具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相对应的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

请参考图2所示，图2是本申请提供的一种DDR SDRAM通道的优化方法的流程图，该方法可包括如下所示步骤：

S21、获取DDR SDRAM设计文件。

具体地，双倍速率同步动态随机存储器（Double Data Rate SynchronousDynamic Random Access Memory，DDR SDRAM），简称DDR，其在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输，所以其数据传输速度为系统时钟频率的两倍。

S22、获得用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型。

具体地，获取到DDR SDRAM设计文件后，可以从设计文件中抽取到模拟该DDRSDRAM通道的无源通道的参数，然后将抽取的参数配置到对应的无源通道描述模型中，从而得到用于描述该设计文件中DDR SDRAM通道的无源通道描述模型。可选地，不同的DDRSDRAM设计对应的无源通道描述模型不同，且，同一个DDR SDRAM设计文件，当对其DDRSDRAM通道优化后，则优化前后的分别对应的无源通道描述模型也不同。

S23、根据所述无源通道描述模型，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM。

具体地，由于DDR SDRAM设计中的数据及地址总线都是单端传输的，所谓单端传输是指本端到对端单线通信，即，本端通过本端的端口向对端的端口传输数据。因此，本申请中获得的无源通道描述模型为单端的无源通道描述模型，可以记为S2P。

本步骤中，可以利用通道裕量（Channel Operating Margin，COM）算法来计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM，而由于获得的是单端的无源通道描述模型，相应地，本申请中的通道裕量COM算法也进行适应性调整，使得改进的通道裕量COM算法能够适应单端的无源通道描述模型。具体来说，通道裕量COM算法本身由矩阵来进行运算，故针对单端的无源通道描述模型的描述矩阵，通道裕量COM算法本身涉及的运算矩阵需要调整至能够处理上述描述矩阵所需的维度。例如，单端的无源通道描述模型的描述矩阵为2行2列的，则通道裕量COM算法涉及的运算矩阵需要调整至能够处理2行2列描述矩阵所需的维度。

S24、基于所述通道裕量COM判断当前的DDR SDRAM通道是否满足电性能优化输出条件；若否，则执行步骤S25；若是，则流程结束。

本步骤中，通道裕量COM值能够衡量无源通道的通道质量，因此，可以基于通道裕量COM值来判定当前设计的DDR SDRAM通道的通道质量，若通道质量达到了电性能优化输出条件，则表征当前设计的DRR SDRAM通道满足要求，可以使用；否则，表明当前设计的DRRSDRAM通道还需要优化处理。

具体地，可以按照下述过程执行步骤S24：判断计算得到的通道裕量COM值是否大于设定阈值，若大于设定阈值，则表明当前设计的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件；若不大于则表明当前设计的DDR SDRAM通道不满足电性能优化输出条件。需要说明的是，本申请中的设定阈值可以根据实际情况而定，也可以根据大量仿真验证得到。

S25、对所述设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化处理，并再次执行步骤S22。

本步骤中，当步骤S24确认当前设计的DDR SDRAM不满足电性能优化输出条件时，则一种可能的实施例中，可以根据预先设定的若干种可能的优化方式选择至少一种优化方式对设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化设计，从而得到优化处理后的DDR SDRAM设计文件，或者，预先设定指标值与优化方式之间的对应关系，基于通道裕量COM值确认当前DDRSDRAM通道不满足要求时，可以确认当前DDR SDRAM的相关指标的指标值，然后根据各指标值的要求，选择与不满足要求的指标值对应的优化方式来优化DDR SDRAM通道，得到优化处理后的DDR SDRAM设计文件；然后再次执行获得优化处理后的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型，即再次执行步骤S22~S25步骤，直至优化处理后的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。另一种可能的实施例中，在基于通道裕量COM值确认当前DDR SDRAM通道不满足要求时，可以输出结果，以使设计人员对设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化处理；或者，进一步确定当前DDR SDRAM的相关指标的指标值，然后输出给设计人员，以使设计人员根据输出的指标值来优化设计文件中的DDR SDRAM通道；然后再次执行步骤S22~S25的步骤。这样也就不需要采用现有方法提供的只能基于时域眼图仿真结果才能对DDR SDRAM进行优化设计所造成的耗费较长时间的问题，而通过采用计算通道裕量COM值的方法来优化DDR SDRAM通道，不需要有源模型的参与，明显节省了DDR SDRAM通道的优化时间。

通过实施图2所示的流程，在获取到包括DDR SDRAM通道的DDR SDRAM设计文件后，获得用于描述前述DDR SDRAM通道的无源通道描述模型，然后基于获得的无源通道描述模型，计算DDR SDRAM通道的通道裕量COM值，当基于通道裕量COM值确认当前设计的DDRSDRAM通道不满足电性能优化输出条件时，则对DDR SDRAM通道进行优化处理，然后重复执行上述流程直至优化处理后的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件为止，这样也就不需要借用现有技术中的有源的时域眼图仿真模型来优化DDR SDRAM通道，由于有源的时域眼图仿真模型较难获取且耗时，因此，采用本申请提供的方法可以大大节省DDR SDRAM通道的优化时间，且准确度高。

可选地，在实施图2的流程之后，本申请实施例提供的DDR SDRAM通道的优化方法还可以包括下述过程：

对满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道进行时域眼图仿真处理；

若时域眼图仿真结果成功，则确认满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道满足需求。

具体地，一般情况下，在通道裕量COM的设定阈值设置的比较准确的情况下，在优化处理后的DDR SDRAM通道的通道裕量COM值大于设定阈值时，就表明优化后的DDR SDRAM通道已经满足需求。但是为了以防其他因素的影响，还可以进一步验证设计的DDR SDRAM通道，则本申请提出，将满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道进行时域眼图仿真处理以得到时域眼图仿真结果，若该时域眼图仿真验证结果成功，则表明满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道满足设计需求。具体地，满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道的时域眼图的仿真结果一般情况下都是成功，在一定程度上不需要频繁进行时域眼图仿真；另外，若时域眼图仿真结果不成功，则可以对DDR SDRAM通道进行优化设计，然后再次执行图2所示的流程，然后将满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM再次执行时域眼图仿真，这种情况下，虽然会再次进行时域眼图仿真，但相比于现有技术，本申请可以基于通道裕量COM值对DDR SDRAM通道进行迭代优化处理，时域眼图仿真的次数还是会大大减少的，进而大大缩减了DDR SDRAM通道的优化时间。

可选地，本申请中的无源通道可以但不限于包括受害线通道、远端串扰通道和近端串扰通道，相应地，本实施例中的无源通道描述模型包括受害线通道描述模型、远端串扰通道描述模型和近端串扰通道描述模型，则在此基础上，可以按照图3所示的流程实施步骤S23，包括以下步骤：

S31、对受害线通道描述模型所表征的受害线通道进行通道滤波处理。

具体地，可以采用通道滤波函数对受害线通道描述模型所表征的受害线通道进行通道滤波处理，例如，通道滤波函数可以但不限于为Hintr( )函数等。

S32、根据所述DDR SDRM设计文件，判断所述受害线通道是否需要均衡处理，若判断结果为是，则执行步骤S33；若判断结果为否，则执行步骤S319。

具体地，DDR SDRAM设计文件中会包括用于指示受害线通道是否需要均衡处理的指示信息，根据该指示信息的取值来确定该受害线通道是否需要均衡处理。

可选地，本申请中DDR SDRAM设计文件包括的受害线通道的指示信息可以为零点和极点的数量。当数量均为0时则表明不需要对受害线通道做均衡处理，当数量不为0时，则需要对受害线通道做均衡处理。

S33、利用均衡器对通道滤波后的受害线通道执行所需的均衡处理。

当需要均衡处理时，会执行本步骤。可选地，本申请中的均衡处理可以但不限于包括连续时间性线性均衡、前馈均衡和判决均衡等等，相应地，本申请中的均衡器可以但不限于包括连续时间性线性均衡器（Continuous Time Linear Equalizer，CTLE）、前馈均衡器（Feed Forward Equalizer，FFE）和判决反馈均衡器（Decision Feedback equalizer，DFE）。受害线通道所需执行的均衡处理可以为上述三种均衡处理中的至少一个。

具体地，本申请在利用均衡器对受害线通道执行均衡处理时，其实质是利用均衡函数对用于表征受害线通道的矩阵做运算，以做FFE和CTLE均衡处理为例进行说明，则需要的均衡函数为Hffe( )和Hctel( )。再结合通道滤波函数，则在运算时，是对这三个函数做乘积，即Hintr( )*Hffe( )*Hctel( )，其中，括号内参与运算的是用于表征受害线通道的矩阵。具体地，均衡函数是根据DDR SDRAM设计文件中的关于受害线通道的指示信息来构造的，以指示信息包括2个零点和2个极点为例进行说明，则构造包括2个零点和2个极点的均衡函数。然后利用构造的均衡函数对受害线通道做均衡处理。

S34、对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，并确定转换后的受害线通道在最优品质因数FOM时的受害线通道信号的信号幅值。

具体地，由于通道滤波、均衡处理均是频域上的操作，而在计算通道裕量COM值时需要计算信号幅值，因此，需要对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，即，对受害线通道上的受害线通道信号进行逆傅里叶变换，得到时域的受害线通道信号，时域的受害线通道信号可以为单脉冲响应波形。然后确定转换后的受害线通道的品质因数（Figure OfMerit，FOM），若该品质因数没有达到最优，则对均衡器中的参数进行调整（当均衡器为均衡函数时，实质是对均衡函数中零点及极点的取值进行调整），然后利用调整后的均衡器对通道滤波后的受害线通道再次执行均衡处理，然后再执行步骤S34中的对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，然后再次确认转换后的受害线通道的FOM，再次判断本次确定的品质因数FOM是否为最优的，若不是则再次执行上述过程，直至确定出最优的FOM，记为最优品质因数，然后将最优品质因数FOM对应的均衡器对受害线通道进行均衡处理，然后对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，得到受害线通道上的受害线通道信号的信号幅值As。或者，当没有最优品质因数FOM时，可以确定确认次数是否达到设定次数，当达到设定次数时，从历史计算出的品质因数FOM中选取最大的品质因数FOM值作为最优品质因数FOM，然后将最大的品质因数FOM值对应的均衡器对受害线通道进行均衡处理，然后对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，得到受害线通道上的受害线通道信号的信号幅值As。

S35、针对所述远端串扰通道描述模型，对所述远端串扰通道描述模型所表征的远端串扰通道进行通道滤波处理。

本步骤中，本申请中对远端串扰通道的处理可以参考步骤S31中对受害线通道的处理过程，重复之处不再详细赘述。

可选地，本申请中的远端串扰通道（Far End Crosstalk，FEXT）可以包括多个通道，参考图4所示，FEXT通道包括多个攻击线和受害线驱动端。还请参考图4所示，图4中左侧为远端串扰通道、中间为受害线通道、右侧为近端串扰通道，以远端串扰通道的第一个攻击线为例进行说明，攻击线的端口与受害线的端口构成一个单端通道。

S36、根据所述DDR SDRM设计文件，判断所述远端串扰通道是否需要均衡处理，若需要，则执行步骤S37；若不需要，则执行步骤S39。

具体地，DDR SDRAM设计文件中，也包括远端串扰通道是否需要执行均衡处理的指示信息，当包括的指示信息表征需要对远端串扰通道执行均衡处理时，则执行步骤S37。若不需要执行均衡处理，则可以执行步骤S39，后续详细介绍之。

S37、对通道滤波后的远端串扰通道进行均衡处理。

具体地，本步骤对远端串扰通道进行均衡处理的实施过程可以参考步骤S33对受害线通道的处理过程。即，确认均衡处理后且频时域转换后的受害线通道上的受害线通道信号的最优品质因数FOM，将最优品质因数FOM对应的均衡器对通道滤波后的远端串扰通道进行均衡处理。具体在构造远端串扰通道对应的均衡函数时，可以基于步骤S36中用于指示远端串扰通道是否需要执行均衡处理的指示信息来构造。

可选地，在实施步骤S37时，可以按照下述过程实施：获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数；利用所述均衡参数配置所述远端串扰通道所需的均衡器，并利用配置好的均衡器对通道滤波处理后的所述远端串扰通道进行均衡处理。

具体地，为了更快的优化DDR SDRAM通道，以及更准确地评价DDR SDRAM通道，本申请在对远端串扰通道进行均衡处理时，可以保留受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数，然后利用受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数来配置远端串扰通道的均衡器，然后利用配置好的均衡器对通道滤波后的远端串扰通道进行均衡处理，由于远端串扰通道是作用在受害线通道上的，利用受害线通道的均衡器的参数来配置远端串扰通道的均衡器，而受害线通道是用于表征DDR SDRAM通道的，这样能更好的评价DDRSDRAM通道的通道质量。

S38、对均衡处理后的远端串扰通道进行频域到时域的转换。

具体地，可以利用逆傅里叶变换对均衡处理后的远端串扰通道上的远端串扰信号进行频域到时域的转换处理，然后执行步骤S310。

S39、对通道滤波后的远端串扰通道进行频域到时域的转换，并执行步骤S310。

具体地，当远端串扰通道不需要执行均衡处理时，则可以直接对步骤S35通道滤波后的远端串扰通道上的远端串扰信号进行频域到时域的转换处理。

S310、对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声。

具体地，本申请中的干扰噪声可以但不限于包括确定性抖动噪声和随机抖动噪声等等。当加入干扰噪声后，可以确定时域上加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声。

S311、针对所述近端串扰通道描述模型，对所述近端串扰通道描述模型所表征的近端串扰通道进行通道滤波处理。

本申请中的近端串扰通道（Near End Crosstalk，NEXT）可以包括多个通道，也请参考图4所示，NEXT通道包括多个攻击线和受害线驱动端。

S312、根据所述DDR SDRM文件，判断所述近端串扰通道是否需要均衡处理，若需要，则执行步骤S313；若不需要，则执行步骤S315。

具体地，DDR SDRAM设计文件中，也包括近端串扰通道是否需要执行均衡处理的指示信息，当包括的指示信息表征需要对近端串扰通道执行均衡处理时，则执行步骤S313。若不需要执行均衡处理，则可以执行步骤S315，后续详细介绍之。

S313、对通道滤波后的近端串扰通道进行均衡处理。

具体地，本步骤对近端串扰通道进行均衡处理的实施过程可以参考步骤S33对受害线通道的处理过程。即，确认均衡处理后且频时域转换后的受害线通道上的受害线通道信号的最优品质因数FOM，将最优品质因数FOM对应的均衡器对通道滤波后的近端串扰通道进行均衡处理。具体在构造近端串扰通道对应的均衡函数时，可以基于步骤S36中用于指示近端串扰通道是否需要执行均衡处理的指示信息来构造。

可选地，在实施步骤S313时，可以按照下述过程实施：获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数；利用所述均衡参数配置所述近端串扰通道所需的均衡器，并利用配置好的均衡器对通道滤波处理后的所述近端串扰通道进行均衡处理。

具体地，本申请在对近端串扰通道进行均衡处理时，可以保留受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数，然后利用受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数来配置近端串扰通道的均衡器，然后利用配置好的均衡器对通道滤波后的近端串扰通道进行均衡处理，由于近端串扰通道是作用在受害线通道上的，利用受害线通道的均衡器的参数来配置近端串扰通道的均衡器，而受害线通道是用于表征DDR SDRAM通道的，这样能更好的评价DDR SDRAM通道的通道质量，这样可以加快优化DDR SDRAM通道，以及更准确地评价DDR SDRAM通道。

S314、对均衡处理后的近端串扰通道进行频域到时域的转换。

具体地，可以利用逆傅里叶变换对均衡处理后的近端串扰通道上的近端串扰信号进行频域到时域的转换处理，然后执行步骤S316。

S315、对通道滤波后的近端串扰通道进行频域到时域的转换。

具体地，当近端串扰通道不需要执行均衡处理时，则可以直接对步骤S311通道滤波后的近端串扰通道上的近端串扰信号进行频域到时域的转换处理。

S316、对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声。

具体地，本申请中的干扰噪声可以但不限于包括确定性抖动噪声和随机抖动噪声等等。当加入干扰噪声后，可以确定时域上加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声。

S317、根据所述远端串扰通道的通道噪声和所述近端串扰通道的通道噪声，确定所述DDR SDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值。

具体地，可以对远端串扰通道的通道噪声和近端串扰通道的通道噪声进行噪声叠加处理，从而可以得到DDR SDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值An。

S318、根据所述受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM。

具体地，在确定出受害线通道信号的信号幅值As和上述噪声信号幅值An后，可以按照下述公式确定当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM值：

COM=20*lg(As/An)

需要说明的是，上述通道裕量COM的公式中lg( )为以10为底的对数。

S319、对通道滤波后的受害线通道进行频域到时域的转换。

具体地，当受害线通道不需要均衡处理时，则可以直接对步骤S31得到的通道滤波后的受害线通道进行逆傅里叶变换，得到时域上的通道滤波后的受害线通道。

S320、确定转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值。

具体地，在基于步骤S319得到时域上的受害线通道后，可以得到受害线通道上的受害线通道信号的信号幅值As。

S321、根据转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM。

具体地，在基于步骤S320得到信号幅值As后，再结合步骤S317得到的噪声信号幅值An，按照S318中的通道裕量COM值计算公式得到当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM值。

需要说明的是，图3所示的流程可以由至少一个进程实施，当由一个进程执行图3所示的流程时，该进程在实施上述流程时，步骤S35可以在步骤S34之后实施，步骤S311也可以在步骤S34之后实施，步骤S35和步骤S311可以并行执行，也可以先执行步骤S35再执行步骤S311，还可以先执行步骤S311再执行步骤S34，为了方便示意，将图3中步骤S35和步骤S311的输入箭头用虚线示出。而当由3个进程实时图3所示的流程，第一进程实施受害线通道的实施过程，第二进程执行远端串扰通道的实施过程，第三进程实施近端串扰通道的实施流程，然后第一进程汇总远端串扰通道的通道噪声和近端串扰通道的通道噪声，然后得到DDR SDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值，最后基于自身确定出的受害线通道信号的信号幅值，计算DDR SDRAM通道的通道裕量COM值。当由2个进程实施图3所示的流程时，第一进程实施受害线通道的实施过程，第二进程实施远端串扰通道和近端串扰通道的实施过程，然后第一进程汇总远端串扰通道的通道噪声和近端串扰通道的通道噪声，然后得到DDRSDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值，最后基于自身确定出的受害线通道信号的信号幅值，计算DDR SDRAM通道的通道裕量COM值，等等。

通过实施图3所示的流程，再结合图2所示的流程，提升DDR SDRAM通道的COM值的确定速度，更进一步地提升DDR SDRAM通道的优化速度。

基于同一发明构思，本申请还提供了与上述DDR SDRAM通道的优化方法对应的DDRSDRAM通道的优化装置。该DDR SDRAM通道的优化装置的实施具体可以参考上述对DDRSDRAM通道的优化方法的描述，此处不再一一论述。

参见图5，图5是本申请一示例性实施例提供的一种DDR SDRAM通道的优化装置，包括：

文件获取模块501，用于获取DDR SDRAM设计文件；

模型获得模块502，用于获得用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型；

计算模块503，用于根据所述无源通道描述模型，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM；

判断模块504，用于基于所述通道裕量COM判断当前的DDR SDRAM通道是否满足电性能优化输出条件；

优化处理模块505，用于在所述判断模块的判决结果为否时，则对所述设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化处理；并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。

一种可能的实施例中，本实施例提供的无源通道描述模型包括受害线通道描述模型、远端串扰通道描述模型和近端串扰通道描述模型；则

上述计算模块503，具体用于：

对所述受害线通道描述模型所表征的受害线通道进行通道滤波处理；

根据所述DDR SDRM设计文件，判断所述受害线通道是否需要均衡处理；

若需要均衡处理，则利用均衡器对通道滤波后的受害线通道执行所需的均衡处理；

对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，并确定转换后的受害线通道在最优品质因数FOM时的受害线通道信号的信号幅值；

针对所述远端串扰通道描述模型和所述近端串扰通道描述模型，对所述远端串扰通道描述模型所表征的远端串扰通道和所述近端串扰通道描述模型所表征的近端串扰通道分别进行通道滤波处理；

若根据所述DDR SDRM设计文件，确定所述远端串扰通道需要均衡处理，则对通道滤波后的远端串扰通道进行均衡处理；并

对均衡处理后的远端串扰通道进行频域到时域的转换，并对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声；

若根据所述DDR SDRM设计文件，确定所述近端串扰通道需要均衡处理，则对通道滤波后的近端串扰通道进行均衡处理；并

对均衡处理后的近端串扰通道进行频域到时域的转换，并对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声；

根据所述远端串扰通道的通道噪声和所述近端串扰通道的通道噪声，确定所述DDR SDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值；

根据所述受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM。

一种可能的实施例中，上述计算模块503，还用于若判断所述受害线通道不需要均衡处理，则对通道滤波后的受害线通道进行频域到时域的转换；并确定转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值；根据转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM。

一种可能的实施例中，上述计算模块503，还用于若所述远端串扰通道不需要均衡处理，则对通道滤波后的远端串扰通道进行频域到时域的转换；并对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声；若所述近端串扰通道不需要均衡处理，则对通道滤波后的近端串扰通道进行频域到时域的转换；并对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声。

一种可能的实施例中，上述计算模块503，具体用于获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数；利用所述均衡参数配置所述远端串扰通道所需的均衡器，并利用配置好的均衡器对通道滤波处理后的所述远端串扰通道进行均衡处理。

一种可能的实施例中，上述计算模块503，具体用于获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数；利用所述均衡参数配置所述近端串扰通道所需的均衡器，并利用配置好的均衡器对通道滤波处理后的所述近端串扰通道进行均衡处理。

一种可能的实施例中，本申请提供的DDR SDRAM通道的优化装置，还包括：仿真处理模块506和确认模块507，也请参考图5所示，其中：

上述仿真处理模块506，用于对满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道进行时域眼图仿真处理；

确认模块507，用于若时域眼图仿真结果成功，则确认满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道满足需求。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种存储芯片，该存储芯片包括双倍速率同步动态随机存储器DDR SDRAM存储器，所述DDR SDRAM包括DDR SDRAM通道，所述DDRSDRAM通道为基于本申请上述任一实施例提供的DDR SDRAM通道的优化方法优化得到的。

本申请实施例提供了一种电子设备，如图6所示，包括处理器601和DDR SDRAM存储器602，DDR SDRAM存储器602存储有能够被处理器601执行的计算机程序，处理器601被计算机程序促使执行本申请实施例所提供的DDR SDRAM通道的优化方法。

上述处理器可以是通用处理器，包括CPU（Central Processing Unit，中央处理器）、NP（Network Processor，网络处理器）等；还可以是DSP（Digital Signal Processor，数字信号处理器）、ASIC（Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路）、FPGA（Field-Programmable Gate Array，现场可编程门阵列）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

对于电子设备实施例而言，由于其涉及的方法内容基本相似于前述的方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

上述装置中各个单元的功能和作用的实现过程具体详见上述方法中对应步骤的实现过程，在此不再赘述。

对于装置实施例而言，由于其基本对应于方法实施例，所以相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本申请方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。