO)阳极15nm、空穴注入层5nm、第一空穴传输层100nm、第二空穴传输层5nm、发光层30nm、电子传输层30nm、电子注入层5nm、阴极15nm(镁银电极，镁银质量比为1:9)、盖帽层(CPL)100nm。
OLED器件的制备步骤如下：
1)将玻璃基板切成50mm×50mm×0.7mm的大小，分别在异丙醇和去离子水中超声处理30分钟，然后暴露在臭氧下约10分钟来进行清洁。将所得的具有氧化铟锡(ITO)阳极的玻璃基板安装到真空沉积设备上；
2)在ITO阳极层2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料化合物1，厚度为5nm，这层作为空穴注入层3；
3)在空穴注入层3上真空蒸镀空穴传输层材料化合物2，厚度为100nm作为第一空穴传输层4；
4)在第一空穴传输层4上真空蒸镀空穴传输型材料化合物3，厚度为5nm作为第二空穴传输层5；
5)第二空穴传输层5上真空蒸镀一层发光层5，其中，化合物4作为主体材料，化合物5作为掺杂材料，掺杂比例为3％(质量比)，厚度为30nm；
6)在发光层5上真空蒸镀电子传输型材料化合物6，厚度为30nm，作为电子传输层6；
7)电子传输层6上真空蒸镀电子传输材料化合物7，厚度为5nm，作为电子注入层7；
8)电子注入层7上真空蒸镀镁银电极，其中，Mg:Ag为1:9，厚度为15nm，作为阴极；
9)在阴极8上真空蒸镀化合物M002，厚度为100nm，作为盖帽层CPL使用。
所述OLED器件中用到的化合物结构如下：
应用例2
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M008替换；其它制备步骤均相同。
应用例3
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M017替换；其它制备步骤均相同。
应用例4
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M018替换；其它制备步骤均相同。
应用例5
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M075替换；其它制备步骤均相同。
应用例6
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M091替换；其它制备步骤均相同。
应用例7
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M093替换；其它制备步骤均相同。
应用例8
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M106替换；其它制备步骤均相同。
应用例9
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M109替换；其它制备步骤均相同。
应用例10
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M111替换；其它制备步骤均相同。
应用例11
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M120替换；其它制备步骤均相同。
应用例12
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M327替换；其它制备步骤均相同。
应用例13
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M393替换；其它制备步骤均相同。
应用例14
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M479替换；其它制备步骤均相同。
应用例15
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M492替换；其它制备步骤均相同。
应用例16
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M142替换；其它制备步骤均相同。
应用例17
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M165替换；其它制备步骤均相同。
应用例18
将应用例1中步骤(9)中的有机化合物M002用等量的化合物M263替换；其它制备步骤均相同。
应用例19
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(6)中的化合物6用等量的M002替换,将步骤(9)中的有机化合物M002用等量的对比化合物ref 1替换；其它制备步骤均相同。
应用例20
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(6)中的化合物6用等量的M075替换,将步骤(9)中的有机化合物M002用等量的对比化合物ref 1替换；其它制备步骤均相同。
应用例21
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的化合物3用等量的M008替换,将步骤(9)中的有机化合物M002用等量的对比化合物ref 1替换；其它制备步骤均相同。
应用例22
本应用例与应用例1的区别仅在于，将步骤(4)中的化合物3用等量的M018替换,将步骤(9)中的有机化合物M002用等量的对比化合物ref 1替换；其它制备步骤均相同。
对比例1
本对比例与应用例1的区别仅在于，将步骤(9)中的有机化合物M002用等量的对比化合物ref1替换；其它制备步骤均相同。
对比例2
本对比例与应用例1的区别仅在于，将步骤(9)中的有机化合物M002用等量的对比化合物ref 2替换；其它制备步骤均相同。
化合物物性参数测试：
对实施例和对比例中用作盖帽层的化合物进行折射率的测试，结果如表1所示。折射率是由椭偏仪(美国J.A.Woollam Co.型号：ALPHA-SE)测量，测试环境为大气环境。
表1折射率测试值
由表1可以看出，与业界常用的覆盖层材料ref1相比，本发明化合物在红光、绿光、蓝光区域都具有更高的折射率，在作为覆盖层材料应用于顶发射OLED器件时，有可能实现更高地光取出效率，提高OLED器件发光效率，进而提升OLED器件寿命。
与未进行N取代的化合物ref2相比，本发明化合物具有N原子取代的杂芴结构，具有更高的极化率和更小的分子体积，在各个波长下都具有更高的折射率，在作为覆盖层材料应用于顶发射OLED器件时，有可能实现更高地光取出效率，提高OLED器件发光效率，进而提升OLED器件寿命，尤其有利于提升OLED器件中蓝光器件的效率，在一定程度上延长蓝光器件的寿命。
OLED器件的性能评价：
用Keithley 2365A数字纳伏表测试OLED器件在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到OLED器件在不同电压下的电流密度；用Konicaminolta CS-2000分光辐射亮度计测试OLED器件在不同电压下的亮度和辐射能流密度；根据OLED器件在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度下(10mA/cm2)的工作电压和电流效率(Cd/A)，通过测量OLED器件的亮度达到初始亮度的95％时的时间而获得寿命LT95(在50mA/cm2测试条件下)；具体数据如表2所示。
表2 OLED器件性能评价结果
由表2可以看出，与未进行N取代的化合物ref相比，本发明化合物在应用于蓝光器件时，有更高的发光效率，其中M111作为覆盖层材料时，发光效率提升31％，寿命提升8％以上。从表2中的器件性能参数可以看出，本发明的化合物在作为覆盖层材料应用于顶发射OLED器件时，具有更高的光取出效率，具有更高的OLED器件发光效率，更长的OLED器件寿命，极大地提升了OLED器件中蓝光器件的效率，在一定程度上延长了蓝光器件的寿命。这归功于本发明化合物中含有的N取代杂芴具有更高的折射率，更高的热稳定性、光稳定性和化学稳定性。
表3 OLED器件性能评价结果
由表3可以看出，与化合物6相比，本发明化合物M002和M075在应用于蓝光器件时，有更高的发光效率，发光效率提升7.5％，寿命提升8％，说明本发明的化合物可以用作OLED器件中的电子传输材料。
表4 OLED器件性能评价结果
由表4可以看出，与化合物3相比，本发明化合物M008和M018在应用于蓝光器件时，有更高的发光效率，发光效率提升9.8％，寿命提升5％，说明本发明的化合物可以用作OLED器件中的空穴传输材料。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
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