具体实施方式

参照附图描述了实施例。可以以各种方式修改所描述的实施例。

相同的元件或类似的元件可以由相同的附图标记表示。

在附图中，为了清楚起见，可能夸大了尺寸。

尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示存在第二元件或其他元件。可以使用术语“第一、“第二”等来区分元件的不同类别或组。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。

当将第一元件称为“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接在第二元件上，或者可以在第一元件和第二元件之间存在一个或多个中间元件。当将第一元件称为“直接在”第二元件“上”时，在第一元件和第二元件之间不存在中间元件(除了诸如空气的环境要素之外)。

除非明确地作出相反描述，否则词语“包括”、“包含”、“含有”或“具有”可以隐含包括陈述的元件，但是不排除任何其它元件。

术语“外部公共电压线”可以表示“外部公共电压干线”。术语“连接”可以表示“电连接”。术语“绝缘”可以表示“电绝缘”或“电隔离”。术语“凹槽”可以表示“开口”或“孔”。术语“开口”可以表示“间隙”。术语“与……相同”可以表示“与……基本上相同”、“与……基本上同样”或“与……类似”。

图1是示出根据实施例的显示装置1000的视图。参照图1，显示装置1000包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示装置1000的基底(例如，图22中所示的基底110)可以包括分别对应于显示区域DA和非显示区域NDA的显示区域和非显示区域。

参照图1，外部公共电压线7410可以基本上围绕显示区域DA。外部公共电压线7410连接到设置在显示区域DA中的第一公共电压线741a和第二公共电压线741b。外部公共电压线7410在显示区域DA中施加公共电压ELVSS(在图20中所示)。

在图1中，为了便于描述，仅示出了一些第一公共电压线741a和一些第二公共电压线741b，但是第一公共电压线741a和第二公共电压线741b可以在整个显示区域DA上形成网格。在实施例中，第一公共电压线741a或第二公共电压线741b可以设置在显示区域DA中，但是并非两者均设置在显示区域DA中。

每个第一公共电压线741a在第二方向DR2上可以是纵向的，并且每个第二公共电压线741b在第一方向DR1上可以是纵向的。第三方向DR3垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面。

在图1中，为了清楚起见，将由A标记的部分放大且单独示出。参照图1，在显示装置1000的一个边缘上，外部公共电压线7410直接连接到第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b。如图1中所示，在连接到显示装置1000的焊盘部分的一个边缘上，外部公共电压线7410可以直接连接到第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b。

参照图1的部分B，外部公共电压线7410包括凹槽7410c。参照图1，凹槽7410c可以在平行于第二公共电压线741b的方向上是纵向的，即，在第一方向DR1上是纵向的。

凹槽7410c设置在多条第一公共电压线741a和第二外部公共电压线7410b之间，使得在多条第一公共电压线741a和第二外部公共电压线7410b之间延长电气通路。

因此，可以防止或减轻由于过量的电流同时流到第二外部公共电压线7410b所导致的潜在的热发生问题。有利地，可以获得显示装置1000的令人满意的可靠性和/或耐久性。

图2是示出根据实施例的显示装置1000中的电流流动的视图。在显示装置1000中，外部公共电压线7410不包括图1中所示的凹槽。通过箭头示出了图2中所示的在显示装置1000中的电流的流动。在图2中，箭头的厚度指示电流量，并且产生显著热量所在的位置由C指示。

参照图2，在第二外部公共电压线7410b附近，收集从外部公共电压线7410(设置在非显示区域NDA中)流过的电流和从第一公共电压线741a(至少部分地设置在显示区域DA中)流过的电流。关于第一外部公共电压线7410a，由于从外部公共电压线7410流过的电流流出到第二外部公共电压线7410b，因此仅收集从公共电压线741a流过的电流。

因此，朝向第二外部公共电压线7410b聚集的电流多于朝向第一外部公共电压线7410a聚集的电流，并且因此，在第二外部公共电压线7410b附近的热发生更显著。

参照图1和图3，通过在第二外部公共电压线7410b和多条第一公共电压线741a之间设置凹槽7410c，第一公共电压线741a的电流可能不显著地流到第二外部公共电压线7410b，而是可能流到第一外部公共电压线7410a。因此，可以防止或减轻过多的热发生。

图3是示出根据实施例的显示装置中的电流的流动的视图。比较图3和图2，在图3的实施例中流到第二外部公共电压线7410b的电流量显著小于在图2的实施例中流到第二外部公共电压线7410b的电流量。因此，根据图3的实施例，可以有效地防止或减轻外部公共电压线7410的过多的热发生。

图4是示出根据实施例的显示装置中的与图1的区域A相同的位置的视图。参照图4，在显示装置中，第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b是分离的，以及/或者分别直接连接到单独的干线。

参照图4，开口7410d可以将第一外部公共电压线7410a与第二外部公共电压线7410b分离。开口7410d包括平行于第一方向DR1的边缘，并且包括平行于第二方向DR2的边缘。

参照图4，第一公共电压线741a的电流被传输到第一外部公共电压线7410a，且不被传输到第二外部公共电压线7410b。因此，在第二外部公共电压线7410b附近，可以防止或减轻不期望的热发生。

图5是示出根据实施例的显示装置中的与图1的区域A相同的位置的视图。

参照图5，第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b经由开口7410d彼此完全分离，开口7410d可以具有各自平行于第二方向DR2的相对的边缘。因此，可以适当地控制流入第一外部公共电压线7410a中的电流量和流入第二外部公共电压线7410b中的电流量，以防止过多的热发生。即使第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b彼此分离，如图1中所示，第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b仍在显示区域DA中通过设置在显示区域DA中的第二公共电压线741b彼此连接。因此，由第一外部公共电压线7410a传输的公共电压等于由第二外部公共电压线7410b传输的公共电压。

参照图5，直接连接到第一外部公共电压线7410a的第一公共电压线741a的总数可以等于或不等于直接连接到第二外部公共电压线7410b的第一公共电压线741a的总数。直接连接到第一外部公共电压线7410a的第一公共电压线741a的数量可以显著大于直接连接到第二外部公共电压线7410b的第一公共电压线741a的数量。在实施例中，没有第一公共电压线741a可以直接连接到第二外部公共电压线7410b，并且一些第一公共电压线741a可以仅直接连接到第一外部公共电压线7410a。可以适当地选择直接连接到第一外部公共电压线7410a的第一公共电压线741a的数量和直接连接到第二外部公共电压线7410b的第一公共电压线741a的数量，以使在第二外部公共电压线7410b处的热量最小化。

图6是示出根据实施例的包括外部公共电压线7410、外部驱动电压线1720和外部初始化电压线1270的显示装置1000的视图。在图6中，为了便于图示，仅示出了一些布线。

参照图6，在显示区域DA外部的非显示区域NDA中，外部公共电压线7410可以基本上围绕显示区域DA。外部驱动电压线1720可以设置在外部公共电压线7410的相对部分之间。

第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b可以从外部公共电压线7410突出，并且在第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b之间设置有凹槽7410c。外部公共电压线7410可以连接到延伸到显示区域DA的第一公共电压线741a和第二公共电压线(类似于图1中所示的第二公共电压线741b)。在显示区域DA中，第一公共电压线741a在第二方向DR2上可以是纵向的，并且第二公共电压线在第一方向DR1上可以是纵向的。

外部驱动电压线1720可以设置在外部公共电压线7410的相对端之间。外部驱动电压线1720可以设置在外部公共电压线7410的相对部分之间的空间中。外部驱动电压线1720将驱动电压ELVDD传输到显示区域DA。

外部驱动电压线1720直接连接到驱动电压线172，驱动电压线172可以至少部分地设置在显示区域DA中。驱动电压线172在第二方向DR2上可以是纵向的。参照图6和图12，驱动电压连接线172c在第一方向DR1上可以是纵向的，并且可以至少部分地设置在显示区域DA中。驱动电压连接线172c可以与驱动电压线172交叉，以在显示区域DA中均匀地传输驱动电压。驱动电压线172和驱动电压连接线172c在显示区域DA中形成网格并且彼此连接，使得未直接连接到驱动电压线172的像素也可以接收驱动电压ELVDD。

外部初始化电压线1270设置在外部公共电压线7410和显示区域DA之间。外部初始化电压线1270直接连接到初始化电压线127，初始化电压线127可以至少部分地设置在显示区域DA中，并且可以将初始化电压传输到显示区域DA。初始化电压线127在第一方向DR1上可以是纵向的。

尽管在图6中未示出，但是在第一方向DR1上纵向的第二公共电压线可以至少部分地设置在显示区域DA中。可以根据实施例配置图6中所示的布线/线路的数量和位置。

尽管在图6中仅示出了的第一公共电压线741a的各部分，但是第一公共电压线741a可以连接到设置在显示区域DA的相对侧处的外部公共电压线7410的各部分。驱动电压线172还可以在第二方向DR2上从显示区域DA的一个边缘延伸到显示区域DA的另一边缘。在实施例中，外部初始化电压线1270可以设置在显示区域DA的两侧或更多侧处。初始化电压线127可以在第一方向DR1上从显示区域DA的一个边缘延伸到显示区域DA的另一边缘。

图7是示出根据实施例的显示装置的视图。参照图7，第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b通过间隙/开口而分离。没有第一公共电压线741a可以直接连接到第二外部公共电压线7410b。

第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b经由开口7410d分离，开口7410d可以具有平行于第一方向DR1的相对边缘，并且可以具有平行于第二方向DR2的相对边缘。将第一公共电压线741a的电流传输到第一外部公共电压线7410a。因此，电流不被聚集在第二外部公共电压线7410b中，并且可以防止过多的热发生。第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b可以通过设置在显示区域DA中的第二公共电压线741b彼此电连接，因此由第一外部公共电压线7410a传输的公共电压等于由第二外部公共电压线7410b传输的公共电压。

图8是示出根据实施例的显示装置的视图。参照图8，第一外部公共电压线7410a和第二外部公共电压线7410b是分离的。参照图8，开口7410d可以具有在第二方向DR2上纵向的相对边缘。操作和效果类似于图7的实施例中的操作和效果。

图9是示出根据实施例的显示装置的视图。参照图9，外部公共电压线7410设置在显示区域DA的相对侧处。

显示区域DA可以不在第一方向DR1上设置在外部公共电压线7410之间。参照图9，外部公共电压线7410可以包括第一外部公共子电压线7410_S1和第二外部公共子电压线7410_S2。

第一外部公共子电压线7410_S1和第二外部公共子电压线7410_S2可以通过第一公共电压线741a电连接，第一公共电压线741a可以至少部分地设置在显示区域DA中。因此，公共电压ELVSS可以基本上均匀地提供在显示区域DA上方。由于没有外部公共电压线设置在显示区域DA的左侧和右侧处，因此可以使左侧非显示区域NDA和右侧非显示区域NDA最小化。

图10是示出根据实施例的显示装置的视图。参照图10，第一外部公共子电压线7410_S1和第二外部公共子电压线7410_S2设置在显示区域DA的相对侧处。第二外部公共子电压线7410_S2在第一方向DR1上且在第二方向DR2上间隔开。外部公共电压线7410的分离的效果与参照图9描述的效果相同或类似。

图11是示出根据实施例的显示装置的视图。参照图11，第一外部公共子电压线7410_S1和第二外部公共子电压线7410_S2设置在显示区域DA的相对侧处。第二外部公共子电压线7410_S2在第一方向DR1上间隔开。外部公共电压线7410的分离的效果与图9中描述的效果相同或类似。

参照图12至图15中的一个或多个附图描述的显示区域DA的一个或多个结构可以适用于参照图6至图11中的一个或多个附图描述的显示区域DA。

图12是示出根据实施例的显示装置中的显示区域DA的视图。参照图12，连接到多个像素PX1、PX2和PX3的驱动电压线172中的一条驱动电压线172被替换为第一公共电压线741a。因此，可以连接在第二方向DR2上经由显示区域DA设置的外部公共电压线7410。当分离的外部公共电压线7410设置在显示区域DA的相对侧处时，如图9至图11中所示，第一公共电压线741a可以电连接分离的外部公共电压线7410。参照图6至图8，即使在非显示区域NDA中电连接外部公共电压线7410，公共电压仍被传输到显示区域DA内部的第一公共电压线741a，使得公共电压可以被均匀地提供在显示区域DA中。

参照图12，驱动电压连接线172c可以与驱动电压线172交叉。驱动电压连接线172c可以在交叉点处电连接到驱动电压线172。因此，传输到驱动电压线172的驱动电压可以被传输到邻近的像素。驱动电压连接线172c可以设置在与驱动电压线172不同的层上。

图13是示出根据实施例的显示装置中的显示区域DA的视图。除了进一步包括第二公共电压线741b之外，图13的根据实施例的显示区域DA与图12的实施例相同。第一公共电压线741a可以设置为平行于第二方向DR2，并且第二公共电压线741b可以设置为平行于第一方向DR1。

图13的根据实施例的显示装置包括第一公共电压线741a和第二公共电压线741b相交的网格结构。在这种情况下，可以有效地防止公共电压ELVSS的降低。公共电压ELVSS沿着具有网格结构的公共电压线741a和741b均匀地传输到显示区域DA中的像素。

图14是示出根据实施例的显示装置中的显示区域DA的视图。参照图14，显示装置与图12的显示装置的不同之处在于，第一公共电压线741a的结构(和/或材料)可以基本上与连接到像素PX1、PX2和PX3的驱动电压线172中的每条驱动电压线172的结构(和/或材料)不同。可以在不去除任何现有的驱动电压线172的情况下形成第一公共电压线741a。

图15是示出根据实施例的显示装置中的显示区域DA的视图。除了在显示区域DA中不去除驱动电压线172的情况下另外形成第一公共电压线741a之外，图15与图13的根据实施例的显示装置相同。

在图12至图15中，驱动电压连接线172c、驱动电压线172和第一公共电压线741a可以分别直接设置在不同的材料层上。驱动电压连接线172c和驱动电压线172设置在不同的层上，但是通过接触孔彼此连接，使得可以均匀地传输驱动电压。

图16是示意性地示出显示区域中的驱动电压连接线172c、驱动电压线172和第一公共电压线741a的结构的视图。在图16中，对像素PX1、PX2和PX3进行标记，以区分布线所连接到的像素。

参照图16，驱动电压连接线172c、驱动电压线172和第一公共电压线741a分别位于不同的层上。例如，驱动电压连接线172c可以设置在基底和驱动电压线172之间；驱动电压连接线172c和驱动电压线172可以设置在基底和第一公共电压线741a之间。在实施例中，驱动电压线172和第一公共电压线741a可以直接设置在相同的层上。

参照图16，与第一公共电压线741a重叠的驱动电压连接线172c的宽度可以比与驱动电压线172重叠的驱动电压连接线172c的宽度窄。因此，可以减小第一公共电压线741a和驱动电压连接线172c彼此短路的风险。驱动电压连接线172c和驱动电压线172通过接触孔28彼此连接。

图17是示意性地示出根据实施例的显示装置中的显示区域内的驱动电压连接线172c、驱动电压线172、第一公共电压线741a和第二公共电压线741b的结构的视图。第一公共电压线741a连接到第二公共电压线741b。

第一公共电压线741a和第二公共电压线741b可以设置在相同的层上，并且可以彼此直接连接。公共电压线741a和741b可以形成网格。公共电压线741a和741b可以通过中间绝缘层与驱动电压线172分离并绝缘。驱动电压线172可以设置为比公共电压线741a和741b更靠近基底。

图18是示意性地示出根据实施例的显示装置中的显示区域内的驱动电压连接线172c、驱动电压线172和第一公共电压线741a的结构的视图。参照图18，第一公共电压线741a设置在像素PX1、PX2和PX3外部。在不去除现有的驱动电压线172的情况下，设置第一公共电压线741a。每条驱动电压线172连接到像素PX1、PX2或PX3，并且第一公共电压线741a设置在两个像素组之间，每个像素组包括像素PX1、PX2和PX3。第一公共电压线741a可以直接设置在与驱动电压线172相同的层上。

图19是示意性地示出根据实施例的显示装置中的显示区域内的驱动电压连接线172c、驱动电压线172和第一公共电压线741a的结构的视图。公共电压线包括第一公共电压线741a和第二公共电压线741b。

第一公共电压线741a和第二公共电压线741b可以设置在相同的层上，并且可以彼此直接连接。显示装置可以包括网格结构，其中，第一公共电压线741a与第二公共电压线741b交叉。公共电压线741a和741b可以通过中间绝缘层与驱动电压线172分离并绝缘。驱动电压线172可以设置为比公共电压线741a和741b更靠近基底。

图20是根据实施例的发射显示装置的一个像素的等效电路图。

参照图20，发射显示装置的像素PX包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及发光二极管LED，所述多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及发光二极管LED连接到几条信号线127、151、152、153、158、171、172和741。

发射显示装置包括显示图像的显示区域，并且这些像素PX以各种形式布置在显示区域中。

多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1、连接到扫描线151的开关晶体管(即，包括第二晶体管T2和第三晶体管T3)，并且其余的晶体管是操作发光二极管LED所需的晶体管(在下文中，称为补偿晶体管)。补偿晶体管T4、T5、T6和T7可以包括第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。

多条信号线127、151、152、153、158、171、172和741可以包括扫描线151、先前扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127以及公共电压线741。旁路控制线158可以是先前扫描线152的一部分，或者可以电连接到先前扫描线152。

扫描线151连接到栅极驱动器，并且将扫描信号Sn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3。先前扫描线152连接到栅极驱动器，并且将施加到位于先前级处的像素PX的先前扫描信号Sn-1传输到第四晶体管T4。发光控制线153连接到发光控制器，并且将控制发光二极管LED发光的时间的发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。旁路控制线158将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。

数据线171是用于传输由数据驱动器产生的数据电压Dm的布线，并且发光二极管LED(也称为发光元件)的亮度根据数据电压Dm而变化。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。初始化电压线127传输使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint。公共电压线741施加公共电压ELVSS。施加到驱动电压线172、初始化电压线127和公共电压线741的电压可以分别以恒定的电压来施加。

驱动晶体管T1用于调节根据施加的数据电压Dm输出的电流的大小。将输出的驱动电流I_d施加到发光二极管LED，以根据数据电压Dm调节发光二极管LED的亮度。为此，驱动晶体管T1的第一电极S1可以允许施加驱动电压ELVDD。第一电极S1经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。另外，驱动晶体管T1的第一电极S1也连接到第二晶体管T2的第二电极D2以接收数据电压Dm。驱动晶体管T1的第二电极D1(输出电极)可以朝向发光二极管LED输出电流。驱动晶体管T1的第二电极D1经由第六晶体管T6连接到发光二极管LED的阳极。另一方面，栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个电极(第二存储电极E2)。栅电极G1的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，从而由驱动晶体管T1输出的驱动电流I_d改变。

第二晶体管T2将数据电压Dm接收到像素PX中。栅电极G2连接到扫描线151，并且第一电极S2连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极D2连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。当第二晶体管T2根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn而导通时，将通过数据线171传输的数据电压Dm传送到驱动晶体管T1的第一电极S1。

第三晶体管T3将来自驱动晶体管T1的补偿电压(Dm+Vth)传输到存储电容器Cst的第二存储电极E2，其中，Vth是驱动晶体管T1的阈值电压，其未在图20中示出。栅电极G3与扫描线151连接，并且第一电极S3连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。第三晶体管T3的第二电极D3连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，以将驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D1连接，并且还将驱动晶体管T1的第二电极D1和存储电容器Cst的第二存储电极E2连接。

第四晶体管T4用于使驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2初始化。栅电极G4连接到先前扫描线152，并且第一电极S4连接到初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极D4经由第三晶体管T3的第二电极D3连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4根据通过先前扫描线152接收的先前扫描信号Sn-1将初始化电压Vint传送到驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。因此，使驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压和存储电容器Cst初始化。初始化电压Vint具有低电压值，从而是使驱动晶体管T1导通的电压。

第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。栅电极G5连接到发光控制线153，并且第一电极S5连接到驱动电压线172。第五晶体管T5的第二电极D5连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。

第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的驱动电流I_d传输到发光二极管LED。栅电极G6连接到发光控制线153，并且第一电极S6连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。第六晶体管T6的第二电极D6连接到发光二极管LED的阳极。

如果第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发光控制线153传输的发光控制信号EM而同时导通并且将驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极S1，则驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极G1的电压(即，存储电容器Cst的第二存储电极E2的电压)输出驱动电流I_d。输出的驱动电流I_d通过第六晶体管T6传输到发光二极管LED。当电流I_led流过发光二极管LED时，发光二极管LED发光。

第七晶体管T7用于使发光二极管LED的阳极初始化。栅电极G7连接到旁路控制线158，第一电极S7连接到发光二极管LED的阳极，并且第二电极D7连接到初始化电压线127。旁路控制线158可以连接到先前扫描线152，并且以与先前扫描信号Sn-1相同的时序信号来施加旁路信号GB。旁路控制线158可以在不与先前扫描线152连接的情况下传输与先前扫描信号Sn-1分离的信号。当第七晶体管T7根据旁路信号GB而导通时，初始化电压Vint被施加到发光二极管LED的阳极且被初始化。

存储电容器Cst的第一存储电极E1连接到驱动电压线172，并且第二存储电极E2连接到驱动晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。因此，第二存储电极E2确定驱动晶体管T1的栅电极G1的电压，并且通过第三晶体管T3的第二电极D3接收数据电压Dm，或者通过第四晶体管T4的第二电极D4接收初始化电压Vint。

另一方面，发光二极管LED的阳极连接到第六晶体管T6的第二电极D6和第七晶体管T7的第一电极S7，并且阴极连接到传输公共电压ELVSS的公共电压线741。

在图20的实施例中，像素电路包括七个晶体管(T1至T7)和一个电容器Cst。可以根据实施例来配置晶体管的数量、电容器的数量以及它们的连接。

图21是根据实施例的有机发光装置的一个像素区域的布局图，并且图22是根据实施例的沿着图21中的线XXII-XXII'截取的截面图。

参照图21，发射显示装置包括：沿着第一方向D1延伸并传输扫描信号Sn的扫描线151、传输先前扫描信号Sn-1的先前扫描线152、传输发光控制信号EM的发光控制线153以及传输初始化电压Vint的初始化电压线127。通过先前扫描线152传输旁路信号GB。

发射显示装置包括：在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸并传输数据电压Dm的数据线171以及传输公共电压ELVSS的第一公共电压线741a。图21和图22中描述的第一像素PX1是其中将驱动电压线172替换为第一公共电压线741a的第一像素PX1。图21和图22的第一像素PX1是其中将连接到该像素的驱动电压线172替换为第一公共电压线741a的实施例。在图21中所示的第二像素PX2中，驱动电压线172未被替换为第一公共电压线741a，并且设置了现有的驱动电压线172。在下文中，与第二像素PX2相比较地描述第一像素PX1。

发射显示装置包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器Cst以及发光二极管LED。

驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的每个沟道设置在伸长的半导体层130内。另外，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极的至少一部分设置在半导体层130中。半导体层130(图21中的其中添加阴影的部分)可以形成为弯曲成各种形状。半导体层130可以包括诸如多晶硅或氧化物半导体的多晶半导体。

半导体层130包括：以n型杂质或p型杂质进行沟道掺杂的沟道以及其掺杂浓度高于该沟道的掺杂浓度的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区分别对应于多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极。第一掺杂区和第二掺杂区中的一个掺杂区可以是源极区，并且另一个掺杂区可以是漏极区。而且，在半导体层130中，可以对彼此不同的晶体管的第一电极与第二电极之间的区域进行掺杂，使得两个晶体管可以彼此电连接。

多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道与每个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的栅电极重叠，并且设置在每个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极与第二电极之间。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以具有基本上相同的堆叠结构。在下文中，主要详细地描述驱动晶体管T1，并且简要描述其余的晶体管T2、T3、T4、T5、T6和T7。

驱动晶体管T1包括沟道、第一栅电极155、第一电极S1以及第二电极D1。驱动晶体管T1的沟道在第一电极S1和第二电极D1之间，并且在平面图中与第一栅电极155重叠。使沟道弯曲，以在受限区域中形成更长的沟道长度。随着沟道长度增加，施加到驱动晶体管T1的第一栅电极155的栅极电压Vg的驱动范围变得更宽，并且驱动电流I_d根据栅极电压Vg恒定地增加。因此，可以通过改变栅极电压Vg的大小更精确地控制从发光二极管LED发射的光的灰度，并且可以改善发射显示装置的显示质量。另外，由于沟道不在一个方向上延伸而是在各个方向上延伸，因此，存在其中在制造工艺中消除了方向性影响的优点，从而减小了工艺分散(process dispersion)的影响。因此，能够防止诸如不均匀性缺陷(例如，即使施加相同的数据电压Dm，也取决于像素而产生亮度差异)的图像质量的劣化，所述不均匀性缺陷可能由由于工艺分散引起的取决于显示装置的区域的驱动晶体管T1的特性差异所导致。这种沟道的形状可以改变，而不限于所示的Ω型。

第一栅电极155在平面上与沟道重叠。第一电极S1和第二电极D1位于沟道的各自侧。存储线126的延伸部分与第一栅电极155绝缘，并且设置在第一栅电极155上方。存储线126的延伸部分在平面上经由介于其间的第二栅极绝缘层与栅电极155重叠，从而构成存储电容器Cst。存储线126的延伸部分是存储电容器Cst的第一存储电极(图20的E1)，并且第一栅电极155是第二存储电极(图20的E2)。存储线126的延伸部分具有开口56，使得第一栅电极155连接到第一数据连接构件71。在开口56内，第一栅电极155的上表面和第一数据连接构件71通过接触孔61电连接。第一数据连接构件71连接到第三晶体管T3的第二电极D3，以将驱动晶体管T1的栅电极155和第三晶体管T3的第二电极D3连接。

第二晶体管T2的栅电极可以是扫描线151的一部分。数据线171通过接触孔62与第二晶体管T2的第一电极S2接触。第一电极S2和第二电极D2可以设置在半导体层130上。

第三晶体管T3可以由彼此相邻的两个晶体管组成。在图21的像素PX内，第三晶体管T3的两个部分相对于半导体层130弯曲所在的部分位于左侧和下侧。这两个部分分别起到第三晶体管T3的作用，并且具有其中第三晶体管T3的一个部分的第一电极S3连接到第三晶体管T3的另一部分的第二电极D3的结构。两个晶体管T3的栅电极可以是扫描线151的一部分或者从扫描线151向上突出的部分。这种结构可以被称为双栅极结构，并且可以用于阻挡漏电流。第三晶体管T3的第一电极S3连接到第六晶体管T6的第一电极S6和驱动晶体管T1的第二电极D1。第三晶体管T3的第二电极D3通过接触孔63连接到第一数据连接构件71。

第四晶体管T4由两个第四晶体管T4组成，并且两个第四晶体管T4在先前扫描线152和半导体层130的交点处形成。第四晶体管T4的栅电极可以是先前扫描线152的一部分。第四晶体管T4的一个部分的第一电极S4连接到第四晶体管T4的另一部分的第二电极D4。这种结构可以被称为双栅极结构，并且可以用于阻挡漏电流。第二数据连接构件72通过接触孔65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，并且第一数据连接构件71通过接触孔63连接到第四晶体管T4的第二电极D4。

这样，通过使用双栅极结构作为第三晶体管T3和第四晶体管T4，可以通过在截止状态下阻挡沟道的电子移动路径有效地防止漏电流。

第五晶体管T5的栅电极可以是发光控制线153的一部分。驱动电压连接线172c通过接触孔77连接到第五晶体管T5的第一电极S5，并且第二电极D5通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。

由于连接到像素的驱动电压线172被替换为第一公共电压线741a，因此第一像素PX1通过连接到相邻像素PX2的驱动电压线172的驱动电压连接线172c从相邻的像素PX2接收驱动电压ELVDD。

然而，在第二像素PX2中，驱动电压线172通过接触孔67连接到第五晶体管T5的第一电极S5，并且第二电极D5通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。

第六晶体管T6的栅电极可以是发光控制线153的一部分。第三数据连接构件73通过接触孔69连接到第六晶体管T6的第二电极D6，并且第一电极S6通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。

第七晶体管T7的栅电极可以是先前扫描线152的一部分。第七晶体管T7的第一电极S7连接到第六晶体管T6的第二电极D6，并且第二电极D7连接到第四晶体管T4的第一电极S4。

存储电容器Cst包括第一存储电极E1和第二存储电极E2，第一存储电极E1和第二存储电极E2与介于其间的第二栅极绝缘层142重叠。第二存储电极E2可以对应于驱动晶体管T1的栅电极155，并且第一存储电极E1可以是存储线126的延伸部分。第二栅极绝缘层142成为介电材料，并且电容由存储在存储电容器Cst中的电荷以及第一存储电极E1和第二存储电极E2之间的电压来确定。通过将第一栅电极155用作第二存储电极E2，能够在由在像素中占据大面积的驱动晶体管T1的沟道收窄的空间中确保用于形成存储电容器Cst的空间。

存储电容器Cst的第一存储电极E1通过驱动电压连接线172c接收驱动电压。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压连接线172c传输到第一存储电极E1的驱动电压ELVDD和栅电极155的栅极电压Vg之间的差相对应的电荷。

然而，驱动电压线172通过接触孔68连接到存储电容器Cst的第一存储电极E1。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第一存储电极E1的驱动电压ELVDD和栅电极155的栅极电压Vg之间的差相对应的电荷。

第二数据连接构件72通过接触孔64连接到初始化电压线127。第一电极通过接触孔81连接到第三数据连接构件73。第一电极可以是像素电极。

在第三晶体管T3的双栅电极之间可以设置寄生电容器控制图案79。在像素中存在寄生电容器。如果施加到寄生电容器的电压改变，则图像质量特性可能改变。在图21的第一像素PX1中，设置第一公共电压线741a以替代驱动电压线172，使得驱动电压线172和寄生电容器控制图案79不连接，然而在第二像素PX2中，寄生电容器控制图案79通过接触孔66连接到驱动电压线172。因此，通过将具有恒定DC电压的驱动电压ELVDD施加到寄生电容器，能够防止图像质量特性改变。寄生电容器控制图案79可以设置在与示出的区域不同的区域中，并且可以施加除驱动电压ELVDD以外的电压。

第一数据连接构件71的一端通过接触孔61连接到栅电极155，并且另一端通过接触孔63连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。

第二数据连接构件72的一端通过接触孔65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，并且另一端通过接触孔64连接到初始化电压线127。

第三数据连接构件73通过接触孔69连接到第六晶体管T6的第二电极。

参照图22以及图21描述根据实施例的发射显示装置的截面结构。

发射显示装置包括第一基底110。

第一基底110可以包括塑料层和阻挡层。塑料层和阻挡层可以交替地堆叠。

塑料层可以包括从包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)和这些材料中的一些材料的组合的组中选择的一种。

阻挡层可以包括氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一种，并且可以包括任何无机材料而不限于此。

在第一基底110上设置缓冲层112。缓冲层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氧化铝的无机绝缘材料或者诸如聚酰亚胺丙烯酸树脂(polyimide acryl)的有机绝缘材料。

包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道以及第一电极和第二电极的半导体层130设置在缓冲层112上。

在半导体层130上设置覆盖半导体层130的第一栅极绝缘层141。在第一栅极绝缘层141上设置包括第一栅电极155、扫描线151、先前扫描线152和发光控制线153的第一栅极导体。

在第一栅极导体上设置覆盖第一栅极导体的第二栅极绝缘层142。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。

在第二栅极绝缘层142上设置包括存储线126、初始化电压线127和寄生电容器控制图案79的第二栅极导体。

在第二栅极导体上设置覆盖第二栅极导体的层间绝缘层160。层间绝缘层160可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料。

在层间绝缘层160上设置包括数据线171、驱动电压线172、驱动电压连接线172c、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72和第三数据连接构件73的数据导体。第一数据连接构件71可以通过接触孔61连接到第一栅电极155。

在数据导体上设置覆盖数据导体的钝化层180。钝化层180可以是平坦化层，并且可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。

在钝化层180上设置第一电极191。第一电极191通过形成在钝化层180中的接触孔81连接到第三数据连接构件73。

在钝化层180和第一电极191上形成分隔件350。分隔件350具有与第一电极191重叠的开口351。在开口351上设置发射层370。在发射层370和分隔件350上设置第二电极270。第一电极191、发射层370和第二电极270形成发光元件LED。第一电极191可以是像素电极，并且第二电极270可以是公共电极。

根据实施例，像素电极可以是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极可以是作为电子注入电极的阴极。相反，像素电极可以是阴极并且公共电极可以是阳极。当将空穴和电子分别从像素电极和公共电极注入到发射层中时，所注入的空穴和电子结合的激子在其从激发态跃迁至基态时发光。

在第二电极270上设置保护发光元件LED的封装层400。根据实施例，封装层400可以如图22中所示地与第二电极270接触，或者可以与第二电极270间隔开。

封装层400可以是其中无机膜和有机膜堆叠的薄膜封装层，并且可以包括由无机膜、有机膜和无机膜组成的三层。根据实施例，覆盖层和功能层可以位于第二电极270和封装层400之间。

图23是根据实施例的显示装置的像素区域的布局图。参照图23，显示装置包括多条信号线127、151、152、153、171、172和741a。所述多条信号线127、151、152、153、171、172和741a可以包括在第一方向DR1上设置的扫描线151、先前扫描线152和发光控制线153以及在第二方向DR2上设置的数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127和公共电压线741a。

显示装置包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和存储电容器Cst。

驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6的每个沟道延伸且设置在半导体层130内。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6的第一电极和第二电极中的至少一部分设置在半导体层130中。

信号线和半导体层通过多个接触孔82、83、84、85、86、87和88连接。

晶体管和信号线的结构可以类似于图21中所示的结构。

参照图23，第一公共电压线741a设置在像素PX1、PX2和PX3的区域外部。即，在图21的实施例的显示装置中，一些像素PX1的驱动电压线172被替换为第一公共电压线741a，并且像素PX1通过驱动电压连接线172c从邻近的像素接收驱动电压。

分离的第一公共电压线741a设置在像素PX1、PX2和PX3的区域外部。因此，可以在不去除像素PX1、PX2和PX3的现有的驱动电压线172的情况下设置第一公共电压线741a。

尽管已经描述了示例实施例，但是实际实施例不限于所公开的实施例。实际实施例覆盖在本公开的范围内的各种修改和等同布置。