具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖 直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间 未构成冲突就可以相互结合。

首先，为了便于理解，先对本申请的相关技术做简单介绍。NOR Flash是依据存储在存储介质上的电荷引发的存储器件的Vt变化来表征存储的信息是0或1的，如图１所示，横坐标表示Vt的电压值，纵坐标表示存储单元Vt分布的数目。Vrd为读操作电压，Verv为擦除（erase） 校验电压，Vpgmv为编程（program）校验电压。Vt小于Verv的存储单元在读操作时会被识别成1，Vt大于Vpgmv的存储单元在读操作时会被识别成0。Verv和Vrd的电压差值和Vrd与Vpgmv的电压差值称为读取数据时的裕度（margin）。

当受到辐射后，存储单元中的电荷会逐渐丢失而造成存储单元阈值分布的改变，通常存储为0的存储单元阈值分布会向着Vrd移动。如图2所示，受到辐射后，存储为0的存储单元阈值分布会由分布1移动至分布2状态，使得读取0数据时的裕度变小。如果移动到内部灵敏放大器不能分辨，造成读取错误，则会影响电子系统的正常工作。

因此，为了解决上述问题，本申请提出了以下方法。

请参考图3，其示出了本申请一个实施例提供的芯片校准方法的方法流程图，如图3所示，所述方法包括：

步骤301，在接收到芯片校准指令之后，读取存储单元中的存储数据；

芯片在接收到芯片校准指令之后，从初始地址开始对芯片进行校验，也即依次读取存储单元中存储的数据。

可选的，芯片可以通过读取基本单元对存储单元中的数据进行读取。读取基本单元包括两路灵敏放大器以及每路灵敏放大器所对应的参考电压源，每个参考电压源用于提供不同的参考电压。比如，请参考图4，其示出了一种可能的读取基本单元的结构示意图。图中SA1和SA2为两路灵敏放大器，Vrd和Vckv为参考电压源为每路灵敏放大器提供的参考电压。其中，Vrd用于存储器正常读取操作，Vckv用于校准时的读取操作。图4中，SA1的输出为Ord，SA2的输出为Ockv。

也即本步骤可以包括：通过两路灵敏放大器读取所述存储单元中的所述存储数据，所述两路灵敏放大器采用不同参考电压进行驱动。

实际实现时，请参考5，其示出了一种可能的灵敏放大器的结构的示意图，如图5所示，灵敏放大器可以为两级比较器，当然实际实现时灵敏放大器还可以为其他结构，本实施例对此并不做限定。

步骤302，根据读取到的存储数据检测是否需要校验编程；

结合图4，本步骤可以包括：

第一，将所述两路灵敏放大器的读取结果进行异或；

第二，在异或结果为0时，则无需进行校验编程；

第三，在异或结果为1时，则需要进行校验编程。

当存储0数据的存储单元的Vt值降至Vckv以下时，灵敏放大器SA1和SA2输出相异值，此时需要对存储单元进行校准编程操作。如果存储单元的Vt没有发生变化，则Ord和Ockv值相同，此时无需对存储单元进行校准编程操作。

步骤303，若需要进行校验编程，则对所述存储单元进行校验编程。

而若不需要进行校验编程，则将存储单元地址+1，并再次执行所述读取存储单元中的存储数据的步骤。

可选的，在将存储单元地址+1之后，检测存储单元是否结束；若存储单元的地址未结束，则再次执行所述读取存储单元中的存储数据的步骤。若存储单元的地址结束，则流程结束。请参考图6，其示出了本申请提供的芯片校验方法的完整流程图。

另外，请参考图7，其示出了通过上述方法对芯片校验时，本申请的分布图。结合图7可知，本申请的方法可以有效避免芯片受到辐射时数据读取可能会有误的问题，达到了可以提高数据保持能力，增强系统稳定性的效果。

综上所述，通过在接收到芯片校准指令之后，读取存储单元中的存储数据；根据读取到的存储数据检测是否需要校验编程；若需要进行校验编程，则对所述存储单元进行校验编程。有效避免了芯片受到辐射时数据读取可能会有误的问题，达到了可以提高数据保持能力，增强系统稳定性的效果。

本申请还提供了一种芯片，该芯片包括处理器、两路灵敏放大器以及为每路灵敏放大器提供参考电压的参考电压源；其中，每个参考电压源所提供的参考电压不同，所述处理器用于根据所述两路灵敏放大器的输出结果执行以上所述的方法。其中，两路灵敏放大器的连接示意图以及每个灵敏放大器的构造可如上图4和图5所示，在此不再赘述。

本申请还提供了一种计算机存储介质，所述存储介质中存储有至少一条程序指令，所述至少一条程序指令被处理器加载并执行以实现如上所述的方法。

本申请还提供了一种芯片校准装置，所述装置包括存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条程序指令，所述处理器通过加载所述至少一条程序指令以实现如上所述的方法。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。