本申请提供了一种SRAM存储单元、运行方法及SRAM存储器,涉及半导体技术领域,该SRAM存储单元包括：交叉耦合的第一反相器和第二反相器；以及与第一反相器、第二反相器均连接的选择控制器；第一反相器和第二反相器还均与以提供正电压的第一电压端连接,选择控制器还与接地端和以提供负电压的第二电压端连接；在读取阶段,选择控制器用于控制第一反相器与第二电压端连接,选择控制器还用于控制第二反相器与接地端连接；在写入阶段,选择控制器用于控制第一反相器与接地端连接,选择控制器还用于控制第二反相器与第二电压端连接。本申请可以降低自加热效应对SRAM存储单元的操作速度和最小操作电压的影响。

本申请涉及基于操作参数来调节电流的技术。一种设备可以包含放大器、反馈部件以及第一和第二电流发生器。所述放大器可以包含用于接收第一电压的输入和用于输出第二电压的输出。所述第一电流发生器可以与所述放大器的所述输出耦合,并且至少部分地基于所述第二电压产生第一电流。所述反馈部件可以与所述第一电流发生器耦合,以至少部分地基于与存储器装置相关联的工作温度修改所述第一电流。所述第一电流可以与所述工作温度成比例。所述第二电流发生器可以与所述第一电流发生器耦合,以至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。

本申请案是针对用于存储器装置的基于温度的存取定时。在一些存储器装置中,存取存储器单元可与不同地取决于所述存储器装置的温度的不同操作相关联。举例来说,与存取存储器单元相关联的一些操作可取决于所述存储器装置的所述温度而具有较长持续时间,且其它操作具有较短持续时间。根据本文所公开的实例,存储器装置可经配置以用于根据与所述存储器装置的温度成比例的持续时间执行存取操作的一些部分,且根据与所述存储器装置的温度成反比的持续时间执行所述存取操作的其它部分。

本发明描述用于存储器装置的刷新速率管理的方法、系统及装置。存储器装置可接收用于存储器阵列的刷新命令(例如,从主机装置接收)。所述存储器装置可确定与所述刷新命令相关联的刷新速率低于阈值,且所述阈值可基于所述存储器阵列的条件。所述存储器装置可传输指示与所述刷新命令相关联的所述刷新速率低于所述阈值的信令(例如,传输到主机装置)。另外或替代地,所述存储器装置可基于确定与所述刷新命令相关联的所述刷新速率低于所述阈值从第一操作模式切换到第二操作模式。所述第二操作模式可约束对所述存储器阵列的至少一部分的存取。另外或替代地,所述第二操作模式可包含自刷新模式。