存储器装置

一种存储器装置,包括形成于一基板的第一区域中的第一晶体管。第一晶体管包括自上述基板突出的突出结构,以及耦接至突出结构的第一端的第一源极/漏极(S/D)结构。上述存储器装置包括形成于上述基板的第二区域中的第二晶体管。第二晶体管包括垂直地彼此间隔的多个第一半导体层、耦接至多个第一半导体层的第一端的第二源极/漏极结构、以及耦接至多个第一半导体层的第二端的第三源极/漏极结构。第一区域与第二区域通过隔离结构彼此横向地分隔。

2021-11-02

访问量：42

存内计算装置及运算装置

本公开涉及一种存内计算装置及运算装置,所述装置包括：计算阵列,包括多个存内计算模块,所述存内计算模块包括第一字线、第二字线、第三字线、第一位线、第二位线、第三位线、第四位线、第一存储单元及第二存储单元；控制模块,连接于所述计算阵列,用于：控制所述第一字线、所述第三字线的电压状态,以控制所述存内计算模块的工作模式为写模式、读模式及保持模式的任意一种。本公开实施例提出的存内计算装置具有低电路复杂度、低功耗、高准确度、较快运算速度的特点。

2021-11-02

访问量：38

存储装置及其操作方法

本技术涉及一种电子装置。根据本技术的存储装置包括多个存储器装置和存储器控制器。多个存储器装置中的每一个包括多个存储块。存储器控制器检测多个存储器装置之中的缺陷存储器装置,并且将该缺陷存储器装置中包括的正常块分配到用于对多个存储器装置执行后台操作的超量配置区域。

2021-10-26

访问量：36

半导体存储装置

实施方式提供一种能够抑制写入动作的性能劣化且执行插入动作的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：存储单元,连接于字线；以及控制电路,构成为执行反复进行编程循环的写入动作,所述编程循环包括将编程电压施加于字线的编程动作、及接在编程动作之后继续进行的验证动作。控制电路构成为,在写入动作中,每反复进行一次编程循环,便使编程电压上升第1量,在使写入动作中断的情况下,在重新开始写入动作后第n次(n为1以上的整数)为止的编程动作中,将第1量变更为第2量,所述第2量是小于第1量的正数。

2021-10-26

访问量：46

集成电路及其制造方法

揭露一种集成电路及其制造方法。集成电路包含晶体管、第一熔丝元件及第二熔丝元件。晶体管形成于第一导电层中。第一熔丝元件形成于设置于第一导电层上方的第二导电层中。第二熔丝元件形成于第二导电层中且耦接至第一熔丝元件。晶体管经由第一熔丝元件耦接至用于接收第一数据信号的第一数据线,且晶体管经由第二熔丝元件耦接至用于接收第二数据信号的第二数据线。

2021-10-22

访问量：45

提供小摆动电压感测的感测放大器架构

本发明题为“提供小摆动电压感测的感测放大器架构”。本发明提出了一种感测放大器架构,该感测放大器架构由于能够感测通态存储器单元与断态存储器单元之间的较小电压摆动而可减少感测时间。该感测放大器包括感测电容器,该感测电容器在一侧上可连接到多个位线并且在另一侧上可连接到主感测放大器区段。该主区段包括由一对反相器形成的锁存器,该锁存器具有连接到电容器的输入以及由第三反相器连接到电容器的另一侧的输出。为了对锁存器进行预充电,短接输入和输出节点,然后连接电容器以基于所选择的存储器单元是通态还是断态来通过所选择的存储器单元使电容器放电。用于每个位线的编程数据锁存器可将位线偏置到编程使能或编程禁止电平。

2021-10-19

访问量：42

存储器系统及其操作方法

本公开涉及一种存储器系统,该存储器系统包括非易失性存储器装置和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器区域,每个存储器区域包括共同联接到字线的多个单元。控制器基于源数据生成多个候选数据集,确定对应于多个候选数据集中的每一个的易损单元的数量,并且将具有最小数量的易损单元的候选数据集存储到多个存储器区域之中的目标存储器区域中。

2021-10-12

访问量：42

设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件

提供了一种设计电路的方法。该方法包括：设置电路；选择该电路中的第一NMOS鳍式场效应晶体管；以及将具有第一鳍数量的第一NMOS鳍式场效应晶体管替换为具有第二鳍数量的第二NMOS鳍式场效应晶体管和具有第三鳍数量的第三NMOS鳍式场效应晶体管,其中,第二鳍数量与第三鳍数量之和等于第一鳍数量。本发明的实施例还提供了一种SRAM器件。

2021-10-08

访问量：30

存储器件及其操作方法

本发明公开了读取或感测由多级单元存储的多位数据的电路和方法。在该方面,从第一组参考电路中选择第一参考电路,从第二组参考电路中选择第二参考电路。至少部分地基于第一参考电路和第二参考电路,可以确定由多级单元存储的多位数据的一个或多个位。根据所确定的一个或多个位,可以选择来自第一组参考电路的第三参考电路和来自第二组参考电路的第四参考电路。至少部分地基于第三参考电路和第四参考电路,可以确定由多级单元存储的多位数据中的另外一个或多个位。本发明的实施例还涉及存储器件及其操作方法。

2021-10-01

访问量：41

半导体装置以及具有该半导体装置的电器设备

提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管与第二局部位线电连接。切换电路具有选择第一局部位线或第二局部位线与放大电路电连接的功能。第一晶体管层至第三晶体管层设置在硅衬底上。第三晶体管层设置于第一晶体管层与第二晶体管层之间。

2021-09-28

访问量：38