本发明提供一种基于SEDRAM的堆叠式器件以及堆叠式器件,其中,基于SEDRAM的堆叠式器件包括：末级缓存组件,所述末级缓存组件包括：控制组件以及存储器组件；所述控制组件包括第三键合引出区域；所述存储器组件包括第四键合引出区域；所述第三键合引出区域与所述第四键合引出区域之间形成三维异质键合结构,以将所述控制组件与所述存储器组件键合连接。实现大规模提高存储容量和存储访问的高带宽、低功耗的目的。

一种存储器件,包括第一程序线和第二程序线。第一程序线的第一部分形成在第一导电层中,并且第一程序线的第二部分形成在第一导电层上方的第二导电层中。第二程序线的第一部分形成在第一导电层中。第二程序线的第二部分形成在第二导电层中。第二程序线的第三部分形成在第二导电层上方的第三导电层中。第一程序线的第一部分和第二部分彼此大小不同,并且第二程序线的第一部分、第二部分和第三部分彼此大小不同。

提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管与第二局部位线电连接。切换电路具有选择第一局部位线或第二局部位线与放大电路电连接的功能。第一晶体管层至第三晶体管层设置在硅衬底上。第三晶体管层设置于第一晶体管层与第二晶体管层之间。