本公开提供了一种三维NAND存储器设备,包括：第一NAND串,其包括对应于将被禁止编程的第一单元的第一沟道；以及被配置为控制字线驱动器和位线驱动器进行以下操作的控制器：在向选定字线施加编程电压之前,将与所述第一沟道电耦合的第一位线充电至第一电压电平,以用于将所述第一沟道充电至所述第一电压电平,对与所述第一位线电耦合的阵列公共源极充电,以进一步将所述第一沟道充电至高于所述第一电压电平的第二电压电平；以及切断所述第一位线与所述第一沟道之间的电耦合,以准备向所述选定字线施加所述编程电压。

公开了一种用于对多个非易失性存储器(NVM)设备进行编程的装置和方法。每个NVM设备自生成并存储唯一加密密钥。每个NVM设备从与所有NVM设备通信地耦接的多设备编程系统同时接收图像。每个NVM设备使用这样的NVM设备的唯一加密密钥对所接收到的图像进行加密,以针对每个NVM设备产生唯一的加密图像。每个NVM设备将其唯一的加密图像存储在这样的NVM设备的非易失性存储器内。然后可以将唯一加密密钥安全地传输至主机设备,以对从NVM设备之一访问的图像进行解密。

在某些方面,一种存储器系统可以包括至少一个存储设备和耦合到该至少一个存储设备的存储控制器。每个存储设备可以包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑单元。存储控制器和存储设备的控制逻辑单元可以由具有第一预定功耗阈值的第一电源供电。存储设备的存储单元阵列可以由具有第二预定功耗阈值的第二电源供电。存储控制器可以被配置为：维持存储器操作的第一队列,其中第一队列中的存储器操作的执行导致来自第一电源的功耗；维持存储器操作的第二队列,其中第二队列中的存储器操作的执行导致来自第二电源的功耗；单独确定第一队列和第二队列中的后续存储器操作的各自执行是否分别导致对应的第一和第二电源过载；基于该确定,执行第一或第二队列中的不会导致对应的第一或第二电源过载的后续存储器操作；以及基于该确定,将第一或第二队列中的将导致对应的第一或第二电源过载的后续存储器操作延迟。

本揭露提供一种读出电路包含第一开关电路、第一放大电路以及第一电流转电压电路。所述第一开关电路接收第一电流信号。所述第一放大电路通过所述第一电路节点耦接所述第一开关电路。所述第一放大电路依据所述第一电路节点的第一电压来输出第一读出电流。所述第一电流转电压电路耦接所述第一放大电路,并且将所述第一读出电流转换为第一读出电压,其中所述第二电流转电压电路将所述第一读出电压经由所述第一电流转电压电路与所述第一放大电路之间的第二电路节点输出。

本发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端,先将施加到地址线的电压切换到低压,然后遍历所有需要编程的数据的验证,验证完毕后找到flash内需要编程的地址,再将施加到地址线的电压切换到高压,对flash内需要编程的地址执行编程操作；虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时,也需要在不同的地址间进行切换,还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程,但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换,从而提高了编程的效率,在需要编程的数据的量足够大时,编程效率的提高效果非常明显。