一种光催化用CdS@SnS2复合材料及其制备方法和应用
阅读说明：本技术 一种光催化用CdS@SnS2复合材料及其制备方法和应用 (CdS @ SnS for photocatalysis2Composite material and preparation method and application thereof ) 是由 吴芳辉 李红 魏先文 程源晟 文国强 查习文 于 2020-12-25 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种光催化用CdS@SnS2复合材料及其制备方法和应用,属于无机材料合成技术领域。本发明的光催化用CdS@SnS-2复合材料,该复合材料为由CdS与SnS-2复合而成的核壳结构,其中CdS作为内核并呈纳米棒状结构,SnS-2包覆于CdS的表面并呈纳米花样薄片结构。其制备方法为：采用溶剂热法制备CdS纳米材料,然后于含有CdS的乙醇中加入SnCl-4·5H-2O和硫代乙酰胺并进一步采用溶剂热法,即制备得到所述复合材料。采用本发明的技术方案能够有效抑制SnS-2纳米材料的载流子复合,提高其光电转换效率,充分发挥出协同作用,改善原有的单一材料在重金属离子Cr(VI)还原成Cr(III)的反应中的光催化效果,提高催化效率,增强稳定性。(The invention discloses a CdS @ SnS2 composite material for photocatalysis and a preparation method and application thereof, belonging to the technical field of inorganic material synthesis. CdS @ SnS for photocatalysis of the invention 2 The composite material is prepared from CdS and SnS 2 Core-shell structure, with CdS as core and SnS in nano-rod structure 2 Coated on the surface of CdS and in the form of nanometer pattern sheet structure. The preparation method comprises the following steps: preparing CdS nano material by adopting a solvothermal method, and then adding SnCl into ethanol containing CdS 4 ·5H 2 O and thioacetamide and further adopting a solvothermal method to prepare the composite material. By adopting the technical scheme of the invention, the invention canEffective inhibition of SnS 2 The carrier recombination of the nano material improves the photoelectric conversion efficiency of the nano material, fully exerts the synergistic effect, improves the photocatalytic effect of the original single material in the reaction of reducing heavy metal ions Cr (VI) into Cr (III), improves the catalytic efficiency and enhances the stability.)
技术领域
本发明属于无机材料合成技术领域，具体涉及一种[email protected]2复合材料及其简便制备方法和该复合材料作为催化剂在光还原污染水质中Cr(VI)的应用。
背景技术
水作为“生命之源”，与人类的身体健康息息相关。然而近年来，鞣革、冶金、油漆和纺织等工业所排放的重金属离子导致环境水质持续恶化，其中Cr(VI)毒性较强，长时间饮用可能会诱发癌症、皮炎、肝损害和溃疡等疾病而受到科研工作者的广泛关注。世界卫生组织(WHO)规定，饮用水中Cr(VI)的最大允许浓度为0.05mg/L，因此采用高效便捷的方法测定并处理环境水样中的Cr(VI)具有较大的理论和实际意义。当前，对含Cr(VI)废水的主要处理方法是将其还原为低毒的Cr(III)或氢氧化铬(Cr(OH)3)沉淀去除。与传统的Cr(VI)处理技术，如吸附、膜过滤和化学沉淀等方法相比，光催化还原Cr(VI)具有能耗低、成本低、去除效率高和环境友好等优点，被认为是一种绿色高效的水处理方法。
光催化领域的核心问题是催化剂的选择，然而，大多数金属氧化物(例如TiO2，Ta2O5和ZrO2)的带隙较宽，只能吸收紫外线和近紫外线，导致光催化效率和表观量子产率降低；金属氮化物(如Ta3N5和Ge3N4)的合成往往需要在高温及在有毒的NH3条件下进行；与此相比，许多的金属硫化物半导体(如CuInS2、PbS)因其带隙窄，可见光利用率高，而在还原Cr(VI)方面得到了广泛的研究，但是这些材料组成中包含有毒或昂贵的元素，易造成环境二次污染。SnS2因其原料丰富、成本低、无毒、带隙窄(～2.1ev)以及能对可见光响应等特点，发展成为一种极具研究价值的Cr(VI)光催化剂，但SnS2本身存在电子空穴对易于复合、光催化稳定性差以及太阳能光谱吸收不足，反应活性不高等问题，从而极大地限制了其实际应用中的可能。
为了进一步提高SnS2的反应活性以及光能利用率，中国专利申请号为201910306838.6的申请案公开了一种具有可见光响应的层状贴合的球形硫化锌/二硫化锡核壳异质结光催化剂的方法，该申请案以SnS2为内核，ZnS为外壳通过溶剂热法制备了球形复合材料，该球形ZnS/SnS2核壳异质结光催化剂具有较大的比表面积，禁带宽度较窄，从而可以在一定程度上提高催化剂的光吸收和催化活性，但其溶剂体系中使用了几种有机溶剂，污染度较高，且该复合材料在可见光下实际用于处理药物废水，通过计算废水的COD去除率来分析材料的优劣性能。
发明内容
1.要解决的问题
本发明的目的在于解决目前SnS2用于重金属离子Cr(VI)还原催化时存在的易发生复合、稳定性较差以及催化效率不高的问题，提供了一种光催化用[email protected]复合材料及其制备方法和应用。采用本发明的技术方案能够有效抑制SnS2纳米材料的载流子复合，提高其光电转换效率，充分发挥出协同作用，改善原有的单一材料在重金属离子Cr(VI)还原成Cr(III)的反应中的光催化效果，提高催化效率，增强稳定性。
2.技术方案
为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：
其一，本发明的一种光催化用[email protected]2复合材料，该复合材料为由CdS与SnS2复合而成的核壳结构，其中CdS作为内核并呈纳米棒状结构，SnS2包覆于CdS的表面并呈纳米花样薄片结构。
更进一步的，该复合材料的直径为90-110nm，长度为0.8-1.2μm。
更进一步的，所述CdS的直径为15-30nm，SnS2原位生长于CdS的表面，且两种组分之间存在明显分界线，双组份分界线所呈现出的明暗条纹之间呈60°夹角。
其二，本发明的光催化用[email protected]2复合材料的制备方法，将纳米棒状CdS、SnCl4·5H2O与硫代乙酰胺置于溶剂中混合均匀并置于高压反应釜中进行反应，使SnS2纳米片在CdS纳米棒上原位生长，即形成具有核壳结构的二元异质结复合材料[email protected]2。
更进一步的，所述纳米棒状CdS的制备工艺为：将CdCl2·2.5H2O和CH4N2S依次加入乙二胺中，搅拌混合均匀，并于高压反应釜内于150～170℃恒温反应36～60h，反应结束后经洗涤、干燥处理即得CdS纳米棒样品。
更进一步的，所述CdCl2·2.5H2O与CH4N2S的摩尔比为1:2.5～3.5，干燥处理温度为50～80℃，时间为10～15h。
更进一步的，所述CdS纳米棒的添加量为SnCl4·5H2O质量的0.4～0.9，硫代乙酰胺的添加量为SnCl4·5H2O摩尔量的2.5～4倍。
更进一步的，所述反应温度为150～180℃，反应时间为10～15h。
更进一步的，所述反应溶剂采用乙醇，先将CdS纳米棒加入到乙醇中超声分散均匀，然后向其中加入SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺并超声分散均匀。
其三，本发明制备所得[email protected]2异质结复合材料作为光催化剂在还原水相中Cr(VI)的应用。
3.有益效果
相比于现有技术，本发明的有益效果为：
(1)本发明的一种光催化用[email protected]2复合材料，该复合材料为由CdS与SnS2复合而成的核壳结构，通过CdS与SnS2的复合协同作用，从而可以有效提高SnS2的反应活性以及光能利用率，克服了SnS2存在的因其本身存在电子空穴对易于复合、光催化稳定性差以及太阳能光谱吸收不足的缺陷。
(2)本发明的一种光催化用[email protected]2复合材料，其中CdS作为内核并呈纳米棒状结构，SnS2包覆于CdS的表面并呈纳米花样薄片结构，且两种组分之间存在明显分界线，该种结构形态的复合材料有利于进一步充分发挥SnS2与CdS之间的协同作用，促进SnS2对Cr(VI)的吸附，快速还原污染水质中的Cr(VI)，从而降低环境污染。
(3)本发明的光催化用[email protected]2复合材料的制备方法，以纳米棒状CdS和SnCl4·5H2O作为反应原料，并严格控制反应工艺参数，如纳米棒状CdS的添加量以及反应温度和反应时间，从而可以使SnCl4·5H2O原位生长于纳米棒状CdS的表面并呈纳米花样薄片结构，从而大大增加了复合材料的比表面积，提高了活性位点，同时降低了电子空穴湮灭率，因而有利于增强光电转换效率，当SnS2吸附邻近的Cr(IV)，太阳光照射复合纳米材料表面，核壳表面SnS2活性位点激发，光催化还原吸附在其表面的Cr(IV)，将其降解为低毒性的Cr(III)。
(4)本发明的光催化用[email protected]2复合材料的制备方法，该制备工艺较简单，原材料价廉且用量较少，成本低，同时反应条件较温和，有利于节能减耗。
(5)利用成本低、容易制备的CdS与无毒、带隙较窄的SnS2复合后构筑异质结材料，有效增强了SnS2的分散性，改善了其电子传递特性，降低了电荷空穴复合率，显著提高了光催化活性。将该复合材料用于光催化还原Cr(IV)时，降解速率明显高于单一材料，优化了材料，且更加绿色环保。
(6)本发明的复合材料用于光催化还原Cr(IV)的稳定性较好，且复合材料经过稀盐酸再生后，拥有较好的可循环利用性。
附图说明
图1为[email protected]2复合材料催化还原Cr(VI)的示意图。
图2为实施例1制备所得CdS(300)@SnS2(c)与CdS(a)、SnS2(b)的X射线粉末衍射(XRD)图。
图3为实施例1制备的CdS(300)@SnS2的扫描电镜图(SEM)(A)；CdS(B)和CdS(300)@SnS2(C)的透射电镜图(TEM)以及CdS(300)@SnS2的高分辨透射电镜图(HR-TEM)(D)。
图4为实施例1制备的SnS2、CdS和CdS(300)@SnS2样品的光催化Cr(Ⅵ)还原曲线(A)和准一级反应动力学拟合曲线(B)。
图5为CdS添加量对复合材料光催化还原Cr(VI)的表观速率常数对比图。
图6为CdS添加量对复合材料结构形貌的影响对比图。
具体实施方式
SnS2因原料丰富、成本低、无毒、带隙窄(～2.1ev)以及能对可见光响应等特点，近年来成为极具研究价值的Cr(VI)光催化剂，但其同时也存在电子空穴对易于复合、光催化稳定性差以及对Cr(VI)的催化还原效率较低等问题，从而限制了其实际推广应用。针对该现状，本发明提供了一种制备[email protected]2复合材料的方法，具体包括以下步骤(反应原理参见图1)：
第一步反应是制备CdS纳米棒样品，具体工艺为：
分别称取一定量CdCl2·2.5H2O和CH4N2S依次加入一定体积乙二胺中，搅拌使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于150～170℃恒温反应36～60h后，经离心洗涤、真空干燥(50～80℃干燥10～15h)收集即得CdS纳米棒样品。
第二步反应是制备核壳结构的[email protected]2复合材料，具体工艺为：
称取一定量CdS纳米棒加入到一定体积乙醇中，超声分散均匀，依次加入一定量SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺，继续超声分散均匀后，转移到高压反应釜中，于150～180℃恒温反应10～15h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤3～4次，置于真空干燥箱中设置50～80℃干燥10～15h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为[email protected]2。
本发明以低成本、易于制备的CdS与含有硫空位、较大比表面积以及具备可见光吸收能力的SnS2纳米材料为反应原料，采用简单的两步溶剂热法即制备得到了以CdS纳米棒为内核，SnS2为外壳的棒状复合材料，通过CdS与SnS2的复合作用，从而可以有效抑制SnS2纳米材料的载流子复合，提高其光电转换效率，充分发挥出二者的协同作用，改善原有单一材料在重金属离子Cr(VI)还原成Cr(III)的反应中的光催化效果，提高了催化效率，并增强了催化剂的稳定性。
虽然近年来也有不少研究者研究复合材料作为催化剂用于各种催化领域，但需要特别说明的是，不同领域的催化原理不同，对催化剂的要求也就不同，不同物质之间也不是随意进行复合即可达到较好的催化效果。同时，对于同一应用领域，复合材料的组成、结构和形貌均会对具体催化效果，比如催化剂的催化效率以及催化剂的稳定性等产生影响。而具体制备工艺、反应物种类和配比、各反应条件等的选择不同，均会导致所得产物的结构与形貌的差异。本申请通过选用溶剂热法，并对反应工艺参数，尤其是CdS的添加量以及反应温度和时间进行严格控制，从而可以使SnS2原位生长于CdS的表面并呈花样薄片状均匀分散，有效增强了无毒价廉SnS2的分散性，大大增加了复合材料的比表面积，提高了活性位点，改善了其电子传递特性，降低了电荷空穴复合率，从而显著提高了光催化活性。当SnS2吸附邻近的Cr(IV)，太阳光照射复合纳米材料表面，核壳表面SnS2活性位点激发，光催化还原吸附在其表面的Cr(IV)，将其降解为低毒性的Cr(III)。
具体的，当反应温度过高或过低时均会导致无法形成花样薄片状的SnS2，且造成其分散不均匀，而CdS的添加量则会影响壳核材料结构的尺寸、紧凑性及分散均匀性，当CdS的添加量较小时，所得复合材料直径较大，包覆不均匀且松散，而当CdS的添加量较大时，则会导致SnS2的负载量明显减少，从而使光催化性能显著降低。本发明通过对CdS的添加量进行优化控制，从而可以增大包覆范围、SnS2负载的均匀性以及结构的紧凑性和致密性，并保证光催化还原Cr(IV)的效果，其中当CdS的添加量为SnCl4·5H2O质量的0.85时效果最好。
下面通过具体实施方式对本发明作进一步的说明，本发明的实质特点和显著效果可以从下述的实施例中得以体现，但它们并不对本发明作任何限制，本领域的技术人员根据本发明的内容做出一些非本质的改进和调整，均属于本发明的保护范围。其中实施例中反应产物的形貌采用X射线粉末衍射仪(D8 ADVANCE型，德国布鲁克)、扫描电子显微镜(S-4800，日本日立)和场发射高分辨透射电镜(HT-7100，日本日立)测定；光催化实验采用北京泊菲莱科技有限公司生产的PCX-50C Discover型多通道光催化反应器完成；产物的紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)采用日本日立UV-4100型紫外可见吸收光谱仪测定。
实施例1
分别称取4.62g CdCl2·2.5H2O(0.02mol)和4.62g CH4N2S(0.06mol)依次加入60mL乙二胺中，搅拌15min使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于160℃恒温反应48h后，用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤3次，最后置于真空干燥箱中设置70℃干燥12h后收集得CdS纳米棒样品。
称取300mg CdS纳米棒加入到80mL乙醇中，超声15min使分散均匀，依次称取350mgSnCl4·5H2O(1.24mmol)和300mg TAA(3.99mmol)加入到上述混合溶液中，超声15min分散均匀后，转移到高压反应釜中，于160℃恒温反应12h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，置于真空干燥箱中设置70℃干燥12h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为CdS(300)@SnS2。
(1)性能表征
采用X射线粉末衍射仪对CdS、SnS2和本实施例制备所得CdS(300)@SnS2进行物相分析，结果如图2所示。由图2a可见，本实施例所制备的CdS在谱图中位于25°、26.5°、28.2°、43.8°、47.8°和51.9°的衍射峰，分别对应六方纤锌矿相CdS纯相(JCPDS 41-1049)中(100)、(002)、(101)、(110)、(103)和(112)晶面；由图2b可见，本实施例所制备的SnS2在谱图中位于15°、28.2°、32.1°、41.9°、50°、52.5°和55°的衍射峰，分别对应于与标准卡片中六方相SnS2纯相(JCPDS 23-0677)中的(001)、(100)、(101)、(102)、(110)、(111)和(103)晶面，表明本案例制备的SnS2和CdS均为单一纯相。在本实施例所制备的复合材料CdS(300)@SnS2的谱图(图2c)中，可以看到几个明显的特征峰，分别对应于SnS2的(111)、(110)、(200)和(004)晶面，其它的特征峰分别对应CdS的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(220)、(112)、(201)、(203)、(210)、(114)、(105)和(204)晶面，表明这两种材料成功复合。
采用电子扫描电镜(SEM)和电子透射电镜(TEM)分别对本实施例所得复合材料的形貌进行分析，结果如图3所示。从CdS(300)@SnS2复合材料的SEM图(图3a)可以看出，样品整体呈棒状，直径为100nm左右，长度约为1μm，并且CdS位于内核，其表面被大量花状SnS2薄片所覆盖。CdS的TEM图(图3b)可以看出在乙二胺中合成的CdS纳米棒尺寸均匀且表面光滑，直径约为20nm。由图3c可见，当以CdS纳米材料为核，在其表面原位生长出数层片状SnS2后，两种不同组分存在明显分界线，高分辨透射电镜图(图3d)显示，双组份分界线所呈现出的明暗条纹约为60°夹角，晶格间距均为0.315nm，对应于六方相SnS2(100)与(010)晶面，而晶格间距为0.334nm的明暗条纹则对应于CdS(111)晶面。
各样品的可见光暂瞬光电流响应测试直观地反应了样品在可见光激发下产生的光生电流情况，因此进一步研究了各种材料的电流密度随时间的变化曲线。结果发现本实施例所得复合材料的光生电流密度与单一材料相比有明显的区别，在-0.2V的偏置电压下，CdS(300)@SnS2复合材料的光生电流密度远大于纯CdS或纯SnS2的值，说明复合材料对可见光具有最佳响应，可用作光催化剂。
(2)催化Cr(VI)还原反应性能的测试
以目标产物作为催化剂，研究其对水相中Cr(VI)还原反应的光催化效果。
使用100mW cm-2辐照强度的白色LED光照含Cr(VI)的水溶液，在未添加其它牺牲剂的条件下，测试各种材料对水中Cr(VI)的光催化还原性能，利用二苯碳酰二肼(简称DPC；其浓度为2g L-1)显色分光光度法(GB/T 7467-1987)来检测和分析水相中的Cr(VI)含量，如图4所示。由光催化Cr(Ⅵ)还原曲线(如4A)可见，本实施例所得CdS(300)@SnS2光催化还原Cr(VI)的速率明显大于CdS和SnS2，这些材料的催化过程符合准一级反应(图4B)，由此计算出CdS(300)@SnS2材料、CdS材料和SnS2材料所对应的速率常数分别为0.272min-1、0.0341min-1和0.00739min-1，即CdS(300)@SnS2在16min内对Cr(VI)的还原效率达到100％，速率常数分别是CdS和SnS2的8倍和36.8倍。这主要是因为CdS与SnS2复合后构造异质结对载流子的分离及对可见光吸收起到极大地促进作用，从而使得复合材料的催化性能明显高于纯CdS和纯SnS2材料。
本实施例进一步研究了CdS纳米棒的加入量对复合材料结构及光催化活性的影响(体系中的Cr(VI)浓度相同，选择光源和光照时间也相同)，如图5、图6(CdS的添加量自左至右分别为0、150、300、450mg)所示。由图可见，增加CdS的量会使所制备的[email protected]2壳核材料结构更加紧凑，增大包覆范围，生成的复合材料直径变小，CdS表面负载的SnS2更为均匀，比较有利于光催化还原Cr(IV)反应。但是当CdS的用量超过300mg时，虽然复合材料的直径进一步缩小，但是负载的SnS2量明显减少，导致后光催化性能显著降低。
为了深度评价催化剂的催化活性，采用CdS(300)@SnS2复合材料开展了光催化Cr(VI)还原循环实验(图略)。结果发现，在经过四次循环使用后，其光催化还原Cr(VI)活性发生了一定程度的衰减。为了改善这一状况，选用低浓度盐酸对反应后的CdS(300)@SnS2催化剂进行处理并重新测试了其催化性能，发现其催化活性得到有效恢复，明显高于第二次循环反应的速率，说明催化剂具有较好的再生性和稳定性，可拓展于实际应用。
实施例2
分别称取4.62g CdCl2·2.5H2O(0.02mol)和4.24g CH4N2S(0.055mol)依次加入50mL乙二胺中，搅拌10min使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于150℃恒温反应60h后，用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤3次，最后置于真空干燥箱中设置50℃干燥15h后收集得CdS纳米棒样品。
称取300mg CdS纳米棒加入到70mL乙醇中，超声10min使分散均匀，依次称取350mgSnCl4·5H2O(1.24mmol)和250mg硫代乙酰胺(TAA)(3.32mmol)加入到上述混合溶液中，超声10min分散均匀后，转移到高压反应釜中，于150℃恒温反应15h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤3次，置于真空干燥箱中设置50℃干燥15h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为CdS(300)@SnS2。
实施例3
分别称取4.62g CdCl2·2.5H2O(0.02mol)和4.24g CH4N2S(0.055mol)依次加入50mL乙二胺中，搅拌10min使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于150℃恒温反应60h后，用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，最后置于真空干燥箱中设置60℃干燥13h后收集得CdS纳米棒样品。
称取300mg CdS纳米棒加入到80mL乙醇中，超声15min使分散均匀，依次称取350mgSnCl4·5H2O(1.24mmol)和350mg TAA(4.66mmol)加入到上述混合溶液中，超声20min分散均匀后，转移到高压反应釜中，于180℃恒温反应10h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，置于真空干燥箱中设置60℃干燥13h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为CdS(300)@SnS2。
实施例4
分别称取4.62g CdCl2·2.5H2O(0.02mol)和4.24g CH4N2S(0.055mol)依次加入50mL乙二胺中，搅拌20min使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于170℃恒温反应45h后，用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，最后置于真空干燥箱中设置50℃干燥15h后收集得CdS纳米棒样品。
称取300mg CdS纳米棒加入到70mL乙醇中，超声10min使分散均匀，依次称取350mgSnCl4·5H2O(1.24mmol)和250mg TAA(3.32mmol)加入到上述混合溶液中，超声12min分散均匀后，转移到高压反应釜中，于170℃恒温反应12h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，置于真空干燥箱中设置50℃干燥15h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为CdS(300)@SnS2。
实施例5
分别称取4.62g CdCl2·2.5H2O(0.02mol)和4.62g CH4N2S(0.06mol)依次加入60mL乙二胺中，搅拌15min使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于150℃恒温反应54h后，用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，最后置于真空干燥箱中设置70℃干燥12h后收集得CdS纳米棒样品。
称取150mg CdS纳米棒加入到90mL乙醇中，超声20min使分散均匀，依次称取350mgSnCl4·5H2O(1.24mmol)和350mg TAA(4.66mmol)加入到上述混合溶液中，超声20min分散均匀后，转移到高压反应釜中，于170℃恒温反应10h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤4次，置于真空干燥箱中设置80℃干燥10h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为CdS(150)@SnS2。
实施例6
分别称取4.62g CdCl2·2.5H2O(0.02mol)和5.01g CH4N2S(0.065mol)依次加入70mL乙二胺中，搅拌20min使其均匀混合，转移至高压反应釜里，放入烘箱，于170℃恒温反应36h后，用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤3次，最后置于真空干燥箱中设置80℃干燥10h后收集得CdS纳米棒样品。
称取200mg CdS纳米棒加入到90mL乙醇中，超声20min使分散均匀，依次称取350mgSnCl4·5H2O(1.24mmol)和350mg TAA(4.66mmol)加入到上述混合溶液中，超声20min分散均匀后，转移到高压反应釜中，于180℃恒温反应10h，然后用超纯水和无水乙醇分别将沉淀离心洗涤3次，置于真空干燥箱中设置80℃干燥10h后收集，即可获得核壳结构的复合材料，标记为CdS(200)@SnS2。