本公开的方面提供了一种半导体器件。例如,半导体器件可以包括第一串并转换器、第二串并转换器以及耦合到第一串并转换器和第二串并转换器的写入数据转换器。第一串并转换器可以被配置为基于一组写入时钟信号将串行数据转换为并行数据,因此并行数据具有关于该组写入时钟信号的第一时序对准。第二串并转换器可以被配置为基于该组写入时钟信号生成掩码图案,因此掩码图案具有关于该组写入时钟信号的第二时序对准。写入数据转换器可以被配置为基于并行数据和掩码图案生成有效数据。

公开了用于NAND闪速存储器的方法和装置。在实施例中,提供了一种用于对NAND闪速存储器进行编程的方法。该方法包括：在未选位线维持禁止电压的同时,用偏置电压电平对所选存储单元的所选位线进行预上电；将验证电压施加到耦合到所选存储单元的所选字线；以及在第一时间间隔内对耦合到接通单元的所选位线进行放电。该方法还包括：读出所选位线上的读出电压电平；当读出电压电平高于阈值电平时,用禁止电压电平加载所选位线,并且当读出电压电平等于或低于阈值电平时,用编程电压加载所选位线；以及针对各个所选位线重复读出和加载操作。

一种半导体存储器装置包括存储器磁芯,其执行数据的读取和写入；数据传递和训练块,其连接在第一焊盘与存储器磁芯之间；以及至少一个数据传递、时钟生成和训练块,其连接在至少一个第二焊盘与存储器磁芯之间。在第一训练操作中,所述数据传递和训练块通过所述第一焊盘输出通过所述第一焊盘接收的第一训练数据作为第二训练数据。在第二训练操作中,所述数据传递和训练块中的至少一个通过所述第一焊盘中的至少一个输出通过所述至少一个第二焊盘接收的第三训练数据作为第四训练数据。第二训练数据和第四训练数据与通过至少一个第二焊盘输出的读数据选通信号同步输出。