具体实施方式

本文中公开的本公开的示例性实施例的描述仅用于说明的目的。在不脱离本公开的精神和显著特征的情况下，本公开可以以许多不同的形式体现。因此，本公开的实施例不应被解释为限制本公开。

将理解，当一元件被称为与另一元件相关，诸如“耦接”或“连接”到另一元件时，该元件可以直接耦接或连接到该另一元件，或者它们之间可以存在一个或多个中间元件。相反，应当理解，当一元件被称为与另一元件相关，诸如“直接耦接”或“直接连接”到另一元件时，可以不存在中间元件。应当以类似的方式解释诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“邻近”或“直接邻近”的解释元件之间的关系的其他表述。

在整个说明书中，相同的附图标记将指代相同或相似的元件和/或部件。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分相区分。因此，在不脱离本文教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一部件、第一区、第一层或第一部分可被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二部分。

本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指示。例如，除非上下文另外清楚地指示，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。短语“至少一个”不被解释为限定“一”。“或”可意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指明存在所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。

此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，相对术语旨在包括包含元件的设备除附图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则描述为在其它元件的“下”侧的元件将随之被定向为在其它元件的“上”侧。因此，取决于附图的特定方位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。类似地，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件“上方”。因此，取决于附图的特定方位，示例性术语“下方”或“下面”可以包含“上方”和“下方”两种方位。

考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着位于由本领域普通技术人员确定的所陈述的值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

除非另有限定，否则本文中使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。进一步将理解，术语(诸如在常用词典中限定的那些术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文和本公开的内容中的含义一致的含义，而不应以理想化的或过于形式的意义上去解释，除非本文中明确如此限定。

本文中，示例性实施例可以是参考截面图示描述的，这些截面图示是理性化实施例的示意图示。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图示形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于如附图中图示的区域的特定形状，而将包括可由制造引起或导致的形状的偏差。例如，被图示或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非平面的特征。而且，所图示的尖角可以是圆角。因此，附图中图示的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区域的精确形状并且不旨在限制本公开的范围。

下文中，将参考附图描述本公开的实施例。

图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的框图。

显示设备10可以应用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统和超便携移动PC(UMPC)的各种便携式电子设备，以及诸如电视机、笔记本、监视器、广告牌和物联网(IoT)设备的各种产品。

显示设备10可以显示图像。显示设备10的示例包括有机发光显示(OLED)设备、液晶显示(LCD)设备、等离子体显示(PDP)设备、场发射显示(FED)设备、电泳显示(EPD)设备等。尽管在下面的描述中显示设备10被描述为有机发光显示(OLED)设备，但应当注意，本公开并不限于此。

参考图1，显示设备10包括多个像素1、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40、控制器50和解复用电路60。另外，显示设备10可以进一步包括多条扫描线SL1、SL2和SL3、多条数据线DL以及多条发射控制线EL。另外，显示设备10可以进一步包括用于将初始化电压VINT供给到像素1中的每个的初始化电压供给线以及用于将第一供给电压ELVDD供给到像素1中的每个的第一供给电压供给线。

在下面的描述中，嵌入式电路可以指代扫描驱动器20、发射控制驱动器40和解复用电路60中的至少一个。

多条扫描线SL1、SL2和SL3可以包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三扫描线SL3。第一扫描信号可以被提供到第一扫描线SL1，第二扫描信号可以被提供到第二扫描线SL2，并且第三扫描信号可以被提供到第三扫描线SL3。

在一些示例性实施例中，第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三扫描线SL3可以在第一方向X上延伸。第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三扫描线SL3可以以该顺序在与第一方向X交叉的第二方向Y上被设置。第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三扫描线SL3可以形成组，并且多个这样的组可以沿第二方向Y被设置。

数据信号可以被提供到数据线DL。在一些示例性实施例中，数据线DL可以在第二方向Y上延伸，并且可以沿第一方向X被设置。

发射控制信号可以被提供到发射控制线EL。在一些示例性实施例中，发射控制线EL可以在第一方向X上延伸，并且可以沿第二方向Y被设置。

像素1中的每个可以连接到数据线DL中的一条、发射控制线EL中的一条、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三扫描线SL3的组。在一些示例性实施例中，像素1可以被设置成但不限于矩阵。像素1可以被设置成PenTile结构或各种其他方式。

如稍后将描述的，像素1中的每个可以包括有机发光二极管OLED(参见图3)或发光元件以及电连接到有机发光二极管OLED的至少一个晶体管。例如，像素1可以包括多个晶体管T1至T7(参见图3)。有机发光二极管OLED可以包括阳极电极ANO(参见图7)、面对阳极电极ANO的阴极电极CAT(参见图7)以及布置在阳极电极ANO与阴极电极CAT之间的有机层OL(参见图7)。在一些示例性实施例中，像素1中的每个可以进一步包括但不限于存储电容器Cst(参见图3)。

初始化电压供给线可以将初始化电压VINT提供到像素1中的每个。在一些示例性实施例中，多条初始化电压供给线可以在第一方向X上延伸并且沿第二方向Y被设置。初始化电压供给线可以电连接到像素1，以将初始化电压VINT供给到像素1。

用于将第一供给电压ELVDD供给到像素1中的每个的第一供给电压供给线可以在第二方向Y上延伸，并且多个第一供给电压供给线可以沿第一方向X被设置。第一供给电压供给线可以电连接到像素1，以将第一供给电压ELVDD提供到像素1。

第二供给电压供给线可以电连接到上述阴极电极CAT(参见图7)，以将第二供给电压ELVSS供给到阴极电极CAT。

扫描驱动器20可以产生三个扫描信号，并且通过例如多条扫描线SL1、SL2和SL3将它们传输到像素1中的每个。具体地，扫描驱动器20将第一扫描信号提供到第一扫描线SL1，将第二扫描信号提供到第二扫描线SL2，并且将第三扫描信号提供到第三扫描线SL3。

数据驱动器30输出数据信号。从数据驱动器30输出的数据信号被传输到解复用电路60。

解复用电路60可以电连接到数据线DL。解复用电路60可以根据由数据驱动器30提供的数据信号产生数据线DL的数据信号，并且可以将它们提供到数据线DL。

解复用电路60可以包括多个解复用器DEMUX(参见图2)。解复用器DEMUX中的每个可以将接收到的数据信号提供到两条或更多条数据线DL。例如，当两条数据线DL连接到一个解复用器DEMUX时，从数据驱动器30提供的数据信号DATA(参见图2)可以被传送到该解复用器DEMUX，并且接收数据信号DATA的解复用器DEMUX可以按时隙对数据信号DATA进行划分，并分别将划分的数据信号传输到这两条数据线DL。在图1中所示的示例中，数据驱动器30电连接到解复用电路60，并且解复用电路60电连接到数据线DL。

数据线DL可以包括第一数据线DLa和第二数据线DLb(参见图2)，第一数据线DLa和第二数据线DLb中的每条接收通过使用时分复用划分的数据信号。例如，第一数据线DLa可以指代较早接收划分的数据信号的数据线DL，并且第二数据线DLb可以指代较晚接收划分的数据信号的数据线DL。在另一示例中，第二数据线DLb可以较早接收划分的数据信号，并且第一数据线DLa可以较晚接收划分的数据信号。

要注意的是，指定第一数据线DLa和第二数据线DLb是为了根据数据线接收划分的数据信号的顺序而在它们之间进行区分，而不一定是为了描述连续或按时间顺序排列的次序。

在一些示例性实施例中，数据驱动器30和解复用电路60可以通过焊盘PAD(参见图7)、第一连接电极(例如，图7中所示的第一连接电极141)和第一扇出线(例如，图7中所示的第一扇出线71)彼此电连接。解复用电路60可以通过第二扇出线(例如，图7中所示的第二扇出线72)和第二连接电极(例如，图7中所示的第二连接电极143)电连接到数据线DL。

将参考图2详细描述解复用器DEMUX。

图2是包含在根据本公开的示例性实施例的显示设备的解复用器电路中的解复用器的电路图。在图2中所示的示例中，包括第一数据线DLa和第二数据线DLb的两条数据线连接到解复用器DEMUX。

参考图2，解复用器DEMUX包括第一解复用晶体管T_DM1和第二解复用晶体管T_DM2。在图2的示例中，第一解复用晶体管T_DM1和第二解复用晶体管T_DM2两者都被示出为P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，但本公开并不限于此。第一解复用晶体管T_DM1和第二解复用晶体管T_DM2中的每个包括第一电极、第二电极和栅电极。

从图1的数据驱动器30输出的数据信号DATA被提供到第一解复用晶体管T_DM1的第一电极。第一解复用晶体管T_DM1的第二电极可以电连接到第一数据线DLa。第一解复用选择信号CL1可以通过第一解复用选择信号线CLL1被提供到第一解复用晶体管T_DM1的栅电极。当具有低电平的第一解复用选择信号CL1被施加到第一解复用晶体管T_DM1的栅电极时，第一解复用晶体管T_DM1被导通，使得数据信号DATA可以被输出到第一数据线DLa。

从图1的数据驱动器30输出的数据信号DATA也被提供到第二解复用晶体管T_DM2的第一电极。第二解复用晶体管T_DM2的第二电极可以电连接到未连接到第一解复用晶体管T_DM1的第二数据线DLb。第二解复用选择信号CL2可以通过第二解复用选择信号线CLL2被提供到第二解复用晶体管T_DM2的栅电极。当具有低电平的第二解复用选择信号CL2被施加到第二解复用晶体管T_DM2的栅电极时，第二解复用晶体管T_DM2被导通，使得数据信号DATA可以被输出到第二数据线DLb。

随着第一解复用晶体管T_DM1或第二解复用晶体管T_DM2响应于上述第一解复用选择信号CL1或第二解复用选择信号CL2而被导通，数据信号DATA可以被选择性地施加到两条数据线DLa和DLb。在一些示例性实施例中，当第一解复用选择信号CL1和第二解复用选择信号CL2具有不同的时序时，数据信号DATA可以以时分复用方案被传输。

根据上面的示例性实施例，解复用器DEMUX将从数据驱动器30接收的数据信号DATA提供到两条数据线DLa和DLb。然而，应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以将数据信号DATA提供到三条或更多条数据线。当一个解复用器DEMUX将数据信号DATA提供到三条或更多条数据线时，解复用器DEMUX可以包括与数据线的数量相对应的三个或更多个解复用晶体管。

返回参考图1，发射控制驱动器40产生发射控制信号并通过多条发射控制线EL将发射控制信号传输到像素1中的每个。发射控制信号控制像素1的发射时序。在一些示例性实施例中，发射控制驱动器40可以与扫描驱动器20一体形成，并且一体形成的驱动器可以产生发射控制信号以及扫描信号。根据像素1的内部结构，发射控制驱动器40可以被省略。

控制器50将从外部设备接收的多个图像信号R、G和B转换为多个图像数据信号DR、DG和DB，并且将它们传输到数据驱动器30。另外，控制器50接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK，并且产生用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的各种控制信号，并且将控制信号传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。例如，控制器50产生用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS以及用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS，并将这些控制信号分别传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。另外，控制器50产生控制解复用器DEMUX的操作的解复用选择信号CL1和CL2，并且将解复用选择信号CL1和CL2传输到解复用电路60。

图3是根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素的等效电路图。

参考图3，显示设备10的像素1的电路可以包括有机发光二极管OLED、多个晶体管T1至T7以及存储电容器Cst。数据信号DATA、第一扫描信号SGL1、第二扫描信号SGL2、第三扫描信号SGL3、发射控制信号EM、第一供给电压ELVDD、第二供给电压ELVSS和初始化电压VINT被施加到像素1的电路。

存储电容器Cst可以包括第一电极和第二电极。

晶体管T1至T7中的每个包括栅电极、第一电极和第二电极。晶体管T1至T7中的每个晶体管的第一电极和第二电极中的一个与源电极相对应，并且另一个与漏电极相对应。

晶体管T1至T7中的每个可以是薄膜晶体管。晶体管T1至T7中的每个可以是PMOS晶体管或N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。尽管在图3的示例中将像素1的所有晶体管T1至T7示出为PMOS晶体管，但本公开并不限于此。例如，所有晶体管T1至T7可以是NMOS晶体管。可替代地，晶体管T1至T7中的一些可以是PMOS晶体管，并且其余的可以是NMOS晶体管。

第一晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的第一电极。第一晶体管T1的第一电极通过第五晶体管T5连接到从其施加第一供给电压ELVDD的端子。第一晶体管T1的第二电极通过第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，并且将驱动电流Id提供到有机发光二极管OLED。

第二晶体管T2的栅电极连接到从其提供第一扫描信号SGL1的端子。第二晶体管T2的第一电极连接到从其提供数据信号DATA的端子。第二晶体管T2的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极，并通过第五晶体管T5连接到从其施加第一供给电压ELVDD的端子。第二晶体管T2响应于第一扫描信号SGL1而被导通，并且将数据信号DATA提供到第一晶体管T1的第一电极。

第三晶体管T3的栅电极连接到从其提供第一扫描信号SGL1的端子。第三晶体管T3的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极，并通过第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第一电极、第四晶体管T4的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。当第三晶体管T3响应于第一扫描信号SGL1而被导通时，第一晶体管T1的栅电极与第一晶体管T1的第二电极连接，使得第一晶体管T1被二极管连接。第一晶体管T1的阈值电压可能引起第一晶体管T1的第一电极与栅电极之间的电压差。可以通过将补偿了阈值电压的数据信号DATA提供到第一晶体管T1的栅电极来补偿第一晶体管T1的阈值电压的偏差。

第四晶体管T4的栅电极连接到从其提供第二扫描信号SGL2的端子。第四晶体管T4的第二电极连接到从其提供初始化电压VINT的端子。第四晶体管T4的第一电极连接到存储电容器Cst的第一电极、第三晶体管T3的第二电极和第一晶体管T1的栅电极。第四晶体管T4响应于第二扫描信号SGL2而被导通，并且将初始化电压VINT提供到第一晶体管T1的栅电极，以初始化第一晶体管T1的栅电极处的电压。

第五晶体管T5的栅电极连接到从其提供发射控制信号EM的端子。第五晶体管T5的第一电极连接到从其提供第一供给电压ELVDD的端子。第五晶体管T5的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。

第六晶体管T6的栅电极连接到从其提供发射控制信号EM的端子。第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第一电极。第六晶体管T6的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。

第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于发射控制信号EM而被同时导通，使得驱动电流Id流过有机发光二极管OLED。

第七晶体管T7的栅电极连接到从其提供第三扫描信号SGL3的端子。第七晶体管T7的第一电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。第七晶体管T7的第二电极连接到从其提供初始化电压VINT的端子。第七晶体管T7根据第三扫描信号SGL3而被导通，并且初始化有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。

存储电容器Cst的第二电极连接到从其施加第一供给电压ELVDD的端子。存储电容器Cst的第一电极连接到第一晶体管T1的栅电极、第三晶体管T3的第二电极和第四晶体管T4的第一电极。有机发光二极管OLED的阴极电极CAT连接到从其提供第二供给电压ELVSS的端子。有机发光二极管OLED对应于驱动电流Id而发光以显示图像。

在下文中，将更详细地描述上述显示设备10的结构。

图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的布局的平面图。图5是根据本公开的示例性实施例的显示设备的截面图。图6是图4中所示的区域A的放大图。图7是根据本公开的示例性实施例的显示设备的截面图。

显示设备10可以包括柔性基板，该柔性基板包括诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料。因此，显示设备10可以被弯折、被弯曲、被折叠或被卷曲。

显示设备10可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。如图4中所示，当从顶部在平面图中观察时，显示设备10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。

显示区域DA可以包括多个像素1。像素1中的每个可以包括发射层以及用于控制从发射层发射的光的量的电路层。电路层可以包括线、电极和至少一个晶体管。发射层可以包括有机发光材料。发射层可以由封装层密封。稍后将详细描述像素1中的每个的配置。

当从顶部观察时，显示设备10可以包括平坦区域FA以及在第二方向Y上连接到平坦区域FA的下侧的弯曲区域BA。显示设备10可以进一步包括辅助平坦区域SFA，辅助平坦区域SFA在第二方向Y上连接到弯曲区域BA的下侧，并且在显示设备10的厚度方向Z(或第三方向)上弯曲，以在厚度方向Z上与平坦区域FA重叠。

平坦区域FA可以包括显示区域DA。非显示区域NDA可以被放置在显示区域DA的外围区域处。

当从顶部观察时，平坦区域FA可以具有与显示设备10的外观相似的形状。平坦区域FA可以与平面上的平坦区相对应。然而，应当理解，本公开并不限于此。平坦区域FA的边缘(或侧边)中的至少一个(例如，连接到弯曲区域BA的边缘(或侧边))可以弯曲以形成弯曲表面。参考图5，连接到弯曲区域BA的边缘可以以直角弯曲。

当平坦区域FA的边缘(或侧边)中的至少一个被弯折或弯曲时，显示区域DA也可以被布置在弯折或弯曲的边缘上。然而，应当理解，本公开并不限于此。不显示图像的非显示区域NDA可以被布置在弯折或弯曲的边缘上，或者显示区域DA和非显示区域NDA可以一起被布置在弯折或弯曲的边缘上。

平坦区域FA的非显示区域NDA可以从显示区域DA的外边界延伸到显示设备10的边缘。

弯曲区域BA可以连接到平坦区域FA的一个较短边。弯曲区域BA的在第一方向X上的宽度可以比平坦区域FA的较短边的宽度窄。平坦区域FA与弯曲区域BA相交的部分可以被切割成L形以减小边框宽度。

在弯曲区域BA中，显示设备10可以以一曲率朝向显示表面的对侧弯曲。随着显示设备10在弯曲区域BA中弯曲，显示设备10的表面可以被反转。具体地，显示设备10的面朝上的表面可以弯曲，使得它在弯曲区域BA处面朝外，并且然后面朝下。

辅助平坦区域SFA可以从弯曲区域BA延伸。在显示设备10已经弯曲之后，辅助平坦区域SFA可以在与平坦区域FA平行的方向上延伸。辅助平坦区域SFA可以在显示设备10的厚度方向Z上与平坦区域FA重叠。辅助平坦区域SFA可以与平坦区域FA的边缘处的非显示区域NDA重叠。辅助平坦区域SFA的宽度可以但不限于等于弯曲区域BA的宽度。

如下面将描述的，显示设备10可以包括第一电路部分(例如，图7中所示的第一电路部分CCP1)、布置在第一电路部分上的第二电路部分(例如，图7中所示的第二电路部分CCP2)以及布置在第一电路部分与第二电路部分之间的层间介电层(例如，图7中所示的层间介电层150)。第一电路部分、第二电路部分和层间介电层可以被布置在显示区域DA和非显示区域NDA两者中。

在显示区域DA中，第二电路部分的像素和第一电路部分的嵌入式电路被布置。在非显示区域NDA中，焊盘部分PP以及位于焊盘部分PP与显示区域DA之间的接触部分CP可以被布置。第一电路部分的嵌入式电路可以与上面参考图1描述的解复用电路60相对应。稍后将更详细地描述显示区域DA、焊盘部分PP和接触部分CP。

由于嵌入式电路被布置在显示区域DA中，因此可以减小显示设备10的非显示区域NDA。因此，可以减小电路等布置的空间(例如，死区)。

焊盘部分PP可以被布置在显示设备10的辅助平坦区域SFA中。多个焊盘PAD可以被布置在焊盘部分PP中。外部设备可以被安装(或附接)在焊盘部分PP上。外部设备的示例可以是上述数据驱动器30。焊盘部分PP可以被布置在非显示区域NDA中。

一个数据驱动器30或多个数据驱动器30可以被安装在辅助平坦区域SFA中。例如，如图4中所示，数据驱动器30可以被布置在显示设备10的辅助平坦区域SFA中，并且驱动基板80可以被附接到辅助平坦区域SFA的端部。在此情况下，焊盘部分PP可以包括连接到数据驱动器30的第一焊盘部分和连接到驱动基板80的第二焊盘部分。

数据驱动器30可以通过各向异性导电膜或通过超声结合被附接到显示设备10。

数据驱动器30可以包括用于驱动显示设备10的集成电路。在示例性实施例中，集成电路可以是但不限于产生并提供数据信号DATA的数据驱动集成电路。数据驱动器30连接到布置在显示设备10的焊盘部分PP中的焊盘PAD，以将数据信号DATA提供到焊盘PAD。

接触部分CP可以被布置在平坦区域FA的非显示区域NDA中。

在一些示例性实施例中，接触部分CP可以位于弯曲区域BA中。

在下文中，将参考图6和图7更详细地描述显示区域DA、焊盘部分PP和接触部分CP。

参考图6和图7，显示设备10可以包括多个解复用器DEMUX、多个像素1、布置在焊盘部分PP中的多个焊盘PAD、第一扇出线71、第二扇出线72、第一连接电极141、第二连接电极143和数据线DL。多个解复用器DEMUX可以在第一方向X上被设置。提供第一解复用选择信号CL1的第一解复用选择信号线CLL1和提供第二解复用选择信号CL2的第二解复用选择信号线CLL2可以穿过上面已经参考图1和图2描述的解复用器DEMUX。

第一解复用选择信号线CLL1和第二解复用选择信号线CLL2可以在第一方向X上延伸。

尽管在图6中示出了第一解复用选择信号线CLL1在第二方向Y上位于第二解复用选择信号线CLL2上方，但本公开并不限于此。

当从顶部观察时，解复用器DEMUX可以与一些相邻像素1重叠，并且可以与其他像素1不重叠。

第二扇出线72可以包括2-1扇出线72a和2-2扇出线72b。应当注意，与第一数据线DLa和第二数据线DLb一样，指定2-1扇出线72a和2-2扇出线72b也是为了根据第二扇出线72的两条扇出线从解复用器DEMUX接收划分的数据信号的次序而在它们之间进行区分，而不一定是为了描述连续或按时间顺序排列的次序。

第二连接电极143可以包括2-1连接电极143a和2-2连接电极143b。应当注意，与第一数据线DLa和第二数据线DLb一样，指定2-1连接电极143a和2-2连接电极143b也是为了根据第二连接电极143的两个连接电极从解复用器DEMUX接收划分的数据信号的次序而在它们之间进行区分，而不一定是为了描述连续或按时间顺序排列的次序。

解复用电路60的解复用器DEMUX和像素1可以被布置在显示设备10的显示区域DA中，包括2-1连接电极143a和2-2连接电极143b的第二连接电极143可以被布置在显示设备10的接触部分CP中，并且第一连接电极141和多个焊盘PAD可以被布置在显示设备10的焊盘部分PP中。第一扇出线71可以跨显示设备10的显示区域DA、接触部分CP和焊盘部分PP被布置，并且包括2-1扇出线72a和2-2扇出线72b的第二扇出线72以及包括第一数据线DLa和第二数据线DLb的数据线DL可以跨显示设备10的显示区域DA和接触部分CP被布置。

第一扇出线71以及包括2-1扇出线72a和2-2扇出线72b的第二扇出线72可以电连接到包含在嵌入式电路中的嵌入式电路晶体管。在一些示例性实施例中，嵌入式电路晶体管可以与包含在解复用器DEMUX中的解复用晶体管相对应。第一扇出线71以及包括2-1扇出线72a和2-2扇出线72b的第二扇出线72可以电连接到包含在解复用器DEMUX中的解复用晶体管。参考图7，解复用电路60的解复用晶体管中的每个可以包括布置在嵌入式电路半导体层105上的栅电极GE1、源电极145和漏电极147。

如上面参考图2描述的，解复用晶体管可以包括第一解复用晶体管T_DM1和第二解复用晶体管T_DM2。第一扇出线71可以连接到第一解复用晶体管T_DM1和第二解复用晶体管T_DM2中的每个。2-1扇出线72a可以连接到第一解复用晶体管T_DM1，并且2-2扇出线72b可以连接到第二解复用晶体管T_DM2。然而，应当理解，本公开并不限于此。2-1扇出线72a可以连接到第二解复用晶体管T_DM2，并且2-2扇出线72b可以连接到第一解复用晶体管T_DM1。

焊盘PAD可以在与从焊盘部分PP到接触部分CP的第二方向Y交叉的第一方向X上彼此间隔开。数据驱动器30可以附接到如上所述的焊盘PAD。

数据驱动器30可以将数据信号DATA提供到焊盘PAD。从数据驱动器30提供到焊盘PAD的数据信号DATA可以通过第一连接电极141被提供到第一扇出线71。即，焊盘PAD可以通过第一连接电极141电连接到第一扇出线71。在一些示例性实施例中，第一扇出线71可以延伸到解复用器DEMUX，并且可以电连接到解复用器DEMUX。

第二扇出线72可以将解复用电路60与数据线DL电连接。具体地，2-1扇出线72a可以电连接到解复用器DEMUX和第一数据线DLa，并且2-2扇出线72b可以电连接到解复用器DEMUX和第二数据线DLb。

在一些示例性实施例中，第二连接电极143可以被设置得比第一连接电极141更靠近显示区域DA。

数据线DL可以电连接到第二连接电极143和像素1。具体地，第一数据线DLa可以电连接到2-1连接电极143a和像素1，并且第二数据线DLb可以电连接到2-2连接电极143b和像素1。

当从顶部在平面图中观察时，第一数据线DLa可以位于第一扇出线71的在第一方向X上的一侧，并且第二数据线DLb可以位于第一扇出线71的在第一方向X上的另一侧。2-1扇出线72a可以在第一方向X上比第一数据线DLa更靠近地位于第一扇出线71的一侧，并且2-2扇出线72b可以在第一方向X上比第二数据线DLb更靠近地位于第一扇出线71的另一侧。然而，应当理解，第一数据线DLa、第二数据线DLb、2-1扇出线72a和2-2扇出线72b的布置并不限于此，而是可以以各种方式进行修改。

在一些示例性实施例中，解复用器DEMUX可以被布置在显示区域DA中。在一些示例性实施例中，解复用器DEMUX可以与像素1中的至少一些重叠。例如，包含在解复用器DEMUX中的解复用晶体管可以与包含在像素1中的晶体管(例如，晶体管T1至T7)中的至少一个重叠。然而，应当理解，本公开并不限于此。解复用器DEMUX和像素1两者都可以被布置在显示区域DA中，使得当从顶部在平面图中观察时，它们彼此不重叠。

将描述显示设备10的堆叠结构。参考图7，显示设备10可以包括第一电路部分CCP1、第二电路部分CCP2以及布置在第一电路部分CCP1与第二电路部分CCP2之间的层间介电层150。尽管图7仅例示性地示出了第二扇出线72、数据线DL、第二连接电极143、2-1接触孔CNT21和2-2接触孔CNT22，但实际上应当理解，堆叠结构可以包括2-1扇出线72a、第一数据线DLa、2-1连接电极143a、2-1-1接触孔CNT21a和2-2-1接触孔CNT22a(参见图6)，或2-2扇出线72b、第二数据线DLb、2-2连接电极143b、2-1-2接触孔CNT21b和2-2-2接触孔CNT22b(参见图6)。

第一电路部分CCP1、第二电路部分CCP2和层间介电层150可以被布置在显示区域DA和非显示区域NDA中。第一电路部分CCP1、第二电路部分CCP2和层间介电层150可以被布置在焊盘部分PP、接触部分CP和显示区域DA的整个表面上。

首先，将描述第一电路部分CCP1。第一电路部分CCP1可以包括至少一个嵌入式电路。嵌入式电路可以包括如上所述的解复用电路60。参考图7，作为嵌入式电路的示例，仅示出包含在解复用电路60中的一个解复用晶体管。然而，应注意，本公开并不限于此。第一电路部分CCP1包括基底基板101、布置在基底基板101上的多个导电层以及布置在多个导电层之间的多个绝缘层。另外，第一电路部分CCP1可以包括基底基板101以及布置在基底基板101上的至少一个嵌入式电路的晶体管。

基底基板101包围焊盘部分PP、接触部分CP和显示区域DA。基底基板101可以支撑布置在其上的各种元件。在一些示例性实施例中，基底基板101可以是包括诸如聚酰亚胺(PI)的柔性材料的柔性基板。

缓冲层102可以被布置在基底基板101上。缓冲层102可以用于防止水分和氧从外部通过基底基板101渗透。在一些示例性实施例中，缓冲层102可以包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO₂)和氮氧化硅(SiO_xN_y)中的一种。

嵌入式电路半导体层105可以被布置在缓冲层102上。嵌入式电路半导体层105形成包含在解复用器DEMUX(参见图2)中的解复用晶体管的沟道。嵌入式电路半导体层105可以被布置在显示区域DA中。嵌入式电路半导体层105可以包括源区、漏区和有源区。

嵌入式电路半导体层105可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来形成。结晶技术的示例可以包括但不限于快速热退火(RTA)、固相结晶化(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶化(MIC)、金属诱导横向结晶化(MILC)、连续横向固化(SLS)等。嵌入式电路半导体层105的连接到晶体管中的每个晶体管的源/漏电极的部分(即，源/漏区)可以掺杂有杂质离子(在PMOS晶体管的情况下的p型杂质离子)。诸如硼(B)的三价掺杂剂可以用作p型杂质离子。

根据另一示例性实施例，嵌入式电路半导体层105可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括例如包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(AB_x)、三元化合物(AB_xC_y)和四元化合物(AB_xC_yD_z)。

在图7中所示的示例性实施例中，嵌入式电路半导体层105可以包括氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)作为氧化物半导体。

第一绝缘层111可以被布置在嵌入式电路半导体层105上。在一些示例性实施例中，第一绝缘层111可以被布置在基底基板101的整个表面上。第一绝缘层111可以用作栅绝缘体。第一绝缘层111可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层111可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或以任意组合使用以形成第一绝缘层111。

第一导电层120可以被布置在第一绝缘层111上。第一导电层120可以包括布置在显示区域DA中的嵌入式电路的解复用晶体管的栅电极GE1、第一扇出线71和第二扇出线72。

第一导电层120可以包括从包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)的组中选择的至少一种金属。第一导电层120可以包括上面列出的材料的单层或多层。

第二绝缘层112可以被布置在第一导电层120上。第二绝缘层112可以被布置在基底基板101的整个表面上。第二绝缘层112可以从上面列出的第一绝缘层111的材料中选择。

第二导电层140可以被布置在第二绝缘层112上。在一些示例性实施例中，第二绝缘层112可以使第一导电层120与第二导电层140绝缘。第二导电层140可以包括布置在焊盘部分PP中的第一连接电极141、布置在接触部分CP中的第二连接电极143以及布置在显示区域DA中的源电极145和漏电极147。

第一连接电极141可以通过在厚度方向Z上贯穿第二绝缘层112的1-1接触孔CNT11电连接到第一扇出线71。第二连接电极143可以通过在厚度方向Z上贯穿第二绝缘层112的2-1接触孔CNT21电连接到第二扇出线72。

源电极145和漏电极147可以在厚度方向Z上穿过第二绝缘层112和第一绝缘层111，以分别连接到嵌入式电路半导体层105的源区和漏区。

嵌入式电路半导体层105的栅电极GE1、源电极145和漏电极147可以形成嵌入式电路晶体管(例如解复用晶体管)。

第二导电层140可以包括从包括钼(Mo)、铝(Al)、锗(Ge)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)的组中选择的至少一种。第二导电层140可以由上面列出的材料中的一种的单层组成。然而，应当理解，本公开并不限于此。第二导电层140可以包括多层的堆叠。例如，第二导电层140可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的堆叠结构。

层间介电层150可以被布置在第一电路部分CCP1上。在一些示例性实施例中，层间介电层150可以被直接布置在第二导电层140上并且覆盖第二导电层140。层间介电层150可以用于使第一电路部分CCP1和第二电路部分CCP2的导电层和半导体层彼此绝缘。另外，层间介电层150可以支撑布置在其上的第二电路部分CCP2的多个元件。

层间介电层150可以包括多个层。例如，包含在层间介电层150中的绝缘材料可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。这些无机绝缘材料可以单独使用或结合使用。有机绝缘材料可以包括以下中的至少一种：聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)等。

参考图7，为了便于说明，所示的层间介电层150包括有机绝缘材料。包括有机绝缘材料的层间介电层150可以用作提供平坦上表面的平坦化层。

在下文中，将描述第二电路部分CCP2。第二电路部分CCP2可以包括像素1(参见图7)。即，第二电路部分CCP2可以包括上面参考图3描述的像素1的晶体管和有机发光二极管OLED。

将描述第二电路部分CCP2的堆叠结构。第二电路部分CCP2包括布置在层间介电层150上的多个导电层以及布置在多个导电层之间的多个绝缘层。

像素半导体层155可以被布置在层间介电层150上。像素半导体层155可以形成像素1的第一晶体管T1至第七晶体管T7(参见图3)的沟道。为了便于说明，在图7中仅图示了包含在像素1中的晶体管中的一个作为示例。

像素半导体层155可以被布置在显示区域DA中的像素1的每个中。像素半导体层155可以包括源区、漏区和有源区。像素半导体层155可以包括多晶硅。根据另一示例性实施例，像素半导体层155可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。

在一些示例性实施例中，像素半导体层155可以在厚度方向Z上与嵌入式电路半导体层105重叠。

在一些示例性实施例中，嵌入式电路半导体层105和像素半导体层155可以包括相同的材料。例如，嵌入式电路半导体层105和像素半导体层155可以包括相同的多晶硅。可替代地，在一些示例性实施例中，嵌入式电路半导体层105和像素半导体层155可以包括不同的材料。例如，嵌入式电路半导体层105可以包括氧化物半导体，并且像素半导体层155可以包括多晶硅。在另一示例性实施例中，嵌入式电路半导体层105可以包括多晶硅，并且像素半导体层155可以包括氧化物半导体。

第三绝缘层161可以被布置在像素半导体层155上。第三绝缘层161可以被布置在层间介电层150的整个表面上。第三绝缘层161可以用作栅绝缘体。在一些示例性实施例中，第三绝缘层161可以包括与第一绝缘层111相同的材料，或者可以包括上面作为第一绝缘层111的示例列出的无机绝缘材料中的一种。

第三导电层170可以被布置在第三绝缘层161上。第三导电层170可以包括布置在显示区域DA中的像素1的第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极以及存储电容器Cst(参见图3)的第一电极CE1。图7中图示了像素1的第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极中的一个栅电极GE2作为示例。在一些示例性实施例中，栅电极GE2可以是但不限于像素1的第七晶体管T7(参见图3)的栅电极。

第三导电层170可以包括从包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)的组中选择的至少一种金属。第三导电层170可以包括上面列出的材料的单层或多层。

第四绝缘层162可以被布置在第三导电层170上。第四绝缘层162可以被布置在层间介电层150的整个表面上。第四绝缘层162可以从上面列出的第三绝缘层161的材料中选择。

第四导电层180可以被布置在第四绝缘层162上。第四绝缘层162可以使第三导电层170与第四导电层180绝缘。第四导电层180可以包括存储电容器Cst(参见图3)的第二电极CE2。第四导电层180可以从上面列出的第三导电层170的材料中选择。

第五绝缘层163可以被布置在第四导电层180上。第五绝缘层163可以包括上面列出的第三绝缘层161的材料中的至少一种。在一些示例性实施例中，第五绝缘层163可以包括有机绝缘材料。

第五导电层190可以被布置在第五绝缘层163上。第五导电层190可以包括数据线DL、像素源电极191、像素漏电极193和布置在焊盘部分PP中的焊盘PAD。1-2接触孔CNT12和2-2接触孔CNT22可以被形成为分别在焊盘部分PP中和在接触部分CP中在厚度方向Z上贯穿层间介电层150、第三绝缘层161、第四绝缘层162和第五绝缘层163。

焊盘PAD可以在厚度方向Z上与上述第一电路部分CCP1的第一连接电极141重叠，并且可以通过1-2接触孔CNT12连接到第一连接电极141。数据线DL可以在厚度方向Z上与第一电路部分CCP1的第二连接电极143重叠，并且可以通过2-2接触孔CNT22连接到第二连接电极143。另外，数据线DL可以电连接到像素源电极191，像素源电极191连接到像素半导体层155的源区。在一些示例性实施例中，数据线DL和像素源电极191可以彼此不直接连接，而是可以通过单独的线或单独的晶体管彼此电连接。像素漏电极193可以连接到像素半导体层155的漏区。

栅电极GE2、像素半导体层155、像素源电极191和像素漏电极193可以形成薄膜晶体管。薄膜晶体管可以与包含在上面参考图3描述的像素1中的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一个相对应。例如，薄膜晶体管可以是图3中所示的连接到有机发光二极管OLED的阳极电极ANO的第七晶体管T7或第六晶体管T6。

第五导电层190可以包括从包括钼(Mo)、铝(Al)、锗(Ge)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)的组中选择的至少一种。第五导电层190可以包括上面列出的材料中的一种的单层。然而，应当理解，本公开并不限于此。第五导电层190可以包括多层的堆叠。例如，第五导电层190可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的堆叠结构。

第六绝缘层164可以被布置在第五导电层190上。第六绝缘层164可以包括有机绝缘材料。

阳极电极ANO被布置在显示区域DA中的第六绝缘层164上。阳极电极ANO可以穿过第六绝缘层164以电连接到像素漏电极193。

堤层BANK可以被布置在阳极电极ANO上。在一些示例性实施例中，堤层BANK可以被布置在显示区域DA中，并且可以进一步被布置在接触部分CP中。堤层BANK可以包括开口，阳极电极ANO通过该开口被暴露。堤层BANK可以包括有机绝缘材料。例如，堤层BANK可以包括光刻胶、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酸树脂等中的至少一种。

有机层OL可以被布置在阳极电极ANO的上表面和堤层BANK的开口上。有机层OL可以包括有机发光层并且可以发射特定颜色的光。例如，由有机层OL发射的光可以是红光、绿光和蓝光中的一种。

阴极电极CAT被布置在有机层OL和堤层BANK上。阴极电极CAT可以是跨多个像素1布置的公共电极。

阳极电极ANO、有机层OL和阴极电极CAT可以形成有机发光二极管OLED。

薄膜封装层TFE被布置在阴极电极CAT上。薄膜封装层TFE可以跨显示区域DA和接触部分CP被布置。薄膜封装层TFE可以覆盖有机层OL。薄膜封装层TFE可以包括堆叠层，该堆叠层包括彼此交替地堆叠的一个或多个无机层和一个或多个有机层。例如，薄膜封装层TFE可以包括彼此依次堆叠的第一无机封装膜TFE1、有机封装膜TFE2和第二无机封装膜TFE3。在一些示例性实施例中，有机封装膜TFE2可以被设置成比第二无机封装膜TFE3更靠近有机发光二极管OLED，并且第二无机封装膜TFE3覆盖有机封装膜TFE2的侧表面并且可以与第一无机封装膜TFE1的上表面直接接触，如图7中所示。薄膜封装层TFE的堆叠结构防止有机封装膜TFE2流到外部。

在一些示例性实施例中，薄膜封装层TFE可以不被布置在焊盘部分PP中。

在根据上述示例性实施例的显示设备10中，嵌入式电路或解复用电路60(参见图1和图7)以及像素1(参见图1和图7)可以被布置在显示区域DA中。即，嵌入式电路可以包含在与第二电路部分CCP2布置在不同层上的第一电路部分CCP1中。以此方式，可以减小显示设备10的死区。在一些示例性实施例中，嵌入式电路可以与像素1重叠。例如，包含在解复用电路60中的解复用晶体管可以与包含在像素1中的晶体管重叠(参见图7)。在此情况下，可以在减少死区的同时提高显示设备10的集成度。

在下文中，将描述根据本公开的其他示例性实施例的显示设备。在下面的描述中，相同或相似的元件将由相同或相似的附图标记表示，并且将省略或简要描述冗余的描述。

图8是根据本公开的另一示例性实施例的显示设备的截面图。

图8中所示的显示设备10_1与根据上面的示例性实施例的显示设备10基本相同，除了层间介电层150_1包括多层以外。因此，将省略冗余的描述，并且描述将集中于层间介电层150_1与层间介电层150的不同之处。

更具体地，显示设备10_1的层间介电层150_1可以包括第一层间介电层150a以及布置在第一层间介电层150a上的第二层间介电层150b。第一层间介电层150a可以是具有抛光表面的无机层间介电层，并且第二层间介电层150b可以是包括有机材料的有机层间介电层。第一层间介电层150a可以被布置在第二导电层140上，并且可以与第二导电层140的多个电极以及第二绝缘层112的被第二导电层140的多个电极暴露的部分直接接触。

1-2接触孔CNT12和2-2接触孔CNT22可以在厚度方向Z上贯穿第一层间介电层150a、第二层间介电层150b、第三绝缘层161、第四绝缘层162和第五绝缘层163。

由于显示设备10_1的层间介电层150_1包括包含不同材料的第一层间介电层150a和第二层间介电层150b，因此层间介电层150_1的上表面可以变得更平坦。结果，第二电路部分CCP2的元件可以更稳定地形成在层间介电层150_1上。

图9是根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的截面图。

图9中所示的显示设备10_2与图8中所示的显示设备10_1基本相同，除了层间介电层150_2的第一层间介电层150a和第二层间介电层150b的位置被颠倒以外。

更具体地，包括有机绝缘材料的第二层间介电层150b可以被布置在第二导电层140上，并且可以与第二导电层140的多个电极以及第二绝缘层112的被第二导电层140的多个电极暴露的部分直接接触。包括无机绝缘材料的第一层间介电层150a可以被布置在第二层间介电层150b上，并且第二电路部分CCP2可以被布置在第一层间介电层150a上。

其他元件与上面参考图7描述的其他元件相同；并且因此，将省略冗余的描述。

图10是根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的截面图。

图10中所示的显示设备10_3与图7中所示的显示设备10基本相同，除了第一电路部分CCP1_1的嵌入式电路具有底栅结构以外。

更具体地，在显示设备10_3中，包含在第一电路部分CCP1_1的嵌入式电路中的晶体管(例如，解复用晶体管)可以是底栅型的。即，包括栅电极GE1_1、第一扇出线71_1和第二扇出线72_1的第一导电层120_1可以被布置在缓冲层102上。

第一绝缘层111可以被布置在第一导电层120_1上，并且嵌入式电路半导体层105_1可以被布置在第一绝缘层111上。暴露第一扇出线71_1的1-1接触孔CNT11和暴露第二扇出线72_1的2-1接触孔CNT21可以被形成为贯穿第一绝缘层111。

第二导电层140可以被布置在嵌入式电路半导体层105_1上。如上所述，第二导电层140可以包括第一连接电极141、第二连接电极143、源电极145和漏电极147。第一连接电极141通过1-1接触孔CNT11连接到第一扇出线71_1，并且第二连接电极143通过2-1接触孔CNT21连接到第二扇出线72_1。源电极145和漏电极147可以与嵌入式电路半导体层105_1接触。

层间介电层150可以被布置在第二导电层140上。暴露第一连接电极141的1-2接触孔CNT12和暴露第二连接电极143的2-2接触孔CNT22可以被形成为贯穿层间介电层150。

第二电路部分CCP2可以被布置在层间介电层150上。焊盘PAD可以通过1-2接触孔CNT12连接到第一连接电极141，并且数据线DL可以通过2-2接触孔CNT22连接到第二连接电极143。

其他元件与上面参考图7描述的其他元件相同；并且因此，将省略冗余的描述。

图11是根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的截面图。

图11中所示的显示设备10_4与图7中所示的显示设备10基本相同，除了第二电路部分CCP2_1包括底栅型的晶体管以外。

更具体地，包括栅电极GE2_1的第三导电层170_1可以被布置在层间介电层150上。如上所述，栅电极GE2_1可以是包含在像素1中的晶体管中的一个晶体管的栅电极。

第三绝缘层161可以被布置在第三导电层170_1上，并且像素半导体层155_1可以被布置在第三绝缘层161上。

包括焊盘PAD、数据线DL、像素源电极191和像素漏电极193的第四导电层190可以被布置在像素半导体层155_1和第三绝缘层161上，并且第六绝缘层164可以被布置在第四导电层190上。

1-2接触孔CNT12和2-2接触孔CNT22可以被形成为贯穿层间介电层150和第三绝缘层161。

其他元件与上面参考图7描述的其他元件相同；并且因此，将省略冗余的描述。

图12是根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的截面图。

图12中所示的显示设备10_5与图7中所示的显示设备10基本相同，除了第一电路部分CCP1_1和第二电路部分CCP2_1包括底栅型的晶体管以外。

第一电路部分CCP1_1与上面参考图10描述的第一电路部分CCP1_1相同，并且第二电路部分CCP2_1与上面参考图11描述的第二电路部分CCP2_1相同。因此，将省略冗余的描述。

图13是根据本公开的另一示例性实施例的图4中所示的区域A的放大图。

图13中所示的显示设备与图6中所示的显示设备基本相同，除了前者进一步包括除解复用器DEMUX之外的解复用器DEMUXa。

如图13中所示，解复用器DEMUXa可以在第一方向X上与解复用器DEMUX不对齐，而是可以被设置成在第二方向Y上靠近上侧。然而，应当理解，本公开并不限于此。与图13中所示的示例性实施例不同，解复用器DEMUXa可以被设置成在第二方向Y上比解复用器DEMUX更靠近下侧。

当解复用器DEMUX连接到第一解复用选择信号线CLL1和第二解复用选择信号线CLL2时，解复用器DEMUXa可以不连接到第一解复用选择信号线CLL1和第二解复用选择信号线CLL2，但可以连接到包括第一解复用选择信号线CLL1a和第二解复用选择信号线CLL2a的不同的解复用选择信号线。

例如，第一解复用选择信号线CLL1a和第二解复用选择信号线CLL2a可以在第二方向Y上被设置在第一解复用选择信号线CLL1和第二解复用选择信号线CLL2上方。

图14是根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的透视图。图15是示出根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的布局的平面图。图16是沿图15中所示的线XVI-XVI'截取的截面图。

根据图14至图16中所示的示例性实施例的显示设备10_6与根据上面的示例性实施例的显示设备10基本相同，除了在显示设备10_6中采用刚性基板以外。

更具体地，显示设备10_6可以包括显示单元DU、触摸单元TDU以及用于密封显示单元DU和触摸单元TDU的侧表面的密封构件SEAL。

显示单元DU可以包括第一电路部分CCP1_2和第二电路部分CCP2(第一电路部分CCP1_2和第二电路部分CCP2包括包含刚性玻璃或石英的刚性基板)以及布置在第一电路部分CCP1_2与第二电路部分CCP2之间的层间介电层150。第一电路部分CCP1_2具有与上述第一电路部分CCP1基本相同的配置，除了图7中所示的基底基板101可以包括刚性材料以外；并且因此，将省略冗余的描述。

触摸单元TDU可以包括布置在显示单元DU上的触摸基底基板TSUB以及布置在触摸基底基板TSUB上的触摸传感器层TSL。触摸传感器层TSL可以包括至少一个触摸导电层和至少一个触摸绝缘层。触摸导电层可以包括触摸电极和触摸线。

在一些示例性实施例中，触摸基底基板TSUB可以是显示设备10_6的封装基板。

当从顶部观察时，密封构件SEAL可以用于密封第一电路部分CCP1_2的刚性基板与触摸基底基板TSUB之间的边缘。根据一些示例性实施例，密封构件SEAL可以包括玻璃料等。

与根据上述示例性实施例的显示设备10一样，显示设备10_6可以包括显示图像的显示区域DA以及位于显示区域DA周围的非显示区域NDA。密封构件SEAL可以被布置在显示设备10_6的非显示区域NDA中。

在显示设备10_6中，嵌入式电路和像素可以被布置在显示区域DA中。具体地，嵌入式电路可以包含在第一电路部分CCP1_2中并且与包括像素的第二电路部分CCP2布置在不同层上，并且嵌入式电路和像素可以在显示区域DA中彼此重叠。以此方式，可以减小显示设备10_6的边框宽度。

嵌入式电路和像素与上面参考图1至图7描述的嵌入式电路和像素相同；并且因此，将省略冗余的描述。

图17是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示设备的布局的平面图。图18是图17中所示的显示设备的示意性截面图。图19是图17的部分B的放大图。

根据图17至图19中所示的示例性实施例的显示设备10_7与根据上面的示例性实施例的显示设备10基本相同，除了图4和图5中所示的数据驱动器30不是安装在第二电路部分CCP2上，而是安装在印刷电路板80_1上以外。

更具体地，根据该示例性实施例的数据驱动器30可以用作安装在印刷电路板80_1上的膜上的芯片。

参考图17和图18，焊盘部分PP_1可以指代印刷电路板80_1附接到显示设备10_7的非显示区域NDA的区域。

焊盘部分PP_1与上面参考图5至图7描述的显示设备10的焊盘部分PP基本相同，除了印刷电路板80_1被附接而不是数据驱动器30以外。

图20是根据本公开的又一示例性实施例的显示设备的透视图。图21是图20的显示设备的展开图。图22是图20的显示设备的示意性截面图。图23是图21的区域C的放大图。

根据图20至图23中所示的示例性实施例的显示设备10_8，显示区域DA可以包括主显示区域DA0以及第一辅助显示区域DA1至第四辅助显示区域DA4。主显示区域DA0可以与显示设备10_8的平坦区域FA相对应，并且第一辅助显示区域DA1、第二辅助显示区域DA2、第三辅助显示区域DA3和第四辅助显示区域DA4可以位于显示设备10_8的侧区域SA上。侧区域SA可以基本位于同一平面中，但可以位于与平坦区域FA的平面不同的平面上。侧区域SA可以在向下的方向上或在与附图中的第一方向X和第二方向Y交叉的第三方向Z上从平坦区域FA弯曲。如图20中所示，尽管平坦区域FA和侧区域SA被示出为彼此基本正交，但平坦区域FA和侧区域SA之间可以具有锐角或钝角。另外，在一些示例性实施例中，平坦区域FA可以部分地包括弯曲表面。另外，侧区域SA可以部分地包括弯曲表面，或者整个侧区域SA可以包括弯曲表面。

第一辅助显示区域DA1可以连接到主显示区域DA0。类似地，第二辅助显示区域DA2、第三辅助显示区域DA3和第四辅助显示区域DA4中的每个可以连接到主显示区域DA0。在一些示例性实施例中，如图20和图21中所示，第一辅助显示区域DA1可以位于主显示区域DA0的左侧，第二辅助显示区域DA2可以位于主显示区域DA0的右侧，第三辅助显示区域DA3可以位于主显示区域DA0的上侧，并且第四辅助显示区域DA4可以位于主显示区域DA0的下侧。

非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4。在一些示例性实施例中，如图20和图21中所示，当从顶部观察时，第一非显示区域NDA1可以位于第一辅助显示区域DA1的左侧。即，在第一辅助显示区域DA1位于其间的情况下，第一非显示区域NDA1可以位于主显示区域DA0的对侧。当从顶部观察时，第二非显示区域NDA2可以位于第二辅助显示区域DA2的右侧。即，在第二辅助显示区域DA2位于其间的情况下，第二非显示区域NDA2可以被布置在主显示区域DA0的对侧。当从顶部观察时，第三非显示区域NDA3可以位于第三辅助显示区域DA3的上侧。即，在第三辅助显示区域DA3位于其间的情况下，第三非显示区域NDA3可以位于主显示区域DA0的对侧。当从顶部观察时，第四非显示区域NDA4可以位于第四辅助显示区域DA4的下侧。即，在第四辅助显示区域DA4位于其间的情况下，第四非显示区域NDA4可以位于主显示区域DA0的对侧。第四非显示区域NDA4可以包括焊盘部分PP。

尽管在图21中焊盘部分PP被示出为仅被布置在第四非显示区域NDA4中，但本公开并不限于此。例如，焊盘部分PP可以被布置在第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2和第三非显示区域NDA3中的一个中，可以被布置在第四非显示区域NDA4和第三非显示区域NDA3中的每个中，可以被布置在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的每个中，可以被布置在第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中的三个中，或者可以被布置在第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中的每个中。

根据本公开的示例性实施例，非显示区域NDA可以进一步包括第五非显示区域NDA5、第六非显示区域NDA6、第七非显示区域NDA7和第八非显示区域NDA8。

第五非显示区域NDA5、第六非显示区域NDA6、第七非显示区域NDA7和第八非显示区域NDA8可以分别位于显示设备10_8的拐角处。第五非显示区域NDA5可以位于第一辅助显示区域DA1与第三辅助显示区域DA3之间和/或第一非显示区域NDA1与第三非显示区域NDA3之间。第六非显示区域NDA6可以位于第二辅助显示区域DA2与第三辅助显示区域DA3之间和/或第二非显示区域NDA2与第三非显示区域NDA3之间。第七非显示区域NDA7可以位于第一辅助显示区域DA1与第四辅助显示区域DA4之间和/或第一非显示区域NDA1与第四非显示区域NDA4之间。第八非显示区域NDA8可以位于第二辅助显示区域DA2与第四辅助显示区域DA4之间和/或第二非显示区域NDA2与第四非显示区域NDA4之间。

第五非显示区域NDA5、第六非显示区域NDA6、第七非显示区域NDA7和第八非显示区域NDA8可以朝着内侧(即，朝向显示设备10_8的内部空间或重心)折叠。在此情况下，第五非显示区域NDA5、第六非显示区域NDA6、第七非显示区域NDA7和第八非显示区域NDA8可以分别沿多条弯曲线CL中的相应的弯曲线弯曲。

显示设备10_8的侧面中的至少一个可以弯曲。如图20至图22中所示，显示设备10_8的显示区域DA可以被布置在侧区域SA中的一些和平坦区域FA中，接触部分CP可以被布置在侧区域SA中的至少一个中，并且焊盘部分PP可以被布置在辅助平坦区域SFA中。辅助平坦区域SFA可以从其中布置有接触部分CP的侧区域SA延伸，以面对平坦区域FA，并且可以位于与平坦区域FA的平面不同的平面中。

参考图22和图23，接触部分CP可以被布置在第四非显示区域NDA4的与第四辅助显示区域DA4相邻的一部分中，并且焊盘部分PP可以被布置在第四非显示区域NDA4的另一部分中。

在一些示例性实施例中，与图22和图23中所示的不同，焊盘部分PP可以被布置在侧区域SA的一部分上。

尽管为了例示目的公开了本公开的示例性实施例，但本领域的技术人员将理解，在不脱离随附的权利要求书中公开的本公开的范围和精神的前提下，各种修改、添加和替换是可行的。