具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

下面详细描述本发明的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。

如图1所示，本发明提供一种声表面波滤波芯片1封装制造方法，包括步骤：

S1：如图2所示，提供声表面波滤波芯片1，其具有相对的芯片第一表面11和芯片第二表面12，于芯片第一表面11上设有功能区111和焊盘112。

功能区111包括压电材料基底和换能器等结构，用以实现声表面波滤波芯片1对声信号和电信号的传播及转换处理等功能，焊盘112设于功能区111周侧，与其电性耦合。

具体的，在本实施方式中，焊盘112环绕所述功能区111均匀对称分布。于其他实施方式中，也可根据芯片布线设计，调整焊盘112分布位置。

S2：如图3所示，在芯片第一表面11上贴附第一膜层21，并于第一膜层21上形成暴露功能区111的镂空区211。

于芯片第一表面11上旋涂胶层后，通过胶层将第一膜层21贴附于芯片第一表面11。

具体的，贴附第一膜层21后，对第一膜层21对应于功能区111的区域进行光刻，于第一膜层21上覆盖掩膜板，掩膜板形成有镂空区211的图形，曝光显影后去除掩膜板，形成镂空区211，镂空区211的面积大于功能区111，从而暴露出功能区111。

在本发明的其他实施方式中，也可通过其他诸如激光或接机械切割的方式，预先在第一膜层21上形成镂空区211之后，再将其贴附于芯片第一表面11上。

S3：如图4所示，在第一膜层21上贴附第二膜层22，第一膜层21和第二膜层22组成封盖层，第二膜层22盖设于镂空区211上方，形成容置功能区111的密闭空腔3，第一膜层21和第二膜层22至少有一层为高分子聚合物。

于第一膜层21上表面旋涂胶层后，通过胶层将第二膜层22贴附于第一膜层21上表面，分步通过胶层贴附第一膜层21和第二膜层22来形成封盖层2，工艺方法简单便捷、易于实施。

优选的，在本实施方式中，第一膜层21与第二膜层22均为高分子聚合物，选择高分子聚合物来代替常规的金属围坝以及玻璃或晶圆盖板，可有效降低封盖层2的厚度，减小封装件的体积。

具体的，第一膜层21和第二膜层22的厚度之和范围为30～60μm，第一膜层21和第二膜层22为环氧树脂膜，环氧树脂膜满足声表面波滤波芯片1对气密性的要求的同时，其成本相较于金属、玻璃或晶圆盖板更加低廉。

需要说明的是，这里所述的第一膜层21和第二膜层22的厚度之和还包括两层胶层的厚度，这里将其共同归入膜层的厚度。

在本发明的另一些实施方式中，也可根据封装结构需要，调整第一膜层21或第二膜层22的材料，如先于声表面波滤波芯片1上生长一层金属层，刻蚀暴露出功能区111后覆盖一层高分子聚合物，或者先于声表面波滤波芯片1上贴附一层高分子聚合物，光刻暴露出功能区111后覆盖一层玻璃盖板等。

在本发明的另一些实施方式中，也可于第一膜层21和/或第二膜层上额外贴附具有诸如加强散热、屏蔽电磁波、高机械强度等额外功能的功能膜层，利用膜层结构的高拓展性进一步增加封装结构可以适用的场景。

S4：如图5所示，在芯片第二表面12上形成朝向芯片第一表面11延伸的通孔121，通孔121底部暴露出焊盘112。

具体的，刻蚀芯片第二表面12，形成暴露焊盘112的阶梯型通孔121，阶梯型通孔121内形成有一台阶部1211，沿所述台阶部1211，阶梯型通孔121分为两段圆锥台形通孔。

在本发明的其他实施方式中，也可刻蚀形成圆柱形通孔121、圆锥台形通孔121或其他形状横截面形状的通孔121等结构。

S5：如图6所示，在通孔121内形成与焊盘112电性连接的线路层4，线路层4延伸至芯片第二表面12。

具体的，形成线路层4包括于通孔121底部及侧壁通过沉积等工艺形成介电层以及分布于介电层内的金属线路。金属线路电性连接于焊盘112，通过阶梯形通孔121将线路扇出至芯片第二表面12。

如图7所示，在本发明的一些实施方式中，形成线路层4后还包括步骤：

在线路层4上形成阻焊层5，从而对线路层4形成保护，阻焊层5形成有用以设置导电凸块6的开口，以便设置导电凸块6。

S6：如图8所示，在芯片第二表面12上形成电连接于线路层4的导电凸块6。

导电凸块6可以为焊球或形成于线路层4上的平面焊盘112等结构，其通过线路层4与焊盘112电性连接，且用于与外部电路或电子元件电性连接。

于芯片第二表面12设置通孔121，将线路层4及导电凸块6通过通孔121背离封盖层2设置，从而无需于封盖层2上形成用于电性连接的孔槽等结构，降低了对封盖层2的厚度及结构强度等性能的要求，使得能够选择高分子聚合物作为声表面波滤波芯片1的封盖层2。

本发明还提供一种声表面波滤波芯片1封装结构，其包括声表面波滤波芯片1，声表面波滤波芯片1具有相对的芯片第一表面11和芯片第二表面12，芯片第一表面11上形成有功能区111和设于功能区111周侧的焊盘112。

声表面波滤波芯片1封装结构还包括封盖层2，封盖层2包括第一膜层21和第二膜层22，第一膜层21覆于芯片第一表面11上，其设有暴露功能区111的镂空区211，第二膜层22覆于第一膜层21上，其盖设于镂空区211形成容置功能区111的密闭空腔3，且第一膜层21和第二膜层22至少有一层为高分子聚合物。

优选的，在本实施方式中，第一膜层21与第二膜层22均为高分子聚合物。

声表面波滤波芯片1与第一膜层21之间、第一膜层21与第二膜层22之间还设有将其固定贴合的胶层。

具体的，封盖层2的厚度范围为30～60μm，且第一膜层21和第二膜层22为环氧树脂膜层。

在本发明的另一些实施方式中，也可根据封装结构需要，采用金属围坝上覆盖高分子聚合物，或高分子聚合物上覆盖玻璃等结构。

芯片第二表面12上设有导电凸块和延伸至芯片第一表面11的通孔121，通孔121底部以及侧壁设有线路层4，线路层4延伸至芯片第二表面12，将设于其上的导电凸块与焊盘112电性连接。

具体的，线路层4包括介电层，以及分布于介电层内的金属线路。

通孔121为阶梯型通孔121。

在本发明的其他实施方式中，通孔121也可为圆柱形通孔121、圆锥台形通孔121或其他形状横截面形状的通孔121等结构。

在本发明的一些其他实施方式中，线路层4上还覆盖有阻焊层5，阻焊层5上设有用以设置导电凸块6的开口。

综上所述，本发明于声表面波滤波芯片内设置通孔，将线路层及导电凸块通过通孔背离芯片功能区设置，从而无需于封盖层上形成用于电性连接的孔槽等结构，降低了对封盖层的厚度及结构强度等性质的要求，使得能够选择高分子聚合物作为声表面波滤波芯片的封盖层，相较于金属、玻璃或晶圆盖板，高分子聚合物更薄，有利于封装结构小型化，且其成本更低，满足工业化需求。

应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。