阅读说明：本技术 显示设备 (Display device ) 是由 裵光洙 朴钒首 吴旻贞 赵荣济 于 2020-04-30 设计创作，主要内容包括：一种显示设备,包括：基板；显示元件,该显示元件被布置在基板上,并且包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的发射层；以及限定气腔的顶层,气腔被布置成围绕显示元件,其中,顶层的折射率大于气腔的折射率。(A display device, comprising: a substrate; a display element which is arranged on a substrate and includes a pixel electrode, a counter electrode, and an emission layer between the pixel electrode and the counter electrode; and a top layer defining an air cavity arranged to surround the display element, wherein a refractive index of the top layer is greater than a refractive index of the air cavity.)

显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年5月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0051823号的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种由于缺少传播光的色散而提高传播光的效率及其亮度的配置。

背景技术

最近，可以使用显示设备的应用阵列已经变得更加多样化。随着显示设备变得更薄和更轻，随着用户越来越依赖它们来完成个人任务和专业任务，这样的阵列也在不断地发展。因此，重要的是在产生要显示的图像时可靠地确保它们的性能。

发明内容

一个或多个实施例包括可以提供高质量图像的显示器。

附加方面将部分地在以下描述中阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过所提出的实施例的实践来领会。

根据一个或多个实施例，一种显示设备，包括：基板；显示元件，该显示元件被布置在基板上，并且包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的发射层；以及限定气腔的顶层，气腔被布置成围绕显示元件，其中，顶层的折射率可以大于气腔的折射率。

顶层可以包括无机绝缘层。

顶层可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。

顶层可以包括相对于基板的主表面倾斜的侧部。

侧部相对于与基板的主表面平行的平面的倾斜角可以等于或大于大约50°。

顶层可以包括至少一个孔。

显示设备可以进一步包括：薄膜封装层，该薄膜封装层覆盖显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，其中，至少一个有机封装层可以具有大于气腔的折射率的折射率。

气腔可以位于薄膜封装层上。

气腔可以位于薄膜封装层下。

显示设备可以进一步包括：像素限定层，该像素限定层覆盖像素电极的边缘并且包括与像素电极对应的开口，其中，气腔可以位于像素限定层上。

气腔可以与像素电极的边缘重叠。

像素电极的边缘可以位于气腔内部。

顶层可以包括具有小于像素电极的宽度的宽度的开口。

根据一个或多个实施例，一种显示设备，包括：基板；显示元件，该显示元件被布置在基板上，并且包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的发射层；以及限定气腔并且包括倾斜的侧部的顶层，倾斜的侧部位于可以从显示元件发射的光的传播路径上，并且倾斜的侧部限定顶层与气腔之间的界面，以将光的传播路径从可以相对于基板的厚度方向倾斜的方向改变为可以与基板的厚度方向至少平行的方向，其中，顶层的折射率大于气腔的折射率。

顶层可以包括至少一个孔。

气腔可以完全包围显示元件。

顶层的折射率与气腔的折射率之间的差可以等于或大于大约0.7。

顶层可以包括无机绝缘层，并且倾斜的侧部相对于与基板的主表面平行的平面的倾斜角可以等于或大于大约50°。

顶层可以包括与显示元件的发射层对应的开口。

显示设备可以进一步包括：薄膜封装层，该薄膜封装层覆盖显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，其中，至少一个有机封装层的折射率与气腔的折射率之间的差可以等于或大于大约0.5。

当结合附图时，根据实施例的以下描述，这些和/或其他方面将变得显而易见以及更易于理解。

附图说明

根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见以及更易于理解，其中：

图1示出根据实施例的显示设备的平面图；

图2示出根据实施例的显示设备的像素中的一个的等效电路的示意图；

图3示出根据实施例的沿图1的线A-A’截取的显示设备的一部分的示意性截面图；

图4A至图4C分别示出根据实施例的显示设备的一部分的平面图；

图5示出根据实施例的沿图1的线A-A’截取的从显示设备的显示元件发射的光的路径的示意性截面图；

图6A至图6F示出根据实施例的制造显示设备的工艺的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图6G示出图6A的平面图；

图7示出根据实施例的显示设备的一部分的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图8示出图7的区域VIII的放大图；

图9示出根据实施例的显示设备的一部分的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图10A至图10C分别示出根据实施例的显示设备的一部分的平面图；

图11示出根据实施例的显示设备的一部分的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图12A至图12E分别示出根据实施例的显示设备的一部分的沿图1的线A-A’截取的截面图；

图13示出根据实施例的显示设备的一部分的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图14示出根据实施例的显示设备的气腔及其周围环境的沿图1的线A-A’截取的放大截面图；

图15A和图15B示出根据实施例的显示设备的一部分的平面图；

图16示出根据实施例的显示设备的一部分的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图17A至图17F示出根据实施例的制造显示设备的工艺的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图17G示出图17A的平面图；

图18示出根据实施例的显示设备的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图；并且

图19示出根据实施例的显示设备的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图。

具体实施方式

现在将详细参考实施例，这些实施例的示例被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，实施例可以具有不同的形式并且不应被理解为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述的实施例以解释描述的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任意和全部组合。在整个公开中，表达“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变体。

将理解，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语限制。这些部件仅用于区分一个部件与另一部件。

如本文中使用的，单数形式“一”和“该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚地另外指示。

将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定所述的特征或部件的存在，但是可以不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。

将理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，它可以直接或间接形成在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或部件。

为了方便起见，可以夸大附图中元件的尺寸。换句话说，由于附图中部件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地图示，因此以下实施例不限于此。

当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以不同于所描述的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。

将理解，当层、区域或部件被称为“连接”到另一层、区域或部件时，它可以“直接连接”到该另一层、区域或部件，或者可以“间接连接”到该另一层、区域或部件，其他层、区域或部件置于它们之间。例如，将理解，当层、区域或部件被称为“电连接”到另一层、区域或部件时，它可以“直接电连接”到该另一层、区域或部件，或者可以“间接电连接”到该另一层、区域或部件，其他层、区域或部件置于它们之间。

进一步，在本说明书中，短语“在平面图中”意味着当从上面观察对象部分时，并且短语“在截面图中”意味着当从侧面观察通过垂直切割对象部分截取的截面时。另外，术语“重叠”或“重叠的”意味着第一对象可以在第二对象的上面、下面或侧面，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对、在…之上延伸、覆盖或部分地覆盖或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。术语“面对”意味着第一对象可以直接或间接地与第二对象相对。在第三对象介于第一对象与第二对象之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一对象和第二对象可以被理解为彼此间接相对。

为了易于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等以描述如附图中所图示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所图示的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下面”或“下方”的设备可以被放置在另一设备“上面”。因此，说明性的术语“下面”可以包括下部位置和上部位置两者。设备也可以以其他方向被定向，并且因此，空间相对术语可以取决于定向被不同地解释。

考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者例如在所述的值的±30％、20％、10％、5％内。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在描述中明确地限定。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以是彼此垂直的，或者可代表彼此不垂直的不同的方向。

图1示出根据实施例的显示设备10的平面图。

显示设备10可以包括显示区域DA以及邻近显示区域DA的***区域PA。显示设备10可以包括被设置在显示区域DA中的像素P。每个像素P可以连接到扫描线SL和数据线DL。可以理解，图1示出显示设备10的基板100的图。例如，可以理解，基板100包括显示区域DA和***区域PA。

扫描驱动器1100、数据驱动器1200和主电源线(未示出)可以被设置在***区域PA中，扫描驱动器1100通过扫描线SL将扫描信号提供到每个像素P，数据驱动器1200通过数据线DL将数据信号提供到每个像素P，并且主电源线提供第一电源电压和第二电源电压。

虽然图1示出数据驱动器1200可以被设置在基板100上，但是数据驱动器1200可以被设置在电连接到被设置在显示设备10的一侧上的焊盘的柔性印刷电路板(FPCB)上。

根据实施例的显示设备10可以包括有机发光显示器、无机发光显示器、液晶显示器、电泳显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、量子点显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。虽然作为示例可以将根据实施例的显示设备描述为有机发光显示设备，但是根据本公开的显示设备可以不限于此。

图2示出根据实施例的显示设备的像素中的一个的等效电路的示意图。

参考图2，像素P可以包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的显示元件。显示元件可以包括例如有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光或蓝光，或者发射红光、绿光、蓝光或白光。

第二薄膜晶体管T2可以是开关薄膜晶体管，并且可以连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SL输入的扫描电压而将通过数据线DL输入的数据电压传送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2传送的电压和通过驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。

第一薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管，可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压而控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。

虽然像素电路PC可以包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开可以不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以取决于像素电路PC的设计而进行各种改变。

图3示出根据实施例的沿图1的线A-A’截取的显示设备的一部分的示意性截面图，并且图4A至图4C示出根据实施例的显示设备的一部分的平面图。

参考图3，像素电路PC可以被设置在基板100上。像素电路PC可以被绝缘层110覆盖。有机发光二极管OLED可以被设置在像素电路PC之上并且电连接到像素电路PC。顶层410可以被设置在有机发光二极管OLED之上，并且顶层410可以将气腔AC限定为光控制图案。换句话说，顶层410的形成气腔AC的一个或多个部分在气腔AC与顶层410的界面处可以控制与顶层410和气腔AC相邻的区域中的光的图案。例如，顶层410的一个或多个部分可以用作用于形成从发光二极管OLED发射的光的传播路径的光控制构件，使得发射的光可以在气腔AC的界面处从顶层410被引导，以形成发射的光的受控图案。

基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。在实施例中，基板100可以包括包含SiO₂作为主要成分的玻璃基板。在另一实施例中，基板100可以包括基底层和阻挡层，基底层包括聚合物树脂，并且阻挡层包括无机绝缘材料。例如，基板100可以包括被顺序地堆叠的第一聚合物树脂层、第一无机阻挡层、第二聚合物树脂层和第二无机阻挡层。第一聚合物树脂层和第二聚合物树脂层可以包括聚醚砜(PES)、聚芳酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)等。第一无机阻挡层和第二无机阻挡层可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。

如参考图2描述的，像素电路PC可以包括晶体管和存储电容器。诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的绝缘层可以被设置在晶体管的电极之间和/或存储电容器的电极之间。

像素电路PC可以被绝缘层110覆盖。绝缘层110上的像素电极221可以通过形成在绝缘层110中的接触孔电连接到像素电路PC。绝缘层110可以包括有机绝缘层和/或无机绝缘层。有机绝缘层可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物的有机绝缘材料。无机绝缘层可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。

像素电极221可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的反射层。在另一实施例中，像素电极221可以进一步包括在反射层上/下的层，该层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)。

像素限定层120可以被设置在像素电极221上，并且像素限定层120可以覆盖像素电极221的边缘。通过增大对电极223与像素电极221的边缘之间的距离，像素限定层120可以防止在对电极223与像素电极221的边缘之间发生电弧等。换句话说，像素限定层120可以被布置在像素电极221的边缘之上以及边缘与对电极223之间以增大距离，并且因此抑制这样的电弧形成。像素限定层120可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机绝缘材料。像素限定层120可以包括无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。像素限定层120可以包括与像素电极221的中心区域重叠或面对像素电极221的中心区域的开口120OP。像素电极221的中心区域可以通过像素限定层120的开口120OP被暴露。

中间层222可以被设置在像素电极221上。中间层222可以包括发射层222b。发射层222b可以与像素限定层120的开口120OP重叠或面对像素限定层120的开口120OP。发射层222b可以包括可以发射预定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。

第一功能层222a和第二功能层222c可以被分别设置在发射层222b下和发射层222b上。第一功能层222a可以包括例如空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层222c可以被设置在发射层222b上，或者可以被省略。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。像下面将描述的对电极223一样，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以是完全覆盖基板100的公共层。

对电极223可以包括具有小的功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。可替代地，对电极223可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。

有机发光二极管OLED可以被可以是封装构件的薄膜封装层300覆盖。有机发光二极管OLED可以包括像素电极221、中间层222和对电极223。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层300可以包括可以被顺序地堆叠(即，以所述的顺序堆叠)的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料中的至少一种。

有机封装层320可以包括聚合物类材料。有机封装层320可以包括一材料，其中该材料的折射率与下面将描述的气腔AC的折射率之间的差可以等于或大于大约0.5。例如，有机封装层320可以包括具有从大约1.5至大约1.6的范围的折射率的有机材料。有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。

气腔AC可以被设置在从有机发光二极管OLED发射的光的传播路径上。光的传播路径可以包括在可以与显示设备10的厚度方向(即，z方向)倾斜的方向上行进的路径。在图3的示意性截面图中，气腔AC可以被设置在薄膜封装层300上，并且在垂直于基板100的主表面101的方向(即，z方向)与平行于基板100的主表面101的方向(即，x方向)之间的倾斜方向上被设置。在实施例中，气腔AC可以被设置在薄膜封装层300上，并且可以与像素限定层120重叠或面对像素限定层120。换句话说，气腔AC可以被设置在薄膜封装层300上，以相对于z方向和x方向倾斜。

气腔AC可以由顶层410限定。顶层410可以包括下部、上部和侧部，下部接触薄膜封装层300，上部与薄膜封装层300的顶表面隔开使得气腔AC可以在薄膜封装层300与上部之间，并且侧部将下部连接到上部。顶层410的侧部的倾斜角α(例如，侧部相对于与基板100的主表面101平行的虚拟平面的倾斜角α)可以等于或大于大约50°。例如，倾斜角α可以等于或大于大约60°。顶层410的形成气腔AC的一个或多个部分可以被设置在薄膜封装层300上，以相对于z方向和x方向倾斜。例如，顶层410的一个或多个部分可以被设置成从发射层222b偏移。一个或多个气腔AC可以被设置成从发射区域EA(或像素限定层120的开口120OP)偏移。气腔AC的高度h可以为大约1.5μm至大约3.5μm。例如，气腔AC的高度h可以为大约1.5μm至大约3.5μm，或大约2μm至大约3μm。

顶层410可以包括无机材料。在实施例中，顶层410可以包括无机绝缘层。顶层410可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

顶层410可以具有大于气腔AC的折射率n(即，气腔AC内部的空气的折射率n)(大约1.0)的折射率。作为示例，气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.5。作为另一示例，气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.6。作为另一示例，气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.7。在实施例中，在顶层410可以包括氮化硅的情况下，可以通过调整顶层410的硅的量来调整气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差。顶层410的折射率可以为从大约1.7至大约1.9。

参考图3以及图4A至图4C，气腔AC可以完全围绕发射区域EA的***，以便在平面图中包围(例如，完全包围)发射区域EA。内部宽度(例如，气腔AC的被设置在发射区域EA的两个相对侧的部分之间的宽度W2，发射区域EA在气腔AC的部分之间)可以等于或大于发射区域EA的宽度W1。发射区域EA的宽度W1可以被定义为像素限定层120的开口120OP的宽度。

顶层410可以包括与气腔AC重叠或面对气腔AC的孔410H。顶层410的孔410H可以在形成气腔AC的工艺期间被形成。一个孔410H可以被提供在顶层410中，或者多个孔410H可以被提供在顶层410中。在实施例中，如图4A中所示，一个孔410H可以被提供为完全围绕发射区域EA的***，以便包围发射区域EA。如图4B中所示，孔410H每个可以具有狭缝形状并且可以沿发射区域EA的一侧被设置。如图4C中所示，孔410H可以被设置成完全围绕发射区域EA的***，以便包围发射区域EA，并且可以彼此间隔开。

顶层410可以包括与发射区域EA和/或像素限定层120的开口120OP重叠或面对发射区域EA和/或像素限定层120的开口120OP的开口410OP。像孔410H一样，顶层410的开口410OP形成穿过顶层410的顶表面和底表面的通孔。顶层410的开口410OP的宽度W3可以等于或大于像素限定层120的开口120OP的宽度W1。

顶层410可以被平坦化层500覆盖。平坦化层500可以包括有机绝缘材料。平坦化层500可以通过涂布和硬化具有粘度的有机材料被形成。如上所述，虽然顶层410可以包括至少一个孔410H，但是通过调整构成平坦化层500的有机材料的粘度，可以防止可能与平坦化层500的有机材料相同的有机材料位于气孔AC的内部。

图5示出根据实施例的从显示设备的显示元件发射的光的路径的示意性截面图。

参考图5，从有机发光二极管OLED发射并且在厚度方向(即，z方向)上传播的光可以在厚度方向上行进。也就是说，光可以沿路径“A”行进而不改变路径。进一步，并且当考虑与本文中的实施例不同的示例时，在可能不存在限定气腔AC的顶层410的情况下，从有机发光二极管OLED发射并且在倾斜方向(例如，z方向与x方向之间的倾斜方向)上行进的光立即并且连续地在倾斜方向上行进。结果，可以降低从有机发光二极管OLED发射的光的亮度。然而，根据实施例，如参考图3至图5描述的，例如，由于限定气腔AC的顶层410也可以被倾斜地设置在光的上述倾斜传播路径上，因此光的全反射可以发生在气腔AC与顶层410之间的界面上。换句话说，由于气腔AC和顶层410的形成气腔AC的一个或多个部分从发射区域EA偏移，因此光的传播路径可以从光相对于z方向和x方向完全倾斜地传播的情况(即，当不存在顶层410时)改变为沿路径“B”行进。作为示例，路径“B”可以限定其与z方向(即，显示设备10的厚度方向)至少平行的路径定义部分。因此，可以改善有机发光二极管OLED的发光效率，并且可以增大从有机发光二极管OLED发射的光的亮度。换句话说，当与不同于本文中的实施例的示例相比时，当光可以沿路径“A”和“B”集中地被发射时，更大量的光可以被发射并且以增大的亮度被反射。

图6A至图6F示出根据实施例的用于解释制造显示设备的工艺的沿图1的线A-A’截取的示意性截面图，并且图6G示出图6A的平面图。

参考图6A，像素电路PC可以被形成在基板100上，并且覆盖像素电路PC的绝缘层110可以被形成在基板100上。像素电极221可以被形成为通过绝缘层110的接触孔电连接到像素电路PC。像素电极221可以通过可以包括形成构成像素电极221的材料层并且蚀刻该材料层的工艺被形成。如图6A中所示，像素电极221可以以岛形状被形成，以与每个像素对应。

包括开口120OP的像素限定层120可以被形成，并且中间层222和对电极223可以被顺序地形成。中间层222的发射层222b可以被定位成与每个像素对应，使得发射层222b可以与像素电极221重叠或面对像素电极221。中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223每个可以被形成为一体，以便覆盖多个像素。

薄膜封装层300可以被形成在对电极223上。薄膜封装层300的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积(CVD)被形成。有机封装层320可以通过涂布和硬化单体被形成，或者可以通过涂布聚合物被形成。有机发光二极管OLED和薄膜封装层300的材料可以与上述材料相同。

有机结构60可以通过在薄膜封装层300上布置光敏有机材料并且图案化该光敏有机材料被形成。有机结构60可以包括可以与特定波段的光(例如，紫外光(UV)等)反应的光敏有机材料。如图6G中所示，有机结构60可以完全围绕发射区域EA的***，以便包围有机发光二极管OLED的发射区域EA。换句话说，有机结构60可以完全围绕像素限定层120的开口120OP的***。有机结构60的部分(发射区域EA为有机结构60的部分之间的像素限定层120的开口120OP)之间的内部宽度W2’可以等于或大于像素限定层120的开口120OP的宽度W1。

有机结构60可以具有倾斜的侧表面。有机结构60的截面可以具有近似梯形形状。有机结构60的侧表面的倾斜角α可以等于或大于大约50°。例如，倾斜角α可以等于或大于大约60°。

参考图6B，无机绝缘层410A可以被形成在有机结构60上。无机绝缘层410A可以被完全形成在基板100之上。无机绝缘层410A可以直接接触有机结构60的顶表面和侧表面以及被设置在有机结构60下的层(例如，薄膜封装层300)的顶表面。

无机绝缘层410A可以通过CVD被形成。无机绝缘层410A可以包括氮化硅。无机绝缘层410A可以包括氧化硅和/或氮氧化硅。在实施例中，可以通过调整无机绝缘层410A的硅的量来调整包括氮化硅的无机绝缘层410A的折射率。例如，无机绝缘层410A的折射率可以为从大约1.7至大约1.9。

参考图6C和图6D，顶层410可以通过图案化无机绝缘层410A被形成。如图6C中所示，光敏有机层62可以被形成在无机绝缘层410A上。光敏有机层62可以通过使用包括第一透射部分M-h1和第二透射部分M-h2的掩模M被图案化。光敏有机层62可以包括孔62h和开口62OP，其中孔62h和开口62OP可以在光敏有机层62的与第一透射部分M-h1和第二透射部分M-h2分别对应的部分被移除的同时被形成。

如图6D中所示，包括孔410H和开口410OP的顶层410可以通过使用光敏有机层62蚀刻无机绝缘层410A被形成。开口410OP和孔410H可以与穿过顶层410的顶表面和底表面的通孔对应。

顶层410的开口410OP的宽度W3可以等于或大于像素限定层120的开口120OP的宽度W1。孔410H的宽度W4可以为大约1μm至大约3μm。

参考图6E，有机结构60可以通过顶层410的孔410H被移除。在实施例中，有机结构60可以通过显影工艺被移除，并且气腔AC可以被形成在经由顶层410的孔410H移除有机结构60而导致的空间中。

如图6F中所示，平坦化层500可以被形成。平坦化层500可以包括有机绝缘材料。在实施例中，平坦化层500可以通过涂布具有粘度的有机材料并且然后硬化该有机材料被形成。虽然孔410H可以被形成在顶层410中，但是包括与平坦化层500的材料相同的材料的有机材料可以不被布置在气腔AC内部，或者作为调整构成平坦化层500的有机材料的粘度的结果，在气腔AC内部可以存在少量的有机材料。

图7示出根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图，并且图8示出图7的区域VIII的放大图。

参考图7，像素电路PC可以位于基板100上，并且有机发光二极管OLED的像素电极221可以被设置在覆盖像素电路PC的绝缘层110上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极221、中间层222和对电极223，并且像素电极221的边缘可以被像素限定层120覆盖。

气腔AC可以在像素限定层120与薄膜封装层300之间。例如，气腔AC可以位于对电极223上。限定气腔AC的顶层410可以包括上部140a(图8)、下部140b(图8)以及侧部140c(图8)，上部140a与对电极223的顶表面隔开，使得气腔AC可以在顶层410的上部140a与对电极223之间。下部140b可以位于上部140a下，并且侧部140c可以将上部140a连接到下部140b。下部140b可以接触对电极223的顶表面。

顶层410的下部140b可以在可以远离气腔AC的方向上延伸并且可以接触对电极223的顶表面。在封盖层可以被设置在对电极223上的情况下，顶层410的下部140b可以接触封盖层的顶表面。封盖层可以包括LiF、无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。

顶层410的侧部140c可以相对于与基板100的主表面101平行的虚拟平面倾斜。侧部140c的倾斜角α可以等于或大于大约50°。例如，倾斜角α可以等于或大于大约60°。由顶层410限定的气腔AC的高度h可以为大约1.5μm至大约3.5μm，或大约2μm至大约3μm。

顶层410可以包括包含无机材料(例如，氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅)的无机绝缘层。顶层410可以具有大于气腔AC的折射率n(大约1.0)的折射率。气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.7。例如，顶层410的折射率可以为从大约1.7至大约1.9。由于从有机发光二极管OLED发射的光相对于z方向和x方向倾斜地传播，因此这样的光可以在气腔AC与顶层410之间的界面(例如，顶层410的侧部140c(图8))上并通过该界面被全反射。结果是，可以改善有机发光二极管OLED的发光效率，并且可以改善可以发射的光的亮度。

薄膜封装层300可以位于顶层410上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。如图7中所示，在实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

第一无机封装层310可以形成在顶层410上。第一无机封装层310可以接触顶层410。如图8中所示，第一无机封装层310可以位于顶层410的顶表面以及顶层410的限定孔410H的侧表面410S上。由于顶层410可以包括形成在其上部中的孔410H，因此在气腔AC内部可以存在少量的无机材料310R，无机材料310R包括与第一无机封装层310的材料相同的材料。

有机封装层320可以包括一材料，其中该材料的折射率与气腔AC的折射率之间的差可以等于或大于大约0.5。例如，该材料可以是具有从大约1.5至大约1.6的范围的折射率的有机材料。在有机封装层320的折射率与气腔AC的折射率之间的差满足上述范围的情况下，可以改变从有机发光二极管OLED发射的光的传播路径。例如，通过更有效地将可以从有机发光二极管OLED发射并且在相对于上述z方向和x方向的倾斜方向上连续地行进的光的路径改变为可以与显示设备10的z方向或厚度方向至少平行的路径，可以有效地提高显示设备的亮度。

虽然图7示出由顶层410限定的气腔AC可以被设置在发射区域EA的两个相对侧，但是在平面图中，如参考图4A至图4C描述的，气腔AC可以被设置成完全围绕发射区域EA的***，以便包围发射区域EA。如参考图4A描述的，顶层410的一个孔410H可以被提供为完全包围发射区域EA。如图4B中所示，每个具有狭缝形状的多个孔410H可以沿发射区域EA的边缘被设置。如图4C中所示，多个孔410H可以被设置成完全围绕发射区域EA的***，以便包围发射区域EA，并且可以彼此间隔开。顶层410的孔410H可以具有从大约1μm至大约3μm的范围的宽度。

顶层410可以包括与发射区域EA对应的开口410OP。顶层410的开口410OP的宽度W3可以等于或大于像素限定层120的开口120OP的宽度W1，并且可以小于气腔AC的位于开口120OP的两个相对侧的部分之间的宽度W2，像素限定层120的开口120OP在气腔AC的部分之间。

图9示出根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图，并且图10A至图10C示出根据实施例的显示设备的一部分的平面图。

虽然参考图7描述的顶层410可以包括与像素限定层120的开口120OP重叠或面对像素限定层120的开口120OP的开口410OP，但是顶层410可以不包括开口410OP，其中，如可以在图9中所示的，可以不存在开口410OP。

参考图9以及图10A至图10C，顶层410可以包括与气腔AC对应的孔410H，并且可以被连续地形成以便完全覆盖发射区域EA。顶层410可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。换句话说，与第一无机封装层310类似，顶层410可以同时用作无机封装层。

在顶层410可以被形成为完全覆盖除至少一个孔410H之外的其余的区域(例如，包括发射区域EA的显示区域DA(参见图1))的情况下，顶层410可以用作与第一无机封装层310类似的无机封装层。在实施例中，可以省略图9中所示的第一无机封装层310。

顶层410可以包括围绕发射区域EA的***的一个孔410H，以便包围发射区域EA(如图10A中所示)，包括每个具有狭缝形状并且沿发射区域EA的一侧延伸的孔410H(如图10B中所示)，或者包括可以沿发射区域EA的边缘彼此隔开的孔410H(如图10C中所示)。

图11示出根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图。

参考图11，显示设备可以进一步包括被设置在薄膜封装层300上的平坦化层500。薄膜封装层300可以被设置在气腔AC之上。由于薄膜封装层300可以包括有机封装层320，因此有机封装层320可以在完全覆盖其下的元件的同时，改善显示设备10的平坦度。平坦化层500可以进一步被设置在薄膜封装层300上，并且因此可以进一步改善显示设备10的平坦度。平坦化层500可以防止位于平坦化层500上的构件(例如，触摸输入层610和/或光学功能层620)与显示设备10分开或分离。

触摸输入层610可以包括在x方向和y方向上设置的触摸电极。触摸输入层610可以通过使用互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。虽然图11示出触摸输入层610可以被设置在平坦化层500上，但是在实施例中，触摸输入层610可以被设置在薄膜封装层300与平坦化层500之间。

光学功能层620可以包括防反射层。防反射层可以包括延迟器和偏振器。在另一实施例中，防反射层可以包括滤色器层。在另一实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此可以降低外部光反射率。

参考图11描述的触摸输入层610和/或光学功能层620可以等同地适用于参考图3和图9描述的实施例以及从中得出的实施例。

图12A至图12E示出根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性截面图。

参考图12A，像素电路PC可以被形成在基板100上，并且覆盖像素电路PC的绝缘层110可以被形成在基板100上。像素电极221可以被形成为通过绝缘层110的接触孔电连接到像素电路PC。

像素限定层120可以被形成为包括开口120OP，并且中间层222和对电极223可以被形成。封盖层可以进一步被形成在对电极223上，以包括LiF、无机绝缘材料或有机绝缘材料。在下文中，为了便于描述，可以省略封盖层。

如上所述，包括像素电极221、中间层222和对电极223的有机发光二极管OLED可以被形成，并且有机结构60可以被形成。有机结构60可以通过将光敏有机材料层布置在基板100之上并且然后图案化该光敏有机材料层被形成。有机结构60可以包括光敏有机材料。有机结构60可以被形成为完全围绕发射区域EA的***，以便包围有机发光二极管OLED的发射区域EA，发射区域EA可以是例如如参考图6G描述的像素限定层120的开口120OP。

有机结构60可以具有倾斜的侧表面。有机结构60的截面可以具有近似梯形形状。有机结构60的侧表面的倾斜角α可以等于或大于大约50°。例如，倾斜角α可以等于或大于大约60°。

参考图12B，无机绝缘层410A可以被形成在有机结构60上。无机绝缘层410A可以通过CVD被形成。无机绝缘层410A可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。在实施例中，可以通过调整无机绝缘层410A的硅的量来调整包括氮化硅的无机绝缘层410A的折射率。例如，无机绝缘层410A的折射率可以为从大约1.7至大约1.9。

如图12C中所示，顶层410可以通过图案化无机绝缘层410A以包括孔410H被形成。与参考图6C进行的描述类似，图案化无机绝缘层410A的工艺可以通过使用掩模和光敏有机层被执行。顶层410可以被连续地形成为覆盖与像素限定层120的开口120OP对应的区域。虽然图12C示出顶层410可以覆盖像素限定层120的开口120OP，但是顶层410可以包括与发射区域EA对应的开口410OP(如参考图6D描述的)。

参考图12D，气腔AC可以通过顶层410的孔410H移除有机结构60被形成。

第一无机封装层310可以被形成在其中孔410H可以被形成的顶层410上。第一无机封装层310可以通过CVD被形成。少量的无机材料310R可以在形成第一无机封装层310的工艺期间被布置在气腔AC内部，无机材料310R包括与第一无机封装层310的材料相同的材料。如图12D的放大图中所示，第一无机封装层310可以位于顶层410的顶表面以及顶层410的限定孔410H的侧表面410S上。

参考图12E，有机封装层320和第二无机封装层330可以顺序地形成在第一无机封装层310上。有机封装层320可以通过涂布和硬化单体被形成，或者通过涂布聚合物被形成。

图13示出根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性截面图，并且图14示出根据这样的实施例的显示设备的气腔AC及其周围环境的放大截面图。

参考图13，像素电路PC可以被设置在基板100上，并且有机发光二极管OLED的像素电极221可以被设置在覆盖像素电路PC的绝缘层110上。

气腔AC可以在从有机发光二极管OLED发射的光的传播方向上被设置。在实施例中，气腔AC可以在绝缘层110与薄膜封装层300之间。例如，气腔AC可以位于像素电极221上。限定气腔AC的顶层410可以包括上部、下部和侧部，上部与绝缘层110的顶表面隔开，使得气腔AC可以在顶层410的上部与绝缘层110之间。下部可以位于上部下，并且侧部可以将上部连接到下部。顶层410的下部的一侧可以接触像素电极221的顶表面，并且顶层410的下部的另一侧可以接触绝缘层110的顶表面。

顶层410可以包括与像素电极221重叠或面对像素电极221的开口410OP，并且开口410OP的宽度W3可以小于像素电极221的宽度W5。顶层410的开口410OP可以与发射区域对应，以便限定发射区域EA。气腔AC可以由顶层410限定并且覆盖像素电极221的边缘。限定气腔AC的顶层410不仅可以限定发射区域EA，而且还可以通过增大对电极223与像素电极221的边缘之间的距离来防止在对电极223与像素电极221的边缘之间发生电弧等，如上文类似地描述的。

顶层410的侧部可以相对于与基板100的主表面101平行的虚拟平面倾斜。侧部的倾斜角α可以等于或大于大约50°。例如，倾斜角α可以等于或大于大约60°。由顶层410限定的气腔AC的高度h可以为大约1.5μm至大约3.5μm，或大约2μm至大约3μm。

顶层410可以具有大于气腔AC的折射率n(大约1.0)的折射率。气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.5。气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.6。气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差可以等于或大于大约0.7。

顶层410可以包括无机材料。例如，顶层410可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘层。在实施例中，在顶层410包括氮化硅的情况下，可以通过调整顶层410的硅的量来调整气腔AC的折射率与顶层410的折射率之间的差。顶层410的折射率可以为从大约1.7至大约1.9。

参考图13、图15A和图15B，气腔AC可以被设置成完全围绕发射区域EA的***，以便包围发射区域EA，并且气腔AC可以具有环形形状。具有环形形状的气腔AC的内部宽度W2可以等于或大于发射区域EA的宽度W1。顶层410的孔410H可以彼此隔开，如图15A和图15B中所示。例如，每个具有狭缝形状的孔410H可以沿发射区域EA的一侧彼此间隔开(参见图15A)，或者可以被设置成完全围绕发射区域EA的***，以便包围发射区域EA(参见图15B)。

中间层222可以包括发射层222b，并且发射层222b可以与顶层410的开口410OP重叠或面对顶层410的开口410OP。第一功能层222a可以被设置在发射层222b下，并且第二功能层222c可以被设置在发射层222b上。第一功能层222a可以包括空穴传输层和/或空穴注入层，并且第二功能层222c可以包括电子注入层和/或电子传输层。

像对电极223一样，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以是完全覆盖基板100的层。在气腔AC内部可以存在少量的材料层Rm，材料层Rm包括与提供在限定气腔AC的顶层410上的第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223中的每一个的材料相同的材料。例如，如图14中所示，可以存在被布置在气腔AC内部的少量的材料层(即，材料残留物)Rm，材料层Rm包括第一材料层222a’、第二材料层222c’和第三材料层223’，第一材料层222a’包括与第一功能层222a的材料相同的材料，第二材料层222c’包括与第二功能层222c的材料相同的材料，并且第三材料层223’包括与对电极223的材料相同的材料。

有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖，有机发光二极管OLED包括像素电极221、中间层222和对电极223。薄膜封装层300可以包括例如第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310可以形成在顶层410上，并且位于顶层410的顶表面以及顶层410的限定孔410H的侧表面410S上。如图14中所示，第四材料层310’可以位于气腔AC内部，第四材料层310’包括与第一无机封装层310的材料相同的材料。

有机封装层320可以包括一材料，其中该材料的折射率与气腔AC的折射率之间的差可以等于或大于大约0.5。例如，该材料可以是具有从大约1.5至大约1.6的范围的折射率的有机材料。在有机封装层320的折射率与气腔AC的折射率之间的差满足上述范围的情况下，可以改变从有机发光二极管OLED发射的光的传播路径。例如，通过更有效地将可以从有机发光二极管OLED发射并且相对于z方向和x方向倾斜地连续行进的光的路径改变为与显示设备10的z方向或厚度方向至少平行的路径，可以有效地提高显示设备的亮度。

图16示出根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性截面图。

参考图16，显示设备可以进一步包括被设置在薄膜封装层300上的平坦化层500。薄膜封装层300可以被设置在气腔AC上。换句话说，薄膜封装层300可以被设置在形成气腔AC的顶层410上。由于薄膜封装层300可以包括有机封装层320，因此有机封装层320可以通过完全覆盖其下的元件来改善显示设备10的平坦度。平坦化层500可以进一步被设置在薄膜封装层300上，并且可以进一步改善显示设备10的平坦度。平坦化层500可以防止位于平坦化层500上的构件(例如，触摸输入层610和/或光学功能层620)与显示设备10分开或分离。

图17A至图17F示出根据另一实施例的制造显示设备的工艺的示意性截面图，并且图17G示出图17A的平面图。

参考图17A，像素电路PC可以形成在基板100上，并且覆盖像素电路PC的绝缘层110可以被形成在基板100上。像素电极221可以被形成为通过绝缘层110的接触孔电连接到像素电路PC。

有机结构60可以被形成。有机结构60可以通过在基板100上形成光敏有机材料并且然后图案化该光敏有机材料被形成。如图17G中所示，有机结构60可以完全围绕像素电极221的边缘的***，以便包围像素电极221的边缘。

有机结构60可以具有倾斜的侧表面。有机结构60的截面可以具有近似梯形形状。有机结构60的侧表面的倾斜角α可以等于或大于大约50°。例如，倾斜角α可以等于或大于大约60°。

参考图17B，无机绝缘层410A可以被形成在有机结构60上。无机绝缘层410A可以通过CVD被形成。无机绝缘层410A可以包括氮化硅。无机绝缘层410A可以包括氧化硅或氮氧化硅。在实施例中，可以通过调整无机绝缘层410A的硅的量来调整包括氮化硅的无机绝缘层410A的折射率。例如，无机绝缘层410A的折射率可以为从大约1.7至大约1.9。

无机绝缘层410A可以完全形成在基板100之上。无机绝缘层410A可以直接接触有机结构60的顶表面和侧表面以及包括被设置在有机结构60下的绝缘层110和像素电极221的层的顶表面。

参考图17C，顶层410可以通过图案化无机绝缘层410A被形成。顶层410可以包括孔410H和开口410OP。与参考图6C进行的描述类似，图案化顶层410的工艺可以通过使用掩模和光敏有机层被执行。顶层410的开口410OP可以与发射区域EA对应(如参考图13描述的)。顶层410的开口410OP可以限定发射区域EA。

如图17D中所示，气腔AC可以通过经由顶层410的孔410H移除有机结构60被形成在其中有机结构60可以被布置的空间中。如参考图17G描述的，由于有机结构60可以被布置在像素电极的边缘周围，以便包围像素电极221的边缘，因此气腔AC也可以包围或围绕像素电极221的边缘。像素电极221的边缘可以被顶层410覆盖并且位于气腔AC内部。

参考图17E，第一功能层222a可以被形成在顶层410上。发射层222b可以形成在与顶层410的开口410OP对应的位置上。第二功能层222c和对电极223可以被顺序地形成在发射层222b上。第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以被形成为一体，以便至少覆盖显示区域DA。

第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223每个可以通过热蒸镀被形成。在形成第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223中的每一个的工艺期间，构成上述层的材料也可以通过顶层410的孔410H位于气腔AC内部。图17E示出材料层Rm可以被设置成包括与第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223的材料相同的材料。

如图17F中所示，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以被顺序地形成。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过CVD被形成，并且第一无机封装层310可以位于顶层410的顶表面以及顶层410的限定孔410H的侧表面上。在形成第一无机封装层310的工艺期间，在气腔AC内部可能存在第一无机封装层310的少量的沉积材料，该沉积材料可以通过孔410H被布置。其具体结构可以与参考图14描述的具体结构相同。经由构成有机封装层320的有机材料的粘度的调整，没有有机封装层320的材料或少量的有机封装层320被布置在气腔AC内部。有机封装层320可以通过涂布单体并且然后硬化单体或者涂布聚合物被形成。

图18示出根据另一实施例的显示设备10A的示意性截面图。

参考图18，显示设备10A可以针对每个像素发射不同颜色的一道道的光。例如，与相应像素对应的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以被设置在基板100之上。第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以分别发射不同颜色的光，例如，红光L_R、绿光L_G和蓝光L_B。第一有机发光二极管OLED1可以位于红色像素中，第二有机发光二极管OLED2可以位于绿色像素中，并且第三有机发光二极管OLED3可以位于蓝色像素中。

分别从第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射的红光L_R、绿光L_G和蓝光L_B可以在远离基板100的方向上行进，并且倾斜地行进的光可以在气腔AC与顶层410之间的界面上被全反射并且可以近似在z方向上行进。例如，倾斜地行进的光可以从顶层410的形成气腔AC的侧部被全反射。

提供到第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每一个的发射层可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。提供到第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每一个的发射层可以包括有机材料和/或量子点。

参考图18，显示设备10A的每个像素的具体结构可以具有根据参考图3至图17G描述的实施例和/或从中得出的实施例的结构。

图19示出根据实施例的显示设备10B的示意性截面图。

参考图19，显示设备10B可以包括与相应像素对应的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射蓝光L_B。

从相应像素发射的蓝光L_B可以在穿过位于光的传播路径上的颜色转换过滤器和滤色器的同时，被分别转换为红光L_R、绿光L_G和蓝光L_B。

例如，从第一有机发光二极管OLED1发射的蓝光L_B可以被第一颜色转换器631转换为红光，并且在转换的光穿过红色滤色器641时，转换的光的色纯度可以被改善，并且可以被发射到外部。第一颜色转换器631可以包括量子点和散射颗粒。量子点可以具有包括核和壳的核-壳结构，核包括纳米晶体，并且壳包围核。量子点的核可以包括VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合中的一种。

从第二有机发光二极管OLED2发射的蓝光L_B可以被第二颜色转换器632转换为绿光，并且在转换的光穿过绿色滤色器642时，转换的光的色纯度可以被改善，并且可以被发射到外部。第二颜色转换器632可以包括量子点和散射颗粒。量子点可以具有包括核和壳的核-壳结构，核包括纳米晶体，并且壳包围核。量子点的核可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合中的一种。第二颜色转换器632的量子点的大小和/或结构可以不同于第一颜色转换器631的量子点的大小和/或结构。

从第三有机发光二极管OLED3发射的蓝光L_B可以穿过透射区域633和蓝色滤色器643，并且可以立即被发射到外部。透射区域633可以包括诸如TiO₂的散射颗粒。

遮光部分650可以被提供在第一颜色转换器631、第二颜色转换器632和透射区域633之中的彼此邻近的两个元件之间，和/或被提供在红色滤色器641、绿色滤色器642和蓝色滤色器643之中的彼此邻近的两个元件之间。遮光部分650可以包括黑矩阵。

参考图19，显示设备10B的每个像素的具体结构可以具有根据参考图3至图17G描述的实施例和/或从中得出的实施例的结构。

根据一个或多个实施例的显示设备可以改善从显示元件发射的光的发射效率、改善亮度并且延长显示设备的寿命。

应理解，本文中描述的实施例应仅在描述性的意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不脱离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，在其中进行形式和细节上的各种改变。