一种存储介质剩余寿命预测方法、系统、介质及设备

本发明提供了一种存储介质剩余寿命预测方法、系统、介质及设备,方法包括：对存储介质按照预设的固定周期依次统计其已写入的数据量,以得到基于周期的关于存储介质的写入数据量的第一序列,并对第一序列做差分运算以得到基于周期的写入数据量的写入变化量的第二序列；基于第二序列计算预设窗口期的写入变化量的平均值,并将以第n个周期结尾的窗口期的写入变化量的平均值作为预测的第n+1个周期的写入变化量；基于存储介质的额定写入数据量和已写入的数据总量以及预测的写入变化量得到存储介质的预测剩余寿命。本发明能够更精确地预测存储介质的剩余寿命,保障存储介质数据的安全性,从而避免存储介质过早更换所带来的资源浪费。

2021-11-02

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存储器装置

一种存储器装置,包括形成于一基板的第一区域中的第一晶体管。第一晶体管包括自上述基板突出的突出结构,以及耦接至突出结构的第一端的第一源极/漏极(S/D)结构。上述存储器装置包括形成于上述基板的第二区域中的第二晶体管。第二晶体管包括垂直地彼此间隔的多个第一半导体层、耦接至多个第一半导体层的第一端的第二源极/漏极结构、以及耦接至多个第一半导体层的第二端的第三源极/漏极结构。第一区域与第二区域通过隔离结构彼此横向地分隔。

2021-11-02

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利用三端存储器件的模拟内容可寻址存储器

本公开提供一种利用三端存储器件的模拟内容可寻址存储器。模拟内容可寻址存储单元包括匹配线、高侧和低侧。高侧对值的范围上的高电压边界编码,并且包括第一三端存储器件。第一三端存储器件包括第一栅极,该第一栅极设置第一三端存储器件的高电压边界。具体地,施加在第一存储器件的第一栅极处的输入电压如果高于高电压边界,则使第一存储器件导通,从而使匹配线放电。类似地,低侧对值的范围上的低电压边界编码,并且包括第二三端存储器件。第二三端存储器件包括第二栅极,该第二栅极设置第二三端存储器件的低电压边界。具体地,施加在第二存储器件的第二栅极处的输入电压如果低于低电压边界,则使第一存储器件导通,从而使匹配线放电。

2021-11-02

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对存储器进行编程的方法及存储器

本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数,并以第二编程电压对存储器进行第二次编程,第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值,若否,则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数,并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值,若否,则再次进行编程,直至失败位数小于第二预设值,其中,第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值,根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功,若成功,则不需要再进行第二次编程结果的验证,大大缩短了编程时间,且保证存储器的可靠性。

2021-10-29

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目标数据的解码方法、装置、电子设备和存储装置

本申请提供了目标数据的解码方法、装置、电子设备和存储装置,属于数据解码技术领域。所述方法包括：从存储介质中读取目标数据,其中,所述存储介质中包括多个存储单元；在采用预设解码方式对所述目标数据解码失败的情况下,根据存储器中预先存储的位置信息确定目标存储单元,其中,所述位置信息包括特定存储单元的具体位置；将所述目标存储单元的初始可信度更改为目标可信度,其中,所述目标可信度的可信度值低于所述初始可信度的可信度值；采用软解码方式对更改可信度后的目标数据进行解码。本申请提高了目标数据解码成功的效率。

2021-10-29

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存算一体装置及其校准方法

一种存算一体装置及其校准方法。存算一体装置包括第一处理单元,第一处理单元包括：第一计算忆阻器阵列,被配置为接收第一计算输入数据,并对第一计算输入数据进行计算以得到第一输出数据；以及第一校准忆阻器阵列,被配置为接收第一校准输入数据,并根据第一校准输入数据对第一输出数据进行校准,以得到第一校准输出数据；第一处理单元被配置为输出第一校准输出数据。校准方法包括：通过片外训练确定第一计算忆阻器阵列对应的第一计算权重矩阵,将第一计算权重矩阵写入第一计算忆阻器阵列；基于写入了第一计算权重矩阵的第一计算忆阻器阵列和第一计算权重矩阵,对第一校准忆阻器阵列进行片上训练,以调整第一校准忆阻器阵列的权重值。

2021-10-26

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用于NAND存储操作的架构和方法

在一种用于对存储单元串进行编程的方法中,在选定的字线上施加编程电压以对存储单元串中的选定的存储单元进行编程。将第一通过电压施加在耦合到存储单元中的第一存储单元的第一字线上。将第二通过电压施加在耦合到存储单元中的第二存储单元的第二字线上。此外,将第三通过电压施加在耦合到存储单元中的第三存储单元的第三字线上。第一、第二和第三存储单元位于存储单元串中的选定的存储单元的第一侧,并且第二存储单元设置在第一存储单元和第三存储单元之间。第二通过电压高于第一通过电压和第三通过电压。

2021-10-22

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存储器装置及其操作方法

本公开涉及一种存储器装置。该存储器装置包括：一个或多个平面,每个平面包括多个存储块；以及控制电路,根据在对包括第一存储块的平面执行编程操作之后是否从主机首先接收到对第一存储块的读取命令,在对第一存储块的有效读取操作之前选择性地执行虚拟读取操作。

2021-10-22

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写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路

公开了写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路。非易失性存储器的半导体阱容纳存储器单元。每个存储器单元具有浮置栅极和控制栅极。对存储器单元的擦除包括用第一擦除电压偏置半导体阱,第一擦除电压的绝对值大于存储器的控制栅极开关电路的双极结的击穿电压电平。第一擦除电压的绝对值基于存储器单元的磨损指示的值与磨损阈值的比较。

2021-10-22

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提供小摆动电压感测的感测放大器架构

本发明题为“提供小摆动电压感测的感测放大器架构”。本发明提出了一种感测放大器架构,该感测放大器架构由于能够感测通态存储器单元与断态存储器单元之间的较小电压摆动而可减少感测时间。该感测放大器包括感测电容器,该感测电容器在一侧上可连接到多个位线并且在另一侧上可连接到主感测放大器区段。该主区段包括由一对反相器形成的锁存器,该锁存器具有连接到电容器的输入以及由第三反相器连接到电容器的另一侧的输出。为了对锁存器进行预充电,短接输入和输出节点,然后连接电容器以基于所选择的存储器单元是通态还是断态来通过所选择的存储器单元使电容器放电。用于每个位线的编程数据锁存器可将位线偏置到编程使能或编程禁止电平。

2021-10-19

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